CN109711005B - 一种无反射的波浪调控装置及设计方法 - Google Patents

一种无反射的波浪调控装置及设计方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种无反射的波浪调控装置及设计方法,该装置在内径ri以内区域结构的高度相同,在外径ro处高度为0,在内径ri和外径ro之间区域结构高度渐变,在该高度渐变区域设置多个挡板形成沟槽。当该类圆台形的本体浸没于水中,并且在具有特定波长和频率的平面波入射时,平面波在该圆台结构周边几乎不发生反射,从而减少该类圆台形的本体周边的波能量损耗,进入到类圆台形的本体内部的波仍为平面波,同时波幅得到放大。

Description

一种无反射的波浪调控装置及设计方法
技术领域
本发明属于波浪理论和工程领域,尤其涉及一种无反射的波浪调控装置及设计方法。
背景技术
平面波在遇到固体结构时,总是会发生反射,造成在固体结构周边的波场发生错乱,不再保持平面波的特征。在以往的理论研究和实践中,一直没有有效的办法来消减波浪的反射、同时保持平面波的波场特征。如果能提出一种结构,能够显著消除固体结构周边的波浪反射,甚至于没有反射,则能够大幅度减少固体结构周边波能量的耗损,对于提高波浪能量的收集效率非常有价值。另外这种结构可以用于波场参数的测量,既能够获得结构所处波场的特征参数,又不会由于在波场中放置固体结构而影响波的传播。因此非常有必要发明和提出无反射的波浪调控装置及设计方法。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足,提供一种无反射的波浪调控装置及设计方法,解决了波场调控的技术难题。
为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案如下:一种无反射的波浪调控装置,包括类圆台形的本体,本体的侧面为高度渐变曲面,该高度渐变曲面由曲线绕本体的旋转轴旋转一周而成;
本体侧面上沿圆周方向均匀布置多个挡板,且挡板沿本体径向放置,挡板沿径向起始于本体的下底面边缘,终止于本体的上底面边缘;相邻两个挡板与本体侧面之间形成沟槽;
当本体浸没于水中时,挡板的顶部高出水面,本体下底面所处的水深为h0,本体上底面所处的水深为hi=h0-Hi,Hi为本体的高度,本体上下底面之间的水深分布是渐变曲线,其函数记为h(r);
给定曲线处的折射率分布n(r),可求得渐变水深为h(r)=h0/n(r)2
n(r)的取值满足以下两个条件:
第一条件:平面波通过沟槽的路程是入射波半波长的整数倍,即:
Figure BDA0001900921880000011
第二条件:沟槽前后的折射率满足波场压缩的条件以及阻抗匹配条件,即:
Figure BDA0001900921880000012
其中,ri为本体的上底面半径,ro为本体的下底面半径,ni、no分别为本体的上底面ri处和本体的下底面ro处的折射率,no=1,
Figure BDA0001900921880000021
λ为平面波的波长,m为正整数。
进一步的,所述
Figure BDA0001900921880000022
计算得到:
Figure BDA0001900921880000023
进一步的,所述
Figure BDA0001900921880000024
计算得:
Figure BDA0001900921880000025
本发明的另一目的是提供一种无反射的波浪调控装置的设计方法,包括如下步骤:
(1)取一类圆台形的本体,本体的侧面为高度渐变曲面,该高度渐变曲面由曲线绕本体的旋转轴旋转一周而成;
(2)在本体侧面上沿圆周方向均匀布置多个挡板,且挡板沿本体径向放置,挡板沿径向起始于本体的下底面边缘,终止于本体的上底面边缘;相邻两个挡板与本体侧面之间形成沟槽;
(3)将本体浸没于水中时,此时挡板的顶部高出水面,本体下底面所处的深度为h0,本体上底面所处的深度为hi=h0-Hi,Hi为本体的高度,本体上下底面之间的水深分布是渐变曲线,其函数记为h(r);
(4)给定曲线处的折射率分布n(r),n(r)的取值满足以下两个条件:
第一条件:平面波通过沟槽的路程是入射波半波长的整数倍,即:
Figure BDA0001900921880000026
第二条件:沟槽前后的折射率满足波场压缩的条件以及阻抗匹配条件,即:
Figure BDA0001900921880000027
其中,ri为本体的上底面半径,ro为本体的下底面半径,ni、no分别为本体的上底面ri处和本体的下底面ro处的折射率,no=1,
Figure BDA0001900921880000028
λ为平面波的波长,m为正整数;
(5)给定曲线处的折射率分布n(r),可求得渐变水深为h(r)=h0/n(r)2,至此获得所有波浪调控装置的结构参数。
进一步的,所述
Figure BDA0001900921880000031
计算得到:
Figure BDA0001900921880000032
进一步的,所述
Figure BDA0001900921880000033
计算得:
Figure BDA0001900921880000034
以上未详细描述的内容为本领域技术人员公知的现有技术。
本发明的有益效果如下:(1)经过设计后,圆台结构在具有特定的波长和频率的平面波入射时,能够实现几乎无反射波;(2)圆台结构的周边仍保持平面波,圆台结构的内部的平面波波幅得到放大;(3)提出了实现这种功能的设计方法,而且该方法具有一定的可拓展性和灵活性,可以设计出多种满足要求的圆台结构参数、水深参数和折射率参数。
附图说明
图1为本发明的波浪调控装置的俯视图;
图2为本发明的波浪调控装置的半剖图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。本实施例以本发明技术方案为前提进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例1:
(1)取一类圆台形的本体,类圆台形的本体的上底面外径为ro=70mm,下底面内径为ri=35mm,本体的高度为Hi=6mm,本体的侧面为高度渐变曲面,该高度渐变曲面由曲线绕本体的旋转轴旋转一周而成,如图1所示;
(2)在本体侧面上沿圆周方向均匀布置50个厚度为1mm的挡板,且挡板沿本体径向放置,挡板沿径向起始于本体的下底面边缘,终止于本体的上底面边缘;相邻两个挡板与本体侧面之间形成沟槽;
(3)将本体浸没于水中时,此时挡板的顶部高出水面,本体下底面所处的深度为h0,h0=8mm;本体上底面所处的深度为hi=h0-Hi=8mm-6mm=2mm,本体上下底面之间的水深分布是渐变曲线,其函数记为h(r),如图2所示;
(4)给定曲线处的折射率分布n(r),n(r)的取值满足以下两个条件:
第一条件:平面波通过沟槽的路程是入射波半波长的整数倍,即:
Figure BDA0001900921880000041
第二条件:沟槽前后的折射率满足波场压缩的条件以及阻抗匹配条件,即:
Figure BDA0001900921880000042
其中,ri为本体的上底面半径,ri=35mm;ro为本体的下底面半径,ro=70mm;ni、no分别为本体的上底面ri处和本体的下底面ro处的折射率,no=1,
Figure BDA0001900921880000043
λ为平面波的波长,m为正整数;
(5)给定曲线处的折射率分布n(r),可求得渐变水深为h(r)=h0/n(r)2,至此获得所有波浪调控装置的结构参数。
满足上述两个条件的
Figure BDA0001900921880000044
计算得到:
Figure BDA0001900921880000045
经计算,在ro=70mm处沟槽宽度为7.80mm,同理,对应ri=35mm处沟槽宽度为3.40mm。
根据
Figure BDA0001900921880000046
当取m=2时,平面波的波长λ=52.5mm,当m=3时平面波的波长λ=35mm,以及m=4时平面波的波长λ=26.25mm。当具有这些波长的平面波入射到该类圆台形的本体上时,能够发现:类圆台形的本体周边仍保持平面波,几乎没有反射;类圆台形的本体上底面区域仍保持为平面波;根据入射波波幅的不同,类圆台形的本体上底面区域的平面波波幅可以放大。
实施例2:
(1)取一类圆台形的本体,类圆台形的本体的上底面外径为ro=428.88mm,下底面内径为ri=247.61mm,本体的高度为Hi=66.67mm,本体的侧面为高度渐变曲面,该高度渐变曲面由曲线绕本体的旋转轴旋转一周而成;
(2)在本体侧面上沿圆周方向均匀布置50个厚度为0.5mm的挡板,且挡板沿本体径向放置,挡板沿径向起始于本体的下底面边缘,终止于本体的上底面边缘;相邻两个挡板与本体侧面之间形成沟槽;
(3)将本体浸没于水中时,此时挡板的顶部高出水面,本体下底面所处的深度为h0,h0=100mm;本体上底面所处的深度为hi=h0-Hi=100mm-66.67mm=33.33mm,本体上下底面之间的水深分布是渐变曲线,其函数记为h(r);
(4)给定曲线处的折射率分布n(r),n(r)的取值满足以下两个条件:
第一条件:平面波通过沟槽的路程是入射波半波长的整数倍,即:
Figure BDA0001900921880000051
第二条件:沟槽前后的折射率满足波场压缩的条件以及阻抗匹配条件,即:
Figure BDA0001900921880000052
其中,ri为本体的上底面半径,ri=247.61mm;ro为本体的下底面半径,ro=428.88mm;ni、no分别为本体的上底面ri处和本体的下底面ro处的折射率,no=1,
Figure BDA0001900921880000053
Figure BDA0001900921880000054
λ为平面波的波长,m为正整数;
(5)给定曲线处的折射率分布n(r),可求得渐变水深为h(r)=h0/n(r)2,至此获得所有波浪调控装置的结构参数。
满足上述两个条件的
Figure BDA0001900921880000055
计算得到:
Figure BDA0001900921880000056
经计算,在ro=428.88mm处沟槽宽度为53.4mm,同理,对应ri=247.61mm处沟槽宽度为30.6mm。根据
Figure BDA0001900921880000057
当取m=1时平面波的波长λ=0.507m。当具有这些波长的平面波入射到该类圆台形的本体上时,能够发现:类圆台形的本体周边仍保持平面波,几乎没有反射;类圆台形的本体上底面区域仍保持为平面波;根据入射波波幅的不同,类圆台形的本体上底面区域的平面波波幅可以得到放大。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (2)

1.一种无反射的波浪调控装置,其特征在于,包括类圆台形的本体,本体的侧面为高度渐变曲面,该高度渐变曲面由曲线绕本体的旋转轴旋转一周而成;
本体侧面上沿圆周方向均匀布置多个挡板,且挡板沿本体径向放置,挡板沿径向起始于本体的下底面边缘,终止于本体的上底面边缘;相邻两个挡板与本体侧面之间形成沟槽;
当本体浸没于水中时,挡板的顶部高出水面,本体下底面所处的水深为h0,本体上底面所处的水深为hi=h0-hi,Hi为本体的高度,本体上下底面之间的水深分布是渐变曲线,其函数记为h(r);
给定曲线处的折射率分布n(r),可求得渐变水深为h(r)=h0/n(r)2
n(r)的取值满足以下两个条件:
第一条件:平面波通过沟槽的路程是入射波半波长的整数倍,即:
Figure FDA0002648387570000011
第二条件:沟槽前后的折射率满足波场压缩的条件以及阻抗匹配条件,即:
Figure FDA0002648387570000012
其中,ri为本体的上底面半径,ro为本体的下底面半径,ni、no分别为本体的上底面ri处和本体的下底面ro处的折射率,
Figure FDA0002648387570000013
λ为平面波的波长,m为正整数;
所述
Figure FDA0002648387570000014
计算得:
Figure FDA0002648387570000015
2.一种无反射的波浪调控装置的设计方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)取一类圆台形的本体,本体的侧面为高度渐变曲面,该高度渐变曲面由曲线绕本体的旋转轴旋转一周而成;
(2)在本体侧面上沿圆周方向均匀布置多个挡板,且挡板沿本体径向放置,挡板沿径向起始于本体的下底面边缘,终止于本体的上底面边缘;相邻两个挡板与本体侧面之间形成沟槽;
(3)将本体浸没于水中时,此时挡板的顶部高出水面,本体下底面所处的深度为h0,本体上底面所处的深度为hi=h0-Hi,Hi为本体的高度,本体上下底面之间的水深分布是渐变曲线,其函数记为h(r);
(4)给定曲线处的折射率分布n(r),n(r)的取值满足以下两个条件:
第一条件:平面波通过沟槽的路程是入射波半波长的整数倍,即:
Figure FDA0002648387570000021
第二条件:沟槽前后的折射率满足波场压缩的条件以及阻抗匹配条件,即:
Figure FDA0002648387570000022
其中,ri为本体的上底面半径,ro为本体的下底面半径,ni、no分别为本体的上底面ri处和本体的下底面ro处的折射率,no=1,
Figure FDA0002648387570000023
λ为平面波的波长,m为正整数;
(5)给定曲线处的折射率分布n(r),可求得渐变水深为h(r)=h0/n(r)2,至此获得所有波浪调控装置的结构参数;
所述
Figure FDA0002648387570000024
计算得:
Figure FDA0002648387570000025
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