CN109728142B - 发光二极管晶粒的制造方法 - Google Patents

发光二极管晶粒的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109728142B
CN109728142B CN201711047753.8A CN201711047753A CN109728142B CN 109728142 B CN109728142 B CN 109728142B CN 201711047753 A CN201711047753 A CN 201711047753A CN 109728142 B CN109728142 B CN 109728142B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
substrate
emitting diode
ultraviolet light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711047753.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109728142A (zh
Inventor
凃博闵
洪梓健
沈佳辉
黄建翔
彭建忠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rongchuang Energy Technology Co ltd, Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd filed Critical Rongchuang Energy Technology Co ltd
Priority to CN201711047753.8A priority Critical patent/CN109728142B/zh
Priority to TW106138672A priority patent/TWI670866B/zh
Priority to US15/822,227 priority patent/US10205048B1/en
Publication of CN109728142A publication Critical patent/CN109728142A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109728142B publication Critical patent/CN109728142B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括如下步骤：提供一第一基板；在所述第一基板一表面形成一缓冲层；在所述缓冲层远离所述第一基板的表面形成一紫外光屏蔽层；在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒；提供一第二基板，并在所述第二基板的一表面形成一胶粘层；将每一发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧通过所述胶粘层装设于所述第二基板；从所述第一基板远离所述发光二极管晶粒的一侧向所述第一基板照射紫外光，以将所述发光二极管晶粒与所述第一基板分离；蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层；以及去除所述第二基板及胶粘层，从而得到所述发光二极管晶。

Description

发光二极管晶粒的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体元件的制造方法，尤其涉及一种发光二极管晶粒的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
传统的发光二极管晶粒在激光剥离基板时，以制造垂直结构发光二极管为例，其接合材料为金属对接导电基板，因此激光能量强度范围较大；然而以制造薄形氮化镓结构发光二极管而言，接合材料需使用胶材，因此激光能量过小无法分离氮化镓及蓝宝石基板，激光能量过大则容易使得位于发光二极管晶粒与基板之间的胶层碳化，从而无法简单、有效地去除该胶层，从而容易在造成后续制造工序中出现问题，并且降低生产效率。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种能够解决上述问题的半导体元件的制造方法。
一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括如下步骤：
提供一第一基板；
在所述第一基板一表面形成一缓冲层；
在所述缓冲层远离所述第一基板的表面形成一紫外光屏蔽层；
在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒，并且所述发光二极管晶粒在所述紫外光屏蔽层所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层之内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层的周缘内侧；
提供一第二基板，并在所述第二基板的一表面形成一胶粘层；
将每一发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧通过所述胶粘层装设于所述第二基板；
从所述第一基板远离所述发光二极管晶粒的一侧向所述第一基板照射紫外光，以将所述发光二极管晶粒与所述第一基板分离；
蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层；以及
去除所述第二基板及胶粘层，从而得到所述发光二极管晶粒。
进一步地，所述紫外光屏蔽层为InGaAlN膜层、InGaN膜层、AlGaN膜层及GaN膜层中的至少一种。
进一步地，所述紫外光屏蔽层的厚度大于0.2微米。
进一步地，所述发光二极管晶粒的制造方法在步骤“从所述第一基板远离所述发光二极管晶粒的一侧向所述第一基板照射紫外光”后及步骤“蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层”前还包括：
使用盐酸去除所述紫外光屏蔽层上残留的缓冲层。
进一步地，所述发光二极管晶粒的制造方法在步骤“蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层”及步骤“去除所述第二基板及胶粘层”前还包括：
在每一发光二极管晶粒远离所述第二基板的表面形成一定位柱。
进一步地，所述定位柱的材料包括胶材、SiO2、SiNx、GaN、量子点及上述材料的混合物中的任意一种。
进一步地，步骤“在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒，并且所述发光二极管晶粒在所述紫外光屏蔽层所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层之内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层的周缘内侧”具体包括：
在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶形成一堆叠结构，所述堆叠结构包括由所述紫外光屏蔽层朝远离所述缓冲层方向依次层叠设置的第一半导体层、活性层及第二半导体层；
蚀刻所述堆叠结构，形成至少一成形半导体结构，每一堆叠结构周缘区域的第一半导体层裸露，其中，每一成形半导体结构中的所述第二半导体层、活性层与第一半导体层被所述活性层覆盖的区域构成的层叠结构，并且所述成形半导体结构在所述紫外光屏蔽层所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层之内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层的周缘内侧；以及
在所述裸露的第一半导体层上形成一第一电极，并在所述第二半导体层上形成一第二电极，且所述第一电极与所述层叠结构、第二电极之间间隔设置。
进一步地，所述第一电极与所述第二电极平齐，所述第二电极呈圆形，且所述第一电极为一与所述第二电极同心设置的圆环。
进一步地，在步骤“在所述裸露的第一半导体层上形成一第一电极，并在所述第二半导体层上形成一第二电极，且所述第一电极与所述层叠结构、第二电极之间间隔设置”后还包括：
在所述第一电极与所述层叠结构、第二电极之间形成一绝缘层，以隔绝所述第一电极与第二电极。
进一步地，步骤“蚀刻所述堆叠结构，形成至少一成形半导体结构，每一堆叠结构周缘区域的第一半导体层裸露，其中，每一成形半导体结构中的所述第二半导体层、活性层与第一半导体层被所述活性层覆盖的区域构成的层叠结构”中还包括在所述裸露的第一半导体层与所述层叠结构之间形成一凹槽；步骤“在所述第一电极与所述层叠结构、第二电极之间形成一绝缘层，以隔绝所述第一电极与第二电极”中形成的绝缘层的一端位于所述凹槽内。
本发明在所述缓冲层与所述发光二极管晶粒之间设置一紫外光屏蔽层，在照射紫外光将所述发光二极管晶粒从所述第一基板上剥离时，由于所述发光二极管晶粒在所述紫外光屏蔽层所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层的周缘内侧，使得紫外光无法照射至所述发光二极管晶粒及与其接触的胶粘层上，防止了与所述发光二极管晶粒接触的所述胶粘层的碳化，从而避免了胶粘层不易从所述发光二极管晶粒上去除的问题，进而降低了后续制造工序出现问题的风险，且提高了生产效率。
附图说明
图1是本发明较佳实施方式提供的第一基板的剖视图。
图2是在图1所示的第一基板上形成缓冲层的剖视图。
图3是在图2所示的缓冲层上形成紫外光屏蔽层的剖视图。
图4是在图3所示的紫外光屏蔽层上形成发光二极管晶粒的剖视图。
图5是本发明较佳实施方式提供的带有胶粘层的第二基板的剖视图。
图6是将图4中的发光二极管晶粒倒装于图5所示的第二基板上的剖视图。
图7是将图6中的第一基板及缓冲层去除的剖视图。
图8是将图7中的紫外光屏蔽层去除的剖视图。
图9是将图8中的第二基板及胶粘层去除的剖视图。
图10是在图8中的发光二极管晶粒上形成定位柱的剖视图。
图11是在图3所示的紫外光屏蔽层上形成堆叠结构的剖视图。
图12是将图11所示的堆叠结构蚀刻形成至少一成形半导体结构的剖视图。
图13是在图12所示的成形半导体结构上形成第一电极及第二电极的剖视图。
主要元件符号说明
Figure GDA0002701590600000061
Figure GDA0002701590600000071
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。
基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
本文中所使用的方位词“第一”、“第二”均是以使用时依据具体元件的位置定义，而并不限定。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。
请参阅图1至图13，本发明较佳实施方式提供一种发光二极管晶粒100的制造方法，其包括如下步骤：
步骤S1，请参阅图1，提供一透明的第一基板20。
本实施方式中，所述第一基板20由蓝宝石(sapphire)材料制成。
步骤S2，请参阅图2，在所述第一基板20的一表面磊晶形成一缓冲层30，且所述缓冲层30在紫外光下可分解。
本实施方式中，所述缓冲层30为未参杂的氮化镓或氮化铝膜层。
步骤S3，请参阅图3，在所述缓冲层30远离所述第一基板20的表面磊晶形成一吸收紫外光的紫外光屏蔽层40，以防止紫外光穿过所述紫外光屏蔽层40。
本实施方式中，所述紫外光屏蔽层40为InGaAlN膜层，其厚度大于0.2微米。优选的，所述紫外光屏蔽层40的厚度为0.5微米～3微米。在其他实施方式中，所述紫外光屏蔽层40还可为GaN膜层、InGaN膜层或AlGaN膜层等其他以GaN材料为基材的膜层。
步骤S4，请参阅图4，在所述紫外光屏蔽层40远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒100，并且所述发光二极管晶粒100在所述紫外光屏蔽层40所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层40之内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层40的周缘内侧。
本实施方式中，所述发光二极管晶粒100的厚度为1微米～10微米。优选的，所述发光二极管晶粒100的厚度为4.35微米。步骤S5，请参阅图5，提供一第二基板50，并在所述第二基板50的一表面形成一胶粘层60。
所述第二基板50可由玻璃、氧化铝或者陶瓷材料制成。所述胶粘层60可由热分解胶、冷分解胶、化学分解胶及紫外光分解胶中的任意一种制得。优选的，所述胶粘层60的材料可为环氧树脂、有机硅胶或者蜡。
步骤S6，请参阅图6，将所述发光二极管晶粒100通过所述胶粘层60倒装在所述第二基板50上。
本实施方式中，所述胶粘层60填满所述第一基板20与第二基板50之间的缝隙。
步骤S7，请参阅图7，从所述第一基板20远离所述发光二极管晶粒100的一侧向所述第一基板20照射紫外光，以使所述缓冲层30分解，所述第一基板20与所述紫外光屏蔽层40分离，从而将发光二极管晶粒100从所述第一基板20剥离。
步骤S8，请参阅图8，蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒100上的紫外光屏蔽层40。
步骤S9，请参阅图9，去除所述第二基板50及胶粘层60，从而得到所述发光二极管晶粒100。
具体的，使用丙酮使得所述胶粘层60从所述第二基板50及所述发光二极管晶粒100中脱胶分离，从而得到所述发光二极管晶粒100。在照射紫外光时，由于所述发光二极管晶粒100在所述紫外光屏蔽层40所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层40内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层40的周缘内侧，使得紫外光无法照射至所述发光二极管晶粒100及与其接触的胶粘层60上，防止了与所述发光二极管晶粒100接触的所述胶粘层60的碳化，从而避免了胶粘层60不易从所述发光二极管晶粒100上去除的问题。在其他实施方式中，还可使用其他酮类有机溶剂、烷类有机溶剂、醇类有机溶剂(如异丙醇)及苯类有机溶剂(如甲苯、二甲苯)等中的至少一种有机溶剂以使所述胶粘层60从所述第二基板50及所述发光二极管晶粒100中脱胶分离。
本实施方式中，在步骤S7后及步骤S8前，所述发光二极管晶粒100的制造方法还可包括使用盐酸去除所述紫外光屏蔽层40上残留的缓冲层30。
本实施方式中，在步骤S8后及步骤S9前，请参阅图10，所述发光二极管晶粒100的制造方法还可包括在每一发光二极管晶粒100远离所述第二基板50的表面形成一定位柱70。所述定位柱70的材料为胶材、SiO2、SiNx、GaN、量子点或者上述材料的混合物。本实施方式中，所述定位柱70的高度为0.2微米～40微米，宽度为0.5微米～40微米。优选的，所述定位柱70的高度为2微米，宽度为5微米。
本实施方式中，步骤S4中“在所述紫外光屏蔽层40远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒100”具体包括如下步骤：
步骤S41，请参阅图11，在所述紫外光屏蔽层40远离所述缓冲层30的表面磊晶形成一堆叠结构1。
所述堆叠结构1包括依次层叠设置的第一半导体层11(即N型半导体层)、活性层12及第二半导体层13(即P型半导体层)。所述第一半导体层11与所述紫外光屏蔽层40结合。
步骤42，请参阅图12，蚀刻所述堆叠结构1，形成至少一成形半导体结构10，每一成形半导体结构10周缘区域的第一半导体层11裸露，且所述成形半导体结构10在所述紫外光屏蔽层40所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层40之内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层40的周缘内侧。
本实施方式中，每一成形半导体结构10大致呈“凸”型。每一成形半导体结构10包括裸露的第一半导体层11及一由所述第二半导体层13、活性层12与第一半导体层11被所述活性层12覆盖的区域构成的层叠结构101。
本实施方式中，所述裸露的第一半导体层11与所述层叠结构101之间还可形成一凹槽103。
步骤43，请参阅图13，在所述裸露的第一半导体层11上形成一第一电极15，在所述第二半导体层13上形成一第二电极16，且所述第一电极15与所述层叠结构101及第二电极16间隔设置。
本实施方式中，所述第一电极15与所述第二电极16平齐。所述第二电极16呈圆形，且所述第一电极15为一与所述第二电极同心设置的圆环。
步骤44，请参阅图4，在所述第一电极15与所述层叠结构101、第二电极16之间形成一绝缘层17，从而制得所述发光二极管晶粒100。所述发光二极管晶粒100在所述紫外光屏蔽层40所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层40之内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层40的周缘内侧。
本实施方式中，所述绝缘层17一端位于所述凹槽103内，且所述绝缘层17的另一端与所述第一电极15平齐。
在其他实施方式中，步骤44还可省略。
在其他实施方式中，所述发光二极管晶粒100的结构可以发生改变，不仅限于上述描述的发光二极管晶粒100结构。
本发明在所述缓冲层30与所述发光二极管晶粒100之间设置一紫外光屏蔽层40，在照射紫外光将所述发光二极管晶粒100从所述第一基板20上剥离时，由于所述发光二极管晶粒100在所述紫外光屏蔽层40所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层40内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层40的周缘内侧，使得紫外光无法照射至所述发光二极管晶粒100及与其接触的胶粘层60上，防止了与所述发光二极管晶粒100接触的所述胶粘层60的碳化，从而避免了胶粘层60不易从所述发光二极管晶粒100上去除的问题，进而降低了后续制造工序出现问题的风险，且提高了生产效率。
可以理解的是，以上实施例仅用来说明本发明，并非用作对本发明的限定。对于本领域的普通技术人员来说，根据本发明的技术构思做出的其它各种相应的改变与变形，都落在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括如下步骤：
提供一第一基板；
在所述第一基板一表面形成一缓冲层；
在所述缓冲层远离所述第一基板的表面形成一紫外光屏蔽层；
在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒，并且所述发光二极管晶粒在所述紫外光屏蔽层所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层之内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层的周缘内侧；
提供一第二基板，并在所述第二基板的一表面形成一胶粘层；
将每一发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧通过所述胶粘层装设于所述第二基板；
从所述第一基板远离所述发光二极管晶粒的一侧向所述第一基板照射紫外光，所述缓冲层在紫外光下分解，以将所述发光二极管晶粒与所述第一基板分离；
蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层；以及
去除所述第二基板及胶粘层，从而得到所述发光二极管晶粒。
2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，所述紫外光屏蔽层为InGaAlN膜层、InGaN膜层、AlGaN膜层及GaN膜层中的至少一种。
3.如权利要求2所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，所述紫外光屏蔽层的厚度大于0.2微米。
4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，所述发光二极管晶粒的制造方法在步骤“从所述第一基板远离所述发光二极管晶粒的一侧向所述第一基板照射紫外光”后及步骤“蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层”前还包括：
使用盐酸去除所述紫外光屏蔽层上残留的缓冲层。
5.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，所述发光二极管晶粒的制造方法在步骤“蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层”及步骤“去除所述第二基板及胶粘层”前还包括：
在每一发光二极管晶粒远离所述第二基板的表面形成一定位柱。
6.如权利要求5所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，所述定位柱的材料包括胶材、SiO2、SiNx、GaN、量子点及上述材料的混合物中的任意一种。
7.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，步骤“在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒，并且所述发光二极管晶粒在所述紫外光屏蔽层所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层之内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层的周缘内侧”具体包括：
在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶形成一堆叠结构，所述堆叠结构包括由所述紫外光屏蔽层朝远离所述缓冲层方向依次层叠设置的第一半导体层、活性层及第二半导体层；
蚀刻所述堆叠结构，形成至少一成形半导体结构，每一堆叠结构周缘区域的第一半导体层裸露，其中，每一成形半导体结构中的所述第二半导体层、活性层与第一半导体层被所述活性层覆盖的区域构成的层叠结构，并且所述成形半导体结构在所述紫外光屏蔽层所在方向上的正投影位于所述紫外光屏蔽层之内，所述正投影的周缘位于所述紫外光屏蔽层的周缘内侧；以及
在所述裸露的第一半导体层上形成一第一电极，并在所述第二半导体层上形成一第二电极，且所述第一电极与所述层叠结构、第二电极之间间隔设置。
8.如权利要求7所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极平齐，所述第二电极呈圆形，且所述第一电极为一与所述第二电极同心设置的圆环。
9.如权利要求7所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，在步骤“在所述裸露的第一半导体层上形成一第一电极，并在所述第二半导体层上形成一第二电极，且所述第一电极与所述层叠结构、第二电极之间间隔设置”后还包括：
在所述第一电极与所述层叠结构、第二电极之间形成一绝缘层，以隔绝所述第一电极与第二电极。
10.如权利要求9所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，步骤“蚀刻所述堆叠结构，形成至少一成形半导体结构，每一堆叠结构周缘区域的第一半导体层裸露，其中，每一成形半导体结构中的所述第二半导体层、活性层与第一半导体层被所述活性层覆盖的区域构成的层叠结构”中还包括在所述裸露的第一半导体层与所述层叠结构之间形成一凹槽；步骤“在所述第一电极与所述层叠结构、第二电极之间形成一绝缘层，以隔绝所述第一电极与第二电极”中形成的绝缘层的一端位于所述凹槽内。
CN201711047753.8A 2017-10-31 2017-10-31 发光二极管晶粒的制造方法 Active CN109728142B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711047753.8A CN109728142B (zh) 2017-10-31 2017-10-31 发光二极管晶粒的制造方法
TW106138672A TWI670866B (zh) 2017-10-31 2017-11-08 發光二極體晶粒的製造方法
US15/822,227 US10205048B1 (en) 2017-10-31 2017-11-27 Method for manufacturing a light emitting diode chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711047753.8A CN109728142B (zh) 2017-10-31 2017-10-31 发光二极管晶粒的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109728142A CN109728142A (zh) 2019-05-07
CN109728142B true CN109728142B (zh) 2021-02-02

Family

ID=65241742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711047753.8A Active CN109728142B (zh) 2017-10-31 2017-10-31 发光二极管晶粒的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10205048B1 (zh)
CN (1) CN109728142B (zh)
TW (1) TWI670866B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866881A (zh) * 2009-04-20 2010-10-20 株式会社迪思科 光器件晶片的加工方法
CN106784311A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 柔性面板及其制作方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101030068B1 (ko) * 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
JP5276412B2 (ja) * 2008-11-04 2013-08-28 キヤノン株式会社 機能性領域の移設方法、ｌｅｄアレイ、ｌｅｄプリンタヘッド、及びｌｅｄプリンタ
US20120074434A1 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 Jun Seok Park Light emitting device package and lighting apparatus using the same
KR20120061376A (ko) * 2010-12-03 2012-06-13 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자에 형광체를 도포하는 방법
EP3075005A1 (en) * 2013-11-25 2016-10-05 The Board of Trustees of The Leland Stanford Junior University Laser liftoff of epitaxial thin film structures
EA201691900A1 (ru) * 2014-03-31 2017-05-31 Наньян Текнолоджикал Юнивёрсити Способ повторного использования подложек и несущих подложек
CN104701427B (zh) * 2015-02-13 2017-08-25 西安神光皓瑞光电科技有限公司 一种垂直结构led芯片制备方法
CN108336190B (zh) * 2017-01-20 2020-05-05 展晶科技(深圳)有限公司 覆晶发光二极管及其制造方法
CN106601881B (zh) * 2017-02-21 2019-03-19 南京大学 ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED
CN107221496B (zh) * 2017-05-26 2020-04-24 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种氮化物材料激光剥离后的表面处理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866881A (zh) * 2009-04-20 2010-10-20 株式会社迪思科 光器件晶片的加工方法
CN106784311A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 柔性面板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109728142A (zh) 2019-05-07
TW201919254A (zh) 2019-05-16
US10205048B1 (en) 2019-02-12
TWI670866B (zh) 2019-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8242530B2 (en) Light emitting device and method for fabricating the same
US7439091B2 (en) Light-emitting diode and method for manufacturing the same
US10242970B2 (en) Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods
US9530930B2 (en) Method of fabricating semiconductor devices
US11469350B2 (en) Ultrathin solid state dies and methods of manufacturing the same
KR20150101311A (ko) 발광 소자 패키지
US9786813B2 (en) Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same
US8415697B2 (en) Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
US8420418B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
US9356189B2 (en) Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8697463B2 (en) Manufacturing method of a light-emitting device
CN117219706A (zh) 制造微型元件的方法
CN109728142B (zh) 发光二极管晶粒的制造方法
KR20210012354A (ko) 발광소자 및 이의 제조방법
CN111525013A (zh) 发光二极管及其制造方法
TW202414515A (zh) 微型led用接合型晶圓的製造方法
KR101775123B1 (ko) 질화물계 발광 소자
KR101899474B1 (ko) 고효율 발광 다이오드 제조 방법
CN118176594A (zh) 接合型半导体晶圆的制造方法
JP2014132685A (ja) 半導体発光素子の製造方法
KR20120117528A (ko) 수직형 ｌｅｄ 소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant