CN109716681B - 功率放大器、射频拉远单元及基站 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种功率放大器、射频拉远单元RRU及基站。多相脉冲宽度调制器调制产生N个多相脉冲宽度调制PWM信号；对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn放大；对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn滤波；并在功率管漏极或集电极合路。本申请提供的新型射频放大器，可有效降低包络馈电环路电感，提高视频带宽与DPD校正性能。

Description

功率放大器、射频拉远单元及基站
技术领域
本发明涉及无线通信技术，尤其涉及一种功率放大器、射频拉远单元及基站。
背景技术
射频功率放大器(radio frequency power amplifier，RFPA)，简称“功放”，是无线基站中重要的组成部分，功放的效率决定了基站的功耗、尺寸、热设计等参数。目前，大多数多载波、多模基站基带信号的峰值功率与平均功率比值(peak-to-average ratio，PAR)较高，达到6～12dB。高峰均比的信号在基站中对功放有更高的要求，基站功放为了不失真高效的放大这些高峰均比的信号，采用了多种高效率功放方案，其中包络跟踪就是一种目前研究较多的高效功放技术。
包络跟踪(Envelope Tracking，ET)技术是利用动态调压的方法，利用信号包络来控制射频功放的漏极电压或集电极电压，使功放管工作在较深的压缩状态，如P-1dB或P-2dB等，达到高效率的目的。但现有的技术方案，馈电环路的电感较高，使得视频带宽(VideoBandwidth，VBW)指标较低，影响数字预失真(digital predistortion，DPD)校正。
发明内容
本发明实施例提供一种新型结构的射频功率放大器、收发信机、基站，可以降低功放馈电环路的电感，提高VBW与DPD校正性能。
第一方面，本发明实施例提供一种功率放大器，包括多相脉冲宽度调制器，N个开关放大器，和N个低通滤波器。多相脉冲宽度调制器与N个开关放大器相连，用于产生N个多相脉冲宽度调制PWM信号。开关放大器Sn，用于接收所述多相脉冲宽度调制器产生的第n个多相脉冲宽度调制信号 PWMn，并对所述PWMn信号放大。低通滤波器Fn，与开关放大器Sn相连，用于对经开关放大器Sn输出的信号进行滤波。其中，开关放大Sn为所述N 个开关放大器中的第n个；低通滤波器Fn为所述N个低通滤波器中的第n个； N和n为正整数，且所述1≤n≤N。
根据第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，低通滤波器Fn，包括射频退耦电容和馈线；射频退耦电容的一端与所述馈线相连；所述射频退耦电容的另一端接地。可选的，低通滤波器Fn，还可以包括低通元件。该低通元件的一端与馈线相连，所述低通元件的另一端与所述开关放大器Sn相连。
根据第一方面，在第一方面的第二种可能的实现方式中，低通滤波器Fn，包括射频退耦电容和电感；低通元件与电感相连，射频退耦电容的一端与所述低通元件和所述电感相连；射频退耦电容的另一端接地。可选的，低通滤波器Fn，还包括低通元件；低通元件的一端与电感相连，所述低通元件的另一端与所述开关放大器Sn相连。
根据第一方面的第一或第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，低通元件的参数由滤波和扼流性能决定。
在一种可能的实现方式中，功率放大器，还包括射频功率放大器；N个低通滤波器在所述射频功率放大器的输出端相连，实现扼流。
在一种可能的实现方式中，多相脉冲宽度调制器可以包括现场可编程门阵列FPGA，专用集成电路ASIC或模拟电路。
第二方面，本发明实施例提供一种射频拉远单元(remote radio unit，RRU)，包括前述可能的实现方式中的任一功率放大器。
第三方面，本发明实施例提供一种基站，包括第二方面所提供的RRU。
第四方面，本发明实施例还提供一种功率放大方法，包括：产生N个多相脉冲宽度调制PWM信号；对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn放大；对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn滤波。
其中，所述PWMn信号为所述N个多相脉冲宽度调制信号中的第n个；所述n为正整数，且所述1≤n≤N。
根据第四方面，在一种可能的实现方式中，对多相脉冲宽度调制信号 PWMn滤波。
第五方面，本发明实施例还提供一种计算机存储介质，用于存储上述第四方面的各种可能的实现方式所包含的计算机指令。
采用本发明实施例提供的技术方案，多相脉冲宽度调制器调制产生N 个多相脉冲宽度调制PWM信号；对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn放大；对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn滤波；并在功率管漏极或集电极合路。本申请提供的新型射频放大器，可有效降低包络馈电环路电感，提高VBW 与DPD校正性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种功率放大器的结构示意图；
图1-1是本发明实施例提供的一种功率放大器的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种功率放大器的实现示意图；
图3是本发明实施例提供的一种功率放大器的实现示意图；
图4-1是本发明实施例提供的一种低通滤波器的结构示意图；
图4-2是本发明实施例提供的一种低通滤波器的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种功率放大的方法的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本文中描述的各种技术可用于各种通信系统，包括2G、3G通信系统和下一代通信系统，例如全球移动通信(GSM，global system for mobile communication)等2G通信系统，宽带码分多址(WCDMA，wideband code division multiple access)，时分同步码分多址(TD-SCDMA，time division-synchronization code division multiple access)等3G通信系统；长期演进(LTE，long-term evolution)通信系统及其后续演进系统等下一代通信系统。
本发明实施例提供的功率放大器可集成在基站等任意需要进行无线信号功率放大的网元设备中。本发明实施例提供的功率放大器可以在基站的射频部分工作，例如可以布置在基站的射频拉远单元(RRU，radio remote unit) 中。所述基站可以是GSM系统或CDMA系统中的基站收发台(BTS，base transceiver station)、或者WCDMA系统中的节点B(Node B)、或者LTE系统中的演进型节点B(e-NodeB，evolved NodeB)或者LTE后续演进的通信系统中的类似设备。
图1是本发明实施例提供的一种功率放大器的结构示意图。本发明实施例可以有效提高VBW与DPD校正性能。
VBW的计算方式可以通过如下确定：
对于一个固定漏压射频功放其馈电网络来说，例如图1-1所示，可以如下方式构成。电源103提供电压输入，射频退耦电容104实现射频退耦功能，包络退耦电容105实现信号包络信号带宽上的退耦功能。Lf106实现射频扼流的功能，等效电感值Lo。
假设功放漏极对地等效电阻主要由功率管结电容Cds107与匹配电路108等效电容Cm组成，那么该功放的VBW，即FVBW≈1/{2π*sqrt[Lo*(Cds+Cm)]}。
本实施例提供的功率放大电路具体可以应用于对包络信号的放大处理过程，如图1所示，本实施例提供的放大器100具体包括：多相脉冲宽度调制器101，开关放大器组102，和低通滤波器组103。其中，多相脉冲宽度调制器101的输出端与开关放大器组102的输入端相连，开关放大器组102的输出端与低通滤波器组103的输入端相连。
多相脉冲宽度调制器101，用于接收数字同相正交(in-phase/quadrature， I/Q)信号，对该I/Q进行调制，产生多路多相脉冲宽度调制(pulse-width modulation，PWM)信号。
多相脉冲宽度调制器101，也可以接收模拟I/Q信号，对该模拟信号进行调制，产生模拟多相PWM信号。
其中，多相脉冲宽度调制器101可以包括但不限于如下方式之一实现：现场可编程门阵列(field programmable gate array，FPGA)，专用集成电路 (application-specificintegrated circuit，ASIC)和模拟电路。
FPGA或者ASIC实现数字PWM方式只是将原来模拟PWM调制进行数字化，业界有实现方案，这里以模拟PWM为例来进行多相PWM调制的说明。
如图2所示，这里以4相架构为例来说明各个点的波形。系统产生相位分别为0、90、180、270度的三角波或者锯齿波Vtg1、Vtg2、Vtg3、Vtg4，通过将Vs与Vtg1、Vtg2、Vtg3、Vtg4输入比较器即得到PH1_IN、PH2_IN、 PH3_IN、PH4_IN的信号。PWM的实现方案可以包含此处所述的方式，同时也包含常用的Sigma-Delta调制方式。
多相脉冲宽度调制器101与开关放大器组102的输入端相连；其中，开关放大器组102由多个独立的开关放大器组成，具体如图1中102所示，开关放大器组102包括n个独立的开关放大器，如图1中102中S1～Sn所示， Sn为开关放大器组102中的第n个开关放大器，每个开关放大器，如S1～Sn，都和多相脉冲宽度调制器101的输出端相连，多相脉冲宽度调制器101产生至少一路PWM信号输出，对于每一路PWM信号输出都连接一个开关放大器对PWM信号放大平衡。
开关放大器的实现参数可以根据跟踪的包络信号的带宽来决定。根据奈奎斯特(Nyquist)采样定理，开关放大器的开关频率至少需要＞2倍的信号频率，实际实现是通常选择开关频率在5～10倍左右。
以产生n路PWM信号输出为例，开关放大器组102被配置为n个开关放大器，每一个开关放大器都和多相脉冲宽度调制器101的输出端连接；具体图1所示，n个开关放大器(S1～Sn)分别和多相脉冲宽度调制器101相连。
低通滤波器组103与开关放大器组102相连，低通滤波器组103包括n 个独立的低通滤波器，如图1中的F1～Fn所示，Fn为低通滤波器组103中的第n个低通滤波器。单个低通滤波器和单个开关放大器相连，具体图1中所示的S1和F1相连，Sn和Fn相连。低通滤波器Fn用于对经开关放大器Sn 输出的信号进行滤波。可以理解的是，开关放大器和低通滤波器之间相连，可以通过开关放大器组102统一的输出端与低通滤波器组103统一的输入端相连。
低通滤波器组103的输出端还可以连接功率管漏极或集电极，以合成完整的包络信号。这里以4相架构为例，如图3所示，说明各个点的波形，PH1， PH2，PH3，PH4分别是开关放大器输出的波形，经过LPF1、LPF2、LPF3、 LPF4后在功率管漏极或集电极合路，得到Envelope波形。
前述的多相脉冲宽度调制器101，开关放大器组102，低通滤波器组103 示出了主要实现结构，还可以包括辅助电路，以实现完整的电路。
本发明实施例提供的功率放大器，可有效降低馈电环路的电感，从而提高VBW与DPD校正性能。
图4-1示出了低通滤波器组103中的一个低通滤波器400的结构示意图，如图3所示，低通滤波器400，包括射频退耦电容401和馈线402。射频退耦电容401的一端与馈线402相连。射频退耦电容401的另一端接地。
可选的，低通滤波器400，还包括低通元件403。低通元件403的一端与馈线402相连，低通元件403的另一端与开关放大器的输出端相连。
低通元件在此处做为一可选配置，可以根据馈线402与退耦电容401对功放漏极或集电极射频信号的抑制度要求来选择低通元件。
图4-2给出了另一种低通滤波器组103中的一个低通滤波器410的结构示意图，低通滤波器410，包括射频退耦电容411和电感412。
射频退耦电容411的一端与电感412相连。射频退耦电容411的另一端接地。
可选的，低通滤波器410，还包括低通元件413。低通元件413与电感412 相连，低通元件413的另一端与开关放大器的输出端相连。
低通元件的参数设计以满足功放漏极或集电极的射频信号不干扰开关放大器为前提。
可选的，低通滤波器组103的输出端在所述射频功率放大器的输出端相连，实现扼流或匹配。
本发明实施例还提供一种实现功率放大的方法，如图5所示，包括：
S501：多相脉冲宽度调制器调制产生N个多相脉冲宽度调制PWM信号；其中，所述N为正整数；
S502：对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn放大；
S503：对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn低通滤波；
其中，所述PWMn信号为所述N个多相脉冲宽度调制信号中的第n个；所述n为正整数，且所述1≤n≤N。
对经滤波后的所述多相脉冲宽度调制信号PWMn扼流。
本发明实施例提供的功率放大方案，可有效降低馈电环路的电感，从而提高VBW与DPD校正性能。
可以了解，本领域的普通技术人员可以根据本发明实施例的描述，对功率放大器的包络调制器和辅助功率放大器的数量及相应的连接关系不需要付出创造性努力做出各种合理的变化，均将处于本发明的保护范围内。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个设备中，或一些特征可以忽略，或不执行。
另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。
本领域普通技术人员可以理解实施上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种功率放大器，其特征在于，包括多相脉冲宽度调制器、N个开关放大器和N个低通滤波器；其中，所述N为正整数；
所述多相脉冲宽度调制器，与所述N个开关放大器相连，用于产生N个多相脉冲宽度调制PWM信号；
开关放大器Sn，用于接收所述多相脉冲宽度调制器产生的第n个多相脉冲宽度调制信号PWMn，并对所述PWMn信号放大，其中，所述开关放大Sn为所述N个开关放大器中的第n个开关放大器；
低通滤波器Fn，与所述开关放大器Sn相连，用于对经所述开关放大器Sn输出的信号进行滤波，其中，所述低通滤波器Fn为所述N个低通滤波器中的第n个低通滤波器；其中，所述n为正整数，且所述1≤ n ≤N；
其中，
所述低通滤波器Fn，包括射频退耦电容、低通元件和馈线；
所述射频退耦电容的一端与所述馈线相连；所述射频退耦电容的另一端接地；
其中，所述低通元件的一端连接到馈线，低通元件的另一端连接到开关放大器Sn；
其中，所述低通元件的参数由滤波和扼流性能决定。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述低通滤波器Fn还包括电感，所述低通元件的一端与电感相连。
3.根据权利要求1至2任一项所述的功率放大器，其特征在于，
所述多相脉冲宽度调制器包括现场可编程门阵列FPGA，专用集成电路ASIC或模拟电路。
4.一种射频拉远单元RRU，包括如前述权利要求1至3任一项所述的功率放大器。
5.一种基站，包括权利要求4所述的RRU。
6.一种功率放大方法，其特征在于，应用于权利要求1至3任一项所述的功率放大器，方法包括：
产生N个多相脉冲宽度调制PWM信号；其中，所述N为正整数；
对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn放大；
对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn低通滤波；
其中，所述PWMn信号为所述N个多相脉冲宽度调制信号中的第n个；所述n为正整数，且所述1≤ n ≤N。
7.根据权利要求6所述的功率放大方法，其特征在于，
对经滤波后的所述多相脉冲宽度调制信号PWMn扼流。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113219477A (zh) * 2020-01-21 2021-08-06 华为技术有限公司 激光探测装置及其制造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4812686A (en) * 1987-09-03 1989-03-14 Westinghouse Electric Corp. Pulse amplifier
CN1333604C (zh) * 2003-04-17 2007-08-22 华为技术有限公司 一种脉冲宽度调制方法及装置
US7053700B2 (en) * 2003-06-02 2006-05-30 Nortel Networks Limited High-efficiency amplifier and method
US7835531B2 (en) * 2004-03-30 2010-11-16 Akg Acoustics Gmbh Microphone system
JP2006093872A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｅｒ変調増幅装置
US7400865B2 (en) * 2005-02-09 2008-07-15 Nokia Corporation Variable bandwidth envelope modulator for use with envelope elimination and restoration transmitter architecture and method
US8072261B2 (en) * 2006-12-26 2011-12-06 Nec Corporation Power amplifier
WO2008090712A1 (ja) * 2007-01-24 2008-07-31 Nec Corporation 電力増幅器
US8179202B2 (en) 2007-02-16 2012-05-15 Immersion Corporation Multiple pulse width modulation
EP2533421A1 (en) * 2011-06-09 2012-12-12 Alcatel Lucent A method for amplification of a signal using a multi-level modulator, and an amplifying device therefor
US9391010B2 (en) 2012-04-02 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Power line filter for multidimensional integrated circuits
US9628064B2 (en) 2013-09-10 2017-04-18 Merus Audio Aps Multiphase pulse width modulator for class D audio amplifiers
US9559648B2 (en) * 2014-02-06 2017-01-31 Texas Instruments Incorporated Amplifier with reduced idle power loss using single-ended loops
CN104135254A (zh) * 2014-07-29 2014-11-05 江苏宏云技术有限公司 一种多路多相pwm的实现方法
ES2710661T3 (es) * 2014-08-11 2019-04-26 Huawei Tech Co Ltd Amplificador de potencia, unidad de radio remota y estación base
CN110048678B (zh) * 2014-08-29 2024-09-27 意法半导体研发(深圳)有限公司 用于音频放大器的高级电流限制功能
US9294079B1 (en) * 2014-11-10 2016-03-22 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. System and method for generating multi-band signal
CN105720933B (zh) * 2015-04-28 2018-08-07 上海甄平半导体有限公司 一种n相位丁类放大器
WO2018061386A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 ヤマハ株式会社 Ｄ級増幅器
JP6682463B2 (ja) * 2017-02-21 2020-04-15 株式会社東芝 Ｄ級アンプ

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