CN109666476A - 量子点、量子点发光二极管和量子点显示装置 - Google Patents

量子点、量子点发光二极管和量子点显示装置 Download PDF

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Abstract

公开一种量子点、量子点发光二极管和量子点显示装置。所述量子点包括：包括第一半导体材料的第一核；第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且包括第二半导体材料；和第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且包括所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的其中之一以及掺杂金属。

Description

量子点、量子点发光二极管和量子点显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月16日提交的韩国专利申请No.10-2017-0133837的优先权和权益，在此通过引用将该专利申请的全部内容并入本申请中。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种量子点，更特别地，涉及一种能够发射白色光的量子点、以及包括量子点的量子点发光二极管和量子点显示装置。
背景技术
近来，随着社会正式进入信息时代，将各种各样的电信号呈现为视觉图像的显示装置领域得到快速发展。例如，已提出了诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置和有机发光二极管(OLED)装置之类的平板显示装置。
另一方面，已探索或研究将量子点(QD)用于显示装置。
在QD中，非稳态的电子从导带跃迁至价带，从而发光。由于QD具有高消光系数和出色的量子产率，所以从QD发射很强的荧光。此外，由于来自QD的光的波长受QD的尺寸控制，所以可通过控制QD的尺寸发射整个可见光。
图1是图解相关技术的QD的示意图。
如图1中所示，QD 1包括核10和壳(shell)20。一般来说，硒化镉(CdSe)广泛用于核10。包括CdSe核10的QD 1在色纯度方面具有优点。
发明内容
因此，本发明的实施方式旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题并且具有其他优点的QD、包括QD的QD发光二极管和QD显示装置。
在下面的描述中将阐述本发明的附加特征和优点，这些特征和优点的一部分通过该描述将是显而易见的，或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求以书及附图中具体指出的结构将实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
实施方式涉及一种量子点，包括：包括第一半导体材料的第一核；第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且包括第二半导体材料；和第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且包括所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的其中之一以及掺杂金属。
实施方式还涉及一种量子点，包括：具有第一能带隙的第一核；第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且具有大于所述第一能带隙的第二能带隙；和第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且具有小于所述第一能带隙的第三能带隙。
实施方式还涉及一种量子点发光二极管，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括量子点，所述量子点包括：包括第一半导体材料的第一核；第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且包括第二半导体材料；和第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且包括所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的其中之一以及掺杂金属。
实施方式还涉及一种量子点发光二极管，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括量子点，所述量子点包括：具有第一能带隙的第一核；第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且具有大于所述第一能带隙的第二能带隙；和第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且具有小于所述第一能带隙的第三能带隙。
实施方式还涉及一种量子点显示装置，包括基板、量子点发光二极管以及薄膜晶体管，所述量子点发光二极管包括：第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括量子点，所述量子点包括：包括第一半导体材料的第一核；第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且包括第二半导体材料；和第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且包括所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的其中之一以及掺杂金属，所述薄膜晶体管位于所述基板与所述量子点发光二极管之间并且连接至所述第一电极。
实施方式还涉及一种量子点显示装置，包括基板、量子点发光二极管以及薄膜晶体管，所述量子点发光二极管包括：第一电极、面对所述第一电极的第二电极、和发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括量子点，所述量子点包括：具有第一能带隙的第一核；第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且具有大于所述第一能带隙的第二能带隙；和第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且具有小于所述第一能带隙的第三能带隙，所述薄膜晶体管位于所述基板与所述量子点发光二极管之间并且连接至所述第一电极。
应当理解，前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来给本发明提供进一步理解并且并入本申请中组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是图解相关技术的QD的示意图。
图2是图解根据本发明的QD的示意图。
图3是解释QD中的能带隙的示图。
图4是图解根据本发明的QD显示装置的示意图。
图5是图解根据本发明的QD发光二极管的示意图。
图6A至6C是显示基于QD中掺杂金属的重量比，发光峰值的图表。
具体实施方式
提供全色图像的白色有机发光二极管(W-OLED)显示装置包括发射白色光的发光二极管和滤色器。由于相关技术的QD发射单波长光，所以当相关技术的QD用于白色QD发光二极管(W-QLED)显示装置时，需要红色QD的发光叠层、绿色QD的发光叠层和蓝色QD的发光叠层的全部。
提供了双向发光型(dual-emission type)的新颖QD。
现在将详细参考本发明的实施方式，附图中示出了这些实施方式的示例。
图2是图解根据本发明的QD的示意图，图3是解释QD中的能带隙的示图。
参照图2，根据本发明的QD 100包括第一核(内核)110、覆盖(或包围)第一核110的第二核(外核)120、覆盖第二核120的第一壳(内壳)130、以及覆盖第一壳130的第二壳(或外壳)140。就是说，第一核110位于QD 100的中心，第一壳130位于第一核110的外侧。第二核120位于第一核110与第一壳130之间，第二壳140位于第一壳130的外侧，使得第一壳130位于第二核120与第二壳140之间。
QD 100可进一步包括结合在第二壳140的外表面处的配体(ligand)(未示出)。然而，可省略配体。
第一核110包括第一半导体材料，第一壳130包括第二半导体材料。第二核120包括第一半导体材料或第二半导体材料以及对半导体材料进行掺杂的掺杂金属。
第二核120的掺杂金属具有大约1.95到2.75eV的能带隙。例如，周期表中的VII族金属、XI族金属、XII族金属和XIII族金属中的至少一种可用作掺杂金属。掺杂金属可以是Al、Mn、Cu、Ga和In中的至少之一。
例如，第一核110可包括ZnSe；第一壳130可包括ZnSeS；第二核120可包括被掺杂金属(M)掺杂的ZnSe即M:ZnSe，或者被掺杂金属(M)掺杂的ZnSeS即M:ZnSeS。
第二壳140可包括诸如ZnS之类的第三半导体材料。通过第二壳140增加QD 100的发光效率(量子效率)。可省略第二壳140。
参照图3，第一核110具有第一能带隙“BG1”，第一壳130具有大于第一核110的第二能带隙“BG2”。就是说，第二能带隙“BG2”大于第一能带隙“BG1”。因此，从第一核110发射蓝色光。
第二核120具有小于第一核110的第三能带隙“BG3”。就是说，第三能带隙“BG3”小于第一能带隙“BG1”。因此，能量从第一核110转移到第二核120中，使得从第二核120发射黄色光。换句话说，在第二核120中部分地吸收来自第一核110的蓝色光，使得第二核120发射黄色光。
例如，第一核110可包括ZnSe并且具有大约3.0到3.66eV的能带隙，第二核120可包括Al:ZnSeS(Al掺杂比例：大约4wt％)并且具有大约2.35到3.0eV的能带隙。
就是说，在本发明的QD中，来自第一核110的蓝色光和来自第二核120的黄色光进行混合，使得从QD 100提供(或发射)白色光。
第二壳140具有大于第一壳130的第二能带隙“BG2”的第四能带隙“BG4”，从而提高QD 100的量子效率。如上所述，可省略第二壳140。
在本发明的QD 100中，由于向第二核120中掺杂能够降低能带隙的掺杂金属，所以QD 100发射白色光。
当掺杂金属掺杂到第一核110或者掺杂到第一核110和第二核120这两者中时，QD仅发射黄色光而不发射蓝色光。此外，在没有掺杂金属的情况下，QD仅发射蓝色光而不发射黄色光。
就是说，如本发明中所述，为了从单个QD 100提供白色光，QD 100应当在第一核110的外侧包括第二核120，在第二核120中应当掺杂有掺杂金属，以使其具有低于第一核110的能带隙。
QD的合成
醋酸锌(0.073g，0.4mmol)、油酸(0.237g,0.82mmol)和Se(0.064g，0.8mmol)以及十八烯(26ml)放置到三颈烧瓶中并在120℃的温度和真空条件下加热2小时。
在N2条件下，将混合物在300℃的温度下加热1小时并冷却到室温。接下来，添加Alolate(盐醇或酚衍生的阴离子的命名)(0.034g，0.04mmol)，并将混合物搅拌20分钟。
添加Zn olate(0.75g，1.2mmol)和1M TBP-S(1.2ml)。将混合物在280℃的温度下加热1小时并冷却到室温。(TBP＝磷酸三丁酯)
添加醋酸锌(2.21g，1.2mmol)和十二硫醇(0.5ml，2.8mmol)。在N2条件下，将混合物在230℃的温度下加热2小时并冷却到室温。
在将混合物分散在甲苯(5ml)之后，添加丙酮(40ml)。通过4次离心，获得ZnSe/Al:ZnSeS/ZnSeS/ZnS的QD。
图4是图解根据本发明的QD显示装置的示意图，图5是图解根据本发明的QD发光二极管的示意图。
如图4中所示，本发明的QD显示装置200包括第一基板210、位于第一基板210上或上方的驱动元件Tr、以及连接至驱动元件Tr的QD发光二极管D。
半导体层222形成在第一基板210上。半导体层222可包括氧化物半导体材料或多晶硅。
当半导体层222包括氧化物半导体材料时，可在半导体层222的下方形成遮光图案(未示出)。到达半导体层222的光被遮光图案遮蔽或阻挡，使得可防止半导体层222的热退化。另一方面，当半导体层222包括多晶硅时，可向半导体层222的两侧掺入杂质。
栅极绝缘层224形成在半导体层222上。栅极绝缘层224可由诸如硅氧化物或硅氮化物之类的无机绝缘材料形成。
由导电材料例如金属形成的栅极230形成在栅极绝缘层224上并对应于半导体层222的中央。
由绝缘材料形成的层间绝缘层232形成在包括栅极230的第一基板210的整个表面上。层间绝缘层232可由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物，或者有机绝缘材料例如苯并环丁烯或光学压克力(photo-acryl)形成。
层间绝缘层232包括暴露半导体层222的两侧的第一接触孔234和第二接触孔236。第一接触孔234和第二接触孔236位于栅极230的两侧并与栅极230分隔开。
由导电材料例如金属形成的源极240和漏极242形成在层间绝缘层232上。
源极240和漏极242相对于栅极230彼此分隔开并且经由第一接触孔234和第二接触孔236分别接触半导体层222的两侧。
半导体层222、栅极230、源极240和漏极242构成作为驱动元件Tr的TFT。
在图4中，栅极230、源极240和漏极242位于半导体层222的上方。就是说，TFT Tr具有共面结构(coplanar structure)。
可选地，在TFT Tr中，栅极可位于半导体层的下方，并且源极和漏极可位于半导体层的上方，使得TFT Tr可具有反向交错结构(inverted staggered structure)。在这种情形中，半导体层可包括非晶硅。
尽管未示出，但栅极线和数据线设置在第一基板210上或上方并且彼此交叉以限定像素区域。此外，与栅极线和数据线电连接的开关元件可设置在第一基板210上。开关元件电连接至作为驱动元件的TFT Tr。
此外，与栅极线或数据线平行且与间隔开的电源线可形成在第一基板210上或上方。此外，用于在一帧期间保持TFT Tr的栅极230的电压的存储电容器可进一步形成在第一基板210上。
包括暴露TFT Tr的漏极242的漏极接触孔252的钝化层250形成为覆盖TFT Tr。
经由漏极接触孔252与TFT Tr的漏极242连接的第一电极260分离地形成在每个像素区域中。第一电极260可以是阳极并且可由具有相对较高功函数的导电材料形成。例如，第一电极260可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料形成。
当QD显示装置200以顶部发光型进行操作时，可在第一电极260的下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可由铝-钯-铜(APC)合金形成。
包括QD 100的发光层262形成在第一电极260上，第二电极264形成在包括发光层262的第一基板210的上方。第二电极264覆盖显示区域的整个表面，第二电极264可由具有相对较低功函数的导电材料形成以充当阴极。例如，第二电极264可由铝(Al)、镁(Mg)或Al-Mg合金形成。
第一电极260、发光层262和第二电极264构成QD发光二极管D。
第二基板270设置在QD发光二极管D的上方以面对第一基板210。此外，滤色器280形成在第二基板270的内侧上。就是说，滤色器280位于QD发光二极管D与第二基板270之间。
可选地，滤色器280可位于第一基板210与QD发光二极管D之间。
就是说，根据QD发光二极管D是顶部发光型还是底部发光型来确定滤色器280的位置。
此外，尽管未示出，但封装层可进一步形成在QD发光二极管D与滤色器280之间以覆盖QD发光二极管D。例如，可通过封装层阻挡湿气渗透到QD发光二极管D中。
参照图5，发光层262包括位于第一电极260与第二电极264之间的发光材料层(EML)295。EML 295包括QD 100。
此外，发光层262可进一步包括位于第一电极260与EML 295之间的空穴传输层(HTL)293、位于第一电极260与HTL之间的空穴注入层(HIL)291、位于EML 295与第二电极264之间的电子传输层(ETL)297、以及位于ETL 297与第二电极264之间的电子注入层(EIL)299。
发光层262覆盖显示区域的整个表面。
参照图2，QD 100包括第一核110、覆盖第一核110的第二核120以及覆盖第二核120的第一壳130，并且将掺杂金属掺杂到第二核120中，使得第二核120具有小于第一核110的能带隙。因此，QD 100可通过来自第一核110的蓝色光和来自第二核120的黄色光提供白色光。
在本发明中，通过使用QD 100提供具有单个发光层的白色QD发光二极管(W-QLED)，并且通过使用滤色器提供用来提供彩色图像的QD显示装置200。
在相关技术的发光二极管中，W-QLED可设置有蓝色发光叠层和黄色发光叠层的至少两个发光叠层。因此，显示装置的生产成本和厚度增加。
然而，由于本发明的QD显示装置200包括QD 100，QD 100通过使用来自第一核110的蓝色光和来自第二核120的黄色光提供白色光，所以W-QLED型QD显示装置200设置有单个发光叠层。
因此，在QD发光二极管和QD显示装置的生产成本和厚度方面具有优点。
QD发光二极管
按顺序形成表1中的阳极、HIL、HTL、EML、ETL和阴极，以形成QD发光二极管。(PEDOT：聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸，TFB：聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4’-(N-(4-仲-丁苯基)二苯胺)])
表1
QD发光二极管中使用的QD具有ZnSe/Al:ZnSeS/ZnSeS/ZnS的结构。在改变第二核中Al的掺杂比例的情况下测量QD发光二极管的特性，在表2中列出了这些特性。图6A至6C中显示了基于波长的电致发光强度(EL强度)。在表2中，Al的重量百分比是在QD的合成中Al的供应比例。
表2
在参考例Ref中使用未掺杂Al的QD，在实例1和2(Ex1和Ex2)中使用掺杂Al的QD。例如，当如实例1那样，Al的供应比例是大约10重量百分比时，Al在第二核中具有大约4的重量百分比。
如表2和图6A中所示，使用未掺杂Al的QD的QD发光二极管发射蓝色光。
另一方面，如表2及图6B和6C中所示，使用具有被掺杂Al的第二核的QD的QD发光二极管发射白色光。然而，随着Al的掺杂比例增加，QD的发光效率降低并产生光的偏黄问题。
当考虑色纯度和发光效率时，优选的是第二核120中Al的重量百分比可大约是2到10。然而，不限于此。
如图6B和6C中所示，从第一核110发射第一波长光(即，蓝色光)，并且从第二核120发射第二波长光(即，黄色光)。通过掺杂到第二核120中的金属的量来控制或确定第一波长光和第二波长光的每一个的强度。换句话说，第一波长光和第二波长光的每一个的强度取决于掺杂到第二核120中的金属的掺杂比例。
就是说，如图6B中所示，当以第一掺杂比例(或掺杂量)掺杂金属时，第一波长光具有第一强度并且第二波长光具有小于第一强度的第二强度。另一方面，如图6C中所示，当以大于第一掺杂比例的第二掺杂比例掺杂金属时，第一波长光具有第三强度并且第二波长光具有大于第三强度的第四强度。
换句话说，第二核的能带隙根据第二核中金属的掺杂比例而变化，并且来自第一核的第一波长光和来自第二核的第二波长光的每一个的强度根据第二核中金属的掺杂比例而变化。
如上所述，QD 100包括第一核110、覆盖第一核110的第二核120以及覆盖第二核120的第一壳130，并且掺杂金属掺杂到第二核120中，使得第二核120具有小于第一核110的能带隙。因此，QD 100可通过来自第一核110的蓝色光和来自第二核120的黄色光提供白色光。
此外，通过使用QD 100，提供了具有低制造成本和简单结构的白色QD发光二极管D和QD显示装置200。
在不背离本发明的精神或范围的情况下，能够在本发明的实施方式中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因而，本发明旨在涵盖落入所附利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (30)

1.一种量子点，包括：
包括第一半导体材料的第一核；
第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且包括第二半导体材料；和
第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且包括所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的其中之一以及掺杂金属。
2.根据权利要求1所述的量子点，其中所述第一半导体材料是ZnSe，所述第二半导体材料是ZnSeS。
3.根据权利要求1所述的量子点，其中所述掺杂金属是VII族金属、XI族金属、XII族金属和XIII族金属中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的量子点，其中所述掺杂金属是Al、Mn、Cu、Ga和In的其中之一。
5.根据权利要求1所述的量子点，还包括第二壳，所述第二壳位于所述第一壳的外侧并且包括第三半导体材料。
6.根据权利要求5所述的量子点，其中所述第三半导体材料是ZnS。
7.根据权利要求1所述的量子点，其中来自所述第一核的光的强度和来自所述第二核的光的强度取决于所述掺杂金属的掺杂比例。
8.根据权利要求1所述的量子点，其中从所述第一核发射具有第一波长的第一波长光，并且从所述第二核发射具有大于所述第一波长的第二波长的第二波长光，
其中在所述掺杂金属在所述第二核中具有第一掺杂比例时，所述第一波长光具有第一强度，所述第二波长光具有小于所述第一强度的第二强度，并且
其中在所述掺杂金属在所述第二核中具有大于所述第一掺杂比例的第二掺杂比例时，所述第一波长光具有第三强度，所述第二波长光具有大于所述第三强度的第四强度。
9.一种量子点，包括：
具有第一能带隙的第一核；
第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且具有大于所述第一能带隙的第二能带隙；和
第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且具有小于所述第一能带隙的第三能带隙。
10.根据权利要求9所述的量子点，其中所述第一核包括ZnSe，所述第一壳包括ZnSeS，并且所述第二核包括掺杂Al的ZnSeS。
11.根据权利要求9所述的量子点，其中从所述第一核发射具有第一波长的第一波长光，并且从所述第二核发射具有大于所述第一波长的第二波长的第二波长光。
12.根据权利要求9所述的量子点，还包括第二壳，所述第二壳位于所述第一壳的外侧并且具有大于所述第二能带隙的第四能带隙。
13.根据权利要求10所述的量子点，其中第二核中Al的重量百分比为2到10。
14.一种量子点，包括：
第一核；
第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧；和
第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间，并且掺杂有掺杂金属以使所述第二核具有低于所述第一核的能带隙。
15.根据权利要求14所述的量子点，还包括第二壳，所述第二壳位于所述第一壳的外侧，并且所述第二壳具有大于所述第一壳的能带隙。
16.一种量子点发光二极管，包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；和
发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括量子点，所述量子点包括：
包括第一半导体材料的第一核；
第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且包括第二半导体材料；和
第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且包括所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的其中之一以及掺杂金属。
17.根据权利要求16所述的量子点发光二极管，其中所述第一半导体材料是ZnSe，所述第二半导体材料是ZnSeS，并且其中所述掺杂金属是Al、Mn、Cu、Ga和In的其中之一。
18.一种量子点发光二极管，包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；和
发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括量子点，所述量子点包括：
具有第一能带隙的第一核；
第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且具有大于所述第一能带隙的第二能带隙；和
第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且具有小于所述第一能带隙的第三能带隙。
19.根据权利要求18所述的量子点发光二极管，其中所述第一核包括ZnSe，所述第一壳包括ZnSeS，并且所述第二核包括掺杂Al的ZnSeS。
20.一种量子点发光二极管，包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；和
发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括量子点，所述量子点包括：
第一核；
第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧；和
第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间，并且掺杂有掺杂金属以使所述第二核具有低于所述第一核的能带隙。
21.根据权利要求20所述的量子点发光二极管，其中所述量子点还包括第二壳，所述第二壳位于所述第一壳的外侧，并且所述第二壳具有大于所述第一壳的能带隙。
22.一种量子点显示装置，包括：
基板；
量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括：第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括量子点，所述量子点包括：包括第一半导体材料的第一核；第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且包括第二半导体材料；和第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且包括所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的其中之一以及掺杂金属；以及
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述基板与所述量子点发光二极管之间并且连接至所述第一电极。
23.根据权利要求22所述的量子点显示装置，还包括滤色器，所述滤色器位于所述基板与所述量子点发光二极管之间或者位于所述量子点发光二极管的上方。
24.根据权利要求23所述的量子点显示装置，还包括封装层，所述封装层设置在所述量子点发光二极管与所述滤色器之间以覆盖所述量子点发光二极管。
25.一种量子点显示装置，包括：
基板；
量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括：第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括量子点，所述量子点包括：具有第一能带隙的第一核；第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧并且具有大于所述第一能带隙的第二能带隙；和第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间并且具有小于所述第一能带隙的第三能带隙；以及
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述基板与所述量子点发光二极管之间并且连接至所述第一电极。
26.根据权利要求25所述的量子点显示装置，还包括滤色器，所述滤色器位于所述基板与所述量子点发光二极管之间或者位于所述量子点发光二极管的上方。
27.根据权利要求26所述的量子点显示装置，还包括封装层，所述封装层形成在所述量子点发光二极管与所述滤色器之间以覆盖所述量子点发光二极管。
28.一种量子点显示装置，包括：
基板；
量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括：第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括量子点，所述量子点包括：第一核；第一壳，所述第一壳位于所述第一核的外侧；和第二核，所述第二核位于所述第一核与所述第一壳之间，并且掺杂有掺杂金属以使所述第二核具有低于所述第一核的能带隙；以及
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述基板与所述量子点发光二极管之间并且连接至所述第一电极。
29.根据权利要求28所述的量子点显示装置，还包括滤色器，所述滤色器位于所述基板与所述量子点发光二极管之间或者位于所述量子点发光二极管的上方。
30.根据权利要求29所述的量子点显示装置，还包括封装层，所述封装层形成在所述量子点发光二极管与所述滤色器之间以覆盖所述量子点发光二极管。
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