CN108987589A - 电致发光层及其制备方法、电致发光器件、显示和照明装置 - Google Patents

电致发光层及其制备方法、电致发光器件、显示和照明装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种电致发光层及制备方法、电致发光器件、显示和照明装置，其中电致发光层包括纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料，所述Ag配合物发光材料是发光波长为380nm～780nm的一价银配位化合物发光材料，且所述Ag配合物发光材料的峰值发射波长小于所述纳米晶体半导体材料的峰值发射波长。所述Ag配合物适于收集未被纳米晶体半导体材料俘获的空穴并形成复合激子，并将能量有效地传递给纳米晶体半导体材料，可以维持载流子平衡，提高电致发光层和含有该电致发光层的电致发光器件的寿命。

Description

电致发光层及其制备方法、电致发光器件、显示和照明装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种电致发光层及其制备方法、电致发光器件、显示和照明装置。
背景技术
纳米晶体半导体材料，又称纳米晶，由有限数目的原子组成，具有显著的量子限域效应。纳米晶体半导体材料受到光或电的激发，会发出半峰宽很窄的光谱(通常半峰宽小于40nm)，发光具有光色纯度高、发光量子效率高、性能稳定等特点。纳米晶体半导体材料由于其发光效率高，发光颜色可控，以及色纯度高等优点，在下一代显示技术中具有巨大的应用潜力。
以纳米晶体半导体材料制作的电致发光器件作为一种新兴的发光器件，近年来受到了广泛的关注。由于量子限域效应的特征，以纳米晶体半导体材料制备的电致发光二极管，也被称为QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)。与传统的有机发光二极管(OLED)相比，QLED具有更加优异的色纯度、亮度和可视角等特点。
然而，由于纳米晶体半导体材料的HOMO(最高占有轨道)和LUMO(最低未占有轨道)都较深，导致空穴、电子注入发光层的效率差异巨大，电子远远多于空穴，导致发光层中载流子浓度的不平衡，从而使QLED器件寿命偏低。
发明内容
基于此，有必要针对QLED器件寿命偏低的问题，提供一种电致发光层。
一种电致发光层，包括纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料，其中，所述Ag配合物发光材料是发光波长为380nm～780nm的一价银配位化合物发光材料，所述Ag配合物发光材料的峰值发射波长小于所述纳米晶体半导体材料的峰值发射波长。
上述电致发光层，通过引入Ag配合物发光材料，所述Ag配合物发光材料适于收集未被纳米半导体晶材料俘获的空穴，并与电子复合形成激子，使电致发光层中的空穴和电子数量维持平衡；同时，在Ag配合物发光材料和纳米晶体半导体材料匹配的情况下，由于Ag配合物发光材料的峰值发射波长短于纳米晶体半导体材料的峰值发射波长，所以Ag配合物发光材料的激发能量大于纳米晶体半导体材料的激发能量，且Ag配合物发光材料的激发态寿命在微秒量级，相对于纳米晶体半导体材料(激发态寿命在纳秒量级)具有更长的激发态寿命，复合形成激子的能量可以相对缓慢地释放，并以FRET方式有效传递给作为能量受体材料的纳米晶体半导体材料，纳米晶体半导体材料接受来自Ag配合物的激发态能量而发光；而且，Ag配合物发光材料还可以获得较高的光致发光量子效率。因此，采用上述电致发光层的电致发光器件，由于电致发光层可以俘获空穴而优化空穴的注入情况，有助于维持载流子的平衡，减少电致发光器件的漏电流，从而提高器件的使用寿命和电流效率；还可以将原本由于空穴逃逸而损失的能量由Ag配合物发光材料收集起来并传递给纳米晶体半导体材料，可有效提高器件的发光效率。
在其中一个实施例中，所述Ag配合物发光材料的配体为卤族元素及以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体配体的组合，或以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体。
在其中一个实施例中，所述以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体为芳基膦、硫苯酚、硫醇和邻菲罗啉中的一种或多种。
优选的，所述Ag配合物发光材料选自Ag2Cl2(dppb)2、[Ag(PPh3)Cl]2(tpbz)和Ag(PP)(PS)中的至少一种，它们的结构式如下所示：
和
在其中一个实施例中，所述纳米晶体半导体材料选自IIB-VIA族化合物纳米晶体半导体材料、IIIA-VA族化合物纳米晶体半导体材料、IVA-VIA族化合物纳米晶体半导体材料、钙钛矿型纳米晶体半导体材料及由一种或多种碳族元素组成的纳米晶体半导体材料中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述电致发光层为由所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料共混形成的第一薄膜结构，或所述电致发光层为由所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层层叠构成的第二薄膜结构，或所述电致发光层同时含有所述第一薄膜结构和所述第二薄膜结构。
在其中一个实施例中，所述第一薄膜结构中，所述纳米晶体半导体材料占所述第一薄膜结构中的1wt％～99wt％。较优的，所述纳米晶体半导体材料占所述第一薄膜结构中的40wt％～70wt％。
在其中一个实施例中，所述第二薄膜结构中，所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层直接相互层叠设置。
在其中一个实施例中，所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层之间设有其他薄膜层，其中所述其他薄膜层的厚度不超过10nm。
本发明的又一目的在于提供上述任意一种电致发光层的制备方法，包括采用共混成膜和/或分别成膜的方法制备；
所述采用共混成膜的方法的制备步骤包括：将所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料共混并成膜，得到电致发光层；
所述采用分别成膜的方法的制备步骤包括：将所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别成膜以形成两个薄膜层，且其中一个薄膜层形成于另一个薄膜层上，得到电致发光层。
本发明的又一目的在于提供一种包含上述任意一种电致发光层的电致发光器件。
一种电致发光器件，包括：基板、及依次形成于所述基板上的第一电极层、电致发光层和第二电极层，其中电致发光层为上述电致发光层，所述电致发光层的厚度为10nm～150nm。
在其中一个实施例中，所述电致发光层与所述第一电极层之间还包括第一功能层；所述电致发光层与所述第二电极层之间还第二功能层，所述第一功能层和第二功能层相匹配，且所述第一功能层和所述第二功能层分别为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层。
本发明的又一目的在于提供一种包括上述任意一种电致发光层的显示装置或照明装置。
附图说明
图1为本发明一实施方式电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明另一实施方式电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
请参见图1，一实施方式的电致发光器件100，包括：基板110、及依次形成于基板110上的第一电极层120、电致发光层150和第二电极层180。
其中电致发光层150包括纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料，Ag配合物发光材料是发光波长为380nm～780nm的一价银配位化合物发光材料，且Ag配合物发光材料的峰值发射波长小于纳米晶体半导体材料的峰值发射波长。
FRET即荧光能量共振转移(resonance energy transfer)是距离很近的两个荧光分子间产生的一种能量转移现象。当供体荧光分子的发射光谱与受体荧光分子的吸收光谱重叠，就会发生一种非放射性的能量转移，即FRET现象，使得供体的荧光强度比它单独存在时要低的多(荧光猝灭)，而受体发射的荧光却大大增强(敏化荧光)。
发明人经过大量研究与分析，发现能量给体材料向纳米晶体半导体材料以FRET方式进行有效能量传递需要满足以下两个关键条件：(1)能量给体材料的发射谱与纳米晶体半导体材料的激发谱有较大的重叠，(2)能量给体材料的激发态(excited state)的衰减寿命(decay lifetime)(以下简称激发态寿命)，需要长于纳米晶体半导体材料的激发态的衰减寿命，且前者最好是后者的10倍以上。
其中第一个条件比较容易满足，由于纳米晶体半导体材料一般具有较宽的激发谱，比较容易找到发射谱与纳米晶体半导体材料的激发谱有较大重叠的能量给体材料。而第二个条件是提升QLED器件性能的关键与主要挑战。发明人在研究中发现，在QLED器件中，以PVK(聚乙烯基咔唑)、PPV(聚1，4-苯亚乙烯)或其他小分子有机材料作为主体材料或者传输材料向纳米晶体半导体材料传递能量，QLED器件的效率不佳。经过发明人分析发现原因在于：所使用的主体材料或传输材料无法有效地利用和转移QLED器件中的能量，一方面，大多数有机材料在QLED器件中仅能利用单线态的能量，三线态的能量由于跃迁禁阻而无法进行发光或者有效的能量转移；另一方面，纳米晶体半导体材料的荧光激发态寿命在ns(纳秒)级别，而多数有机材料(例如PVK)单线态的衰减寿命也是在ns级别，无法满足进行有效能量转移的第二个条件，因此，多数有机材料对于纳米晶体半导体材料来说不是好的能量给体材料。
所以，寻找能有效地将能量传递给纳米晶体半导体材料的能量给体材料是关键。如果能让电子与空穴在能量给体(energy donnor)材料上复合形成激子，再将能量给体材料上的激子能量传递给纳米晶体半导体材料，纳米晶体半导体材料作为能量受体(energyacceptor)，就有希望获得高效稳定的QLED器件。如此，发明人经过大量创造性实验，找到了符合上述两个条件的Ag配合物发光材料作为能量给体材料。
电致发光层150中的作为能量给体材料的Ag配合物发光材料适于收集未被纳米晶体半导体材料俘获的空穴以复合形成激子，并可以将激子的能量相对缓慢地释放，以FRET方式有效地传递给作为能量受体材料的纳米晶体半导体材料。电致发光层150可以将原本由于空穴逃逸而损失的能量收集起来并传递给纳米晶体半导体材料，可有效提高器件的发光效率；而且，由于Ag配合物发光材料可以帮助纳米晶体半导体材料俘获空穴而优化空穴的注入情况，有助于维持载流子的平衡，减少器件的漏电流，因而还可以提高器件的使用寿命和电流效率。
具体的，纳米晶体半导体材料选自量子点材料、量子棒材料和量子线材料。纳米晶体半导体材料的三个维度上的尺寸都在100nm以下的零维材料为量子点材料，当纳米晶体半导体材料的其中两个维度上的尺寸为纳米级，而第三个维度上为微米级的棒状或线状材料时，被称为量子棒或量子线。量子点或量子棒的电荷载流子在三维方向上受到限制，具有类原子的量子化分立能级结构。较优的，纳米晶体半导体材料的三个维度中至少有两个维度的尺寸为1nm～30nm。
在其中一个实施例中，Ag配合物发光材料为一个或者多个配体与一价银配位形成；所述配体选自卤族元素及以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体的组合，或以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体。其中的卤族元素包括F、Cl、Br和I。
当Ag配合物发光材料的分子被激发时，电子由银向配体转移；当配合物分子结构中存在卤素原子时，除了电子由银向配体的转移，还存在电子由卤素原子向配体转移。由于基态和激发态对应的被激发电子的分布于分子内的不同部位，Ag配合物分子的HOMO(最高占有轨道)和LUMO(最低未占有轨道)具有较小的重叠，从而Ag配合物的单线态与三线态之间具有较小的带隙，而有利于三线态向单线态的反向系间窜越，使得Ag配合物分子中的被激发电子在退激发的过程中须经历更多转移过程而具有较长的激发态寿命，因此，上述Ag配合物发光材料的激发态寿命通常可达1～10微秒。
在其中一个实施例中，以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体为芳基膦、硫苯酚、硫醇和邻菲罗啉中的一种或多种。
具体的，以N或/和P为配位基的单齿或多齿配体选自含有取代基或不含取代基的芳基膦、含有取代基或不含取代基的吡啶、含有取代基或不含取代基的吡唑、含有取代基或不含取代基的邻菲罗啉中的一种或多种。
优选的，Ag配合物发光材料选自Ag2Cl2(dppb)2、[Ag(PPh3)Cl]2(tpbz)和Ag(PP)(PS)中的至少一种。
在其中一个实施例中，纳米晶体半导体材料选自IIB-VIA族化合物纳米晶体半导体材料、IIIA-VA族化合物纳米晶体半导体材料、IVA-VIA族化合物纳米晶体半导体材料、钙钛矿型纳米晶体半导体材料、由一种或多种碳族元素组成的纳米晶体半导体材料中的一种或多种。
具体的，IIB-VIA族化合物为由IIB族和VIA族元素共同形成的化合物，例如：CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe等。
IIIA-VA族化合物为由IIIA族和VA族元素共同形成的化合物，例如：InP、InAs和InAsP等。
VA-VIA族化合物为由IVA族和VIA族元素共同形成的化合物，例如：PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe和PbSTe等。
钙钛矿型纳米晶体半导体材料为通式为ABX3的有机金属卤化物钙钛矿型半导体材料，其中A为有机基团或碱金属族元素，B为过渡金属元素，X为卤族元素，可以理解，有机基团A包括但不限于CH3NH3，CH3CH2NH3，NH2CH＝NH2。
由一种或多种碳族元素组成的纳米晶体半导体材料包括碳纳米晶体半导体材料、硅纳米晶体半导体材料和碳化硅纳米晶体半导体材料中的至少一种。
在其中一个实施例中，纳米晶体半导体材料包括单核结构型和多核结构型。
进一步地，单核结构为一元组分的单核结构、均一多元组分混合的单核结构或多元组分梯度混合的单核结构；多核结构为均一多元组分分立的核-壳结构或多元组分梯度混合的核-壳结构。
更进一步地，组成核壳结构的核、壳部分的化合物，选自上述IIB-VIA族化合物、IIIA-VA族化合物、IVA-VIA族化合物、有机金属卤化物钙钛矿型化合物和由一种或多种碳族元素组成的化合物中的一种或多种。
优选的，纳米晶体半导体材料选自以CdSe为核ZnS为壳的量子点材料、以CdSe为核ZnS为壳的量子棒材料和以InP为核ZnSeS为壳量子点材料。
可以理解的，进行电致发光层材料的选择时，需同时考虑Ag配合物发光材料的发光波长，以及Ag配合物发光材料和纳米晶体半导体材料的峰值发射波长，通过优化选择Ag配合物发光材料以及纳米晶体半导体材料，使发光层中Ag配合物发光材料的发光波长位于380nm～780nm，且满足Ag配合物发光材料的峰值发射波长短于纳米晶体半导体材料的峰值发射波长，Ag配合物发光材料的能量带隙大于纳米晶体半导体材料的能量带隙，从而保证能量的有效传递。
在其中一个实施例中，电致发光层150中还包括有机材料。较优地，该有机材料为咔唑基有机材料，例如BCPO(二[4-(9'-咔唑基)苯基]苯基氧膦)、mCP(3，5-N，N’-二咔唑苯)或CBP(4,4′-二(9-咔唑)联苯)等。
mCP和BCPO结构式如下：
在其中一个实施例中，电致发光层150为由纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料共混形成的第一薄膜结构，或电致发光层150为由纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层层叠构成的第二薄膜结构，或电致发光层150同时含有第一薄膜结构和第二薄膜结构。
在其中一个实施例中，第一薄膜结构中，纳米晶体半导体材料占第一薄膜结构的1wt％～99wt％。较优的，纳米晶体半导体材料占第一薄膜结构的40wt％～70wt％。
可以理解，纳米半导体材料占第一薄膜结构的1wt％～99wt％，是指第一薄膜结构中，纳米晶体半导体材料的重量占第一薄膜结构总重量的1％～99％，优选的为40％～70％。
在其中一个实施例中，第二薄膜结构中，纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层直接相互层叠设置。
在又一个实施例中，纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层之间设有其他薄膜层，其中其他薄膜层的厚度为不超过10nm，以保证Ag配合物发光材料的能量向纳米晶体半导体材料实现FRET转移。其他薄膜层可以由BCPO、mCP和CBP等中至少一种有机材料形成。
在其中一个实施例中，电致发光层150的厚度为10nm～150nm。
优选的，电致发光层150的厚度为10nm～60nm。
在其中一个实施例中，第一电极层120的材料可以选自铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或镓掺杂氧化锌等。
在其中一个实施例中，第二电极层180的材料为铝、银或锂等，其厚度为100nm～200nm。
请参见图2，另一实施方式电致发光器件200与电致发光器件100基本相同，不同之处在于，其还包括空穴注入层230、空穴传输层240、电子传输层260、电子注入层270。
电致发光器件200包括：基板210及依次形成于基板210上的第一电极层220、空穴注入层230、空穴传输层240、电致发光层250、电子传输层260、电子注入层270和第二电极层280，其中，Ag配合物发光材料是发光波长为380nm～780nm的银元素一价配位化合物发光材料，且Ag配合物发光材料的峰值发射波长小于纳米晶体半导体材料的峰值发射波长。
在其中一个实施例中，空穴注入层230的材料为PEDOT:PSS(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))，其厚度为20nm～80nm。
在其中一个实施例中，空穴传输层240的材料为TFB，其厚度为10nm～50nm。
在其中一个实施例中，电子传输层260的材料为PO-T2T或AlQ3(8-羟基喹啉和铝)等，其厚度为20nm～100nm。
在其中一个实施例中，电子注入层270的材料为LiF或Liq(8-羟基喹啉锂)等，其厚度为1nm～100nm。
本发明提供一实施方式的电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：提供基板。
步骤S2：于基板上依次形成第一电极层、上述电致发光层和第二电极层。可以理解，提供的基板可带有第一电极层，当基板上有第一电极层时，不必再制备第一电极层。
本发明还提供了一实施方式的上述电致发光层的制备方法：包括采用共混成膜和/或分别成膜的方法制备。
在其中一个实施例中，采用共混成膜的方法的制备步骤包括：将纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料共混并成膜，得到电致发光层。
进一步的，将纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料共混分散于卤代芳香烃类溶剂，得到电致发光层溶液，再形成电致发光层薄膜。
可以理解，形成电致发光层薄膜的方法为打印、移印、旋涂、刮涂、喷涂或印刷等方法中的任意一种，其中，打印包括喷墨打印(Inkjet Printing)以及与喷墨打印相类似的按需喷墨(Drop on Demand)工艺，采用打印工艺可以精确地按照所需量将电致发光层溶液沉积在设定的位置，沉积形成精密像素薄膜结构，制造大尺寸彩色QLED显示屏。
更进一步的，卤代芳香烃类溶剂，即卤素原子连接在芳环碳原子上的溶剂，可选自氯苯、溴苯、碘苯和二氯苯中的至少一种。
具体地，采用共混成膜的方法时，将纳米晶体半导体材料和的Ag配合物发光材料的混合物溶于氯苯中，形成电致发光层溶液。然后再以1800rpm～2000rpm的转速旋涂电致发光层溶液，旋涂20s～40s，然后在130℃～160℃下烘烤15min～30min，即得电致发光层薄膜。
在其中一个实施例中，采用分别成膜的方法的制备步骤包括：将纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料分别成膜以形成两个薄膜层，且其中一个薄膜层形成于另一个薄膜层上，得到电致发光层。分别成膜的方法是指将纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料分别溶于溶剂中，得到纳米晶体半导体溶液和Ag配合物溶液，将其中一种溶液采用沉积法形成一个薄膜层，再于该薄膜层上沉积另一种溶液，形成另一个薄膜层。
可以理解的，采用分别成膜的方法制备的电致发光层，其中纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料分布于两个不同的薄膜层中；纳米晶体半导体材料薄膜层和Ag配合物发光材料薄膜层之间还可以沉积其他材料的薄膜层，但是其他材料的薄膜层的厚度不能超过10nm。
具体地，采用分别成膜法时，先将Ag配合物发光材料溶于氯苯形成Ag配合物溶液，再以1800rpm～2000rpm的转速旋涂10s～30s，然后在130℃～160℃下烘烤15～20分钟，得电致发光层的第一薄膜层；将CdSe/ZnS量子点溶于氯苯形成量子点墨水，于第一薄膜层上以1800rpm～2000rpm的转速旋涂量子点墨水10s～30s，130℃～160℃下烘烤15～20分钟，即得发光层的第二薄膜层。
在其中一个实施例中，采用共混成膜和分别成膜的方法的制备步骤包括上述采用共混成膜的方法的制备步骤及采用分别成膜的方法的制备步骤，且其中一个制备步骤以另一个制备步骤得到的薄膜层为基底。
上述制备方法操作简单，得到的电致发光层和电致发光器件，可以维持载流子平衡，从而解决由于载流子浓度不平衡导致QLED器件寿命偏低的问题，提高了QLED器件寿命；且还有效提高发光效率和电流效率，提升了QLED器件的性能。
在其中一个实施例中，为了便于纳米晶体半导体材料溶于低极性溶剂，可以在纳米晶体半导体的表面包裹配体，其中的配体为酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂、聚乙烯基吡啶等中的一种或多种。
具体的，酸配体包括十酸、十一烯酸、十四酸、油酸和硬脂酸中的一种或多种；硫醇配体包括八烷基硫醇、十二烷基硫醇和十八烷基硫醇中的一种或多种；胺配体包括油胺、十八胺和八胺中的一种或多种；(氧)膦配体包括三辛基膦、三辛基氧膦的一种或多种。
在其中一个实施例中，为了便于纳米晶体半导体材料溶于水或高极性溶剂，可以在纳米晶体半导体的表面包裹巯基酸类配体和/或巯基醇类配体。
具体的，巯基酸类配体包括巯基乙酸、2-巯基丙酸、3-巯基丙酸、3-巯基苯甲酸、4-巯基苯甲酸、6-巯基己酸、巯基丁二酸、11-巯基十一烷酸、12-巯基十二酸、16-巯基十六酸；巯基醇类配体包括2-巯基乙醇、1-硫代甘油、2-巯基-3-丁醇、4-巯基-1-丁醇、6-巯基-1-己醇、8-巯基-1-辛醇、9-巯基-1-壬醇、11-巯基-1-十一醇。
以下为具体实施例
实施例1
一种电致发光器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/PVK/mCP:Ag2Cl2(dppb)2:(CdSe/ZnS量子点)/PO-T2T/LiF/Al。
上述电致发光器件的制备方法如下：
(1)基板处理：以玻璃清洗剂、纯水先后清洗基板表面，以氮气吹干后在150℃下烘烤0.5～1.5小时，在大气环境下以UV处理5～10分钟，获得洁净的基板以及ITO表面。
(2)空穴注入层制备：以3000rpm/min的转速旋涂PEDOT:PSS墨水，旋涂20～30秒，然后在110℃～120℃烘烤10～20分钟获得空穴注入层薄膜。
(3)空穴传输层制备：以1500rpm/min的转速旋涂PVK墨水(浓度为5mg/mL)，旋涂20～30秒，然后在150℃～160℃烘烤20～30分钟获得空穴传输层薄膜。
(4)电致发光层制备：将mCP、Ag2Cl2(dppb)2和CdSe/ZnS量子点的混合物溶于氯苯形成电致发光层墨水，电致发光层墨水中含8mg/mL的mCP、8mg/mL的Ag2Cl2(dppb)2和16m g/mL的CdSe/ZnS量子点，以2000rpm/min的转速旋涂电致发光层墨水，旋涂20～40秒，然后在150℃～160℃烘烤20～30分钟获得电致发光层薄膜。
(5)电子传输层、电子注入层、阴极制备：以蒸镀的方式依次蒸镀PO-T2T、LiF和Al，依次形成电子传输层、电子注入层和阴极，其中电子传输层的厚度为40nm、电子注入层的厚度为1nm、阴极的厚度为150nm。
实施例2
一种电致发光器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/PVK/mCP:Ag2Cl2(dppb)2:(CdSe/ZnS量子棒)/PO-T2T/LiF/Al。
上述电致发光器件的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于电致发光层的制备方法有所不同，具体为：电致发光层墨水中含8mg/mL的mCP、8mg/mL的Ag2Cl2(dppb)2和16mg/mL的CdSe/ZnS量子棒。
实施例3
一种电致发光器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/PVK/mCP:Ag2Cl2(dppb)2:(InP/ZnSeS量子点)/PO-T2T/LiF/Al。
上述电致发光器件的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于电致发光层的制备有所不同，具体为：电致发光层墨水中含8mg/mL的mCP、8mg/mL的Ag2Cl2(dppb)2和16mg/mL的InP/ZnSeS量子点。
实施例4
一种电致发光器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/TFB/mCP:[Ag(PPh3)Cl]2(tpbz):(CdSe/ZnS量子点)/PO-T2T/LiF/Al。
上述电致发光器件的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于空穴传输层和电致发光层的制备有所不同，具体为：制备空穴传输层的墨水为TFB墨水(浓度为5mg/mL)；电致发光层墨水中含4mg/mL的mCP、4mg/mL的[Ag(PPh3)Cl]2(tpbz)和16mg/mL的CdSe/ZnS量子点。
实施例5
一种电致发光器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/TFB/mCP:Ag(PP)(PS):(CdSe/ZnS量子点)/PO-T2T/LiF/Al。
上述电致发光器件的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于空穴传输层和电致发光层的制备有所不同，具体为：制备空穴传输层的墨水为TFB墨水(浓度为5mg/mL)；电致发光层墨水中含8mg/mL的mCP、4mg/mL的Ag(PP)(PS)和16mg/mL的CdSe/ZnS量子点，以2000rpm/min的转速旋涂发光层墨水，旋涂30秒，然后在150℃烘烤20分钟获得发光层薄膜。
实施例6
一种电致发光器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/PVK/BCPO:Ag2Cl2(dppb)2:(CdSe/ZnS量子点)/PO-T2T/LiF/Al。
上述电致发光器件的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于电致发光层的制备有所不同，具体为：电致发光层墨水中含8mg/mL的BCPO、8mg/mL的Ag2Cl2(dppb)2和16mg/mL的CdSe/ZnS量子点。
实施例7
一种电致发光器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/TFB/BCPO:Ag(PP)(PS):(CdSe/ZnS量子点)/PO-T2T/LiF/Al。
上述电致发光器件的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于空穴传输层和电致发光层的制备有所不同，具体为：制备空穴传输层的墨水为TFB墨水(浓度为5mg/mL)；电致发光层墨水中含8mg/mL的BCPO、8mg/mL的Ag(PP)(PS)和12mg/mL的CdSe/ZnS量子点。
实施例8
一种电致发光器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/PVK/BCPO:Ag2Cl2(dppb)2:(InP/ZnSeS量子点)/PO-T2T/LiF/Al。
上述电致发光器件的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于电致发光层的制备有所不同，具体为：电致发光层墨水中含8mg/mL的BCPO、8mg/mL的Ag2Cl2(dppb)2和16mg/mL的InP/ZnSeS量子点。
实施例9
一种电致发光器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/TFB/PVK:Ag(PP)(PS):(CdSe/ZnS量子点)/PO-T2T/LiF/Al。
上述电致发光器件的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于空穴传输层和电致发光层的制备有所不同，具体为：制备空穴传输层的墨水为TFB墨水(浓度为5mg/mL)；电致发光层墨水中含8mg/mL的PVK、8mg/mL的Ag(PP)(PS)和16mg/mL的CdSe/ZnS量子点。
实施例10
一种电致发光器件的结构为：ITO/PEDOT:PSS/TFB/mCP:Ag(PP)(PS)/(CdSe/ZnS量子点)/PO-T2T/LiF/Al。
上述电致发光器件的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于空穴传输层和电致发光层的制备有所不同，具体为：制备空穴传输层的墨水为TFB墨水(浓度为5mg/mL)；电致发光层的制备方法为：将mCP和Ag(PP)(PS)溶于氯苯形成溶液，所得溶液中mCP的浓度为8mg/mL，Ag(PP)(PS)的浓度为8mg/mL，以2000rpm的转速旋涂30秒，再在150℃烘烤20分钟，得电致发光层的第一薄膜层；将CdSe/ZnS量子点溶于氯苯形成量子点墨水(浓度为16mg/mL)，于第一薄膜层上以2000rpm的转速旋涂量子点墨水30秒，在150℃烘烤20分钟，即得发光层的第二薄膜层。
对比例1
QLED器件结构为：ITO/PEDOT:PSS/TFB/PVK:(CdSe/ZnS量子点)/PO-T2T/LiF/Al。
对比例1的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于空穴传输层和电致发光层的制备有所不同，具体为：制备空穴传输层的墨水为TFB墨水(浓度为5mg/mL)；电致发光层的墨水中含16mg/mL的PVK和16mg/mL的CdSe/ZnS量子点。
以上实施例及对比例中，所使用的部分材料信息如下：
PEDOT:PSS为Poly(3，4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrene-sulfonate)；
TFB为Poly[(9，9-dioctylfluorenyl-2，7-diyl)-co-(4，4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)]；
PVK(聚(9-乙烯基咔唑))为Poly(9-vinylcarbazole)。
PO-T2T的结构式为：
CdSe/ZnS量子点指以CdSe为核、ZnS为壳的点状纳米晶体半导体材料，CdSe/ZnS量子棒指以CdSe为核、ZnS为壳的棒状纳米晶体半导体材料，InP/ZnSeS量子点指以InP为核、ZnSeS为壳的点状纳米晶体半导体材料。
以上实施例与对比例中，纳米晶体半导材料和Ag配合物发光材料的峰值发射波长见下表1。
表1纳米晶体半导材料和Ag配合物发光材料的峰值发射波长(单位：nm)
性能检测
将上述实施例1～10及对比例1的器件在电流密度为10mA/cm2的条件下测试器件电流效率，并将对比例1的电流效率归一化为1，得到相应的电流效率值，其结果如下表2。
表2实施例1～10和对比例1的电致发光器件的电流效率
发光层组成 相对电流效率
对比例 PVK:(CdSe/ZnS量子点) 1
实施例1 mCP:Ag2Cl2(dppb)2:(CdSe/ZnS量子点) 7
实施例2 mCP:Ag2Cl2(dppb)2:(CdSe/ZnS量子棒) 5
实施例3 mCP:Ag2Cl2(dppb)2:(InP/ZnSeS量子点) 5
实施例4 mCP:[Ag(PPh3)Cl]2(tpbz):(CdSe/ZnS量子点) 3
实施例5 mCP:Ag(PP)(PS):(CdSe/ZnS量子点) 6
实施例6 BCPO:Ag2Cl2(dppb)2:(CdSe/ZnS量子点) 7
实施例7 BCPO:Ag(PP)(PS):(CdSe/ZnS量子点) 5
实施例8 BCPO:Ag2Cl2(dppb)2:(InP/ZnSeS量子点) 6
实施例9 PVK:Ag(PP)(PS):(CdSe/ZnS量子点) 2
实施例10 mCP:Ag(PP)(PS)/(CdSe/ZnS量子点) 3
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电致发光层，其特征在于，包括纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料，其中，所述Ag配合物发光材料是发光波长为380nm～780nm的一价银配位化合物发光材料，所述Ag配合物发光材料的峰值发射波长小于所述纳米晶体半导体材料的峰值发射波长。
2.根据权利要求1所述的电致发光层，其特征在于，所述Ag配合物发光材料的配体为卤族元素及以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体配体的组合，或以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体。
3.根据权利要求2所述的电致发光层，其特征在于，所述以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体为芳基膦、硫苯酚、硫醇和邻菲罗啉中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的电致发光层，其特征在于，所述Ag配合物发光材料选自如下化合物：
中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的电致发光层，其特征在于，所述纳米晶体半导体材料选自IIB-VIA族化合物纳米晶体半导体材料、IIIA-VA族化合物纳米晶体半导体材料、IVA-VIA族化合物纳米晶体半导体材料、钙钛矿型纳米晶体半导体材料及由一种或多种碳族元素组成的纳米晶体半导体材料中的至少一种。
6.根据权利要求1～5任一项所述的电致发光层，其特征在于，所述电致发光层为由所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料共混形成的第一薄膜结构，或所述电致发光层为由所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层层叠构成的第二薄膜结构，或所述电致发光层同时含有所述第一薄膜结构和所述第二薄膜结构。
7.根据权利要求6所述的电致发光层，其特征在于，所述第一薄膜结构中，所述纳米晶体半导体材料占所述第一薄膜结构的1wt％～99wt％；所述第二薄膜结构中，所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层直接相互层叠设置，或所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层之间设有其他薄膜层，其中所述其他薄膜层的厚度不超过10nm。
8.一种电致发光层的制备方法，其特征在于，将权利要求1～7任一项所述的电致发光层中的所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料采用共混成膜和/或分别成膜的方法制备；
所述采用共混成膜的方法的制备步骤包括：将所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料共混并成膜，得到电致发光层；
所述采用分别成膜的方法的制备步骤包括：将所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别成膜以形成两个薄膜层，且其中一个薄膜层形成于另一个薄膜层上，得到电致发光层。
9.一种电致发光器件，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的电致发光层。
10.包括权利要求1～7任一项所述电致发光层的显示装置或照明装置。
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