CN109698275A - 一种有机小分子晶体图案化阵列的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)用紫外光刻法制备基于光刻胶的弹性图案化模板；2)以基于光刻胶的弹性图案化模板为诱导模板，以目标基底为盖板，配制有机小分子晶体的水溶液或有机溶液，用基于“三明治”结构体系的毛细力印刷方法，制备有机小分子晶体图案化阵列。本发明采用易于实行且廉价高效的模板诱导生长有机小分子图案化晶体阵列的毛细力印刷方法，以利于器件化的应用。
Description
技术领域
本发明属于晶体生长、微加工和微电子器件领域，具体来说，本发明涉及一种有机小分子晶体图案化阵列的制备方法。
背景技术
有机半导体单晶材料由于其分子结构的可设计性以及其组装期间的分子排列的有序性，在传感器、发光二极管、光电探测器及光伏器件等光电领域的有着广泛的应用。其中，有机小分子晶体由于其良好的结晶性，低缺陷密度被广泛的应用到有机场效应晶体管领域，具有高迁移率的有机场效应晶体管是硅基场效应晶体管的良好替代者。
应用液相法制备小分子晶体对仪器设备要求较为宽松，且具有低温、低消耗等优点，逐渐成为功能性有机晶体材料的主要制备手段之一。常用的液相法包括涂布法和打印法，其具有快速高效的优势，但无法保证高结晶质量，从而限制了其应用。而模板诱导方法如模板提拉、纳米压印、模板剪切等方法则在高结晶有机分子材料制备上逐渐体现出其优越性。为了提高分子晶体的结晶性和利于器件的集成应用，一种基于硬质硅柱模板的“三明治”界面生长体系，被提出并被广泛应用到有机小分子和聚合物高分子的高结晶图案化分子结构的生长中，用此方法能够获得大面积均匀的图案化结构和卓越的器件性能，如场效应晶体管、光波导、传感器、激光器等。然而，硅柱模板的制备需要繁杂的刻蚀步骤，而且价格偏高(2000RMB/4inch Si晶圆)，其氟化蚀刻等离子体(CF4)对人体有很强的伤害。刻蚀硅柱模板结构的过程中，需要用薄层光刻胶作为掩膜，来构筑刻蚀硅柱表面的各种形貌。如果能够直接采用相似结构的光刻胶模板结构替代硅柱模板，而省去后续的硅的刻蚀加工过程和光刻胶去除过程，则可以使该方法更加的简便、廉价和安全。
发明内容
针对现有技术存在的上述不足之处，本发明的目的在于，提供一种有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，该方法采用易于实行且廉价高效的模板诱导生长有机小分子图案化晶体阵列的毛细力印刷方法，以利于器件化的应用。利用简易的光刻方法和紫外交联后处理技术制备弹性光刻胶分子模板，使其具有良好的微观图案化阵列结构和较强的化学稳定性，用以替代硬质的硅柱光刻模板。再以弹性光刻胶模板为诱导模板，具有特殊浸润性的目标基底为盖板，利用“三明治”结构的毛细力印刷技术在目标基底上直接一步生长出高结晶性的有机小分子图案化阵列结构。进而直接在生长晶体阵列的目标基底上构筑电极，实现器件的集成应用。
为达到上述目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
1)用紫外光刻法制备基于光刻胶的弹性图案化模板；
2)以基于光刻胶的弹性图案化模板为诱导模板，以目标基底为盖板，配制有机小分子晶体的水溶液或有机溶液，用基于“三明治”结构体系的毛细力印刷方法，制备有机小分子晶体图案化阵列。
进一步地，所述步骤1)用紫外光刻法制备基于光刻胶的弹性图案化模板具体包括下述步骤：
a)旋涂：在洁净的硅片上用匀胶机旋涂一层光刻胶，匀胶速度为3000-9000rpm，使光刻胶层厚度为2-12μm；
b)前烘：在烤胶机上对其进行前烘处理，使得光刻胶热固化，烘烤温度为85-95℃，烘烤时间为2-4min；
c)紫外曝光：用紫外光刻机透过掩模板对准光刻胶薄膜进行曝光，控制曝光剂量，曝光剂量为60-500mJ/cm2；
d)后烘：在烤胶机上对其进行后烘处理，使其图案化结构成型，烘烤温度为85-95℃，烘烤时间为3-4min；
e)显影：用光刻胶匹配的显影液在显影槽中进行显影，注意保持显影液的流动，控制显影时间为0.5-5min；
f)清洗干燥：去离子水中清洗5-10s，用洁净的压缩空气或氮气进行吹干；
g)在使用前，进行充分的紫外曝光以使光刻胶内部分子充分的交联固化，提高其化学稳定性，曝光剂量为9000-27000mJ/cm2。
优选地，步骤a)所述光刻胶为美国产Microchem SU-8负性光刻胶，型号为2000-2015。
优选地，步骤e)所述显影液为MicroChem公司的SU-8专用显影液，或丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)溶剂。
本发明中，步骤1)所得的基于光刻胶的弹性图案化模板具有微米柱阵列，其中，微米柱长200-9000μm，宽2-10μm，高2-12μm，柱间距5-20μm。
优选地，所述有机小分子晶体为并五苯、红荧烯、罗丹明B和2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)中的一种或多种；
有机溶液采用的有机溶剂为甲苯、氯苯、邻二氯苯、乙腈和二氯甲烷中的一种或多种；
水溶液或有机溶液的浓度为0.3-1.5mg/ml。
优选地，所述目标基底为玻璃片、硅片、二氧化硅片和十八烷基三氯硅烷修饰的二氧化硅片中的一种。
进一步优选地，所述十八烷基三氯硅烷修饰的二氧化硅片的制备方法为：
将清洗干净的二氧化硅片用空气等离子体或氧等离子体轰击3-5min，将15-50μlOTS与等离子体处理过的二氧化硅片同时置于密闭干燥器中，在100-120℃烘烤5-6hr，获得十八烷基三氯硅烷修饰的二氧化硅片。
本发明中，基于“三明治”结构体系的毛细力印刷方法具体为：
将2-20μl有机小分子晶体的水溶液或有机溶液滴加在诱导模板上，将目标基底覆盖在诱导模板顶端，固定形成三明治结构，在诱导模板诱导和毛细力共同作用下，在目标基底上生成有机小分子晶体图案化阵列结构。
本发明提供的一种有机小分子晶体图案化阵列的制备方法可以是包括如下步骤：
1)制备弹性光刻胶软模板。首先在洁净的硅片上用匀胶机旋涂一层SU-8光刻胶；其次在烤胶机上对其进行前烘处理，使得光刻胶热固化；然后用紫外光刻机透过掩模板对准光刻胶薄膜进行曝光，控制曝光剂量；进一步在烤胶机上对其进行后烘处理，使其图案化结构成型；后烘完毕立刻用光刻胶匹配的显影液在显影槽中进行显影，注意保持显影液的流动；显影完毕在去离子水中清洗；用洁净的压缩空气进行干燥；最后，在紫外光刻机下进行充分的紫外曝光以使光刻胶内部分子充分的交联固化，提高其化学稳定性。
2)“三明治”体系毛细力印刷法制备图案化有机小分子晶体。将有机小分子溶解在去离子水或有机溶剂中得到均匀的溶液，取一定体积的溶液滴加在具有微柱结构的光刻胶模板上，将目标基底覆盖在滴加溶液的光刻胶模板上形成“三明治”的组装结构。溶液在光刻胶模板的微米柱表面形成一层连续的液膜，随着溶剂的挥发，液膜在微米柱沟槽处首先破裂，从而在微米柱顶端与基底之间形成一个个相互平行的液桥，液桥逐渐收缩，最终待溶剂完全挥发后会观察到在光刻胶微米柱顶端自组装形成大面积的尺度为微米级的规整的微米带阵列，且微米阵列会直接生长在目标基底上。为了实现器件化应用，目标基底可选择为修饰有OTS单分子层的SiO2/Si晶片，利用蒸镀技术在特定区域覆盖电极，制备所需的有机场效应晶体管器件。
根据本发明的优选实施例，本发明所述的利用弹性光刻胶模板诱导制备有机小分子单晶图案化阵列的方法，其详细步骤如下：
1.1光刻胶模板的制备：
1.1.1旋涂：在洁净的硅片(用标准RCA方法清洗)上用匀胶机旋涂一层SU-8光刻胶(SU-8 2000-2015)，匀胶速度为3000-9000rpm，光刻胶层厚度为2-12μm；
1.1.2前烘：在烤胶机上对其进行前烘处理，使得光刻胶热固化，烘烤温度为95℃，烘烤时间为2-4min；
1.1.3紫外曝光：用紫外光刻机透过掩模板对准光刻胶薄膜进行曝光，控制曝光剂量，曝光剂量为60-500mJ/cm2。；
1.1.4后烘：在烤胶机上对其进行后烘处理，使其图案化结构成型，烘烤温度为95℃，烘烤时间为3-4min；
1.1.5显影：用光刻胶匹配的显影液(SU-8专用显影液或PGMEA)在显影槽中进行显影，注意保持显影液的流动，控制显影时间为0.5-5min；
1.1.6清洗干燥：去离子水中清洗5-10s，用洁净的压缩空气或氮气进行吹干；
1.1.7进行充分的紫外曝光以使光刻胶内部分子充分的交联固化，提高其化学稳定性，曝光剂量为9000-27000mJ/cm2。
1.2有机小分子晶体的图案化生长：
1.2.1配制有机小分子的水溶液或有机溶液：有机小分子有并五(TIPS-pentacene)、红荧烯、罗丹明B、C8-BTBT等；有机溶剂为水、甲苯、一氯代代、邻二氯苯、乙腈、二氯甲烷等；溶液浓度为0.5-50mg/ml；
1.2.2“三明治”结构体系的毛细力印刷方法：将2-20μl溶液滴加在光刻胶模板上，将目标基底覆盖在光刻胶模板顶端，用长尾夹固定，形成三明治结构，在模板诱导和毛细力共同作用下，在目标基底上可直接生成有机小分子晶体图案化结构。目标基底为玻璃片、硅片、二氧化硅片(硅表面具有300nm氧化层)、OTS(十八烷基三氯硅烷)修饰的二氧化硅片。
1.3构筑电子器件：
在OTS修饰的二氧化硅片的特征基底上，用“三明治”结构体系的毛细力印刷方法生长出有机小分子晶体图案化阵列，利用蒸镀技术在特定区域覆盖电极，制备所需的微电子器件。
本发明提供了一种简洁廉价高效的制备图案化有机小分子单晶的方法，引入廉价可调控的光刻胶弹性模板，通过毛细力印刷的方法，可以在指定基底上直接一步诱导生成具有超薄高结晶性的有机小分子单晶图案化阵列结构，进而直接在图案化基底上构筑集成的有机场效应晶体管，得到了良好的电学输出性能，电荷转移性能和较高的载流子迁移率。
本发明利用光刻的方法制备出化学稳定性较强的具有一维微米柱阵列构型的弹性SU-8光刻胶分子模板。该种光刻胶结构边缘陡直，在充分的分子交联固化后具有化学稳定性好，低溶胀以及耐高温的特点，且对有机溶液表现出超浸润铺展性能。将有机小分子溶液滴加在光刻胶模板表面，并覆盖经过表面处理的目标基底构成“三明治”结构，在光刻胶弹性模板诱导，以及毛细力退浸润共同作用下，可以沿光刻胶微米柱顶端在目标基底上直接一步生长出有机小分子单晶阵列。引入弹性光刻胶模板可以在很大程度上减小毛细作用空隙，生长出百纳米级超薄微米带，在晶体微米带阵列上直接构筑金属电极可以得到有机场效应晶体管，器件具有良好的电学性能。
本发明引入廉价的弹性光刻胶分子模板，结合“三明治”毛细力印刷方法顶端诱导生长高结晶性的分子图案化阵列结构，且其相关产品具有良好的器件性能。模板结构易设计，生长方法简便，成本低廉，具有潜在的商业应用价值。该方法简便易行，条件易控制，是一种易于普及的图案化晶体生长方法。
通过超浸润界面诱导的微纳米尺度单晶体阵列结构(有机小分子晶体图案化阵列)，根据所选择有机材料种类进行分类可制得微纳米尺度单晶激光器阵列、有机晶体场效应晶体管阵列、光电探测器阵列等微纳器件当中。同时可大面积制备并将器件扩大，具体面积可达到(30cm×50cm)。通过集成加工技术制得微纳米尺度单晶激光显示器件，柔性皮肤传感器件等基于有机半导体材料的器件当中。
与现有技术相比，本发明的优点和积极效果在于：针对硅柱结构加工的复杂性，有毒性及其昂贵的价格(2000RMB/4inch Si晶圆)，我们利用传统的紫外曝光光刻的方法设计制备特殊构型的光刻胶模板，将其代替硅柱模板，通过“三明治”结构体系毛细力印刷的方法可以得到良好的有机小分子高结晶图案化结构。由于光刻胶低廉的价格(500RMB/4inchSi晶圆)和方便的操作性，该方案可以大副降低该方法的生产成本，提高效率。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的光刻胶模板的扫描电镜图；a)俯视图；b)侧视图；
图2为本发明实施例1制备的光刻胶模板在有机溶液甲苯中浸泡12小时前后的荧光图；a)浸泡前图；b)浸泡后图；
图3为本发明实施例2中基于光刻胶模板诱导的“三明治”体系生长原理图和光学监测生长图；a)和b)为原理图；c)为实际监测生长图像；
图4为本发明实施例2制备的并五苯(TIPS-pentacene)微米带阵列测试图；a)扫描电镜图；b)高度测量图；c)X射线衍射图；
图5为本发明实施例3制备的尺寸可调的小分子晶体图案化阵列；a)扫描电镜图；b)宽度统计图；c)高度统计图；
图6为本发明实施例4制备的场效应晶体管相关图；a)基于微米带的场效应晶体管示意图；b)测试得到的电荷转移特性曲线。
图7为本发明实施例5制备的红荧烯晶体阵列的光学图像。
具体实施方式
下面结合附图，用本发明的实施例来进一步说明本发明的实质性内容，但并不以此来限定本发明。
实施例1
按照技术方案1.1所述进行光刻胶模板的制备方法：
1.1光刻胶模板的制备：
1.1.1旋涂：在洁净的硅片(用标准RCA方法清洗)上用匀胶机旋涂一层SU-8 2015光刻胶，匀胶速度为7000rpm，光刻胶层厚度为6μm；
1.1.2前烘：在烤胶机上对其进行前烘处理，使得光刻胶热固化，烘烤温度为95℃，烘烤时间为2min；
1.1.3紫外曝光：用紫外光刻机透过掩模板对准光刻胶薄膜进行曝光，控制曝光剂量，曝光剂量为100mJ/cm2；
1.1.4后烘：在烤胶机上对其进行后烘处理，使其图案化结构成型,烘烤温度为95℃，烘烤时间为3.5min；
1.1.5显影：用光刻胶显影液PGMEA在显影槽中进行显影，注意保持显影液的流动，控制显影时间为1min；
1.1.6清洗干燥：去离子水中清洗5s，用洁净的压缩空气进行吹干；
1.1.7在使用前，进行充分的紫外曝光以使光刻胶内部分子充分的交联固化，提高其化学稳定性，曝光剂量为9000mJ/cm2。
实验结果：如图1所示，利用光刻方法，可以得到规则的微米阵列，微米柱高度为6μm，宽度为3μm，间距为4μm。光刻胶微米柱阵列规则，表面光滑，侧壁较为陡直。如图2所示，光刻胶模板在有机溶液中浸泡12h通过荧光显微镜观察未发现有明显的变形和颜色变化，说明对有机溶剂具有较强的耐受性。
实施例2
按照技术方案1.2所述方法进行有机小分子晶体的图案化生长：
1.2有机小分子晶体的图案化生长：
1.2.1配制并五苯(TIPS-pentacene)的甲苯溶液，浓度为1.5mg/ml；
1.2.2“三明治”结构体系的毛细力印刷方法：将5μl溶液滴加在实施例一所制备的光刻胶模板上，将OTS(十八烷基三氯硅烷)修饰的二氧化硅片基底覆盖在光刻胶模板顶端，用长尾夹固定，形成三明治结构，在模板诱导和毛细力共同作用下，在目标基底上可直接生成TIPS-pentacene晶体图案化结构。
实验结果：如图3所示，为“三明治”体系生长原理图和实际荧光监测图像，可发现在光刻胶模板诱导下，由于毛细力印刷过程中的退浸润，最终生成规则微米带阵列。如图4所示，为生成的微米带阵列的扫描电子显微镜图像，原子力高度图像及X射线衍射图像，可发现生成的高度规则的并五苯(TIPS-pentacene)微米带阵列具有较薄的厚度(100nm-1um)和高度的结晶性。超薄晶体在探究其材料本身光电性质方面有很大优势。在电学器件如场效应晶体管，超薄晶体在与电极方面有更好的接触，使得电子/空穴在传输过程中有更小的损耗，使得器件性能有较大的提升。
实施例3
在实施例2基础上，调节溶液浓度，可得到尺寸可调的并五苯(TIPS-pentacene)微米带阵列。
1.2有机小分子晶体的图案化生长：
1.2.1配制并五(TIPS-pentacene)的甲苯溶液，浓度为0.3-1.5mg/ml；
1.2.2“三明治”结构体系的毛细力印刷方法：将5μl溶液滴加在实施例一所制备的光刻胶模板上，将OTS(十八烷基三氯硅烷)修饰的二氧化硅片基底覆盖在光刻胶模板顶端，用长尾夹固定，形成三明治结构，在模板诱导和毛细力共同作用下，在目标基底上可直接生成TIPS-pentacene晶体图案化结构。
实验结果：如图5所示，调节反应液生长浓度，可以得到尺寸可调的微米带阵列，宽度为1.2-2.5μm，高度为55-133nm。
实施例4
在实施例2基础上，构筑电极，组装成集成的场效应晶体管。
1.2有机小分子晶体的图案化生长：
1.2.1配制并五苯(TIPS-pentacene)的甲苯溶液，浓度为1.5mg/ml；
1.2.2“三明治”结构体系的毛细力印刷方法：将5μl溶液滴加在实施例一所制备的光刻胶模板上，将OTS(十八烷基三氯硅烷)修饰的二氧化硅片基底覆盖在光刻胶模板顶端，用长尾夹固定，形成三明治结构，在模板诱导和毛细力共同作用下，在目标基底上可直接生成TIPS-pentacene晶体图案化结构。
1.3构筑电子器件：
在OTS修饰的二氧化硅片的特征基底上，用“三明治”结构体系的毛细力印刷方法生长出并五苯(TIPS-pentacene)晶体图案化阵列，利用蒸镀技术在特定区域覆盖电极，电极厚度为100nm，制备所需的场效应晶体管。
实验结果：如图6a所示，为基于微米带的场效应晶体管示意图，掩模蒸镀金电极构成源极和漏极，底部为重掺杂的硅基底作为栅极。如图6b所示，为微米带的场效应晶体管的电荷转移曲线图像，经计算可以得到迁移率为6.5cm2V-1s-1。
实施例5
该方法可以推广到其他小分子的图案化结晶生长上。
按照技术方案1.1所述进行光刻胶模板的制备方法：
1.1光刻胶模板的制备：
1.1.1旋涂：在洁净的硅片(用标准RCA方法清洗)上用匀胶机旋涂一层SU-8 2015光刻胶，匀胶速度为4000rpm，光刻胶层厚度为12μm；
1.1.2前烘：在烤胶机上对其进行前烘处理，使得光刻胶热固化，烘烤温度为95℃，烘烤时间为3min；
1.1.3紫外曝光：用紫外光刻机透过掩模板对准光刻胶薄膜进行曝光，控制曝光剂量，曝光剂量为150mJ/cm2；
1.1.4后烘：在烤胶机上对其进行后烘处理，使其图案化结构成型，烘烤温度为95℃，烘烤时间为4min；
1.1.5显影：用光刻胶显影液PGMEA在显影槽中进行显影，注意保持显影液的流动，控制显影时间为2min；
1.1.6清洗干燥：去离子水中清洗5s，用洁净的压缩空气进行吹干；
1.1.7在使用前，进行充分的紫外曝光以使光刻胶内部分子充分的交联固化，提高其化学稳定性，曝光剂量为18000mJ/cm2。
按照技术方案1.2所述进行小分子图案化的生长：
1.2有机小分子晶体的图案化生长：
1.2.1配制红荧烯的甲苯溶液，浓度为5mg/ml；
1.2.2“三明治”结构体系的毛细力印刷方法：将8μl溶液滴加在1.1所制备的光刻胶模板上，将玻璃片基底覆盖在光刻胶模板顶端，用长尾夹固定，形成三明治结构，在模板诱导和毛细力共同作用下，在目标基底上可直接生成红荧烯晶体图案化结构。
实验结果：如图7所示，为生成的红荧烯微米带阵列的扫描电子显微镜图像，可发现生成了高度规则的红荧烯阵列。再次证明了基于光刻胶模板和“三明治”生长体系进行有机小分子晶体图案化生长的普适性。
最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应该理解，对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，都不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (9)
1.一种有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
1)用紫外光刻法制备基于光刻胶的弹性图案化模板；
2)以基于光刻胶的弹性图案化模板为诱导模板，以目标基底为盖板，配制有机小分子晶体的水溶液或有机溶液，用基于“三明治”结构体系的毛细力印刷方法，制备有机小分子晶体图案化阵列。
2.根据权利要求1所述的有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤1)用紫外光刻法制备基于光刻胶的弹性图案化模板具体包括下述步骤：
a)旋涂：在洁净的硅片上用匀胶机旋涂一层光刻胶，匀胶速度为3000-9000rpm，使光刻胶层厚度为2-12μm；
b)前烘：在烤胶机上对其进行前烘处理，使得光刻胶热固化，烘烤温度为85-95℃，烘烤时间为2-4min；
c)紫外曝光：用紫外光刻机透过掩模板对准光刻胶薄膜进行曝光，控制曝光剂量，曝光剂量为60-500mJ/cm2；
d)后烘：在烤胶机上对其进行后烘处理，使其图案化结构成型，烘烤温度为85-95℃，烘烤时间为3-4min；
e)显影：用光刻胶匹配的显影液在显影槽中进行显影，注意保持显影液的流动，控制显影时间为0.5-5min；
f)清洗干燥：去离子水中清洗5-10s，用洁净的压缩空气或氮气进行吹干；
g)在使用前，进行充分的紫外曝光以使光刻胶内部分子充分的交联固化，提高其化学稳定性，曝光剂量为9000-27000mJ/cm2。
3.根据权利要求2所述的有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，其特征在于，步骤a)所述光刻胶为美国产Microchem SU-8负性光刻胶，型号为2000-2015。
4.根据权利要求2所述的有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，其特征在于，步骤e)所述显影液为MicroChem公司的SU-8专用显影液，或PGMEA溶剂。
5.根据权利要求1所述的有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，其特征在于，步骤1)所得的基于光刻胶的弹性图案化模板具有微米柱阵列，其中，微米柱长200-9000μm，宽2-10μm，高2-12μm，柱间距5-20μm。
6.根据权利要求1所述的有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，其特征在于，所述有机小分子晶体为并五苯、红荧烯、罗丹明B和C8-BTBT中的一种或多种；
有机溶液采用的有机溶剂为甲苯、氯苯、邻二氯苯、乙腈和二氯甲烷中的一种或多种；
水溶液或有机溶液的浓度为0.3-1.5mg/ml。
7.根据权利要求1所述的有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，其特征在于，所述目标基底为玻璃片、硅片、二氧化硅片和十八烷基三氯硅烷修饰的二氧化硅片中的一种。
8.根据权利要求7所述的有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，所述十八烷基三氯硅烷修饰的二氧化硅片的制备方法为：
将清洗干净的二氧化硅片用空气等离子体或氧等离子体轰击3-5min，将15-50μl OTS与等离子体处理过的二氧化硅片同时置于密闭干燥器中，在100-120℃烘烤5-6hr，获得十八烷基三氯硅烷修饰的二氧化硅片。
9.根据权利要求1所述的有机小分子晶体图案化阵列的制备方法，其特征在于，基于“三明治”结构体系的毛细力印刷方法具体为：
将2-20μl有机小分子晶体的水溶液或有机溶液滴加在诱导模板上，将目标基底覆盖在诱导模板顶端，固定形成三明治结构，在诱导模板诱导和毛细力共同作用下，在目标基底上生成有机小分子晶体图案化阵列结构。
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