CN112331789B - 电致发光器件 - Google Patents

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CN112331789B CN201911402967.1A CN201911402967A CN112331789B CN 112331789 B CN112331789 B CN 112331789B CN 201911402967 A CN201911402967 A CN 201911402967A CN 112331789 B CN112331789 B CN 112331789B
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Abstract

本申请涉及一种电致发光器件,其包括:包括:阳极、阴极以及设于阳极和阴极之间发光层,发光层包括电子受体层、电子给体层以及设于所述电子受体层与所述电子给体层之间的中间层,电子受体层设于中间层与阴极之间,电子给体层设于中间层与阳极之间;发光层包括量子点材料,中间层包括双极性有机材料,中间层的双极性有机材料与电子受体层的电子受体材料以及与电子给体层的电子给体材料分别形成激基复合物。其中,电子受体材料与双极性有机材料形成激基复合物,电子给体材料也与双极性有机材料形成另一激基复合物,从而实现激子能量通过双通道传递给发光层中的量子点材料,以提升发光效率。

Description

电致发光器件
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种电致发光器件。
背景技术
量子点电致发光器件具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多优势,是下一代显示技术的研究热点。
传统的量子点电致发光器件的发光层通常是把量子点材料直接掺杂在电子给体材料或电子受体材料中制成的,由此得到的量子点电致发光器件的发光效率较低。
申请内容
基于此,有必要针对传统的量子点电致发光器件的发光效率低的问题,提供一种能够提升发光效率电致发光器件。
一种电致发光器件,包括:阳极、阴极以及设于所述阳极和所述阴极之间发光层,所述发光层包括电子受体层、电子给体层以及设于所述电子受体层与所述电子给体层之间的中间层,所述电子受体层设于所述中间层与所述阴极之间,所述电子给体层设于所述中间层与所述阳极之间;
所述发光层包括量子点材料,所述中间层包括双极性有机材料,所述中间层的双极性有机材料与所述电子受体层的电子受体材料以及与所述电子给体层的电子给体材料分别形成激基复合物。
在其中一个实施例中,所述中间层的材料为量子点材料和双极性有机材料构成的复合材料。
在其中一个实施例中,所述量子点材料占所述复合材料的质量百分含量为30%-90%。
在其中一个实施例中,所述双极性有机材料的HOMO能级大于所述电子给体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级大于所述电子给体材料的LUMO能级;和/或
所述双极性有机材料的HOMO能级小于所述电子受体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级小于所述电子受体材料的LUMO能级。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料、所述电子受体材料和所述双极性有机材料中任意一种材料的三线态激子能量大于任意一个所述激基复合物的三线态激子能量,且任意一个所述激基复合物的三线态激子能量大于所述量子点材料的三线态激子能量。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料、所述电子受体材料和所述双极性有机材料中的任意一种材料的三线态激子能量≥2.7eV。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料选自m-MTDATA、NPB、TAPC、TCTA、mCP、CBP、mCBP和CDBP中的至少一种;和/或
所述电子受体材料选自TPBi、TmPyPb、Bphen、TmPyTz、B3PYMPM、3TPYMB、BCP和POT2T中的至少一种;或
所述双极性有机材料选自o-CzOXD、PCF、DPTPCz、DPOTPCz、PPO1、PPO2、PPO21、mCPPO1、BCPCB、CPBDC、DCPPO、3DCPO、DFCzPO、DBT2、DBFDCzPO、TSPC、SPCPO2、CzCb3、CzBPCb、CbBPCb、CzOTCb、CbOTCb、2CbCzT、PCb-PCz、CzCbCN、CzCbPh、DBFCb、CzPhPz、PCz-BFP、BTP1、CzPFP、3TPAFPF、TrzmPCz、3CB34BCz、3CN44BCz和PBPPA中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料为m-MTDATA,所述双极性有机材料为o-CzOXD,所述电子受体材料为BCP;或
所述电子给体材料为m-MTDATA,所述双极性有机材料为DPOTPCz,所述电子受体材料为TmPyTz;或
所述电子给体材料为m-MTDATA,所述双极性有机材料为3DCPO,所述电子受体材料为B3PYMPM;或
所述电子给体材料为TAPC,所述双极性有机材料为PPO2,所述电子受体材料为POT2T;或
所述电子给体材料为TAPC,所述双极性有机材料为mCPPO1,所述电子受体材料为B3PYMPM;或
所述电子给体材料为TAPC,所述双极性有机材料为CbOTCb,所述电子受体材料为B3PYMPM。
在其中一个实施例中,所述发光层的厚度为30nm-140nm。
在其中一个实施例中,还包括设于所述阴极和所述发光层之间的电子传输层和/或电子注入层。
在其中一个实施例中,还包括设于所述阳极与所述发光层之间的空穴传输层和/或空穴注入层。
上述电致发光器件的结构简单,该电致发光器件的发光层包括电子受体层、电子给体层以及设于两者之间的含双极性有机材料的中间层,其中,双极性有机材料具有空穴和电子传输能力,电子受体材料与双极性有机材料形成激基复合物,电子给体材料也与双极性有机材料形成另一激基复合物,从而实现激子能量通过双通道传递给发光层中的量子点材料,以提升发光效率。
附图说明
图1为一实施例中量子点电致发光器件结构示意图;
图2为一实施例中量子点电致发光器件外量子效率(EQE)-电流密度(J)的关系曲线图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参阅图1,本申请一实施例中提供了一种量子点电致发光器件,其包括依次设置的基板101、阳极102、发光层105和阴极108。
其中,发光层105为复合发光层,其包括电子给体层115、电子受体层117、以及设于所述电子给体层115与所述电子受体层115之间的中间层116,所述电子给体层115设于所述中间层116与所述阳极102之间,所述电子受体层117设于所述中间层116与所述阴极108之间。
发光层105内含有量子点材料,电子给体层115内含有电子给体材料,电子受体层117内含有电子受体材料,可以理解,量子点材料可以位于发光层105中的任何一个子层中,例如量子点材料可以在电子给体层115、中间层116或电子受体层117中均可。
所述中间层116内含有双极性有机材料,本申请中所述的双极性有机材料是指同时具有空穴和电子传输能力的有机材料,这可以保证电子和空穴能够在发光中心同等传输,进而使所述中间层116的双极性有机材料与所述电子给体层115的电子给体材料形成激基复合物,所述中间层116的双极性有机材料与所述电子受体层117的电子受体材料形成激基复合物;也即中间层116中的双极性有机材料分别与其相邻的层级之间形成激基复合物,从而实现激子能量通过双通道传递给发光层105中的量子点材料,进而提升发光效率和发光效率,并且还能降低器件的阻抗。
在其中一个实施例中,所述中间层116的材料为量子点材料和双极性有机材料构成的复合材料。此时,量子点材料位于中间层116中,两端分别为电子给体层115和电子受体层117,这样两侧的激基复合物位于含有量子点材料的发光中心的两端,扩大了激子复合区,有助于降低量子点电致发光器件的效率滚降,从而提升发光稳定性。
在其中一个实施例中,所述量子点材料占所述复合材料的质量百分含量为30%-90%,量子点材料与双极性有机材料配比合理,有利于器件发光效率的提升。进一步地,所述量子点材料占所述复合材料的质量百分含量为50%-90%。更进一步地,所述量子点材料占所述复合材料的质量百分含量为70%-90%。例如:在以下例子中,所述量子点材料占所述复合材料的质量百分含量包括但不限于70%、75%、80%、85%或90%。
在其中一个实施例中,所述双极性有机材料的HOMO能级和LUMO能级均大于所述电子给体材料的的相应能级,即所述双极性有机材料的HOMO能级大于所述电子给体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级大于所述电子给体材料的LUMO能级,从而保证形成稳定的激基复合物,进而提升能量转移和高效的量子点发光。
在其中一个实施例中,所述双极性有机材料的HOMO能级和LUMO能级均小于所述电子受体材料的的相应能级,即所述双极性有机材料的HOMO能级小于所述电子受体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级小于所述电子受体材料的LUMO能级,从而保证形成稳定的激基复合物,进而提升能量转移和高效的量子点发光。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料、电子受体材料和所述双极性有机材料中任意一种材料的三线态激子能量大于任意一个所述激基复合物的三线态激子能量,且任意一个所述激基复合物的三线态激子能量大于所述量子点材料的三线态激子能量,根据量子限制效应,从而得到的激基复合物激子更加稳定,更利于有效的能量转移和高效的量子点发光。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料、所述电子受体材料和所述双极性有机材料中的任意一种材料的三线态激子能量≥2.7eV,在显示技术领域,当量子点电致发光器件为蓝色量子点电致发光器件,由于蓝色量子点材料的激子能量最大,其三线态激子能量为2.6eV,根据量子限制效应,为保证主体材料和客体材料之间有效的能量转移,主体材料激基复合物的三线态激子能量需要大于客体材料蓝色量子点材料的三线态激子能量,从而进一步提升能量转移和高效的量子点发光。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料选自m-MTDATA、NPB、TAPC、TCTA、mCP、CBP、mCBP和CDBP中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述双极性有机材料选自o-CzOXD(9-position ofcarbazole with the ortho position of 2,5-diphenyl-1,3,4-oxadiazole)、PCF(2,7-bis(diphenylphosphine oxide)-9-(9-phenylcarbazol-3-yl)-9-phenylfluorene)、DPTPCz(3-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole)、DPOTPCz(3-(4,6-diphenoxy-1,3,5-triazin-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole)、PPO1(3-(diphenylphosphoryl)-9-phenyl-9H-carbazole)、PPO2(3,6-bis(diphenylphosphoryl)-9-phenyl-9H-carbazole)、PPO21(3-(diphenylphosphoryl)-9-(4-(diphenylphosphoryl)phenyl)-9-carbazole)、mCPPO1(9-(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)-9H-carbazol-3-yl)-diphenylphosphine oxide)、BCPCB(1,3-bis(3-(diphenylphosphoryl)-9H-carbazol-9-yl)benzene)、CPBDC(9-(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)-3,6-bis(diphenylphosphoryl)-9H-carbazole)、DCPPO(3,5-di(9H-carbazol-9-yl)phenyl)diphenylphosphine oxide)、3DCPO(3-(phenylbis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phosphine oxide)、DFCzPO(9-(8-(Diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan-2-yl)29H-carbazole)、DBT2(9-(8-(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]thiophene-2-yl)-9H-carbazole)、DBFDCzPO(9,90-(4-(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan-2,8-diyl)bis(9H-carbazole))、TSPC(4-((4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)diphenylsilyl)phenyl)diphenylphosphine oxide)、SPCPO2(8,8-bis(4-(diphenylphosphoryl)phenyl)28Hindolo[3,2,1-de]acridine)、CzCb3(5-(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)-5H-pyrido[4,3-b]indole)、CzBPCb(9-(30-(9H-Carbazol-9-yl)-[1,10-biphenyl]-3-yl)-9H-pyrido[2,3-b]indole)、CbBPCb(3,30-bis(9H-pyrido[2,3-b]indol-9-yl)-1,10-biphenyl)、CzOTCb(9-(300-(9H-carbazol-9-yl)-[1,10:20,100-terphenyl]-3-yl)-a-carboline)、CbOTCb(3,300-bis(a-carbolin-9-yl)-1,10:20,100-terphenyl)、2CbCzT(9,90-(50-(carbazol-9-yl)-[1,10:30,100-terphenyl]-3,300-diyl)di-a-carboline)、PCb-PCz(9-(3-(9-Phenylcarbazol-3-yl)phenyl)-a-carboline)、CzCbCN(3-(6-(9-Phenyl-9H-carbazol-3-yl)-9H-pyrido[2,3-b]indol-9-yl)benzonitrile)、CzCbPh(9-phenyl-6-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-9Hpyrido[2,3-b]indole)、DBFCb(2,8-Bis(pyrido[2,3-b]indol-9-yl)dibenzofuran)、CzPhPz(5-(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)-5H-pyrazino[2,3-b]indole)、PCz-BFP(3-(3-(Carbazol-9-yl)phenyl)benzofuro[2,3-b]pyridine)、BTP1((3-(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)benzothieno[2,3-b]pyridine)、CzPFP(3-(3-(Carbazol-9-yl)phenyl)pyrido[30,20:4,5]furo[2,3-b]pyridine)、3TPAFPF、TrzmPCz(3-(3-(4,6-Diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-2-methylphenyl)-9-phenyl-9H-carba zole)、3CN44BCz(3,30-(9,90-[4,40-bicarbazole]-9,90-diyl)dibenzonitrile)和PBPPA(10-phenyl-9,9-bis(4-(pyridin-3-yl)phenyl)-9,10-dihydroacridine)中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述量子点材料选自CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、ZnCdSeS/ZnS和ZnCdS/ZnS中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述电子受体材料选自TPBi、TmPyPb、Bphen、TmPyTz、B3PYMPM、3TPYMB、BCP和POT2T中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料为m-MTDATA,所述双极性有机材料为o-CzOXD,所述电子受体材料为BCP。这样所述双极性有机材料的HOMO能级大于所述电子给体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级大于所述电子给体材料的LUMO能级;且所述双极性有机材料的HOMO能级小于所述电子受体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级小于所述电子受体材料的LUMO能级,在本实施例中,上述两个条件同时满足,可以形成更加稳定的激基复合物,进而提升能量转移和高效的量子点发光。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料为m-MTDATA,所述双极性有机材料为DPOTPCz,所述电子受体材料为TmPyTz。这样所述双极性有机材料的HOMO能级大于所述电子给体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级大于所述电子给体材料的LUMO能级;且所述双极性有机材料的HOMO能级小于所述电子受体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级小于所述电子受体材料的LUMO能级,在本实施例中,上述两个条件同时满足,可以形成更加稳定的激基复合物,进而提升能量转移和高效的量子点发光。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料为m-MTDATA,所述双极性有机材料为3DCPO,所述电子受体材料为B3PYMPM。这样所述双极性有机材料的HOMO能级大于所述电子给体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级大于所述电子给体材料的LUMO能级;且所述双极性有机材料的HOMO能级小于所述电子受体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级小于所述电子受体材料的LUMO能级,在本实施例中,上述两个条件同时满足,可以形成更加稳定的激基复合物,进而提升能量转移和高效的量子点发光。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料为TAPC,所述双极性有机材料为PPO2,所述电子受体材料为POT2T。这样所述双极性有机材料的HOMO能级大于所述电子给体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级大于所述电子给体材料的LUMO能级;且所述双极性有机材料的HOMO能级小于所述电子受体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级小于所述电子受体材料的LUMO能级,在本实施例中,上述两个条件同时满足,可以形成更加稳定的激基复合物,进而提升能量转移和高效的量子点发光。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料为TAPC,所述双极性有机材料为mCPPO1,所述电子受体材料为B3PYMPM。这样所述双极性有机材料的HOMO能级大于所述电子给体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级大于所述电子给体材料的LUMO能级;且所述双极性有机材料的HOMO能级小于所述电子受体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级小于所述电子受体材料的LUMO能级,在本实施例中,上述两个条件同时满足,可以形成更加稳定的激基复合物,进而提升能量转移和高效的量子点发光。
在其中一个实施例中,所述电子给体材料为TAPC,所述双极性有机材料为CbOTCb,所述电子受体材料为B3PYMPM。这样所述双极性有机材料的HOMO能级大于所述电子给体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级大于所述电子给体材料的LUMO能级;且所述双极性有机材料的HOMO能级小于所述电子受体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级小于所述电子受体材料的LUMO能级,在本实施例中,上述两个条件同时满足,可以形成更加稳定的激基复合物,进而提升能量转移和高效的量子点发光。
在其中一个实施例中,所述发光层105可以为一层,也可以包含多个子层,即电子给体层、中间层和电子受体层层叠设置,多层层叠设置并不会对量子点电致发光器件的发光效率和发光稳定性带来不良影响,相比于传统的量子点电致发光器件的发光效率得到提升。
在其中一个实施例中,所述发光层105的厚度为30nm-140nm。此厚度范围合理,利于激子能量传递。
参阅图1,在其中一个实施例中,量子点电致发光器件还包括设于所述阳极102与所述发光层105之间的空穴传输层104和/或空穴注入层103。当然可以理解,本申请所述的量子点电致发光器件也可以不含空穴传输层104和/或空穴注入层103。
在其中一个实施例中,量子点电致发光器件还包括设于所述阴极108和所述发光层105之间的电子传输层106和/或电子注入层107。当然可以理解,本申请所述的量子点电致发光器件也可以不含电子传输层106和/或电子注入层107。
上述电致发光器件的结构简单,该电致发光器件的发光层包括电子受体层、电子给体层以及设于两者之间的含双极性有机材料的中间层,其中,双极性有机材料具有空穴和电子传输能力,电子受体材料与双极性有机材料形成激基复合物,电子给体材料也与双极性有机材料形成另一激基复合物,从而实现激子能量通过双通道传递给发光层中的量子点材料,以提升发光效率。
为了使本申请的目的及优点更加清楚明白,以下结合实施例对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
实施例1
一种量子点电致发光器件的制备过程,包括如下步骤:
1、以厚度为50nm透明导电薄膜ITO作为阳极。
2、在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS,形成厚度为30nm的空穴注入层。
3、在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB,形成厚度为30nm的空穴传输层。
4、在空穴传输层上利用溶液法沉积TAPC,形成厚度为20nm的电子给体层。
5、在电子给体层上利用溶液法沉积PPO2:CdSe/CdS复合材料,形成厚度为30nm的中间层,其中,CdSe/CdS占所述复合材料的质量百分含量的50%。
6、在中间层上利用蒸镀法沉积B3PYMPM,形成厚度为20nm的电子受体层。
7、在电子受体层上利用蒸镀法沉积B3PYMPM:Liq,形成厚度为30nm的电子传输层。
8、在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al,形成厚度为120nm阴极。
实施例2
一种量子点电致发光器件的制备过程,包括如下步骤:
1、以厚度为50nm透明导电薄膜ITO作为阳极。
2、在阳极上利用溶液法沉积m-MTDATA,形成厚度为60nm的空穴注入/传输层。
3、在空穴注入/传输层上利用溶液法沉积m-MTDATA,形成厚度为20nm的电子给体层。
4、在电子给体层上利用溶液法沉积o-CzOXD:CdSe/CdS复合材料,形成厚度为30nm的中间层,其中,CdSe/CdS占所述复合材料的质量百分含量的55%。
5、在中间层上利用蒸镀法沉积BCP,形成厚度为20nm的电子受体层。
6、在电子受体层上利用蒸镀法沉积BCP:Liq,形成厚度为30nm的电子传输层。
7、在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al,形成厚度为120nm阴极。
对比例1
一种量子点电致发光器件的制备过程,包括如下步骤:
1、以厚度为50nm透明导电薄膜ITO作为阳极。
2、在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS,形成厚度为40nm的空穴注入层。
3、在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB,形成厚度为30nm的空穴传输层。
4、在空穴传输层上利用溶液法沉积TAPC:CdSe/CdS,形成厚度为20nm的含电子给体材料与量子点材料的发光层。
5、在发光层上利用蒸镀法沉积B3PYMPM,形成厚度为20nm的电子受体层。
6、在电子受体层上利用蒸镀法沉积B3PYMPM:Liq,形成厚度为30nm的电子传输层。
7、在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al,形成厚度为120nm阴极。
对比例2
一种量子点电致发光器件的制备过程,包括如下步骤:
1、以厚度为50nm透明导电薄膜ITO作为阳极。
2、在阳极上利用溶液法沉积m-MTDATA,形成厚度为60nm的空穴注入/传输层。
3、在空穴注入/传输层上利用溶液法沉积m-MTDATA:CdSe/CdS,形成厚度为30nm的含电子给体材料与量子点材料的发光层。
4、在发光层上利用蒸镀法沉积BCP,形成厚度为20nm的电子受体层。
5、在电子受体层上利用蒸镀法沉积BCP:Liq,形成厚度为30nm的电子传输层。
6、在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al,形成厚度为120nm阴极。
效果试验
对本申请实施例中量子点电致发光器件外量子效率(EQE)-电流密度(J)的关系进行测试,实验结果见图2。
从图2中可以看出,对比例1和对比例2中均不含实施例组中的中间层,实施例组无论在发光效率有明显提升,而且从图2中可以看出,实施例组中曲线斜率相对于对比例组平缓,效率滚降有所减缓,发光稳定性好。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种电致发光器件,其特征在于,包括:阳极、阴极以及设于所述阳极和所述阴极之间发光层,所述发光层包括电子受体层、电子给体层以及设于所述电子受体层与所述电子给体层之间的中间层,所述电子受体层设于所述中间层与所述阴极之间,所述电子给体层设于所述中间层与所述阳极之间;
所述发光层包括量子点材料,所述中间层的材料为所述量子点材料和双极性有机材料构成的复合材料,所述双极性有机材料与所述电子受体层的电子受体材料以及与所述电子给体层的电子给体材料分别形成激基复合物;所述电子给体材料、所述电子受体材料和所述双极性有机材料中任意一种材料的三线态激子能量大于任意一个所述激基复合物的三线态激子能量,且任意一个所述激基复合物的三线态激子能量大于所述量子点材料的三线态激子能量。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述量子点材料占所述复合材料的质量百分含量为30%-90%。
3.根据权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于,所述量子点材料占所述复合材料的质量百分含量为50%-90%。
4.根据权利要求1-3任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述双极性有机材料的HOMO能级大于所述电子给体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级大于所述电子给体材料的LUMO能级;和/或
所述双极性有机材料的HOMO能级小于所述电子受体材料的HOMO能级,所述双极性有机材料的LUMO能级小于所述电子受体材料的LUMO能级。
5.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述电子给体材料、所述电子受体材料和所述双极性有机材料中的任意一种材料的三线态激子能量≥2.7eV。
6.根据权利要求1-3任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述电子给体材料选自m-MTDATA、NPB、TAPC、TCTA、mCP、CBP、mCBP和CDBP中的至少一种;和/或
所述电子受体材料选自TPBi、TmPyPb、Bphen、TmPyTz、B3PYMPM、3TPYMB、BCP和POT2T中的至少一种;和/或
所述双极性有机材料选自o-CzOXD、PCF、DPTPCz、DPOTPCz、PPO1、PPO2、PPO21、mCPPO1、BCPCB、CPBDC、DCPPO、3DCPO、DFCzPO、DBT2、DBFDCzPO、TSPC、SPCPO2、CzCb3、CzBPCb、CbBPCb、CzOTCb、CbOTCb、2CbCzT、PCb-PCz、CzCbCN、CzCbPh、DBFCb、CzPhPz、PCz-BFP、BTP1、CzPFP、3TPAFPF、TrzmPCz、3CB34BCz、3CN44BCz和PBPPA中的至少一种。
7.根据权利要求1-3任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述电子给体材料为m-MTDATA,所述双极性有机材料为o-CzOXD,所述电子受体材料为BCP;或
所述电子给体材料为m-MTDATA,所述双极性有机材料为DPOTPCz,所述电子受体材料为TmPyTz;或
所述电子给体材料为m-MTDATA,所述双极性有机材料为3DCPO,所述电子受体材料为B3PYMPM;或
所述电子给体材料为TAPC,所述双极性有机材料为PPO2,所述电子受体材料为POT2T;或
所述电子给体材料为TAPC,所述双极性有机材料为mCPPO1,所述电子受体材料为B3PYMPM;或
所述电子给体材料为TAPC,所述双极性有机材料为CbOTCb,所述电子受体材料为B3PYMPM。
8.根据权利要求1-3任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述发光层的厚度为30nm-140nm。
9.根据权利要求1-3任一项所述的电致发光器件,其特征在于,还包括设于所述阴极和所述发光层之间的电子传输层和/或电子注入层;和/或
设于所述阳极与所述发光层之间的空穴传输层和/或空穴注入层。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108365112A (zh) * 2018-01-19 2018-08-03 昆山国显光电有限公司 一种电致发光器件
CN108963089A (zh) * 2017-12-19 2018-12-07 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点电致发光器件
CN109713143A (zh) * 2018-03-19 2019-05-03 广东聚华印刷显示技术有限公司 电致发光器件、显示装置及其制作方法
CN109970642A (zh) * 2019-04-16 2019-07-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 双极性热活化延迟荧光材料及其制备方法与有机电致发光二极管器件
CN110212102A (zh) * 2018-03-29 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管、其制备方法及显示器件

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110600623B (zh) * 2018-06-13 2021-08-27 Tcl科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法
CN109638170B (zh) * 2018-11-07 2021-10-19 北京绿人科技有限责任公司 一种有机电致光电元件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108963089A (zh) * 2017-12-19 2018-12-07 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点电致发光器件
CN108365112A (zh) * 2018-01-19 2018-08-03 昆山国显光电有限公司 一种电致发光器件
CN109713143A (zh) * 2018-03-19 2019-05-03 广东聚华印刷显示技术有限公司 电致发光器件、显示装置及其制作方法
CN110212102A (zh) * 2018-03-29 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管、其制备方法及显示器件
CN109970642A (zh) * 2019-04-16 2019-07-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 双极性热活化延迟荧光材料及其制备方法与有机电致发光二极管器件

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