CN109711006A - 一种冗余图形添加方法 - Google Patents

一种冗余图形添加方法 Download PDF

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CN109711006A CN201811512190.XA CN201811512190A CN109711006A CN 109711006 A CN109711006 A CN 109711006A CN 201811512190 A CN201811512190 A CN 201811512190A CN 109711006 A CN109711006 A CN 109711006A
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姜立维
魏芳
朱骏
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Abstract

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种冗余图形添加方法，包括提取某个图层并将其切割成若干窗格；将窗格划分为添加区域以及原始版图区域；在原始版图区域中划分出第一类区域以及第二类区域；计算第一类区域占窗格的第一面积比例，以及第二类区域中占窗格的第二面积比例；原始版图图形的原始图形密度是否小于目标图形密度，并在小于时根据第一面积比例和一第一目标比例，在添加区域内补充添加对应于第一类区域的第一类冗余图形，以及根据第二面积比例和一第二目标比例，在添加区域内补充添加对应于第二类区域的第二类冗余图形。其有益效果为：提高沉积后晶片表面形貌的分布均匀性，增加化学机械研磨工艺的工艺窗口。

Description

一种冗余图形添加方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种冗余图形添加方法。
背景技术
为了实现集成电路版图的均匀分布以提高生产制造过程中依赖版图图形分布的相关工艺的工艺窗口，通常需要在集成电路版图分布稀疏的区域添加冗余图形以使版图图形分布相对均匀，进而降低后续工艺制造过程中的制造缺陷，提升产品良率。在实际的产品制造中，以化学机械研磨工艺为例，研磨后的晶片表面平坦性除了受研磨本身影响外，还受晶片研磨前的初始表面形貌影响。初始表面相貌差异过大或者分布不均都会严重影响研磨后的晶片表面平坦性。现有的冗余图形添加方法虽然可以改善版图图形密度的分布，提高刻蚀等工艺的工艺窗口，但却不能很好地改善化学机械研磨前晶片的初始表面形貌，甚至还可能加重化学机械研磨前晶片初始表面形貌的分布差异，因此为了更好的改善化学机械研磨前晶片表面形貌表面的均匀性，需要对当前冗余图形的添加方法进行优化改进。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种冗余图形添加方法，用于解决以上技术问题。本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
一种冗余图形添加方法，其特征在于，执行下述步骤：
步骤S1，提取一预设版图中某个图层，并将所述图层按照一定窗格大小切割成若干窗格；
步骤S2，将所述窗格划分为可添加冗余图形的添加区域以及具有原始版图的原始版图区域；
步骤S3，于所述窗格中，在所述原始版图图形区域中根据所述原始版图的版图图形划分出具有第一类沉积特性的第一类区域，以及具有第二类沉积特性的第二类区域；
步骤S4，计算所述第一类区域占所在窗格的第一面积比例，以及所述第二类区域中占所在窗格的第二面积比例；
步骤S5，判断所述窗格中的所述原始版图的原始图形密度是否小于一预设的目标图形密度，并在所述原始图形密度小于所述目标图形密度时转向步骤S6；
步骤S6，根据所述第一面积比例以及所述第一类区域占所述窗格的第一目标比例，在所述添加区域内补充添加对应于所述第一类区域的第一类冗余图形，以及
根据所述第二面积比例以及所述第二类区域占所述窗格的第二目标比例，在所述添加区域内补充添加对应于所述第二类区域的第二类冗余图形。
优选地，该冗余图形添加方法，其中，所述步骤S2中，按照所述图层上的图形设计规则，划定各个所述窗格中的所述添加区域。
优选地，该冗余图形添加方法，其中，具有第一类沉积特性的所述第一类区域为超沉积区域；
对应于所述第一类区域中添加的所述第一类冗余图形为超沉积冗余图形；
所述超沉积冗余图形为由间隔一定距离的一维线组成的图形阵列；
所述超沉积冗余图形中，所述一维线的线宽小于一预设的第一阈值，相邻的所述一维线之间的线间距小于一预设的第二阈值。
优选地，该冗余图形添加方法，其中，具有第二类沉积特性的所述第二类区域为均匀沉积区域；
对应于所述第二类区域中添加的所述第二类冗余图形为均匀沉积冗余图形；
所述均匀沉积冗余图形为由间隔一定距离的一维线组成的图形阵列；
所述均匀沉积冗余图形中，所述一维线的线宽大于一预设的第三阈值。
优选地，该冗余图形添加方法，其中，所述第一阈值、所述第二阈值和所述第三阈值均通过下述方法确定：
步骤A1，设计测试用图形单元；
步骤A2，依据所述测试用图形单元制造测试用光罩；
步骤A3，采用所述测试用光罩对晶片进行加工，形成测试用晶片；
步骤A4，对所述测试用晶片进行测试，以收集测试数据；
步骤A5，依照所述测试数据确定所述第一阈值、所述第二阈值和所述第三阈值。
优选地，该冗余图形添加方法，其中，所述步骤S6中，根据所述第一面积比例以及所述第一目标比例补充添加所述第一类冗余图形的步骤具体包括：
步骤S61a，根据所述第一类区域的面积和所述窗格的面积计算得到所述第一面积比例；
步骤S62a，判断所述第一面积比例是否大于一预设的第一目标比例，并在所述第一面积比例不大于所述第一目标比例时，在所述添加区域内补充添加所述第一类冗余图形，直至所述第一面积比例等于所述第一目标比例为止。
优选地，该冗余图形添加方法，其中，所述第一目标比例与所述第一类冗余图形之间的关系如下式所示：
Dents＝Ss/Sw+Sss/Sw×n；
其中，
Dents用于表示所述第一目标比例；
Ss用于表示所述第一类区域的面积；
Sw用于表示所述窗格的面积；
Ss/Sw用于表示所述第一面积比例；
Sss用于表示添加有单个所述第一类冗余图形的区域所占的面积，包括冗余图形以及冗余图形间的间距；
n用于表示所述第一类冗余图形的添加个数。
优选地，该冗余图形添加方法，其中，所述步骤S6中，根据所述第二面积比例以及所述第二目标比例补充添加所述第二类冗余图形的步骤具体包括：
步骤S61b，根据所述第二类区域的面积和所述窗格的面积计算得到所述第二面积比例；
步骤S62b，判断所述第二面积比例是否大于一预设的第二目标比例，并在所述第二面积比例不大于所述第二目标比例时，在所述添加区域内补充添加所述第二类冗余图形，直至所述第二面积比例等于所述第二目标比例为止。
优选地，所述第二目标比例与所述第二类冗余图形之间的关系如下式所示：
Dentc＝Sc/Sw+Ssc/Sw×m；
其中，
Dentc用于表示所述第二目标比例；
Sc用于表示所述第二类区域的面积；
Sw用于表示所述窗格的面积；
Sc/Sw用于表示所述第二面积比例；
Ssc用于表示添加有单个所述第二类冗余图形的区域所占的面积，包括冗余图形以及冗余图形间的间距；
m用于表示所述第二类冗余图形的添加个数。
优选地，该冗余图形添加方法，其中，添加有所述第一类冗余图形的区域面积和添加有所述第二类冗余图形的区域面积具有如下式所示的关联关系：
Dent＝Den0+Dens×n+Denc×m；
其中，
Dent用于表示一预设的目标图形密度；
Den0用于表示所述图层上的所述窗格中的原始图形密度；
Dens用于表示添加有单个所述第一类冗余图形的区域占所述窗格的图形密度；
n用于表示所述第一类冗余图形的添加个数；
Denc用于表示添加有单个所述第二类冗余图形的区域占所述窗格的图形密度；
m用于表示所述第二类冗余图形的添加个数。
其有益效果在于：
本发明提供了一种冗余图形的添加方法，能够实现图层中超沉积区域与均匀沉积区域的均匀分布，进而提高沉积后晶片表面形貌的分布均匀性，增加后续加工工艺，特别是化学机械研磨工艺的工艺窗口。
附图说明
图1为现有技术中铜电化学沉积后的示意图，其中：
1、衬底；2、刻蚀停止层；3、介质层；4、铜；4-1、超沉积区域；4-2、均匀沉积区域。
图2为本发明的添加流程示意图。
图3为本发明的超沉积冗余图形的结构示意图，其中：
1、超沉积冗余图形的图形线宽；2、超沉积冗余图形的线间距。
图4为本发明的均匀沉积冗余图形的结构示意图，其中：
1、均匀沉积冗余图形的图形线宽。
图5为获取第一阀值、第二阀值和第三阀值的流程图。
图6为图层上需要添加冗余图形的窗格中，添加有超沉积冗余图形和均匀沉积冗余图形的示意图，其中：
a、均匀沉积冗余图形；b、超沉积冗余图形。
图7本发明判断是否需要补充添加超沉积图形的步骤示意图。
图8为判断是否需要补充添加均匀沉积图形的步骤示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
如图1所示，在铜电化学沉积后，晶片表面密集小线宽的区域会出现超沉积现象，即如图1中所示的超沉积区域4-1，在超沉积区域中，铜沉积厚度要高于预先设定的目标厚度。相对的，大线宽的区域往往为均匀沉积区域4-2，其厚度接近预先设定的目标厚度。上述两种沉积现象的存在会在铜电化学沉积后使得晶片表面密集小线宽区域(超沉积区域4-1)与大线宽区域(均匀沉积区域4-2)之间的表面高度产生差异。当小线宽区域或大线宽区域分布不均或相对集中时，这种大面积的过高或者过低区域的存在会严重影响化学机械研磨工艺的平坦化效果。
基于上述问题，本发明中提供一种冗余图形添加方法，其中执行如图2中所示的下述步骤：
步骤S1，提取一预设版图中某个图层，并将所述图层按照一定窗格大小切割成若干窗格；
步骤S2，将所述窗格划分为可添加冗余图形的添加区域以及具有原始版图的原始版图区域；
步骤S3，于所述窗格中，在所述原始版图区域中根据所述原始版图的版图图形划分出具有第一类沉积特性的第一类区域，以及具有第二类沉积特性的第二类区域；
步骤S4，计算所述第一类区域占所在窗格的第一面积比例，以及所述第二类区域中占所在窗格的第二面积比例；
步骤S5，判断所述窗格中的所述原始版图图形的原始图形密度是否小于一预设的目标图形密度，并在所述原始图形密度小于所述目标图形密度时转向步骤S6；
步骤S6，根据所述第一面积比例以及所述第一类区域占所述窗格的第一目标比例，在所述添加区域内补充添加对应于所述第一类区域的第一类冗余图形，以及
根据所述第二面积比例以及所述第二类区域占所述窗格的第二目标比例，在所述添加区域内补充添加对应于所述第二类区域的第二类冗余图形。
具体地，本实施例中，预设工艺可以为晶片制造加工工艺中的任意存在上述问题的工艺制程，相应地，上述步骤S1中，可以提取某个预设工艺中某个存在有上述问题的图层，或者针对某个预设工艺，提取其中的所有图层均进行超沉积和均匀沉积是否分布均匀的检查。
本实施例中，基于上文中所述的问题，需要在提取到的图层中进行冗余图形的添加，从而使得超沉积和均匀沉积两种沉积现象的分布更加均匀。首先需要将图层按照一定大小切割成若干窗格，然后定义各窗格中原始版图区域以及能够添加冗余图形的添加区域。具体地，窗格中冗余图形的添加区域要根据该图层设计时的图形规则，在窗格中定义不会影响图层设计的区域(即添加区域通常为图层中的空白区域)。
定义好窗格中的原始版图区域以及添加区域后，于原始版图区域内，将图层上原有的原始版图进行划分，以分出具有第一类沉积特性的第一类区域和具有第二类沉积特性的第二类区域。其中，第一类区域即为超沉积区域，相应地该第一类沉积特性即为对应于超沉积区域的沉积特性；第二类区域即为均匀沉积区域，相应地第二类沉积特性即为对应于均匀沉积区域的沉积特性，下文中不再赘述。
然后，计算超沉积区域的面积占所在窗格的总面积的第一比例，作为第一面积比例，以及
计算均匀沉积区域的面积占所在窗格的总面积的第二比例，作为第二面积比例。
随后对于超沉积区域：依据该第一面积比例以及一预设的第一目标比例，判断是否需要补充添加超沉积冗余图形，并根据判断结果，在该窗格中的添加区域内补充添加相应的超沉积冗余图形。
同样地，依据该第二面积比例以及一预设的第二目标比例，判断是否需要补充添加均匀沉积冗余图形，并根据判断结果补充，在该窗格中的添加区域内添加相应的均匀沉积冗余图形。
最终添加完冗余图形之后形成的图层，其中的超沉积区域(包括原有的超沉积区域以及添加有超沉积冗余图形的区域)和均匀沉积区域(包括原有的均匀沉积区域以及添加有均匀沉积冗余图形的区域)的分布较为均匀，能够避免图层中出现大面积的高度差异区域，因此大幅降低了对后续的加工工艺尤其是化学机械研磨工艺的研磨效果影响。
本发明较佳的实施例中，上述具有第一类沉积特性的第一类冗余图形区域为超沉积区域；
则对应于第一类冗余图形区域的第一类冗余图形为超沉积图形；
具体地，如图3中所示，该超沉积冗余图形为由间隔一定距离的一维线组成的图形阵列；
该超沉积冗余图形中，一维线的线宽1小于一预设的第一阈值，相邻的一维线之间的线间距2小于一预设的第二阈值。换言之，该超沉积冗余图形是由冗余图形(一维线)以及冗余图形之间的线间距构成的。
则本实施例中，对于添加的超沉积冗余图形，通常选取接近阀值的线宽以及线间距值以满足光刻工艺窗口。
相应地，本发明较佳的实施例中，上述具有第二类沉积特性的第二类冗余区域为均匀沉积区域；
则对应于第二类冗余图形区域的第二类冗余图形为均匀沉积图形；
具体地。如图4中所示，均匀沉积冗余图形为由间隔一定距离的一维线组成的图形阵列；
该均匀沉积冗余图形中，一维线的线宽1大于一预设的第三阈值。
因此，同样地，上述均匀沉积冗余图形是由冗余图形(一维线)以及冗余图形之间的线间距构成的。
则本实施例中，对于添加的均匀沉积冗余图形，无论单个的矩形结构还是线及线间距结构，其线宽1均大于线宽阀值，通常选取设计规则中规定的冗余图形尺寸。
本发明较佳的实施例中，如图5所示，上述第一阈值、第二阈值和第三阈值均通过下述方法确定：
步骤A1，设计测试用图形单元；
步骤A2，依据测试用图形单元制造测试用光罩；
步骤A3，采用测试用光罩对晶片进行加工，形成测试用晶片；
步骤A4，对测试用晶片进行测试，以收集测试数据；
步骤A5，依照测试数据确定第一阈值、第二阈值和第三阈值。
本实施例中，上述第一阈值、第二阈值和第三阈值均预先确定，确定的方式如上文中所述，收集到足够的测试数据之后，依据大量的测试数据进行分析就可以得到上述第一阈值、第二阈值和第三阈值。
本发明较佳的实施例中，上述步骤S6中，根据第一面积比例以及第一目标比例补充添加第一类冗余图形的步骤具体如图7所示，包括：
步骤S61a，根据第一类区域的面积和窗格的面积计算得到第一面积比例；
步骤S62a，判断第一面积比例是否大于一预设的第一目标比例，并在第一面积比例不大于第一目标比例时，在添加区域内补充添加第一类冗余图形，直至第一面积比例等于第一目标比例为止。
进一步地，第一目标比例与第一类图形之间的关系如下式所示：
Dents＝Ss/Sw+Sss/Sw×n；
其中，
Dents用于表示第一目标比例；
Ss用于表示第一类区域的面积；
Sw用于表示窗格的面积；
Ss/Sw用于表示第一面积比例；
Sss用于表示添加有单个所述第一类冗余图形的区域所占的面积，包括冗余图形以及冗余图形间的间距(如上文中所述)；
n用于表示第一类冗余图形的添加个数。
本发明的较佳的实施例中，如图8所示，上述步骤S6中，根据第二面积比例以及第二目标比例补充添加第二类冗余图形的步骤具体包括：
步骤S61b，根据第二类区域的面积和窗格的面积计算得到第二面积比例；
步骤S62b，判断第二面积比例是否大于一预设的第二目标比例，并在第二面积比例不大于第二目标比例时，在所述添加区域内补充添加第二类冗余图形，直至第二面积比例等于第二目标比例为止。
进一步地，第二目标比例与第二类图形之间的关系如下式所示：
Dentc＝Sc/Sw+Ssc/Sw×m；
其中，
Dentc用于表示第二目标比例；
Sc用于表示第二类区域的面积；
Sw用于表示窗格的面积；
Sc/Sw用于表示第二面积比例；
Ssc用于表示添加有单个所述第二类冗余图形的区域所占的面积，包括冗余图形以及冗余图形间的间距(如上文中所述)；
m用于表示第二类冗余图形的添加个数。
更进一步地，添加有第一类冗余图形的区域面积和添加有第二类冗余图形的区域面积具有如下式所示的关联关系：
Dent＝Den0+Dens×n+Denc×m；
其中，
Dent用于表示一预设的目标图形密度；
Den0用于表示所述图层上的窗格中的原始图形密度；
Dens用于表示添加有单个第一类冗余图形的区域占窗格的图形密度；
n用于表示所述第一类冗余图形的添加个数；
Denc用于表示添加有单个第二类冗余图形的区域占窗格的图形密度；
m用于表示所述第二类冗余图形的添加个数。
本发明技术方案中，在窗格内的添加区域中添加的超沉积冗余图形和均匀沉积图形，应当尽可能保持分布均匀，图6中示出的交叉排列方式仅为均匀分布的一种理想状态。
下文中采用一个具体实施例对上述添加过程中的规则限制做详细描述。
如图6中所示为本发明技术方案中的图层上，在某个需要添加冗余图形的窗格中所添加的冗余图形的结构示意图。图6中，在预先定义的添加区域(图6中以虚线表示)中添加均匀沉积冗余图形a和超沉积冗余图形b，其添加规则如下：
当Deno≤Dent时，即原始图形密度小于目标密度时，需要在窗格内的添加区域中添加冗余图形。添加的超沉积冗余图形与均匀冗余图形需满足如下关系：
Dent＝Deno+Densxn+Dencxm；
即所有超沉积冗余图形的总图形密度、所有均匀沉积冗余图形的总图形密度以及图层上的原始版图的原始图形密度相加之和需要等于上述预设的目标图形密度。若上述图形密度的总和小于目标图形密度，则表示仍需添加超沉积冗余图形和/或均匀沉积冗余图形。
对于添加超沉积冗余图形而言：
当Ss/Sw≤Dents时，即超沉积区域占窗格面积的第一面积比例小于第一目标比例时，表示需要在窗格中的添加区域内添加超沉积冗余图形，直至上述第一面积比例和第一目标比例满足下述公式为止：
Dents＝Ss/Sw+Sss/Sw xn；
换言之，添加超沉积冗余图形直至超沉积区域占窗格面积的比例达到预设的目标值为止，也即当Ss/Sw＞Dents时，不需要添加超沉积冗余图形。
同样地，对于添加均匀沉积冗余图形而言：
当Sc/Sw≤Dentc时，即均匀沉积区域占窗格面积的第二面积比例小于第二目标比例时，表示需要在窗格中的添加区域内添加均匀沉积冗余图形，直至上述第二面积比例和第二目标比例满足下述公式为止。
Dentc＝Sc/Sw+Ssc/Sw xm；
换言之，添加均匀沉积冗余图形直至均匀沉积区域占窗格面积的比例达到预设的目标值为止，也即当Sc/Sw＞Dentc时，不需要添加均匀沉积冗余图形。
当然，若Deno＞Dent，也即图层上的原始图形密度本身就大于目标密度时，不需要在添加区域内进行冗余图形的添加。
本发明技术方案中，通过在窗格内划定的添加区域中添加超沉积冗余图形和均匀沉积冗余图形这两种辅助冗余图形，能够辅助减少图层上原有的因超沉积区域和均匀沉积区域造成的高度差异区域的面积，从而降低对后续的加工工艺尤其是化学机械研磨工艺的影响。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种冗余图形添加方法，其特征在于，执行下述步骤：
步骤S1，提取一预设版图中某个图层，并将所述图层按照一定窗格大小切割成若干窗格；
步骤S2，将所述窗格划分为可添加冗余图形的添加区域以及具有原始版图的原始版图区域；
步骤S3，于所述窗格中，在所述原始版图区域中根据所述原始版图的版图图形划分出具有第一类沉积特性的第一类区域，以及具有第二类沉积特性的第二类区域；
步骤S4，计算所述第一类区域占所在窗格的第一面积比例，以及所述第二类区域中占所在窗格的第二面积比例；
步骤S5，判断所述窗格中的所述原始版图图形的原始图形密度是否小于一预设的目标图形密度，并在所述原始图形密度小于所述目标图形密度时转向步骤S6；
步骤S6，根据所述第一面积比例以及所述第一类区域占所述窗格的第一目标比例，在所述添加区域内补充添加对应于所述第一类区域的第一类冗余图形，以及
根据所述第二面积比例以及所述第二类区域占所述窗格的第二目标比例，在所述添加区域内补充添加对应于所述第二类区域的第二类冗余图形。
2.根据权利要求1所述一种冗余图形添加方法，其特征在于，所述步骤S2中，按照所述图层上的图形设计规则，划定各个所述窗格中的所述添加区域。
3.根据权利要求1所述一种冗余图形添加方法，其特征在于，具有第一类沉积特性的所述第一类区域为超沉积区域；
对应于所述第一类区域中添加的所述第一类冗余图形为超沉积冗余图形；
所述超沉积冗余图形为由间隔一定距离的一维线组成的图形阵列；
所述超沉积冗余图形中，所述一维线的线宽小于一预设的第一阈值，相邻的所述一维线之间的线间距小于一预设的第二阈值。
4.根据权利要求3所述一种冗余图形添加方法，其特征在于，具有第二类沉积特性的所述第二类区域为均匀沉积区域；
对应于所述第二类区域中添加的所述第二类冗余图形为均匀沉积冗余图形；
所述均匀沉积冗余图形为由间隔一定距离的一维线组成的图形阵列；
所述均匀沉积冗余图形中，所述一维线的线宽大于一预设的第三阈值。
5.根据权利要求4所述一种冗余图形添加方法，其特征在于，所述第一阈值、所述第二阈值和所述第三阈值均通过下述方法确定：
步骤A1，设计测试用图形单元；
步骤A2，依据所述测试用图形单元制造测试用光罩；
步骤A3，采用所述测试用光罩对晶片进行加工，形成测试用晶片；
步骤A4，对所述测试用晶片进行测试，以收集测试数据；
步骤A5，依照所述测试数据确定所述第一阈值、所述第二阈值和所述第三阈值。
6.根据权利要求1所述的一种冗余图形添加方法，其特征在于，所述步骤S6中，根据所述第一面积比例以及所述第一目标比例补充添加所述第一类冗余图形的步骤具体包括：
步骤S61a，根据所述第一类区域的面积和所述窗格的面积计算得到所述第一面积比例；
步骤S62a，判断所述第一面积比例是否大于一预设的第一目标比例，并在所述第一面积比例不大于所述第一目标比例时，在所述添加区域内补充添加所述第一类冗余图形，直至所述第一面积比例等于所述第一目标比例为止。
7.根据权利要求6所述的一种冗余图形添加方法，其特征在于，所述第一目标比例与所述第一类冗余图形之间的关系如下式所示：
Dents＝Ss/Sw+Sss/Sw×n；
其中，
Dents用于表示所述第一目标比例；
Ss用于表示所述第一类区域的面积；
Sw用于表示所述窗格的面积；
Ss/Sw用于表示所述第一面积比例；
Sss用于表示添加有单个所述第一类冗余图形的区域所占的面积，包括冗余图形以及冗余图形间的间距；
n用于表示所述第一类冗余图形的添加个数。
8.根据权利要求1所述的一种冗余图形添加方法，其特征在于，所述步骤S6中，根据所述第二面积比例以及所述第二目标比例补充添加所述第二类冗余图形的步骤具体包括：
步骤S61b，根据所述第二类区域的面积和所述窗格的面积计算得到所述第二面积比例；
步骤S62b，判断所述第二面积比例是否大于一预设的第二目标比例，并在所述第二面积比例不大于所述第二目标比例时，在所述添加区域内补充添加所述第二类冗余图形，直至所述第二面积比例等于所述第二目标比例为止。
9.根据权利要求8所述的一种冗余图形添加方法，其特征在于，所述第二目标比例与所述第二类冗余图形之间的关系如下式所示：
Dentc＝Sc/Sw+Ssc/Sw×m；
其中，
Dentc用于表示所述第二目标比例；
Sc用于表示所述第二类区域的面积；
Sw用于表示所述窗格的面积；
Sc/Sw用于表示所述第二面积比例；
Ssc用于表示添加有单个所述第二类冗余图形的区域所占的面积，包括冗余图形以及冗余图形间的间距；
m用于表示所述第二类冗余图形的添加个数。
10.根据权利要求1所述的一种冗余图形添加方法，其特征在于，添加有所述第一类冗余图形的区域面积和添加有所述第二类冗余图形的区域面积具有如下式所示的关联关系：
Dent＝Den0+Dens×n+Denc×m；
其中，
Dent用于表示一预设的目标图形密度；
Den0用于表示所述图层上的所述窗格中的原始图形密度；
Dens用于表示添加有单个所述第一类冗余图形的区域占所述窗格的图形密度；
n用于表示所述第一类冗余图形的添加个数；
Denc用于表示添加有单个所述第二类冗余图形的区域占所述窗格的图形密度；
m用于表示所述第二类冗余图形的添加个数。
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