CN109713143A - 电致发光器件、显示装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种电致发光器件、显示装置及其制作方法，该电致发光器件包括阳极层、阴极层、空穴供给层和与空穴供给层相邻设置的发光层；空穴供给层包括含供空穴基团的给体分子材料，发光层包括量子点材料和含供电子基团的受体分子材料，空穴供给层中的给体分子材料和发光层中的受体分子材料相接触配合能够形成激基复合物，能够提高电流效率。同时该电致发光器件通过引入与发光层相邻的空穴供给层，能够有效缩小空穴注入量子点的能级势垒，并减少界面的电荷积累，进而降低器件的启亮电压和效率滚降。
Description
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种电致发光器件、显示装置及其制作方法。
背景技术
利用量子点电致发光特性制作的量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diode，QLED)器件作为一种新兴的发光器件，受到了广泛的关注。与传统的有机发光二极管(OLED)相比，QLED具有更加优异的色纯度、亮度和宽视角等特点。
量子点电致发光器件的激励机制主要有两种：一种是空穴和电子直接注入到量子点发光层，在量子点发光层内复合成激子发光；另一种是通过能量传递的方式，即在传输层形成的激子将能量直接传递给量子点，使其发光。由于量子点发光属于荧光，只能利用单线态激子，三线态激子的能量无法利用，导致量子点电致发光器件的效率普遍偏低。
目前已有在量子点发光器件通过在发光层中添加热激发延迟荧光(TADF)材料，将三线态激子转换为单线态激子，单线态激子再通过Forester荧光共振能量转移将激子传递到量子点上，激发量子点发光，从而在一定程度上提高量子点电致发光器件的电流效率。但是所采用的TADF材料均是基于分子内给受体型的荧光材料。
发明内容
基于此，有必要提供一种采用非基于分子内给受体的荧光材料并能够减少界面电荷积累的电致发光器件及其制作方法和应用。
一种电致发光器件，其特征在于，包括：
阳极层；
阴极层；
空穴供给层，所述空穴供给层设于所述阳极层与所述阴极层之间，所述空穴供给层的材料包括含供空穴基团的给体分子材料；以及
发光层，所述发光层设于空穴供给层和所述阴极层之间，且所述发光层与所述空穴供给层层叠结合，所述发光层的材料包括量子点材料和含供电子基团的受体分子材料；所述受体分子材料和所述给体分子材料相配合能够形成激基复合物，所述激基复合物的发射光谱与所述量子点材料的吸收光谱至少部分重叠。
在其中一个实施例中，所述给体分子材料和所述受体分子材料的三线态能级均大于两者所形成的所述激基复合物的三线态能级。
在其中一个实施例中，所述给体分子材料和所述受体分子材料的HOMO能级差不小于0.3eV，所述给体分子材料和所述受体分子材料的LUMO能级差不小于0.3eV。
在其中一个实施例中，所述受体分子材料包含有以下分子结构中的一种或多种：
所述给体分子材料包含氨苯基团或苯并吡喃基团。
在其中一个实施例中，所述给体分子材料选自m-MTDATA、MAC和TAPC中的一种或多种；和/或
所述受体分子材料选自Bphen、DPTPCz、TmPyPB、TmPyTZ和TPBi中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述受体分子材料占所述发光层的摩尔百分比为5～40mol％。
在其中一个实施例中，所述受体分子材料占所述发光层的摩尔百分比为20～32mol％。
在其中一个实施例中，形成所述发光层的量子点墨水包括以下重量百分比的原料：5～15％的量子点材料、1～20％的受体材料以及65～94％的极性溶剂。
在其中一个实施例中，所述量子点墨水包括以下重量百分比的原料：5～10％的量子点材料、1～15％的受体材料以及80～90％的极性溶剂。
在其中一个实施例中，所述极性溶剂选自四氢化萘和氯苯的混合溶剂。
在其中一个实施例中，所述四氢化萘和氯苯的重量比为(3～1)：1。
在其中一个实施例中，所述量子点材料选自II-VI族量子点材料、III-V族量子点材料、IV-VI族量子点材料、钙钛矿量子点材料、碳量子点材料中的一种或多种；
在其中一个实施例中，II-VI族量子点材料选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的一种或多种；
III-V族量子点材料选自InP、InAs和InAsP中的一种或多种；
IV-VI族量子点材料选自PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe和PbSTe中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述量子点墨水的制备方法包括：
按上述重量百分比称取各原料
将所述量子点材料和所述受体材料置于容器中；
加入所需极性溶剂搅拌均匀，使量子点材料和受体材料完全溶解，即得所述量子点墨水。
在其中一个实施例中，所述阳极层为ITO透明电极层；和/或
所述空穴注入层的材料包括PEDOT和PSS；和/或
所述量子点材料为以CdSe为核、以ZnS为壳的CdSe/ZnS量子点；和/或
所述电子传输层为氧化锌层；和/或
所述阴极层为铝电极层。
在其中一个实施例中，所述电致发光器件还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和/或电子注入层。
一种上述任一项所述的电致发光器件的制作方法，所述电致发光器件的制作方法包括如下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成阳极层；
在所述阳极层上形成空穴供给层；
在所述空穴供给层上形成发光层；
在所述发光层上形成阴极层，即得；或者
所述电致发光器件的制作方法包括如下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成阴极层；
在所述阴极层上形成发光层；
在所述发光层上形成空穴供给层；
在所述空穴供给层上形成阳极层，即得。
一种显示装置或照明装置，包括上述所述的电致发光器件。
上述电致发光器件包括阳极层、阴极层、空穴供给层和与空穴供给层相层叠结合的发光层；其中，空穴供给层的材料包括含供空穴基团的给体分子材料，发光层的材料包括量子点材料和含供电子基团的受体分子材料，空穴供给层中的给体分子材料和发光层中的受体分子材料相接触配合能够形成激基复合物，激基复合物的发射光谱与量子点材料的吸收光谱至少部分重叠，从而能够有效地将三线态激子转换为单线态激子，单线态激子再通过Forester荧光共振能量转移将激子传递到量子点上，激发量子点发光，提高电流效率。同时，上述电致发光器件通过引入与发光层相邻的空穴供给层，能够有效缩小空穴注入量子点的能级势垒，并减少界面的电荷积累，进而降低器件的启亮电压和效率滚降。
附图说明
图1为一实施方式的电致发光器件的结构示意图；
图2为图1中的电致发光器件中的给体分子材料和受体分子材料的能量传递过程示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请结合图1，一实施方式的电致发光器件10，包括设于衬底100上的阳极层110、空穴供给层130、发光层140和阴极层160。
在本实施方式中，空穴供给层130设于阳极层110和阴极层160之间，空穴供给层130的材料为含供空穴基团的给体分子材料，以有效缩小空穴注入量子点的能级势垒。发光层140设于空穴供给层130和阴极层160之间，发光层140与空穴供给层130相邻设置，发光层140的材料包括量子点材料和含供电子基团的受体分子材料。其中，空穴供给层130中的给体分子材料和发光层140中的受体分子材料在接触界面处相配合能够形成激基复合物，激基复合物的发射光谱与量子点材料的吸收光谱至少部分重叠，从而保证激基复合物能够有效地将三线态激子转换为单线态激子，并将单线态激子通过Forester荧光共振能量转移将激子传递到量子点上，激发量子点发光。
请进一步结合图2所示，除了分子内给受体型的TADF材料以外，分子间给体分子材料(D)和受体分子材料(A)相配合也可具有TADF效应。这是因为给体分子材料(D)和受体分子材料(A)间存在较强的相互作用，可以形成具有较强电荷转移(CT)特征的激基复合物。与基态S0相比，激基复合物的发光源于受体分子材料(A)的最低未占分子轨道(LUMO)和给体分子材料(D)的最高占据分子轨道(HOMO)间的电荷转移，有效地将三线态激子T1(通过反向隙间蹿越，RISC)转换为单线态激子S1，导致ΔEST很小，具有TADF特征。
优选地，在空穴供给层130和发光层140接触界面处能够相配合形成激基复合物的给体分子材料(D)和受体分子材料(A)具有2.3eV～5eV的三线态能级，且给体分子材料(D)和受体分子材料(A)的三线态能级均大于两者所形成的激基复合物的三线态能级，进一步保证激基复合物能够有效地将三线态激子转换为单线态激子，并将单线态激子通过Forester荧光共振能量转移将激子传递到量子点上，激发量子点发光。
优选地，在空穴供给层130和发光层140在接触界面处相配合形成激基复合物的给体分子材料(D)和受体分子材料(A)分别具有大于5.0eV的HOMO能级和不大于3.2eV的LUMO能级，给体分子材料(D)和受体分子材料(A)的HOMO能级差不小于0.3eV，给体分子材料(D)和受体分子材料(A)的HOMO能级差不小于0.3eV。
优选地，给体分子材料包含氨苯基团或苯并吡喃基团等。给体分子材料可选自4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、6-(9,9-二甲基吖啶-10(9H)-基)-3-甲基-1H-异苯并吡喃-1-酮(MAC)和1,1'-偏(双-4-甲苯基氨苯)环己胺(TAPC)等有机小分子材料中的一种或多种。另外，由给体分子材料形成的空穴供给层130的厚度为5nm、15nm、40nm、80nm、110nm、130nm或200nm等，优选为1～150nm，更优选为1～50nm。
优选地，受体分子材料包含有以下分子结构中的一种或多种：
例如，受体分子材料可选自红菲咯啉(Bphen)、3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-9-苯基-9H-咔唑(DPTPCz)、1,3,5-三(间-吡啶-3-基苯基)苯(TmPyPB)、2,4,6-三(3-(吡啶-3-基)苯基)-1,3,5-三嗪)(TmPyTZ)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)等有机小分子材料中的一种或多种。另外，由量子点材料和受体分子材料形成的发光层的厚度可以为3nm、15nm、30nm、50nm、70nm、90nm、110或220nm等，优选为1～100nm，更优选为1～60nm。
在发光层中，受体分子材料占发光层材料的总量的摩尔百分比可以为15mol％、20mol％、25mol％、32mol％等，优选为5～40mol％，更优选为20～32mol％。
在其中一个实施例中，用于形成发光层的量子点墨水包括以下重量百分比的原料：5～15％的量子点材料、1～20％的受体材料以及65-94％的极性溶剂。更优选地，量子点墨水包括以下重量百分比的原料：5～10％的量子点材料、1～15％的受体材料以及80～90％的极性溶剂。
在本实施方式中，量子点材料可选自II-VI族量子点材料、III-V族量子点材料、IV-VI族量子点材料、钙钛矿量子点材料、碳量子点材料中的一种或多种。其中，II-VI族量子点材料可选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的一种或多种。III-V族量子点材料可选自InP、InAs和InAsP中的一种或多种。IV-VI族量子点材料可选自PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe和PbSTe中的一种或多种。优选地，量子点材料为CdSe/ZnS，即以CdSe为核、ZnS为壳的量子点材料。
另外，极性溶剂优选自四氢化萘和氯苯的混合溶剂。更优选地，四氢化萘和氯苯的重量比为(3～1)：1。极性溶剂具有合适的沸点，可在真空干燥过程中去除。
通过调整上述量子点墨水中各原料的组分含量，得到了粘度和表面张力能够适用于喷墨打印设备和打印的工艺条件要求的量子点墨水，能够保证喷墨打印成膜均匀。
上述量子点墨水的制备方法包括如下步骤：按上述重量百分比称取各原料，将量子点材料和受体材料置于烧杯中；加入所需极性溶剂，搅拌均匀，使量子点材料和受体材料完全溶解，即得所述量子点墨水。
上述量子点墨水的制备方法中，所述极性溶剂可以分步加入，包括先加入所述极性溶剂的三分之二，搅拌均匀，使量子点材料和受体材料完全溶解，再加入剩下的极性溶剂，搅拌稀释，即得。
对应本实施方式的电致发光器件10，空穴供给层130中的给体分子材料和发光层140中的受体分子材料相接触配合能够形成激基复合物，激基复合物的发射光谱与量子点材料的吸收光谱至少部分重叠，从而能够有效地将三线态激子转换为单线态激子，单线态激子再通过Forester荧光共振能量转移将激子传递到量子点上，激发量子点发光，提高电流效率。同时，该电致发光器件通过引入与发光层140相邻的空穴供给层130，能够有效缩小空穴注入量子点的能级势垒，并减少界面的电荷积累，进而降低器件的启亮电压和效率滚降。
进一步地，本实施方式的电致发光器件10还包括空穴注入层120，空穴注入层120设于阳极层110和空穴供给层130之间，以进一步提高空穴传输效果，提高电流效率。
进一步地，本实施方式的电致发光器件10还包括电子传输层150，电子传输层150设于发光层140和阴极层160之间，以进一步提高电子传输效果，提高电流效率。
在其他实施方式中，根据需要，电致发光器件还可以包括设于空穴注入层120和发光层140之间的空穴传输层和/或电子阻挡层。另外，电致发光器件还包括设于发光层140和阴极层160之间的空穴阻挡层和电子注入层，从而整体上保证整个器件的发光效率。
本实施方式的电致发光器件10的制作方法，包括如下步骤：
S1，提供衬底100。
S2，在衬底100上形成阳极层110。
S3，在阳极层110上依次形成空穴注入层120和空穴供给层130。
S4，在空穴供给层130上形成发光层140。
S5，在发光层140上依次形成电子注入层150和阴极层160，即得。
本实施方式的电致发光器件10为正置型器件。在其他实施方式中，电致发光器件还可以设置为倒置型器件。倒置型器件一般与正置器件的制作流程相反，即提供衬底，在衬底上形成阴极层，再在阴极层上形成电子注入层，再形成发光层，再在发光层上依次形成空穴供给层和空穴注入层，再在空穴注入层上形成阳极层。倒置型的主要优势是适合与n-沟道a-Si薄膜晶体管结合，便于制作大面积高效率的主动矩阵驱动器件，其可使用透明的ITO作为透明阴极，金属铝作为反射阳极。
以下结合具体实施例对本发明的电致发光器件及其制作方法作进一步说明。
实施例1
本实施例提供一种电致发光器件，其主要结构层为：ITO层//PEDOT-PSS层//m-MTDATA层//(CdSe/ZnS量子点)-30mol％TmPyPB层//ZnO层//Al层。
其中“//”用于隔离相邻结构层；PEDOT-PSS(HOMO约为5.0eV)指的是聚二氧乙基噻吩-聚对苯乙烯磺酸导电高分子；CdSe/ZnS量子点指以CdSe为核、ZnS为壳的量子点材料，激发光谱覆盖了紫外到绿光的波段，发射光谱在红光波段。m-MTDATA(HOMO＝5.10eV，LUMO＝1.92eV)和TmPyPB(HOMO＝6.63eV，LUMO＝2.54eV)形成的激基复合物的发射峰在490nm左右，介于蓝光与绿光间。
本实施例的电致发光器件的制作方法，包括如下步骤：
S1，将含有120nm厚的ITO透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗，且连续超声处理25分钟，然后用氮气枪吹干液体，在UV-O下处理20分钟以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数(HOMO约为4.7eV)，获得阳极层。
S2，在阳极层上形成PEDOT-PSS层，获得空穴注入层。
S3，采用m-MTDATA，在空穴注入层上形成厚度为15nm的空穴供给层。
S4，采用包括TmPyPB和CdSe/ZnS量子点的第一混合物，在空穴供给层上形成厚度为40nm的发光层。其中TmPyPB占发光层中总摩尔百分比为30mol％。
S5，采用ZnO，在发光层上制作形成厚度为30nm的电子传输层，之后在氮气氛围下120℃下烘烤30分钟。
S6，采用Al，以蒸镀的方式在电子传输层上形成厚度为120nm的铝电极层，作为阴极层。
实施例2
本实施例提供一种电致发光器件，其主要结构层为：ITO层//PEDOT-PSS层//m-MTDATA层//(CdSe/ZnS量子点)-25mol％Bphen层//ZnO层//Al层。
其中“//”用于隔离相邻结构层；PEDOT-PSS(HOMO约为5.0eV)指的是聚二氧乙基噻吩-聚对苯乙烯磺酸导电高分子；CdSe/ZnS量子点指以CdSe为核、ZnS为壳的量子点材料，激发光谱覆盖了紫外到绿光的波段，发射光谱在红光波段。m-MTDATA(HOMO＝5.10eV，LUMO＝1.92eV)和Bphen(HOMO＝6.4eV，LUMO＝3.0eV)形成的激基复合物的发射峰在575nm左右，在绿光光谱段。
本实施例的电致发光器件的制作方法与实施例1的电致发光器件的制作方法的步骤相同，且获得的电致发光器件对应功能层的厚度相同。
实施例3
本实施例提供一种电致发光器件，其主要结构层为：ITO层//PEDOT-PSS层//m-MTDATA层//(CdSe/ZnS量子点)-30mol％Bphen层//ZnO层//Al层。
其中“//”用于隔离相邻结构层；PEDOT-PSS(HOMO约为5.0eV)指的是聚二氧乙基噻吩-聚对苯乙烯磺酸导电高分子；CdSe/ZnS量子点指以CdSe为核、ZnS为壳的量子点材料，激发光谱覆盖了紫外到绿光的波段，发射光谱在红光波段。m-MTDATA(HOMO＝5.10eV，LUMO＝1.92eV)和Bphen(HOMO＝6.4eV，LUMO＝3.0eV)形成的激基复合物的发射峰在575nm左右，在绿光光谱段。
本实施例的电致发光器件的制作方法与实施例1的电致发光器件的制作方法的步骤相同，且获得的电致发光器件对应功能层的厚度相同。
实施例4
本实施例提供一种电致发光器件，其主要结构层为：ITO层//PEDOT-PSS层//m-MTDATA层//(CdSe/ZnS量子点)-30mol％TPBi层//ZnO层//Al层。
其中“//”用于隔离相邻结构层；PEDOT-PSS(HOMO约为5.0eV)指的是聚二氧乙基噻吩-聚对苯乙烯磺酸导电高分子；CdSe/ZnS量子点指以CdSe为核、ZnS为壳的量子点材料，激发光谱覆盖了紫外到绿光的波段，发射光谱在红光波段。m-MTDATA(HOMO＝5.10eV，LUMO＝1.92eV)和TPBi(HOMO＝6.2eV，LUMO＝2.7eV)形成的激基复合物的发射峰在550nm左右，在绿光光谱段。
本实施例的电致发光器件的制作方法与实施例1的电致发光器件的制作方法的步骤相同，且获得的电致发光器件对应功能层的厚度相同。
对比例1
本对比例提供一种电致发光器件，其主要结构层为：ITO层//PEDOT-PSS层//(CdSe/ZnS量子点)//ZnO层//Al层，与实施例1的电致发光器件的区别在于：没有采用能够形成激基复合物的给体分子材料和受体分子材料，即没有设置空穴供给层，量子点发光层中不含有受体分子材料。
本对比例的电致发光器件的制作方法与实施例1的制作方法的步骤相同，且获得的电致发光器件各对应功能层的厚度相同。
对比例2
本对比例提供一种电致发光器件，其主要结构层为：ITO层//PEDOT-PSS层//m-MTDATA层//(CdSe/ZnS量子点)层//ZnO层//Al层。与实施例1的电致发光器件的区别在于：没有采用能够形成激基复合物的受体分子材料，也就是量子点发光层中不含有受体分子材料。
本对比例的电致发光器件的制作方法与实施例1的制作方法的步骤相同，且获得的电致发光器件对应各功能层的厚度相同。
对比例3
本对比例提供一种电致发光器件，其主要结构层为：ITO层//PEDOT-PSS层//(CdSe/ZnS量子点)-30mol％TmPyPB层//ZnO层//Al层。与实施例1的电致发光器件的区别在于：没有采用能够形成激基复合物的给体分子材料，即没有设置空穴供给层。
本对比例的电致发光器件的制作方法与实施例1的制作方法的步骤相同，且获得的电致发光器件对应各功能层的厚度相同。
效果试验
将上述实施例1至4及对比例1至3的器件置于电流密度为10mA//cm2的条件下测试各器件的电流效率，并将对比例3的电流效率归一化为1，得到相应的电流效率值，其结果如下：
上述电致发光器件在在制备显示装置或照明装置中的应用。
一种显示装置或照明装置，包括上述电致发光器件。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括：
阳极层；
阴极层；
空穴供给层，所述空穴供给层设于所述阳极层与所述阴极层之间，所述空穴供给层包括含供空穴基团的给体分子材料；以及
发光层，所述发光层设于空穴供给层和所述阴极层之间，且所述发光层与所述空穴供给层层叠结合，所述发光层包括量子点材料和含供电子基团的受体分子材料；所述受体分子材料和所述给体分子材料相配合能够形成激基复合物，所述激基复合物的发射光谱与所述量子点材料的吸收光谱至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述给体分子材料和所述受体分子材料的三线态能级均大于两者所形成的所述激基复合物的三线态能级。
3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述给体分子材料和所述受体分子材料的HOMO能级差不小于0.3eV，所述给体分子材料和所述受体分子材料的LUMO能级差不小于0.3eV。
4.根据权利要求1至3任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述受体分子材料包含有以下分子结构中的一种或多种：
所述给体分子材料包含氨苯基团或苯并吡喃基团。
5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述给体分子材料选自m-MTDATA、MAC和TAPC中的一种或多种；和/或
所述受体分子材料选自Bphen、DPTPCz、TmPyPB、TmPyTZ和TPBi中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述受体分子材料占所述发光层的摩尔百分比为5～40mol％。
7.根据权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述阳极层为ITO透明电极层；和/或
所述空穴注入层的材料包括PEDOT和PSS；和/或
所述量子点材料为以CdSe为核、以ZnS为壳的CdSe/ZnS量子点；和/或
所述电子传输层为氧化锌层；和/或
所述阴极层为铝电极层。
8.根据权利要求1至3任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和/或电子注入层。
9.一种权利要求1至8任一项所述的电致发光器件的制作方法，其特征在于，所述电致发光器件的制作方法包括如下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成阳极层；
在所述阳极层上形成空穴供给层；
在所述空穴供给层上形成发光层；
在所述发光层上形成阴极层，即得；或者
所述电致发光器件的制作方法包括如下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成阴极层；
在所述阴极层上形成发光层；
在所述发光层上形成空穴供给层；
在所述空穴供给层上形成阳极层，即得。
10.一种显示装置或照明装置，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的电致发光器件。
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