CN109757118B - 显示基板和显示设备 - Google Patents

显示基板和显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN109757118B
CN109757118B CN201780000958.2A CN201780000958A CN109757118B CN 109757118 B CN109757118 B CN 109757118B CN 201780000958 A CN201780000958 A CN 201780000958A CN 109757118 B CN109757118 B CN 109757118B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
base substrate
projection
shielding layer
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780000958.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109757118A (zh
Inventor
刘威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of CN109757118A publication Critical patent/CN109757118A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109757118B publication Critical patent/CN109757118B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本申请公开了一种显示基板和显示设备。所述显示基板包括：基底基板；薄膜晶体管，其用于驱动图像显示并且包括有源层；以及第一遮光层，其位于基底基板上并且位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中。第一遮光层在基底基板上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域之间的子像素间区域在基底基板上的投影。第一遮光层在基底基板上的投影位于有源层在基底基板上的投影之外。

Description

显示基板和显示设备
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地，涉及显示基板和显示设备。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD更易弯曲、更薄且更轻。
OLED显示设备通常包括阳极、包括发光层的有机层、以及阴极。OLED可以为底发射型OLED或顶发射型OLED。在底发射型OLED中，从阳极侧提取光。在底发射型OLED中，阳极通常是透明的，而阴极通常为反射性的。在顶发射型OLED中，从阴极侧提取光。阴极是光学透明的，而阳极是反射性的。
发明内容
在一方面，本发明提供了一种显示基板，包括：基底基板；薄膜晶体管，其用于驱动图像显示并且包括有源层；以及第一遮光层，其位于基底基板上并且位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中；其中，第一遮光层在基底基板上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域之间的子像素间区域在基底基板上的投影；并且第一遮光层在基底基板上的投影位于有源层在基底基板上的投影之外。
可选地，显示基板还包括：第一绝缘层，其位于第一遮光层的远离基底基板的一侧；第一数据线，其位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中并且位于第一绝缘层的远离第一遮光层的一侧；和第一过孔，其延伸穿过第一绝缘层；其中，第一遮光层通过第一过孔与第一数据线电连接。
可选地，薄膜晶体管包括与第一遮光层位于同一层的栅电极。
可选地，显示基板还包括第二遮光层；其中，第二遮光层在基底基板上的投影基本上覆盖有源层在基底基板上的投影。
可选地，第一遮光层和第二遮光层位于同一层。
可选地，显示基板还包括：第二绝缘层，其位于第一绝缘层和基底基板之间；其中，第一过孔延伸穿过第一绝缘层和第二绝缘层。
可选地，显示基板还包括：第三遮光层，其位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中，第三遮光层和第一遮光层位于不同层；其中，第三遮光层在基底基板上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域之间的子像素间区域在基底基板上的投影；并且第三遮光层在基底基板上的投影位于有源层在基底基板上的投影之外。
可选地，显示基板还包括：第一数据线和第二数据线，其位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中，第二数据线和第一数据线位于同一层；其中，第一遮光层与第一数据线电连接；并且第三遮光层与第二数据线电连接。
可选地，显示基板还包括：第一绝缘层，其位于第一数据线和第一遮光层之间；第一过孔，其延伸穿过第一绝缘层；第二绝缘层，其位于第一绝缘层和第三遮光层之间；和第二过孔，其延伸穿过第一绝缘层和第二绝缘层；其中，第一遮光层通过第一过孔与第一数据线电连接；并且第三遮光层通过第二过孔与第二数据线电连接。
可选地，第一遮光层在基底基板上的投影和第三遮光层在基底基板上的投影彼此部分地重叠。
可选地，第一遮光层和第三遮光层在基底基板上的组合投影基本上覆盖相邻两个子像素区域之间的子像素间区域在基底基板上的投影。
可选地，显示基板还包括：钝化层，其位于第一遮光层的远离基底基板的一侧；和彩膜层，其位于钝化层的远离第一遮光层的一侧；其中，彩膜层包括多个彩膜块；所述多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中；并且第一遮光层在基底基板上的投影至少部分地覆盖所述多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域在基底基板上的投影。
可选地，显示基板还包括：第三遮光层，其位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中，第三遮光层和第一遮光层位于不同层；其中，第三遮光层在基底基板上的投影至少部分地覆盖所述多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域在基底基板上的投影；并且第三遮光层在基底基板上的投影位于有源层在基底基板上的投影之外。
可选地，显示基板还包括：第一数据线和第二数据线，其位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中，第二数据线和第一数据线位于同一层；其中，第一遮光层与第一数据线电连接；并且第三遮光层与第二数据线电连接。
可选地，显示基板还包括：第二绝缘层，其位于第三遮光层的远离基底基板的一侧，第二绝缘层位于第一遮光层和第三遮光层之间；第一绝缘层，其位于第一遮光层的远离第二绝缘层的一侧，第一绝缘层位于第一遮光层和第一数据线之间；第一过孔，其延伸穿过第一绝缘层；和第二过孔，其延伸穿过第一绝缘层和第二绝缘层；其中，第一遮光层通过第一过孔与第一数据线电连接；并且第三遮光层通过第二过孔与第二数据线电连接。
可选地，第一遮光层和第三遮光层在基底基板上的组合投影基本上覆盖所述多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域在基底基板上的投影。
可选地，薄膜晶体管包括与第一遮光层位于同一层的栅电极；显示基板还包括：第二遮光层，第二遮光层在基底基板上的投影基本上覆盖有源层在基底基板上的投影；并且第三遮光层和第二遮光层位于同一层。
可选地，薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；并且栅电极位于有源层的远离基底基板的一侧。
可选地，所述显示基板为有机发光二极管显示基板；并且显示基板还包括：多个有机发光二极管，每个有机发光二极管位于所述多个彩膜块中的彩膜块的远离基底基板的一侧。
可选地，所述显示基板为底发射型显示基板。
在另一方面，本发明提供了一种显示设备，其包括本文描述的显示基板或通过本文描述的方法制造的显示基板。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是示出常规显示基板的结构的示意图。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图3是图2中虚线围绕区域的放大图。
图4是示出在显示基板的平面图中的第一数据线50a和第一遮光层80a的结构的示意图。
图5是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图7是图6中虚线围绕区域的放大图。
图8是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图9是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图10是图9中虚线围绕区域的放大图。
图11是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。
图12A至图12H示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的过程。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。
图1是示出常规显示基板的结构的示意图。参照图1，常规显示基板具有子像素区域1和子像素间区域2。如图1所示，在常规显示基板中，从子像素区域1(例如，从有机发光二极管100a或100b)发出的光可穿过子像素间区域2。当显示基板是底发光显示基板时，漏光会特别成问题。即使可以设计子像素间区域2和子像素区域1的尺寸以及彩膜块60a和60b的位置及尺寸来尽可能地减少子像素间区域2中的漏光。但是，当显示基板的各相关层之间即使只是略微没有对齐时，就无法避免常规显示基板中的漏光问题。由于穿过子像素间区域2的光是白光，因此这还会影响具有常规显示基板的显示面板的色彩显示。
因此，本公开特别提供了显示基板和显示设备，其实质上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。在一方面，本公开提供了一种显示基板。在一些实施例中，显示基板包括：基底基板；薄膜晶体管，其用于驱动图像显示并且包括有源层；以及第一遮光层，其位于基底基板上并且位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中。第一遮光层在基底基板上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域之间的子像素间区域在基底基板上的投影。第一遮光层在基底基板上的投影位于有源层在基底基板上的投影之外。如本文使用的那样，子像素区域指的是子像素的发光区域，比如液晶显示器中与像素电极对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与发光层对应的区域。可选地，像素可包括与像素中的若干个子像素对应的若干个分离的发光区域。可选地，子像素区域是红色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是绿色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是蓝色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是白色子像素的发光区域。如本文使用的那样，子像素间区域指的是相邻子像素区域之间的区域，比如液晶显示器中与黑矩阵对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与像素限定层对应的区域。可选地，子像素间区域是同一像素中相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是来自两个相邻像素的两个相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是红色子像素的子像素区域和相邻绿色子像素的子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是红色子像素的子像素区域和相邻蓝色子像素的子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是绿色子像素的子像素区域和相邻蓝色子像素的子像素区域之间的区域。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图3是图2中虚线围绕区域的放大图。参照图2和图3，一些实施例中的显示基板包括基底基板10以及用于驱动显示基板的图像显示的薄膜晶体管110。如图3所示，一些实施例中的薄膜晶体管110包括栅电极G和有源层AL。可选地，薄膜晶体管还包括其他部件，比如源电极和漏电极等。显示基板具有子像素区域1和子像素间区域2。可选地，薄膜晶体管110位于子像素间区域2中。显示基板还包括：第一遮光层80a，其位于相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中。第一遮光层80a在基底基板10上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影。可选地，第一遮光层80a在基底基板10上的投影完全地覆盖相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影。可选地，第一遮光层80a被构造为单独地或与其他遮光层一起地阻挡相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中的漏光。如图3所示，第一遮光层80a在基底基板10上的投影位于有源层AL在基底基板10上的投影之外，例如，第一遮光层80a在基底基板10上的投影和有源层AL在基底基板10上的投影基本上不重叠。
在一些实施例中，显示基板还包括：第一绝缘层90a，其位于第一遮光层80a的远离基底基板10的一侧；第一数据线50a，其位于相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中并且位于第一绝缘层90a的远离第一遮光层80a的一侧；和第一过孔V1，其延伸穿过第一绝缘层90a。第一遮光层80a通过第一过孔V1与第一数据线50a电连接。通过这种设计，第一数据线50a和第一遮光层80a构成具有双子层结构的数据线，第一子层为第一数据线50a，第二子层为第一遮光层80a。第一子层和第二子层并联地电连接，以传输数据信号，有效地降低了数据线的电阻。图4是示出在显示基板的平面图中的第一数据线50a和第一遮光层80a的结构的示意图。
图5是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。参照图5，在一些实施例中，第一遮光层80a不与第一数据线50a电连接。为了减小第一遮光层80a和数据线(例如，第一数据线50a)之间的寄生电容，在一些实施例中，第一遮光层80a在基底基板10上的投影与显示基板中的任何数据线(例如，第一数据线50a)在基底基板10上的投影基本上不重叠。可选地，第一遮光层80a在基底基板10上的投影与显示基板中的任何数据线(例如，第一数据线50a)在基底基板10上的投影部分地重叠。可选地，第一遮光层80a在基底基板10上的投影完全地覆盖相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影。
第一遮光层80a可以形成在显示基板的任何适当位置或层中，只要其至少部分地覆盖相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影即可，例如，第一遮光层80a构造为单独地或与另一遮光层一起地阻挡相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中的漏光。
参照图3，一些实施例中的第一遮光层80a与薄膜晶体管110的栅电极G位于同一层。如本文使用的那样，术语“同一层”指的是在同一步骤中同时形成的各层之间的关系。在一个示例中，当栅电极G和第一遮光层80a作为在同一材料层中执行的同一构图工艺的一个或多个步骤的结果而形成时，它们位于同一层。在另一个示例中，可以通过同时执行形成栅电极G的步骤和形成第一遮光层80a的步骤而将栅电极G和第一遮光层80a形成在同一层。术语“同一层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。
参照图3，一些实施例中的显示基板还包括第二遮光层80c。第二遮光层80c构造成为有源层AL(特别是有源层AL的沟道区域)遮光。可选地，第二遮光层80c在基底基板10上的投影基本上覆盖有源层AL在基底基板10上的投影。但是，第一遮光层80a在基底基板10上的投影位于有源层AL在基底基板10上的投影之外。如图3所示，第一遮光层80a和第二遮光层80c位于不同层。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图7是图6中虚线围绕区域的放大图。参照图6，一些实施例中的显示基板包括：基底基板10；第一遮光层80a，其位于基底基板10上；第二绝缘层90b，其位于第一遮光层80a的远离基底基板10的一侧；第一绝缘层90a，其位于第二绝缘层90b的远离基底基板10的一侧；以及第一数据线50a，其位于第一绝缘层90a的远离第二绝缘层90b的一侧。参照图7，一些实施例中的显示基板还包括用于驱动显示基板的图像显示的薄膜晶体管110。一些实施例中的薄膜晶体管110包括栅电极G和有源层AL。薄膜晶体管110位于子像素间区域2中。第一遮光层80a位于相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中。第一遮光层80a在基底基板10上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影。可选地，第一遮光层80a在基底基板10上的投影完全地覆盖相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影。可选地，第一遮光层80a被构造为单独地或与其他遮光层一起地阻挡相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中的漏光。
如图7所示，第一遮光层80a在基底基板10上的投影位于有源层AL在基底基板10上的投影之外，例如，第一遮光层80a在基底基板10上的投影和有源层AL在基底基板10上的投影基本上不重叠。在一些实施例中，显示基板还包括第二遮光层80c。第二遮光层80c构造成为有源层AL(特别是有源层AL的沟道区域)遮光。可选地，第二遮光层80c在基底基板10上的投影基本上覆盖有源层AL在基底基板10上的投影。如图7所示，第一遮光层80a和第二遮光层80c位于同一层。
如图6和图7所示，显示基板还包括延伸穿过第一绝缘层90a和第二绝缘层90b的第一过孔V1。第一遮光层80a通过第一过孔V1与第一数据线50a电连接。通过这种设计，第一数据线50a和第一遮光层80a构成具有双子层结构的数据线，第一子层为第一数据线50a，第二子层为第一遮光层80a。第一子层和第二子层并联地电连接，以传输数据信号，有效地降低了数据线的电阻。
图8是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。参照图8，在一些实施例中，第一遮光层80a不与第一数据线50a电连接。为了减小第一遮光层80a和数据线(例如，第一数据线50a)之间的寄生电容，在一些实施例中，第一遮光层80a在基底基板10上的投影与显示基板中的任何数据线(例如，第一数据线50a)在基底基板10上的投影基本上不重叠。可选地，第一遮光层80a在基底基板10上的投影与显示基板中的任何数据线(例如，第一数据线50a)在基底基板10上的投影部分地重叠。可选地，第一遮光层80a在基底基板10上的投影完全地覆盖相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影。
图9是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图10是图9中虚线围绕区域的放大图。参照图9和图10，一些实施例中的显示基板包括位于相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中的第一遮光层80a和第三遮光层80b。第三遮光层80b和第一遮光层80a位于不同层。可选地，第一遮光层80a在基底基板10上的投影和第三遮光层80b在基底基板10上的投影位于有源层(例如，薄膜晶体管110a的有源层AL1和薄膜晶体管110b的有源层AL2)在基底基板10上的投影之外。第一遮光层80a和第三遮光层80b位于相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中。第一遮光层80a在基底基板10上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影。第三遮光层80b在基底基板10上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影。第一遮光层80a和第三遮光层80b一起被构造为遮挡相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中的漏光。第一遮光层80a和第三遮光层80b在基底基板10上的组合投影完全覆盖相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影。可选地，第一遮光层80a在基底基板10上的投影和第三遮光层80b在基底基板10上的投影在重叠区域3中彼此部分地重叠。
在一些实施例中，显示基板包括：第三遮光层80b，其位于基底基板10上；第二绝缘层90b，其位于第三遮光层80b的远离基底基板10的一侧；第一遮光层80a，其位于第二绝缘层90b的远离基底基板10的一侧；第一绝缘层90a，其位于第一遮光层80a的远离第二绝缘层90b的一侧；以及数据线层，其位于第一绝缘层90a的远离第二绝缘层90b的一侧。数据线层包括第一数据线50a和第二数据线50b，两者均位于相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中。可选地，第二数据线50b和第一数据线50a位于同一层。第一遮光层80a与第一数据线50a电连接，第三遮光层80b与第二数据线50b电连接。第一绝缘层90a位于第一数据线50a和第一遮光层80a之间。第二绝缘层90b位于第一绝缘层90a和第三遮光层80b之间，例如，第一绝缘层90a和第二绝缘层90b位于第二数据线50b和第三遮光层80b之间。
在一些实施例中，显示基板还包括延伸穿过第一绝缘层90a的第一过孔V1以及延伸穿过第一绝缘层90a和第二绝缘层90b的第二过孔V2。第一遮光层80a通过第一过孔V1与第一数据线50a电连接。第三遮光层80b通过第二过孔V2与第二数据线50b电连接。
参照图10，薄膜晶体管110a包括有源层AL1、位于有源层AL1上的栅绝缘层90c以及位于栅绝缘层90c的远离有源层AL1的一侧的栅电极G1。薄膜晶体管110b包括有源层AL2、位于有源层AL2上的栅绝缘层90c以及位于栅绝缘层90c的远离有源层AL2的一侧的栅电极G2。在一些实施例中，显示基板还包括位于有源层AL1的远离栅电极G1的一侧的遮光层80c1，遮光层80c1在基底基板10上的投影基本上覆盖有源层AL1在基底基板10上的投影。在一些实施例中，显示基板还包括位于有源层AL2的远离栅电极G2的一侧的遮光层80c2，遮光层80c2在基底基板10上的投影基本上覆盖有源层AL2在基底基板10上的投影。
参照图2、图5、图6、图8和图9，一些实施例中的显示基板还包括：钝化层20，其位于第一遮光层80a的远离基底基板10的一侧，例如，位于数据线层(第一数据线50a或第二数据线50b)的远离第一绝缘层90a的一侧。可选地，显示基板为阵列上彩膜(color-on-array，COA)显示基板，其还包括彩膜层。可选地，彩膜层位于钝化层20的远离第一遮光层80a的一侧。可选地，彩膜层包括多个彩膜块。图2、图5、图6、图8和图9示出了与具有当前显示基板的显示面板中的相邻两个子像素对应的第一彩膜块60a和第二彩膜块60b。如图2、图5、图6、图8和图9所示，多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域位于相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中，例如，第一彩膜块60a和第二彩膜块60b之间的区域位于相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中。图11是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。参照图11，相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2在基底基板10上的投影基本上覆盖多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域2a在基底基板10上的投影，例如，基本上覆盖第一彩膜块60a和第二彩膜块60b之间的区域2a在基底基板10上的投影。参照图2、图5、图6、图8和图9，第一遮光层80a在基底基板10上的投影至少部分地覆盖多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域2a在基底基板10上的投影。参照图9和图11，第三遮光层80b在基底基板10上的投影至少部分地覆盖多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域2a在基底基板10上的投影。可选地，第一遮光层80a和第三遮光层80b在基底基板10上的组合投影基本上覆盖多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域2a在基底基板10上的投影。
可选地，薄膜晶体管(例如，图3和图7中的薄膜晶体管110，图10中的薄膜晶体管110a和110b)为顶栅型薄膜晶体管。可选地，顶栅型薄膜晶体管的栅电极G位于有源层AL的远离基底基板10的一侧。
参照图2、图5、图6、图8和图9，一些实施例中的显示基板为有机发光二极管显示基板。一些实施例中的显示基板还包括多个有机发光二极管，例如，有机发光二极管100a和100b。可选地，多个有机发光二极管中的每一个位于多个彩膜块中的彩膜块的远离基底基板10的一侧。可选地，所述显示基板为底发射型显示基板。可选地，所述显示基板为顶发射型显示基板。
在另一方面，本公开提供了一种制造显示基板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板上形成用于驱动图像显示的薄膜晶体管，以及在基底基板上并且在相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中形成第一遮光层。薄膜晶体管形成为包括有源层。第一遮光层形成为使得第一遮光层在基底基板上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域之间的子像素间区域在基底基板上的投影，并且使得第一遮光层在基底基板上的投影位于有源层在基底基板上的投影之外。
在一些实施例中，所述方法还包括：在第一遮光层的远离基底基板的一侧形成第一绝缘层；在相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中并且在第一绝缘层的远离第一遮光层的一侧形成第一数据线；以及形成延伸穿过第一绝缘层的第一过孔。第一遮光层通过第一过孔与第一数据线电连接。
一些实施例中的薄膜晶体管形成为包括栅电极。可选地，第一遮光层和薄膜晶体管的栅电极形成在同一层。
在一些实施例中，所述方法还包括：形成第二遮光层。可选地，第二遮光层形成为使得第二遮光层在基底基板上的投影基本上覆盖有源层在基底基板上的投影。可选地，第一绝缘层和第二遮光层形成在同一层。
在一些实施例中，所述方法还包括：形成位于第一绝缘层和基底基板之间的第二绝缘层。可选地，第一过孔形成为延伸穿过第一绝缘层和第二绝缘层。
在一些实施例中，所述方法还包括：在相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中形成第三遮光层，第三遮光层和第一遮光层形成在不同层。可选地，第三遮光层形成为使得第三遮光层在基底基板上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域之间的子像素间区域在基底基板上的投影；并且第三遮光层在基底基板上的投影位于有源层在基底基板上的投影之外。在一些实施例中，所述方法还包括：在相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中形成包括第一数据线和第二数据线的数据线层，第二数据线和第一数据线位于同一层。可选地，第一遮光层形成为与第一数据线电连接；并且第三遮光层形成为与第二数据线电连接。在一些实施例中，所述方法还包括：形成位于第一数据线和第一遮光层之间的第一绝缘层；形成延伸穿过第一绝缘层的第一过孔；形成位于第一绝缘层和第三遮光层之间的第二绝缘层；以及形成延伸穿过第一绝缘层和第二绝缘层的第二过孔。可选地，第一遮光层形成为通过第一过孔与第一数据线电连接；并且第三遮光层形成为通过第二过孔与第二数据线电连接。可选地，第一遮光层和第三遮光层形成为使得第一遮光层在基底基板上的投影和第三遮光层在基底基板上的投影彼此部分地重叠。可选地，第一遮光层和第三遮光层形成为使得第一遮光层和第三遮光层在基底基板上的组合投影基本上覆盖相邻两个子像素区域之间的子像素间区域在基底基板上的投影。
在一些实施例中，所述方法还包括：在第一遮光层的远离基底基板的一侧形成钝化层；以及在钝化层的远离第一遮光层的一侧形成彩膜层。彩膜层形成为包括多个彩膜块；并且多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中。可选地，第一遮光层形成为使得第一遮光层在基底基板上的投影至少部分地覆盖多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域在基底基板上的投影。在一些实施例中，所述方法还包括：在相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中形成第三遮光层，第三遮光层和第一遮光层位于不同层。可选地，第三遮光层形成为使得第三遮光层在基底基板上的投影至少部分地覆盖多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域在基底基板上的投影；并且第三遮光层在基底基板上的投影位于有源层在基底基板上的投影之外。在一些实施例中，所述方法还包括：在相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中形成包括第一数据线和第二数据线的数据线层，第二数据线和第一数据线位于同一层。可选地，第一遮光层形成为与第一数据线电连接；并且第三遮光层形成为与第二数据线电连接。在一些实施例中，所述方法还包括：在第三遮光层的远离基底基板的一侧形成第二绝缘层，第二绝缘层位于第一遮光层和第三遮光层之间；在第一遮光层的远离第二绝缘层的一侧形成第一绝缘层，第一绝缘层位于第一遮光层和第一数据线之间；形成延伸穿过第一绝缘层的第一过孔；以及形成延伸穿过第一绝缘层和第二绝缘层的第二过孔。可选地，第一遮光层形成为通过第一过孔与第一数据线电连接；并且第三遮光层形成为通过第二过孔与第二数据线电连接。可选地，第一遮光层和第三遮光层形成为使得第一遮光层和第三遮光层在基底基板上的组合投影基本上覆盖多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域在基底基板上的投影。可选地，薄膜晶体管形成为包括栅电极。可选地，第一遮光层和薄膜晶体管的栅电极形成在同一层。在一些实施例中，所述方法还包括：形成第二遮光层，第二遮光层在基底基板上的投影形成为基本上覆盖有源层在基底基板上的投影。可选地，第三绝缘层和第二遮光层形成在同一层。
可选地，薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；并且栅电极形成在有源层的远离基底基板的一侧。
在一些实施例中，所述方法还包括：形成多个有机发光二极管，每个有机发光二极管形成在多个彩膜块中的彩膜块的远离基底基板的一侧。可选地，显示基板为有机发光二极管显示基板。可选地，所述显示基板为底发射型显示基板。
各种适当材料可用于制作遮光层(例如，第一遮光层、第二遮光层、或第三遮光层)。适当遮光材料的示例包括但不限于：金属、合金、比如碳材料的黑材料等。
图12A至图12H示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的过程。参照图12A，在一些实施例中，首先，在基底基板10上形成第三遮光层80b。第三遮光层80b形成在待形成的显示基板的相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中。参照图12B，随后，在第三遮光层80b的远离基底基板10的一侧形成第二绝缘层90b。参照图12C，在第二绝缘层90b的远离基底基板10的一侧形成第一遮光层80a。第一遮光层80a形成在待形成的显示基板的相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中。第一遮光层80a和第三遮光层80b形成为使得第一遮光层80a在基底基板10上的投影和第三遮光层80b在基底基板10上的投影在重叠区域3中彼此部分地重叠。参照图12D，在第一遮光层80a的远离第二绝缘层90b的一侧形成第一绝缘层90a。参照图12E，形成第一过孔V1以延伸穿过第一绝缘层90a，从而暴露出下方的第一遮光层80a的一部分；并且形成第二过孔V2以延伸穿过第一绝缘层90a和第二绝缘层90b，从而暴露出下方的第三遮光层80b的一部分。参照图12F，在第一绝缘层90a的远离第二绝缘层90b的一侧形成位于相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中的包括第一数据线50a和第二数据线50b的数据线层。第一数据线50a形成为通过第一过孔V1与第一遮光层80a电连接，第二数据线50b形成为通过第二过孔V2与第三遮光层80b电连接。参照图12G，在第一绝缘层90a的远离第二绝缘层90b的一侧形成钝化层20。此外，在钝化层20的远离第一绝缘层90a的一侧形成包括第一彩膜块60a和第二彩膜块60b的彩膜层。彩膜层形成为使得多个彩膜块中的相邻彩膜块之间(例如，第一彩膜块60a和第二彩膜块60b之间)的区域2a位于相邻两个子像素区域1之间的子像素间区域2中。第一遮光层80a和第三遮光层80b形成为使得第一遮光层80a和第三遮光层80b在基底基板10上的组合投影基本上覆盖多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域2a在基底基板10上的投影。参照图12H，在彩膜层的远离钝化层20的一侧形成平坦化层30。参照图9，在平坦化层30的上方，形成像素限定层40和多个有机发光二极管(例如，第一有机发光二极管100a和第二有机发光二极管100b)。第一有机发光二极管100a形成为包括第一阳极70a，第二有机发光二极管100b形成为包括第二阳极70b。
在另一方面，本公开提供了一种显示面板，其具有本文描述的显示基板或通过本文描述的方法制造的显示基板。在一些实施例中，显示面板还包括位于显示基板上的封装层。在一些实施例中，显示面板还包括面向显示基板的对置基板。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备，其具有本文描述的显示基板或通过本文描述的方法制造的显示基板。可选地，所述显示设备为液晶显示设备。可选地，所述显示设备为有机发光二极管显示设备。可选地，所述显示设备为顶栅极底发射型有机发光二极管显示设备。适当显示设备的示例包括但不限于：电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (19)

1.一种显示基板，包括：
基底基板；
薄膜晶体管，其用于驱动图像显示并且包括有源层；和
第一遮光层，其位于所述基底基板上并且位于相邻两个子像素区域之间的子像素间区域中；
第三遮光层，其位于相邻两个子像素区域之间的所述子像素间区域中，所述第三遮光层位于和所述第一遮光层不同层；
所述第一遮光层和所述第三遮光层均位于像素限定层的靠近所述基底基板的一侧；
其中，所述第一遮光层在所述基底基板上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域之间的所述子像素间区域在所述基底基板上的投影；并且所述第一遮光层在所述基底基板上的投影位于所述有源层在所述基底基板上的投影之外；
所述第三遮光层在所述基底基板上的投影至少部分地覆盖相邻两个子像素区域之间的所述子像素间区域在所述基底基板上的投影；并且所述第三遮光层在所述基底基板上的投影位于所述有源层在所述基底基板上的投影之外；
所述第一遮光层在所述基底基板上的投影和所述第三遮光层在所述基底基板上的投影彼此部分地重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，还包括；
第一绝缘层，其位于所述第一遮光层的远离所述基底基板的一侧；
第一数据线，其位于相邻两个子像素区域之间的所述子像素间区域中并且位于所述第一绝缘层的远离所述第一遮光层的一侧；和
第一过孔，其延伸穿过所述第一绝缘层；
其中，所述第一遮光层通过所述第一过孔与所述第一数据线电连接。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述薄膜晶体管包括与所述第一遮光层位于同一层的栅电极。
4.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：第二遮光层；
其中，所述第二遮光层在所述基底基板上的投影实质上覆盖所述有源层在所述基底基板上的投影。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一遮光层和所述第二遮光层位于同一层。
6.根据权利要求2所述的显示基板，还包括：第二绝缘层，其位于所述第一绝缘层和所述基底基板之间；
其中，所述第一过孔延伸穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。
7.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：第一数据线和第二数据线，其位于相邻两个子像素区域之间的所述子像素间区域中，所述第二数据线和所述第一数据线位于同一层；
其中，所述第一遮光层与所述第一数据线电连接；并且
所述第三遮光层与所述第二数据线电连接。
8.根据权利要求7所述的显示基板，还包括：第一绝缘层，其位于所述第一数据线和所述第一遮光层之间；
第一过孔，其延伸穿过所述第一绝缘层；
第二绝缘层，其位于所述第一绝缘层和所述第三遮光层之间；和
第二过孔，其延伸穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层；
其中，所述第一遮光层通过所述第一过孔与所述第一数据线电连接；并且
所述第三遮光层通过所述第二过孔与所述第二数据线电连接。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一遮光层和所述第三遮光层在所述基底基板上的组合投影实质上覆盖相邻两个子像素区域之间的所述子像素间区域在所述基底基板上的投影。
10.根据权利要求1所述的显示基板，还包括；
钝化层，其位于所述第一遮光层的远离所述基底基板的一侧；和
彩膜层，其位于所述钝化层的远离所述第一遮光层的一侧；
其中，所述彩膜层包括多个彩膜块；
所述多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域位于相邻两个子像素区域之间的所述子像素间区域中；并且
所述第一遮光层在所述基底基板上的投影至少部分地覆盖所述多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域在所述基底基板上的投影。
11.根据权利要求10所述的显示基板，还包括：
第三遮光层，其位于相邻两个子像素区域之间的所述子像素间区域中，所述第三遮光层和所述第一遮光层位于不同层；
其中，所述第三遮光层在所述基底基板上的投影至少部分地覆盖所述多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域在所述基底基板上的投影；并且
所述第三遮光层在所述基底基板上的投影位于所述有源层在所述基底基板上的投影之外。
12.根据权利要求11所述的显示基板，还包括：第一数据线和第二数据线，其位于相邻两个子像素区域之间的所述子像素间区域中，所述第二数据线和所述第一数据线位于同一层；
其中，所述第一遮光层与所述第一数据线电连接；并且
所述第三遮光层与所述第二数据线电连接。
13.根据权利要求12所述的显示基板，还包括；
第二绝缘层，其位于所述第三遮光层的远离所述基底基板的一侧，所述第二绝缘层位于所述第一遮光层和所述第三遮光层之间；
第一绝缘层，其位于所述第一遮光层的远离所述第二绝缘层的一侧，所述第一绝缘层位于所述第一遮光层和所述第一数据线之间；
第一过孔，其延伸穿过所述第一绝缘层；和
第二过孔，其延伸穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层；
其中，所述第一遮光层通过所述第一过孔与所述第一数据线电连接；并且
所述第三遮光层通过所述第二过孔与所述第二数据线电连接。
14.根据权利要求11所述的显示基板，其中，所述第一遮光层和所述第三遮光层在所述基底基板上的组合投影实质上覆盖所述多个彩膜块中的相邻彩膜块之间的区域在所述基底基板上的投影。
15.根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述薄膜晶体管包括与所述第一遮光层位于同一层的栅电极；
所述显示基板还包括：第二遮光层，所述第二遮光层在所述基底基板上的投影实质上覆盖所述有源层在所述基底基板上的投影；并且
所述第三遮光层和所述第二遮光层位于同一层。
16.根据权利要求15所述的显示基板，其中，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；并且
所述栅电极位于所述有源层的远离所述基底基板的一侧。
17.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述显示基板为有机发光二极管显示基板；并且
所述显示基板还包括：多个有机发光二极管，所述多个有机发光二极管中的每一个位于所述多个彩膜块中的彩膜块的远离所述基底基板的一侧。
18.根据权利要求17所述的显示基板，其中，所述显示基板为底发射型显示基板。
19.一种显示设备，包括权利要求1至18中任一项所述的显示基板。
CN201780000958.2A 2017-09-04 2017-09-04 显示基板和显示设备 Active CN109757118B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2017/100337 WO2019041337A1 (en) 2017-09-04 2017-09-04 DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109757118A CN109757118A (zh) 2019-05-14
CN109757118B true CN109757118B (zh) 2021-09-03

Family

ID=65524717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780000958.2A Active CN109757118B (zh) 2017-09-04 2017-09-04 显示基板和显示设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11374079B2 (zh)
EP (1) EP3679422B1 (zh)
JP (1) JP6969755B2 (zh)
CN (1) CN109757118B (zh)
WO (1) WO2019041337A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114787703B (zh) * 2021-12-23 2023-08-29 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及其制作方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1755462A (zh) * 2004-09-30 2006-04-05 三洋电机株式会社 液晶显示装置
CN104934449A (zh) * 2015-07-16 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示装置
CN105219149A (zh) * 2014-06-30 2016-01-06 乐金显示有限公司 遮光材料和包含遮光材料的显示装置
JP2016080956A (ja) * 2014-10-21 2016-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
CN106569361A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制备方法和显示装置
CN106896961A (zh) * 2017-03-01 2017-06-27 厦门天马微电子有限公司 触控显示面板和触控显示装置
CN107093618A (zh) * 2017-05-04 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 像素电路结构及使用其的显示器件
CN107121861A (zh) * 2017-06-20 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示设备

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4827313B2 (ja) * 2000-04-25 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4096585B2 (ja) * 2001-03-19 2008-06-04 セイコーエプソン株式会社 表示装置の製造方法及び表示装置並びに電子機器
JP4645022B2 (ja) 2003-11-27 2011-03-09 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板及びアクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2006030367A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd アレイ基板及び液晶表示装置
KR101255307B1 (ko) * 2006-06-19 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
JP4930501B2 (ja) * 2008-12-22 2012-05-16 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
CN101819362B (zh) 2009-02-27 2011-12-28 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板制造方法
JP5873623B2 (ja) * 2010-06-04 2016-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP5573686B2 (ja) * 2011-01-06 2014-08-20 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置及び電子機器
CN202796957U (zh) * 2012-09-28 2013-03-13 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及oled显示装置
US9443961B2 (en) 2013-03-12 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor strips with undercuts and methods for forming the same
KR101504117B1 (ko) * 2013-11-14 2015-03-19 코닝정밀소재 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102260872B1 (ko) * 2015-01-09 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN204440372U (zh) * 2015-03-13 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
KR102304983B1 (ko) * 2015-04-28 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101808715B1 (ko) * 2015-09-23 2017-12-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
US10114251B2 (en) * 2015-12-17 2018-10-30 A.U. Vista, Inc. Liquid crystal display having holding member and method of fabricating same
KR102458907B1 (ko) * 2015-12-29 2022-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105679771B (zh) 2016-01-29 2018-10-12 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及其制作方法、包含其的显示面板
CN205657056U (zh) * 2016-04-19 2016-10-19 厦门天马微电子有限公司 阵列基板与显示装置
US20170338252A1 (en) * 2016-05-17 2017-11-23 Innolux Corporation Display device
CN105824161B (zh) * 2016-05-25 2023-07-14 福州京东方光电科技有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示装置
CN106200151B (zh) * 2016-08-09 2019-12-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN106206622B (zh) * 2016-09-23 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN106537313B (zh) * 2016-09-27 2019-07-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其驱动方法、显示面板和显示设备
CN106773379B (zh) * 2017-02-06 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及其控制方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1755462A (zh) * 2004-09-30 2006-04-05 三洋电机株式会社 液晶显示装置
CN105219149A (zh) * 2014-06-30 2016-01-06 乐金显示有限公司 遮光材料和包含遮光材料的显示装置
JP2016080956A (ja) * 2014-10-21 2016-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
CN104934449A (zh) * 2015-07-16 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示装置
CN106569361A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制备方法和显示装置
CN106896961A (zh) * 2017-03-01 2017-06-27 厦门天马微电子有限公司 触控显示面板和触控显示装置
CN107093618A (zh) * 2017-05-04 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 像素电路结构及使用其的显示器件
CN107121861A (zh) * 2017-06-20 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示设备

Also Published As

Publication number Publication date
EP3679422B1 (en) 2024-02-21
US11374079B2 (en) 2022-06-28
EP3679422A4 (en) 2021-04-21
JP2020532753A (ja) 2020-11-12
JP6969755B2 (ja) 2021-11-24
EP3679422A1 (en) 2020-07-15
WO2019041337A1 (en) 2019-03-07
CN109757118A (zh) 2019-05-14
US20210183978A1 (en) 2021-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10121838B2 (en) Flat panel display connecting front side to rear side of substrate using through hole
KR101787978B1 (ko) 유기 발광장치와 이의 제조방법
US11018209B2 (en) Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate
US9082733B2 (en) Display unit and electronic apparatus
KR100741968B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
US11903281B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, display device and pixel driving circuit
US10608070B2 (en) Organic EL display device
US11744117B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same, and display device
KR100761076B1 (ko) 평판표시장치
KR20210080990A (ko) 표시장치와 그 픽셀 어레이 기판
US20090231325A1 (en) Display device
CN109757118B (zh) 显示基板和显示设备
KR20210082845A (ko) 표시장치와 그 픽셀 어레이 기판
JP2005215649A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2020521989A (ja) 表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法
KR20150058961A (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170125485A (ko) 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant