CN109637764A - 高精度高可靠多层低阻热敏芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高精度高可靠多层低阻热敏芯片,其包括陶瓷体、设于陶瓷体顶面的表面电极、设于陶瓷体底面的底面电极、以及设于陶瓷体内部的N个电极层,N为大于或等于2的偶数;所述陶瓷体由N+1个陶瓷层层叠组成,且每相邻两个陶瓷层之间设置一个电极层,所述陶瓷体内部的一侧开设有贯穿1号至N号陶瓷层的第一孔,另一侧开设有贯穿2号至N+1号陶瓷层的第二孔,所述第一孔内填充有第一孔电极,所述第二孔内填充有第二孔电极。本发明还涉及所述高精度高可靠多层低阻热敏芯片的制作方法。本发明所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片能够同时实现小尺寸、低阻值和高B值。
Description
技术领域
本发明涉及电子元件技术领域,特别是涉及一种高精度高可靠多层低阻热敏芯片及其制作方法。
背景技术
如图1所示,传统热敏电阻芯片为三层式结构,包括瓷体1’和分别设于所述瓷体1’两表面上的金属电极2’,所述金属电极2’通常为银电极。如图2所示,传统热敏电阻芯片的制备工艺为:陶瓷粉料制备→烧结陶瓷锭→切片→印刷金属电极→烧结金属电极。
传统三层式结构的热敏电阻芯片产品,往往会由于其瓷体材料本身固有的电阻率和B值而无法在控制芯片尺寸大小的条件下实现低阻值高B值的目的,往往低阻值高B值的产品其芯片尺寸会非常大,无法用于一些微电路、小型化生产当中,同时过大的芯片体积带来了响应速度变慢的缺点,造成产品测量灵敏度下降的问题。
发明内容
基于此,本发明的目的在于,提供一种高精度高可靠多层低阻热敏芯片,其能够同时实现小尺寸、低阻值和高B值。
本发明采取的技术方案如下:
一种高精度高可靠多层低阻热敏芯片,包括陶瓷体、设于陶瓷体顶面的表面电极、设于陶瓷体底面的底面电极、以及设于陶瓷体内部的N个电极层,N为大于或等于2的偶数;
所述陶瓷体由N+1个陶瓷层层叠组成,所述N+1个陶瓷层从上至下依序编号为1号至N+1号,且每相邻两个陶瓷层之间设置一个电极层,所述N个电极层从上至下依序编号为1号至N号;
所述陶瓷体内部的一侧开设有贯穿1号至N号陶瓷层的第一孔,另一侧开设有贯穿2号至N+1号陶瓷层的第二孔,所述第一孔内填充有第一孔电极,所述第一孔电极分别连接编号为奇数的电极层与所述表面电极,所述第二孔内填充有第二孔电极,所述第二孔电极分别连接编号为偶数的电极层与所述底面电极。
本发明在芯片内部设计为陶瓷层与电极层交错层叠的结构,使热敏芯片成为类似于多个厚度极薄的芯片并联的结构,而根据电阻率ρ=(面积*阻值)/厚度,由于多层芯片并联后的等效面积增大而厚度减小,所以在电阻率不变的情况下,该热敏芯片的阻值将会大大减少。
与阻值相同的传统三层式结构的热敏芯片比较,本发明所述热敏芯片的尺寸更小,更适用于微小电路和邦定工艺,更有利于电子产品的微小型化,而且由于体积小,本发明所述热敏芯片对温度的响应速度更快,测温灵敏度更高。
本发明所述热敏芯片可简单等效为多个厚度极薄的芯片并联在一起,其整体表现为一个面积非常大、厚度非常薄的芯片,由此本发明解决了在实际生产中难以同时得到尺寸非常小,电阻值小且B值很大的热敏芯片的技术问题。
进一步地,N等于4。
进一步地,所述陶瓷层的厚度为20-30微米。
进一步地,所述陶瓷体采用NTC热敏陶瓷。
进一步地,所述表面电极、底面电极、各电极层、第一孔电极和第二孔电极都采用同一种金属。
本发明的另一目的在于,提供上述任一项所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片的制作方法,所述制作方法包括如下步骤:
S1:采用流延法将陶瓷浆料制成N+1个生瓷片,所述N+1个生瓷片分别编号为1号至N+1号,并在每个生瓷片上划分出多个相同的区域单元;
S2:分别对步骤S1得到的N+1个生瓷片进行打孔处理;
S3:利用电极浆料分别对步骤S2打孔后的N+1个生瓷片进行电极印刷,并将电极浆料填充至打好的孔内;
S4:将步骤S3得到的1号至N+1号生瓷片从上至下依序层叠,使各生瓷片中的区域单元的位置相互对应,然后进行层压和烧结,最后按区域单元之间的分界对所得半成品进行划切,得到单个的所述热敏芯片。
该制作方法先对生瓷片进行打孔和印刷步骤,然后进行层压和烧结为熟料,能够得到结构紧密的热敏芯片。
进一步地,步骤S2包括如下步骤:
将1号和N+1号生瓷片叠合,再对其每个区域单元中的一侧贯穿打孔,使1号生瓷片的每个区域单元中的一侧形成一个1号孔,使N+1号生瓷片的每个区域单元中的一侧形成一个N+1号孔;
将2号至N号生瓷片叠合,再对其每个区域单元中的两侧分别贯穿打孔,使2号至N号生瓷片的每个区域单元中的两侧分别形成一个侧孔。
将打孔数量相同的生瓷片叠合后一次打孔,有利于提高打孔效率,同时有利于后续能精准将各层的孔对位。
进一步地,步骤S2中,所述打孔处理采用激光打孔,操作方便、打孔精准。
进一步地,步骤S3包括:
利用电极浆料在1号生瓷片正面印刷表面电极,并将电极浆料填充至其每个区域单元中的1号孔内;
利用电极浆料在N+1号生瓷片背面印刷底面电极,并将电极浆料填充至其每个区域单元中的N+1号孔内;
利用电极浆料分别在2号至N号生瓷片的正面印刷电极层,得到1号至N号电极层,并将电极浆料填充至其每个区域单元中的两个侧孔内。
进一步地,步骤S4中,将步骤S3得到的1号至N+1号生瓷片从上至下依序层叠时,使1号生瓷片的每个区域单元中的1号孔与2号至N号生瓷片的每个区域单元中的其中一个侧孔位置相对,并使N+1号生瓷片的每个区域单元中的N+1号孔与2号至N号生瓷片的每个区域单元中的另一个侧孔位置相对。
为了更好地理解和实施,下面结合附图详细说明本发明。
附图说明
图1为传统三层式结构的热敏电阻芯片产品的结构示意图;
图2为传统三层式结构的热敏电阻芯片产品的制备流程示意图;
图3为本发明的高精度高可靠多层低阻热敏芯片的正视图;
图4为步骤S2中对1号生瓷片的每个区域单元打孔的俯视图;
图5为步骤S2中对N+1号生瓷片的每个区域单元打孔的俯视图;
图6为步骤S2中对2号至N号生瓷片的每个区域单元打孔的俯视图;
图7为步骤S3中对1号生瓷片的每个区域单元印刷电极的正面和背面示意图;
图8为步骤S3中对N+1号生瓷片的每个区域单元印刷电极的正面和背面示意图;
图9为步骤S3中对2号至N号生瓷片的每个区域单元印刷电极的正面和背面示意图。
具体实施方式
在本发明的描述中,需要说明的是,对于方位词,如有术语“中心”,“横向(X)”、“纵向(Y)”、“竖向(Z)”“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于叙述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作,不能理解为限制本发明的具体保护范围。
此外,如有术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”特征可以明示或者隐含包括一个或者多个该特征,在本发明描述中,“数个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
请参阅图3,本发明的高精度高可靠多层低阻热敏芯片,包括陶瓷体、设于陶瓷体顶面的表面电极2、设于陶瓷体底面的底面电极3、以及设于陶瓷体内部的N个电极层4,N为大于或等于2的偶数;
所述陶瓷体由N+1个陶瓷层10层叠组成,所述N+1个陶瓷层从上至下依序编号为1号至N+1号,且每相邻两个陶瓷层之间设置一个电极层4,所述N个电极层4从上至下依序编号为1号至N号;
所述陶瓷体内部的一侧开设有贯穿1号至N号陶瓷层的第一孔,另一侧开设有贯穿2号至N+1号陶瓷层的第二孔,所述第一孔内填充有第一孔电极51,所述第一孔电极51分别连接编号为奇数的电极层4与所述表面电极2,所述第二孔内填充有第二孔电极52,所述第二孔电极52分别连接编号为偶数的电极层4与所述底面电极3。
具体地,所述陶瓷体采用NTC热敏陶瓷,所述陶瓷层的厚度为20-30微米;所述表面电极2、底面电极3、各电极层4、第一孔电极和第二孔电极52都采用同一种金属,例如银、钯、金、铂等。
具体地,各陶瓷层的厚度相等,各电极层4的厚度相等。
进一步优选N等于4,如图3所示,则所述陶瓷体是由5个陶瓷层层叠组成,所述5个陶瓷层从上至下依序编号为1号至5号,所述电极层4的数量为4个,所述4个电极层4从上至下依序编号为1号至4号,且1号电极层4位于1号陶瓷层与2号陶瓷层之间,2号电极层4位于2号陶瓷层与3号陶瓷层之间,3号电极层4位于3号陶瓷层与4号陶瓷层之间,4号电极层4位于4号陶瓷层与5号陶瓷层之间。
除了N等于4以外,N还可以为2或大于等于6的其他偶数,具体根据热敏芯片实际所需的电阻等性能而设计。
请参阅图4-9,所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片的制作方法,包括如下步骤:
S1:采用流延法将陶瓷浆料制成N+1个生瓷片,所述N+1个生瓷片分别编号为1号至N+1号,并在每个生瓷片上划分出多个相同的区域单元,如图4-6所示,图中虚线为划分区域单元的线,也是后续步骤S4划切时的切割线。
具体地,所述陶瓷浆料在25℃下电阻率为1000Ω·m;生瓷片的厚度为25微米。
S2:分别对步骤S1得到的N+1个生瓷片进行打孔处理。
将1号和N+1号生瓷片叠合,再对其每个区域单元中的一侧贯穿打孔,使1号生瓷片的每个区域单元中的一侧形成一个1号孔,如图4所示,使N+1号生瓷片的每个区域单元中的一侧形成一个N+1号孔,如图5所示;
将2号至N号生瓷片叠合,再对其每个区域单元中的两侧分别贯穿打孔,使2号至N号生瓷片的每个区域单元中的两侧分别形成一个侧孔,如图6所示。
另外,每个生瓷片可以为长方形,在其四个角分别打一个对位孔,有利于后续层叠时进行对位。
S3:利用电极浆料分别对步骤S2打孔后的N+1个生瓷片进行电极印刷,并将电极浆料填充至打好的孔内。
利用电极浆料在1号生瓷片正面印刷表面电极2,并将电极浆料填充至其每个区域单元中的1号孔内,如图7所示;
利用电极浆料在N+1号生瓷片背面印刷底面电极3,并将电极浆料填充至其每个区域单元中的N+1号孔内,如图8所示;
利用电极浆料分别在2号至N号生瓷片的正面印刷电极层4,得到1号至N号电极层4,并将电极浆料填充至其每个区域单元中的两个侧孔内,如图9所示。
S4:将步骤S3得到的1号至N+1号生瓷片从上至下依序层叠,使各生瓷片中的区域单元的位置相互对应,然后进行层压和烧结,最后按区域单元之间的分界对所得半成品进行划切,得到单个的所述热敏芯片。
具体地,将步骤S3得到的1号至N+1号生瓷片从上至下依序层叠时,使1号生瓷片的每个区域单元中的1号孔与2号至N号生瓷片的每个区域单元中的其中一个侧孔位置相对,并使N+1号生瓷片的每个区域单元中的N+1号孔与2号至N号生瓷片的每个区域单元中的另一个侧孔位置相对。
具体地,可以利用每个生瓷片中位于四个角的四个对位孔进行对位,更方便快捷。
1号孔内的电极浆料及与1号孔位置相对的侧孔内的电极浆料在烧结后成为所述第一孔电极51,N+1号孔内的电极浆料及与N+1号孔位置相对的侧孔内的电极浆料在烧结后成为所述第二孔电极52。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种高精度高可靠多层低阻热敏芯片,其特征在于:包括陶瓷体、设于陶瓷体顶面的表面电极、设于陶瓷体底面的底面电极、以及设于陶瓷体内部的N个电极层,N为大于或等于2的偶数;
所述陶瓷体由N+1个陶瓷层层叠组成,所述N+1个陶瓷层从上至下依序编号为1号至N+1号,且每相邻两个陶瓷层之间设置一个电极层,所述N个电极层从上至下依序编号为1号至N号;
所述陶瓷体内部的一侧开设有贯穿1号至N号陶瓷层的第一孔,另一侧开设有贯穿2号至N+1号陶瓷层的第二孔,所述第一孔内填充有第一孔电极,所述第一孔电极分别连接编号为奇数的电极层与所述表面电极,所述第二孔内填充有第二孔电极,所述第二孔电极分别连接编号为偶数的电极层与所述底面电极。
2.根据权利要求1所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片,其特征在于:N等于4。
3.根据权利要求1所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片,其特征在于:所述陶瓷层的厚度为20-30微米。
4.根据权利要求1所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片,其特征在于:所述陶瓷体采用NTC热敏陶瓷。
5.根据权利要求1所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片,其特征在于:所述表面电极、底面电极、各电极层、第一孔电极和第二孔电极都采用同一种金属。
6.权利要求1-5任一项所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:采用流延法将陶瓷浆料制成N+1个生瓷片,所述N+1个生瓷片分别编号为1号至N+1号,并在每个生瓷片上划分出多个相同的区域单元;
S2:分别对步骤S1得到的N+1个生瓷片进行打孔处理;
S3:利用电极浆料分别对步骤S2打孔后的N+1个生瓷片进行电极印刷,并将电极浆料填充至打好的孔内;
S4:将步骤S3得到的1号至N+1号生瓷片从上至下依序层叠,使各生瓷片中的区域单元的位置相互对应,然后进行层压和烧结,最后按区域单元之间的分界对所得半成品进行划切,得到单个的所述热敏芯片。
7.根据权利要求6所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片的制作方法,其特征在于:步骤S2包括如下步骤:
将1号和N+1号生瓷片叠合,再对其每个区域单元中的一侧贯穿打孔,使1号生瓷片的每个区域单元中的一侧形成一个1号孔,使N+1号生瓷片的每个区域单元中的一侧形成一个N+1号孔;
将2号至N号生瓷片叠合,再对其每个区域单元中的两侧分别贯穿打孔,使2号至N号生瓷片的每个区域单元中的两侧分别形成一个侧孔。
8.根据权利要求6所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片的制作方法,其特征在于:步骤S2中,所述打孔处理采用激光打孔。
9.根据权利要求7所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片的制作方法,其特征在于:步骤S3包括:
利用电极浆料在1号生瓷片正面印刷表面电极,并将电极浆料填充至其每个区域单元中的1号孔内;
利用电极浆料在N+1号生瓷片背面印刷底面电极,并将电极浆料填充至其每个区域单元中的N+1号孔内;
利用电极浆料分别在2号至N号生瓷片的正面印刷电极层,得到1号至N号电极层,并将电极浆料填充至其每个区域单元中的两个侧孔内。
10.根据权利要求7或9所述的高精度高可靠多层低阻热敏芯片的制作方法,其特征在于:步骤S4中,将步骤S3得到的1号至N+1号生瓷片从上至下依序层叠时,使1号生瓷片的每个区域单元中的1号孔与2号至N号生瓷片的每个区域单元中的其中一个侧孔位置相对,并使N+1号生瓷片的每个区域单元中的N+1号孔与2号至N号生瓷片的每个区域单元中的另一个侧孔位置相对。
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