CN109686394A - Nand Flash Phy参数配置方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种Nand Flash Phy参数配置方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：配置Nand Flash Phy参数的初始值，进行NFC初始化；发送读取Nand Flash ID命令以及读写擦命令；记录读取Nand Flash ID正确以及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤；从所有的已记录Phy参数中根据与所述已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数。本发明基于Nand Flash Phy参数的自学习配置方法，通过遍历每一组Phy参数以及特定的比较方法，提高了Phy参数配置的效率。
Description
技术领域
本发明涉及计算机设备技术领域，特别是涉及一种Nand Flash Phy参数配置方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术
目前，NFC(Nand Flash Controller)是通过Phy(物理层)连接到Nand Flash，但正常对Nand Flash发起操作，还需要配置Phy参数，使得产生的接口时序能够让Nand Flash正常工作并发挥Nand Flash的最大传输速率。
在传统技术中，使用Nand Flash之前配置的Phy参数是通过手动配置参数，寻找最优的配置。在配置Phy参数的方式手动配置后，进行读取Nand Flash id和读写测试，如果Nand Flash id正确、读写数据正确，则判断该Phy参数可以正常使用，这种手动配置以寻找Phy参数的方式效率低下，浪费了大量的人力资源。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种可以实现提高配置效率的NandFlash Phy参数配置方法、装置、计算机设备和存储介质。
一种Nand Flash Phy参数配置方法，所述方法包括：
配置Nand Flash Phy参数的初始值，进行NFC初始化；
发送读取Nand Flash ID命令以及读写擦命令；
记录读取Nand Flash ID正确以及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤；
从所有的已记录Phy参数中根据与所述已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数。
在其中一个实施例中，在所述进行NFC的初始化的步骤之后还包括：
发送读取Nand Flash ID命令；
将读取到的ID与正确值进行比较，判断所述读取到的ID与正确值是否一致；
若所述读取到的ID与正确值一致，则发送对Nand Flash的读写擦命令；
若所述读取到的ID与正确值不一致，则重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
在其中一个实施例中，在所述若所述读取到的ID与正确值一致，则发送对NandFlash的读写擦命令的步骤之后还包括：
获取所述读写擦命令的返回命令；
判断所述返回命令的状态是否为正常；
若所述返回命令的状态为正常，则记录读取Nand Flash ID正确及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
若所述返回命令的状态为失败，则重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
在其中一个实施例中，所述重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤包括：
判断此时的Phy参数是否达到可配置的最大值；
若已经达到最大值，则记录Phy参数配置到最大时的Phy参数以及对应的读写数据错误字节数；
若没有达到最大值，则增加Phy参数的大小重新进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤。
在其中一个实施例中，所述从所有的已记录Phy参数中根据与所述已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数的步骤还包括：
在读写数据错误字节数为0对应的Phy参数中选取最大与最小Phy参数的中间值作为最优Phy参数。
一种Nand Flash Phy参数配置装置，所述装置包括：
初始化模块，所述初始化模块用于配置Nand Flash Phy参数的初始值，进行NFC初始化；
命令发送模块，所述命令发送模块用于发送读取Nand Flash ID命令以及读写擦命令；
参数记录模块，所述参数记录模块用于记录读取Nand Flash ID正确以及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
重新配置模块，所述重新配置模块用于重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化；
参数选择模块，所述配置选择模块用于从所有的已记录Phy参数中根据与所述已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数。
在其中一个实施例中，所述装置还包括第一判断模块，所述第一判断模块用于：
将读取到的ID与正确值进行比较，判断所述读取到的ID与正确值是否一致；
若所述读取到的ID与正确值一致，则发送对Nand Flash的读写擦命令；
若所述读取到的ID与正确值不一致，则重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
在其中一个实施例中，所述装置还包括第二判断模块，所述第二判断模块用于：
获取所述读写擦命令的返回命令；
判断所述返回命令的状态是否为正常；
若所述返回命令的状态为正常，则记录读取Nand Flash ID正确及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
若所述返回命令的状态为失败，则重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任意一项方法的步骤。
一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一项方法的步骤。
上述Nand Flash Phy参数配置方法、装置、计算机设备和存储介质，首先配置NandFlash Phy参数的初始值，进行NFC初始化；发送读取Nand Flash ID命令以及读写擦命令；记录读取Nand Flash ID正确以及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤；从所有的已记录Phy参数中根据与所述已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数。本发明基于Nand Flash Phy参数的自学习配置方法，通过遍历每一组Phy参数以及特定的比较方法，提高了Phy参数配置的效率。
附图说明
图1为传统技术中Nand Flash Phy参数配置的应用环境图；
图2为一个实施例中Nand Flash Phy参数配置方法的流程示意图；
图3为另一个实施例中Nand Flash Phy参数配置方法的流程示意图；
图4为再一个实施例中Nand Flash Phy参数配置方法的流程示意图；
图5为又一个实施例中Nand Flash Phy参数配置方法的流程示意图；
图6为一个实施例中完整的Nand Flash Phy参数配置流程图；
图7为一个实施例中Nand Flash Phy参数配置装置的结构框图；
图8为另一个实施例中Nand Flash Phy参数配置装置的结构框图；
图9为再一个实施例中Nand Flash Phy参数配置装置的结构框图；
图10为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
目前，参考图1，NFC(Nand Flash Controller)是通过Phy(物理层)连接到NandFlash，但正常对Nand Flash发起操作，还需要配置Phy参数，使得产生的接口时序能够让Nand Flash正常工作并发挥Nand Flash的最大传输速率。现在配置Phy参数的方式手动配置后，进行读取Nand Flash id和读写测试，如果Nand Flash id正确、读写数据正确，则判断该Phy参数可以正常使用。这种寻找Phy参数的方式效率低下，因而本发明提出一种NandFlash Phy参数自学习配置方法，以提高配置的效率。
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种Nand Flash Phy参数配置方法，该方法包括：
步骤202，配置Nand Flash Phy参数的初始值，进行NFC初始化；
步骤204，发送读取Nand Flash ID命令以及读写擦命令；
步骤206，记录读取Nand Flash ID正确以及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
步骤208，重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化，并重新执行步骤204和步骤206；
步骤210，从所有的已记录Phy参数中根据与已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数。
具体地，首先，需要配置Nand Flash Phy参数的初始值，对进行NFC初始化。接着，通过发送读取Nand Flash ID命令以及读写擦命令对配置的Phy参数进行比较，判断该Phy参数下读取Nand Flash ID是否正确以及读写擦命令是否可以被正确执行。然后，重新配置Phy参数，对一组Phy参数重复进行上述的遍历步骤。将满足上述条件的Phy参数以及该Phy参数对应的读写数据错误字节数记录下来，可以理解的是，还可以通过图表的形式直观的呈现出来。最后，根据该Phy参数以及该Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数。
在本实施例中，首先配置Nand Flash Phy参数的初始值，进行NFC初始化；发送读取Nand Flash ID命令以及读写擦命令；记录读取Nand Flash ID正确以及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤；从所有的已记录Phy参数中根据与已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数。本实施例基于Nand Flash Phy参数的自学习配置方法，通过遍历每一组Phy参数以及特定的比较方法，提高了Phy参数配置的效率。
在一个实施例中，参考图3，提供了一种Nand Flash Phy参数配置方法，该方法在进行NFC的初始化的步骤之后还包括：
步骤302，发送读取Nand Flash ID命令；
步骤304，将读取到的ID与正确值进行比较，判断读取到的ID与正确值是否一致；若读取到的ID与正确值一致，则执行步骤306；若读取到的ID与正确值不一致，则执行步骤308；
步骤306，发送对Nand Flash的读写擦命令；
步骤308，重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
在本实施例中，需要将读取到的ID与正确值进行比较，该正确值可以从NAND颗粒手册中获取，如果读取到的ID与正确值一致，则继续进行下一步的执行读写擦命令，如果读取到的ID与正确值不一致，则说明当前的Phy参数不合适，需要重新进行配置，通过这种比较方法，可以提高参数的配置的效率以及保证了参数配置的有效稳定性。
在一个实施例中，参考图4，提供了一种Nand Flash Phy参数配置方法，该方法在发送对Nand Flash的读写擦命令的步骤之后还包括：
步骤402，获取读写擦命令的返回命令；
步骤404，判断返回命令的状态是否为正常；若返回命令的状态为正常，则执行步骤406；若返回命令的状态为失败，则执行步骤408；
步骤406，记录读取Nand Flash ID正确及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
步骤408，重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
在本实施例中，需要判断返回命令的状态是否正常，由此来判断当前Phy参数下的读写擦命令是否可以被正确的执行。若当前Phy参数下的读写擦命令不能被正确的执行，则需要重新配置Phy参数。若当前Phy参数下的读写擦命令可以被正确的执行，则同时记录下当前Phy参数以及该读写擦命令被执行时所产生的读写数据错误字节数，以便于选择读写数据错误字节数相对较少的Phy参数作为最终配置的Phy参数。
在一个实施例中，参考图5，提供了一种Nand Flash Phy参数配置方法，该方法重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤包括：
步骤502，判断此时的Phy参数是否达到可配置的最大值；若已经达到最大值，则执行步骤504；若没有达到最大值，则执行步骤506；
步骤504，记录Phy参数配置到最大时的Phy参数以及对应的读写数据错误字节数；
步骤506，增加Phy参数的大小重新进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤。
在一个实施例中，从所有的已记录Phy参数中根据与已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数的步骤还包括：
在读写数据错误字节数为0对应的Phy参数中选取最大与最小Phy参数的中间值作为最优Phy参数。
具体地，参考图6，图6为一个完整的Nand Flash Phy参数配置流程图，包括一下步骤：
步骤1.设定Nand Flash Phy参数初始值，进行NFC的初始化；
步骤2.完成初始化后，发送读取Nand Flash ID命令，将读取到的ID与正确值比较，该正确值可以从颗粒手册中获取，如果读取到的ID正确，则进行步骤3；若读取到的ID错误，则进行步骤5；
步骤3.发送对Nand Flash的读写擦命令，判断返回的命令状态是否正确，如果命令状态正常，则进行步骤4；若命令状态为失败，则进行步骤5；
步骤4.记录读取Nand Flash ID正确及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误bit数；
步骤5.判断此时的Phy参数是否达到可配置的最大值，如果已经是最大值，则进行步骤7；如果不是最大值，则进行步骤6；
步骤6.增加Phy参数，一般使用参数值加1，然后进行NFC初始化，然后进行步骤2；
步骤7.记录Phy参数配置到最大时的Phy参数和对应的读写数据错误bit数；
步骤8.根据以下策略选取最优Phy参数：在读写数据错误bit数为0对应的Phy参数中选取最大与最小Phy参数的中间值。
步骤9.结束。
在本实施例中，不仅实现了提高了参数的配置效率，此外，还通过策略选取最优Phy参数，实现了提高配置Phy参数的有效性和稳定性。
应该理解的是，虽然图2-6的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图2-6中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中，如图7所示，提供了一种Nand Flash Phy参数配置装置700，该装置包括：
初始化模块701，用于配置Nand Flash Phy参数的初始值，进行NFC初始化；
命令发送模块702，用于发送读取Nand Flash ID命令以及读写擦命令；
参数记录模块703，用于记录读取Nand Flash ID正确以及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
重新配置模块704，用于重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化；
参数选择模块705，用于从所有的已记录Phy参数中根据与已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数。
在一个实施例中，如图8所示，提供了一种Nand Flash Phy参数配置装置700，该装置还包括第一判断模块706用于：
将读取到的ID与正确值进行比较，判断读取到的ID与正确值是否一致；
若读取到的ID与正确值一致，则发送对Nand Flash的读写擦命令；
若读取到的ID与正确值不一致，则重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
在一个实施例中，如图9所示，提供了一种Nand Flash Phy参数配置装置700，该装置还包括第二判断模块707用于：
获取读写擦命令的返回命令；
判断返回命令的状态；
若返回命令的状态为正常，则记录读取Nand Flash ID正确及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
若返回命令的状态为失败，则重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
在一个实施例中，重新配置模块704还用于：
判断此时的Phy参数是否达到可配置的最大值；
若已经达到最大值，则记录Phy参数配置到最大时的Phy参数以及对应的读写数据错误字节数；
若没有达到最大值，则增加Phy参数的大小重新进行NFC初始化。
在一个实施例中，参数选择模块705还用于：
在读写数据错误字节数为0对应的Phy参数中选取最大与最小Phy参数的中间值作为最优Phy参数。
关于Nand Flash Phy参数配置装置700的具体限定可以参见上文中对于NandFlash Phy参数配置方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，其内部结构图可以如图10所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器以及网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种Nand Flash Phy参数配置方法。
本领域技术人员可以理解，图10中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现以上各个方法实施例中的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以上各个方法实施例中的步骤。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种Nand Flash Phy参数配置方法，所述方法包括：
配置Nand Flash Phy参数的初始值，进行NFC初始化；
发送读取Nand Flash ID命令以及读写擦命令；
记录读取Nand Flash ID正确以及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤；
从所有的已记录Phy参数中根据与所述已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数。
2.根据权利要求1所述的Nand Flash Phy参数配置方法，其特征在于，在所述进行NFC的初始化的步骤之后还包括：
发送读取Nand Flash ID命令；
将读取到的ID与正确值进行比较，判断所述读取到的ID与正确值是否一致；
若所述读取到的ID与正确值一致，则发送对Nand Flash的读写擦命令；
若所述读取到的ID与正确值不一致，则重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
3.根据权利要求2所述的Nand Flash Phy参数配置方法，其特征在于，在所述若所述读取到的ID与正确值一致，则发送对Nand Flash的读写擦命令的步骤之后还包括：
获取所述读写擦命令的返回命令；
判断所述返回命令的状态是否为正常；
若所述返回命令的状态为正常，则记录读取Nand Flash ID正确及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
若所述返回命令的状态为失败，则重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
4.根据权利要求3所述的Nand Flash Phy参数配置方法，其特征在于，所述重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤包括：
判断此时的Phy参数是否达到可配置的最大值；
若已经达到最大值，则记录Phy参数配置到最大时的Phy参数以及对应的读写数据错误字节数；
若没有达到最大值，则增加Phy参数的大小重新进行NFC初始化，并重新执行上述发送以及记录的步骤。
5.根据权利要求1-4任一项所述的Nand Flash Phy参数配置方法，其特征在于，所述从所有的已记录Phy参数中根据与所述已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数的步骤还包括：
在读写数据错误字节数为0对应的Phy参数中选取最大与最小Phy参数的中间值作为最优Phy参数。
6.一种Nand Flash Phy参数配置装置，其特征在于，所述装置包括：
初始化模块，所述初始化模块用于配置Nand Flash Phy参数的初始值，进行NFC初始化；
命令发送模块，所述命令发送模块用于发送读取Nand Flash ID命令以及读写擦命令；
参数记录模块，所述参数记录模块用于记录读取Nand Flash ID正确以及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
重新配置模块，所述重新配置模块用于重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化；
参数选择模块，所述配置选择模块用于从所有的已记录Phy参数中根据与所述已记录Phy参数对应的读写数据错误字节数选择最终配置的Phy参数。
7.根据权利要求6所述的Nand Flash Phy参数配置装置，其特征在于，所述装置还包括第一判断模块，所述第一判断模块用于：
将读取到的ID与正确值进行比较，判断所述读取到的ID与正确值是否一致；
若所述读取到的ID与正确值一致，则发送对Nand Flash的读写擦命令；
若所述读取到的ID与正确值不一致，则重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
8.根据权利要求7所述的Nand Flash Phy参数配置装置，其特征在于，所述装置还包括第二判断模块，所述第二判断模块用于：
获取所述读写擦命令的返回命令；
判断所述返回命令的状态是否为正常；
若所述返回命令的状态为正常，则记录读取Nand Flash ID正确及读写擦命令正确执行时的Phy参数和对应的读写数据错误字节数；
若所述返回命令的状态为失败，则重新配置Nand Flash Phy参数进行NFC初始化。
9.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至5中任一项所述方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至5中任一项所述的方法的步骤。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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