CN109712875B - 晶圆直接键合方法 - Google Patents

晶圆直接键合方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109712875B
CN109712875B CN201811632609.5A CN201811632609A CN109712875B CN 109712875 B CN109712875 B CN 109712875B CN 201811632609 A CN201811632609 A CN 201811632609A CN 109712875 B CN109712875 B CN 109712875B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
bonding
direct
bonding method
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811632609.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109712875A (zh
Inventor
吴佳宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201811632609.5A priority Critical patent/CN109712875B/zh
Publication of CN109712875A publication Critical patent/CN109712875A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109712875B publication Critical patent/CN109712875B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

本发明公开了一种晶圆直接键合方法，包括步骤：步骤一、提供用于键合的第一和第二晶圆，在第一晶圆的边沿具有切割道；步骤二、进行预切割将第一晶圆的第一面边沿的切割道切除一定深度；步骤三、对第一和第二晶圆进行预处理；步骤四、对第一和第二晶圆进行预键合；步骤五、对第一和第二晶圆进行键合，在键合过程中会产生气体并排出键合面，通过步骤二中增加键合面间距减少第一晶圆的边沿处的键合波前的压差并防止过大的压差在第一晶圆的边沿处产生气泡。本发明能减少或消除键合后在晶圆边沿产生的气泡，且工艺简单，成本低。

Description

晶圆直接键合方法
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种晶圆直接键合方法。
背景技术
在半导体制造中，通过将晶圆键合在一起能实现3维(3D)结构的器件，如在CMOS图像传感器(CIS)、MEMS运动传感器等工艺中会采用到晶圆键合。
在现有技术中，晶圆通常为硅衬底的晶圆，晶圆键合则包括直接键合(DirectBonding)即硅和硅的直接键合以及通过中间层的键合(Bonding with inter-layers)。
其中直接键合包括：热键合或称为熔融键合(Fusion Bonding)，阳极键合(AnodicBonding)。
通过中间层的键合则包括：金属键合(Metal Bonding)，玻璃溶液键合(GlassFrit Bonding)，粘性键合(Adhesive Bonding)。金属键合又包括共晶键合(EutecticBonding)，焊锡键合(Solder Bonding)和金属热压缩键合(Metal Thermo-CompressionBonding)。粘性键合包括紫外线固化键合(UV Cured polymer Bonding),热固化键合(Thermo Cured polymer Bonding)。
本发明主要涉及直接键合中的Fusion Bonding，在现有热键合的步骤包括：将经过预处理的晶圆，通过晶圆键合机，应用范德华力，先将晶圆预键合，之后，再通过一道后处理退火工艺，将晶圆键合起来。
退火为热退火，热退火过程中，能将预键合工艺形成在晶圆之间的键如氢键(-H)或羟基键(-OH)等转换为较强的共价键如硅-硅键，硅-氧-硅键，在退火过程中，会形成相应的氢气或水。共价键的键合力大，在键合过程中，键合力会以键合波的形式传播并最后实现对整个接触面的晶圆之间的键合。现有方法中，在晶圆的边沿区域容易形成气泡(Bubble)，这会影响键合效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆直接键合方法，能减少或消除键合后在晶圆边沿产生的气泡，且工艺简单，成本低。
为解决上述技术问题，本发明提供的晶圆直接键合方法包括如下步骤：
步骤一、提供用于键合的第一晶圆和第二晶圆，在所述第一晶圆上形成有多个芯片且在所述芯片之间具有切割道，在所述第一晶圆的边沿也具有切割道；所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面为对应的键合面。
步骤二、对所述第一晶圆进行预切割，所述预切割将所述第一晶圆的第一面边沿的切割道切除一定深度，用于增加后续键合过程中所述第一晶圆和所述第二晶圆的边沿区域的键合面间距。
步骤三、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行预处理。
步骤四、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行预键合。
步骤五、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，在键合过程中会产生气体并排出键合面，键合力沿键合波由内向外传播；利用键合波前的压差会随着键合面间距增加而减少特征，通过步骤二中增加所述键合面间距减少所述第一晶圆的边沿处的所述键合波前的压差并防止过大的压差在所述第一晶圆的边沿处产生气泡。
进一步的改进是，所述预处理包括在所述第一晶圆的第一面或所述第二晶圆的第一面进行表面薄膜的生长和平坦化。
进一步的改进是，所述预处理还包括对所述第一晶圆或所述第二晶圆的翘曲度进行调整。
进一步的改进是，所述预处理还包括对所述第一晶圆或所述第二晶圆的第一面的表面薄膜的总厚度增加值(Process added Total variation，PATV)或称为TTV(TotalThickness Variation)进行调整。
进一步的改进是，所述预处理还包括对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面颗粒清洗去除。
进一步的改进是，采用1号液(SC1)或2号液(SC2)对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面颗粒清洗去除。
进一步的改进是，步骤四的所述预键合包括：
采用等离子体处理工艺对所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面进行激活处理，之后采用去离子水(DIW)或稀释氨水对所述第一晶圆和所述第二晶圆的表面进行清洗，以形成含有羟基的亲水性表面，在室温下将具有亲水性表面的所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第二面贴合在一起，实现对所述预键合。
进一步的改进是，步骤五的所述键合包括：
进行热退火将羟基转换为共价键并形成水排除。
所述键合的热退火温度150℃～650℃。
进一步的改进是，步骤四的所述预键合包括：采用等离子体处理工艺对所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面进行激活处理，再用DIW或制程冷却水(PCW)对所述第一晶圆和所述第二晶圆的表面进行清洗并形成亲水性表面，在室温下将具有水性表面的所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第二面贴合在一起，实现对所述预键合。
进一步的改进是，步骤五的所述键合包括：
进行热退火形成所述第一晶圆和所述第二晶圆材料的直接键合并形成H2O排出或进入键合晶圆内部。
所述键合的退火温度150℃～650℃。
进一步的改进是，步骤四的所述预键合包括：
采用等离子体处理工艺和表面极性处理工艺对所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面进行处理。
进一步的改进是，所述等离子体处理工艺的工艺气体包括N2、O2、Ar或He，工艺时间为1秒～100秒，射频功率包括10W～5000W；所述表面极性处理工艺的工艺液体包括H2O，DIW，PCW或NH3，工艺时间为1秒～100秒。
进一步的改进是，步骤五的所述键合包括：
进行热退火形成所述第一晶圆和所述第二晶圆材料的直接键合。
所述键合的热退火温度为150℃～1100℃，工艺气体为N2、Ar或He，时间是0.5小时～4小时。
进一步的改进是，所述第一晶圆和所述第二晶圆的衬底材料都为硅衬底。
进一步的改进是，所述第二晶圆用作载体晶圆。
本发明通过在预键合之前，在具有切割道的第一晶圆的边沿的切割道中进行了预切割，经过预切割的第一晶圆在和对应的第二晶圆贴合后能增加两个晶圆的边沿区域的键合面的间距，从而能减少在键合过程中晶圆边沿的键合波的波前的压差，从而能防止过大的压差在第一晶圆的边沿处产生气泡，能减少或消除键合后在晶圆边沿产生的气泡，且工艺简单，成本低。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明第一实施例晶圆直接键合方法的流程图。
具体实施方式
本发明第一实施例方法：
如图1所示，是本发明第一实施例晶圆直接键合方法的流程图，本发明第一实施例晶圆直接键合方法包括如下步骤：
步骤一、提供用于键合的第一晶圆和第二晶圆，在所述第一晶圆上形成有多个芯片且在所述芯片之间具有切割道，在所述第一晶圆的边沿也具有切割道；所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面为对应的键合面。
所述第一晶圆和所述第二晶圆的衬底材料都为硅衬底。
所述第二晶圆用作载体晶圆。
步骤二、对所述第一晶圆进行预切割，所述预切割将所述第一晶圆的第一面边沿的切割道切除一定深度，用于增加后续键合过程中所述第一晶圆和所述第二晶圆的边沿区域的键合面间距。
步骤三、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行预处理。
本发明第一实施例中，所述预处理包括在所述第一晶圆的第一面或所述第二晶圆的第一面进行表面薄膜的生长和平坦化。
所述预处理还包括对所述第一晶圆或所述第二晶圆的翘曲度进行调整。
所述预处理还包括对所述第一晶圆或所述第二晶圆的第一面的表面薄膜的总厚度增加值进行调整。
所述预处理还包括对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面颗粒清洗去除。采用SC1或SC2对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面颗粒清洗去除。
步骤四、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行预键合。
本发明第一实施例中，步骤四的所述预键合包括：
采用等离子体处理工艺和表面极性处理工艺对所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面进行处理。
所述等离子体处理工艺的工艺气体包括N2、O2、Ar或He，工艺时间为1秒～100秒，射频功率包括10W～5000W；所述表面极性处理工艺的工艺液体包括H2O，DIW，PCW或NH3，工艺时间为1秒～100秒。
步骤五、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，在键合过程中会产生气体并排出键合面，键合力沿键合波由内向外传播；利用键合波前的压差会随着键合面间距增加而减少特征，通过步骤二中增加所述键合面间距减少所述第一晶圆的边沿处的所述键合波前的压差并防止过大的压差在所述第一晶圆的边沿处产生气泡。
步骤五的所述键合包括：
进行热退火形成所述第一晶圆和所述第二晶圆材料的直接键合；
所述键合的热退火温度为150℃～1100℃，工艺气体为N2、Ar或He，时间是0.5小时～4小时。
本发明第一实施例通过在预键合之前，在具有切割道的第一晶圆的边沿的切割道中进行了预切割，经过预切割的第一晶圆在和对应的第二晶圆贴合后能增加两个晶圆的边沿区域的键合面的间距，从而能减少在键合过程中晶圆边沿的键合波的波前的压差，从而能防止过大的压差在第一晶圆的边沿处产生气泡，能减少或消除键合后在晶圆边沿产生的气泡，且工艺简单，成本低。
其中，键合波的波前的压差的公式为：P-P0∝d-7/3。
P0为键合波外的压力，P为键合波内的压力，d为键合面的间距，可以看出压差和d-7/3成正比。
本发明第二实施例方法：
本发明第二实施例晶圆直接键合方法包括如下步骤：
步骤一、提供用于键合的第一晶圆和第二晶圆，在所述第一晶圆上形成有多个芯片且在所述芯片之间具有切割道，在所述第一晶圆的边沿也具有切割道；所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面为对应的键合面。
所述第一晶圆和所述第二晶圆的衬底材料都为硅衬底。
所述第二晶圆用作载体晶圆。
步骤二、对所述第一晶圆进行预切割，所述预切割将所述第一晶圆的第一面边沿的切割道切除一定深度，用于增加后续键合过程中所述第一晶圆和所述第二晶圆的边沿区域的键合面间距。
步骤三、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行预处理。
本发明第一实施例中，所述预处理包括在所述第一晶圆的第一面或所述第二晶圆的第一面进行表面薄膜的生长和平坦化。
所述预处理还包括对所述第一晶圆或所述第二晶圆的翘曲度进行调整。
所述预处理还包括对所述第一晶圆或所述第二晶圆的第一面的表面薄膜的总厚度增加值进行调整。
所述预处理还包括对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面颗粒清洗去除。采用SC1或SC2对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面颗粒清洗去除。
步骤四、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行预键合。
步骤四的所述预键合包括：
采用等离子体处理工艺对所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面进行激活处理，之后采用DIW或稀释氨水对所述第一晶圆和所述第二晶圆的表面进行清洗，以形成含有羟基的亲水性表面，在室温下将具有亲水性表面的所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第二面贴合在一起，实现对所述预键合。
步骤五、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，在键合过程中会产生气体并排出键合面，键合力沿键合波由内向外传播；利用键合波前的压差会随着键合面间距增加而减少特征，通过步骤二中增加所述键合面间距减少所述第一晶圆的边沿处的所述键合波前的压差并防止过大的压差在所述第一晶圆的边沿处产生气泡。
步骤五的所述键合包括：
进行热退火将羟基转换为共价键并形成水排除。
所述键合的热退火温度150℃～650℃。
本发明第一实施例方法和本发明第二实施例方法相比，本发明第一实施例方法在所述键合中能实现较低温度的退火。
本发明第三实施例方法：
本发明第三实施例晶圆直接键合方法包括如下步骤：
步骤一、提供用于键合的第一晶圆和第二晶圆，在所述第一晶圆上形成有多个芯片且在所述芯片之间具有切割道，在所述第一晶圆的边沿也具有切割道；所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面为对应的键合面。
所述第一晶圆和所述第二晶圆的衬底材料都为硅衬底。
所述第二晶圆用作载体晶圆。
步骤二、对所述第一晶圆进行预切割，所述预切割将所述第一晶圆的第一面边沿的切割道切除一定深度，用于增加后续键合过程中所述第一晶圆和所述第二晶圆的边沿区域的键合面间距。
步骤三、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行预处理。
本发明第一实施例中，所述预处理包括在所述第一晶圆的第一面或所述第二晶圆的第一面进行表面薄膜的生长和平坦化。
所述预处理还包括对所述第一晶圆或所述第二晶圆的翘曲度进行调整。
所述预处理还包括对所述第一晶圆或所述第二晶圆的第一面的表面薄膜的总厚度增加值进行调整。
所述预处理还包括对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面颗粒清洗去除。采用SC1或SC2对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面颗粒清洗去除。
步骤四、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行预键合。
步骤四的所述预键合包括：
采用等离子体处理工艺对所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面进行激活处理，再用DIW或PCW对所述第一晶圆和所述第二晶圆的表面进行清洗并形成亲水性表面，在室温下将具有水性表面的所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第二面贴合在一起，实现对所述预键合。
步骤五、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，在键合过程中会产生气体并排出键合面，键合力沿键合波由内向外传播；利用键合波前的压差会随着键合面间距增加而减少特征，通过步骤二中增加所述键合面间距减少所述第一晶圆的边沿处的所述键合波前的压差并防止过大的压差在所述第一晶圆的边沿处产生气泡。
步骤五的所述键合包括：
进行热退火形成所述第一晶圆和所述第二晶圆材料的直接键合并形成H2O排出或进入键合晶圆内部。
所述键合的退火温度150℃～650℃。
本发明第一实施例方法和本发明第三实施例方法相比，本发明第一实施例方法在所述键合中能实现较低温度的退火。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (17)

1.一种晶圆直接键合方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供用于键合的第一晶圆和第二晶圆，在所述第一晶圆上形成有多个芯片且在所述芯片之间具有切割道，在所述第一晶圆的边沿也具有切割道；所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面为对应的键合面；
步骤二、对所述第一晶圆进行预切割，所述预切割将所述第一晶圆的第一面边沿的切割道切除一定深度，用于增加后续键合过程中所述第一晶圆和所述第二晶圆的边沿区域的键合面间距；
步骤三、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行预处理；
步骤四、应用范德华力对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行预键合，所述预键合形成的键包括氢键或羟基键，在所述预切割处也具有实现所述预键合的所述氢键或羟基键；
步骤五、对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，所述键合为采用热退火的直接键合，所述键合将所述氢键或羟基键转换为更强的共价键并形成由氢气或水组成的气体且气体会在键合过程中排出键合面，在所述预切割处也具有实现所述键合的所述共价键，键合力沿键合波由内向外传播；利用键合波前的压差会随着键合面间距增加而减少特征，通过步骤二中增加所述键合面间距减少所述第一晶圆的边沿处的所述键合波前的压差并防止过大的压差在所述第一晶圆的边沿处产生气泡。
2.如权利要求1所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：所述预处理包括在所述第一晶圆的第一面或所述第二晶圆的第一面进行表面薄膜的生长和平坦化。
3.如权利要求2所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：所述预处理还包括对所述第一晶圆或所述第二晶圆的翘曲度进行调整。
4.如权利要求2所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：所述预处理还包括对所述第一晶圆或所述第二晶圆的第一面的表面薄膜的总厚度增加值进行调整。
5.如权利要求4所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：所述预处理还包括对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面颗粒清洗去除。
6.如权利要求5所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：采用SC1或SC2对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面颗粒清洗去除。
7.如权利要求1所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：步骤四的所述预键合包括：
采用等离子体处理工艺对所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面进行激活处理，之后采用DIW或稀释氨水对所述第一晶圆和所述第二晶圆的表面进行清洗，以形成含有羟基的亲水性表面，在室温下将具有亲水性表面的所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面贴合在一起，实现对所述预键合。
8.如权利要求7所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：步骤五的所述键合包括：
进行所述热退火将羟基转换为共价键并形成水排出；
所述键合的热退火温度150℃～650℃。
9.如权利要求1所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：步骤四的所述预键合包括：
采用等离子体处理工艺对所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面进行激活处理，再用DIW或制程冷却水对所述第一晶圆和所述第二晶圆的表面进行清洗并形成亲水性表面，在室温下将具有水性表面的所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面贴合在一起，实现对所述预键合。
10.如权利要求9所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：步骤五的所述键合包括：
进行所述热退火形成所述第一晶圆和所述第二晶圆材料的直接键合并形成H2O排出或进入键合晶圆内部；
所述键合的退火温度150℃～650℃。
11.如权利要求1所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：步骤四的所述预键合包括：
采用等离子体处理工艺和表面极性处理工艺对所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面进行处理。
12.如权利要求11所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：所述等离子体处理工艺的工艺气体包括N2、O2、Ar或He，工艺时间为1秒～100秒，射频功率包括10W～5000W；所述表面极性处理工艺的工艺液体包括H2O或NH3，工艺时间为1秒～100秒。
13.如权利要求12所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：所述表面极性处理工艺中的H2O包括DIW或制程冷却水。
14.如权利要求7或9所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：所述等离子体处理工艺的工艺气体包括N2、O2、Ar或He，工艺时间为1秒～100秒，射频功率包括10W～5000W。
15.如权利要求11所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：步骤五的所述键合包括：
进行所述热退火形成所述第一晶圆和所述第二晶圆材料的直接键合；
所述键合的热退火温度为150℃～1100℃，工艺气体为N2、Ar或He，时间是0.5小时～4小时。
16.如权利要求1所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：所述第一晶圆和所述第二晶圆的衬底材料都为硅衬底。
17.如权利要求14所述的晶圆直接键合方法，其特征在于：所述第二晶圆用作载体晶圆。
CN201811632609.5A 2018-12-29 2018-12-29 晶圆直接键合方法 Active CN109712875B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811632609.5A CN109712875B (zh) 2018-12-29 2018-12-29 晶圆直接键合方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811632609.5A CN109712875B (zh) 2018-12-29 2018-12-29 晶圆直接键合方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109712875A CN109712875A (zh) 2019-05-03
CN109712875B true CN109712875B (zh) 2020-11-20

Family

ID=66259421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811632609.5A Active CN109712875B (zh) 2018-12-29 2018-12-29 晶圆直接键合方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109712875B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110289209A (zh) * 2019-07-05 2019-09-27 长春长光圆辰微电子技术有限公司 一种soi晶圆的加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100555599C (zh) * 2003-10-14 2009-10-28 特拉希特技术公司 制备和组装基材的方法
CN102110591A (zh) * 2009-12-23 2011-06-29 S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 制造具有最小应力的异质结构的方法
CN105529303A (zh) * 2015-12-16 2016-04-27 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 键合工艺中去除气泡区域的方法
CN109103079A (zh) * 2018-08-06 2018-12-28 济南晶正电子科技有限公司 一种纳米级单晶薄膜及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2969373B1 (fr) * 2010-12-20 2013-07-19 St Microelectronics Crolles 2 Procede d'assemblage de deux plaques et dispositif correspondant

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100555599C (zh) * 2003-10-14 2009-10-28 特拉希特技术公司 制备和组装基材的方法
CN102110591A (zh) * 2009-12-23 2011-06-29 S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 制造具有最小应力的异质结构的方法
CN105529303A (zh) * 2015-12-16 2016-04-27 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 键合工艺中去除气泡区域的方法
CN109103079A (zh) * 2018-08-06 2018-12-28 济南晶正电子科技有限公司 一种纳米级单晶薄膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109712875A (zh) 2019-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8241961B2 (en) Method for manufacturing hetero-bonded wafer
US10439587B2 (en) Methods of manufacturing electronic devices formed in a cavity
TWI505940B (zh) 層積體及該層積體之分離方法
TWI605953B (zh) 層積體之分離方法
US9040389B2 (en) Singulation processes
US11450582B2 (en) Wafer-level package structure
EP1788621A3 (en) Method for manufacturing bonded substrate and bonded substrate manufactured by the method
JP2004179649A (ja) 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置
CN104145330A (zh) 用于临时接合超薄晶片的方法和装置
US20170076982A1 (en) Device manufacturing method
TW201608694A (zh) 用於高頻層轉移裝置之電磁干擾屏蔽
CN105006440A (zh) 一种真空键合大气加压混合键合方法
CN109712875B (zh) 晶圆直接键合方法
CN111799169A (zh) 一种飞秒激光结合hf湿蚀刻加工tgv的工艺
CN113299561B (zh) 一种腔底防溢胶结构的制备方法
CN111599743B (zh) 复合式胶膜结合通孔玻璃载板结构生产晶圆的方法
CN102064092B (zh) 用于半导体工艺的载体分离方法
CN103035581A (zh) 一种硅片的临时键合方法
CN105023839A (zh) 一种制作双层结构硅片的方法
CN104716060A (zh) 一种tsv多层芯片键合方法
KR102694779B1 (ko) 유리 기판 기반의 반도체 패키지 및 반도체 패키징 방법
KR102498148B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
JP6754938B2 (ja) 電極接合方法
JP2009170445A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR20230046076A (ko) 본딩 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant