CN109634006B - Tft阵列基板的制作方法及tft阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板。本发明的TFT阵列基板的制作方法中，形成在第二金属材料膜上的光阻层包括与第一走线相交叉的光阻条，光阻条包括位于第一走线上方的第一部分及分别与第一部分两端连接的两个第二部分，第一部分两侧边缘分别突出于第二部分的两侧边缘，第一部分与两个第二部分的交界在竖直方向的投影分别位于第一走线的两侧，从而在蚀刻去除第二金属材料膜未被光阻层覆盖的部分后，得到与第一走线相交叉的第二走线，且第二走线与第一走线交叠的部分的两侧边缘突出其他部分的两侧边缘，能够避免TFT阵列基板在其两层金属层中走线的跨线处产生静电击伤。

Description

TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，已经逐步取代阴极射线管(CathodeRay Tube，CRT)显示屏，被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
现有的TFT阵列基板中，一般设置相互绝缘的第一金属层及位于第一金属层上方的第二金属层，第一金属层用于制作TFT器件的栅极以及TFT阵列基板的扫描线，第二金属层用于制作TFT器件的源漏极以及TFT阵列基板的数据线。目前，4光罩(Mask)工艺的TFT阵列基板的产量越来越多，所谓4Mask工艺是指利用一张半色调光罩制作TFT阵列基板的有源层及第二金属层，通过两次湿蚀刻及两次干蚀刻实现一道光罩制作两道工艺。采用4Mask工艺制作TFT阵列基板的方法包括：步骤S1’、请参阅图1，在衬底100上形成第一金属材料膜并进行图案化，形成第一走线210，而后在衬底100及第一走线210上依次形成有源材料膜390、第二金属材料膜490及光阻材料膜590，步骤S2’、对光阻材料膜590进行曝光显影制程，形成光阻层，请参阅图2，所述光阻层包括与第一走线210交叉的光阻条510，步骤S3’、蚀刻去除第二金属材料膜590未被光阻层覆盖的部分，如图3所示，对应光阻条510形成与第一走线210相交叉的第二走线410，后续需要继续对有源材料膜390进行蚀刻去除其未被光阻层及蚀刻后的第二金属材料膜590覆盖的部分。制程设计时，一般将光阻条510设计为宽度均匀的形状，但实际制程中，请参阅图1，光阻材料膜590与第二金属材料膜490及第一走线210交叠处对应的部分的厚度较其他部分的厚度薄，因此请参阅图2，对光阻材料膜590进行曝光显影后，光阻条510与第一走线210交叠的部分的宽度较窄，请参阅图3，利用具有此种结构的光阻条510的光阻层对第二金属材料膜490进行蚀刻后形成的第二走线410中与第一走线210交叠的部分的宽度较第二走线410其他部分的宽度窄，并且第二走线410在对应第一走线210的尖端(taper)处的膜厚较薄，在相同的蚀刻率的情况下，第二走线410在爬坡处的宽度较小，导致以蚀刻后的第二金属材料膜490作为遮挡对有源材料膜390进行蚀刻后，蚀刻后的有源材料膜390对应第二走线410在第一走线110上的爬坡处形成尖角，容易产生静电击伤，影响产品的品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板的制作方法，能够避免TFT阵列基板在其两层金属层中走线的跨线处产生静电击伤，提升产品的品质。
本发明的另一目的在于提供一种TFT阵列基板，能够避免TFT阵列基板在其两层金属层中走线的跨线处产生静电击伤，提升产品的品质。
为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供衬底；在所述衬底上形成第一金属材料膜并进行图案化，形成第一走线；在衬底及第一走线上依次形成有源材料膜、第二金属材料膜及光阻材料膜；
步骤S2、对所述光阻材料膜进行曝光显影制程，形成光阻层；
所述光阻层包括与第一走线相交叉的光阻条；所述光阻条包括位于第一走线上方的第一部分及分别与第一部分两端连接的两个第二部分；第一部分两侧边缘分别突出于第二部分的两侧边缘，第一部分与两个第二部分的交界在竖直方向的投影分别位于第一走线的两侧；
步骤S3、蚀刻去除第二金属材料膜未被光阻层遮挡的部分，对应所述光阻条形成与第一走线相交叉的第二走线；
所述第二走线中与第一走线交叠的部分的两侧边缘突出于第二走线中除了与第一走线交叠的部分以外的部分的两侧边缘。
所述TFT阵列基板的制作方法还包括步骤S4、蚀刻去除有源材料膜未光阻层及被蚀刻后的第二金属材料膜遮挡的部分。
所述第一部分包括第一子部分及分别与第一子部分两端连接的两个第二子部分；所述第一子部分的宽度大于第二子部分的宽度；每一第二子部分的宽度沿远离第一子部分的方向逐渐减小；两个第二子部分分别与第一走线两侧边缘重叠。
所述第一子部分的宽度均匀。
所述第二部分的宽度均匀；
所述第一走线的宽度均匀；
所述第二走线中除了与第一走线交叠的部分以外的部分的宽度均匀。
所述第二走线中与第一走线交叠的部分的两侧边缘均为圆弧状。
本发明还提供一种TFT阵列基板，包括依次设置的衬底、第一金属层、有源层及第二金属层；
所述第一金属层包括第一走线；所述第二金属层包括与第一走线相交叉的第二走线，所述第二走线中与第一走线交叠的部分的两侧边缘突出于第二走线中除了与第一走线交叠的部分以外的部分的两侧边缘。
所述第一走线的宽度均匀。
所述第二走线中与第一走线交叠的部分的两侧边缘均为圆弧状。
所述第二走线中除了与第一走线交叠的部分以外的部分的宽度均匀。
本发明的有益效果：本发明的TFT阵列基板的制作方法中，形成在第二金属材料膜上的光阻层包括与第一走线相交叉的光阻条，光阻条包括位于第一走线上方的第一部分及分别与第一部分两端连接的两个第二部分，第一部分两侧边缘分别突出于第二部分的两侧边缘，第一部分与两个第二部分的交界在竖直方向的投影分别位于第一走线的两侧，从而在蚀刻去除第二金属材料膜未被光阻层覆盖的部分后，得到与第一走线相交叉的第二走线，且第二走线与第一走线交叠的部分的两侧边缘突出其他部分的两侧边缘，能够避免TFT阵列基板在其两层金属层中走线的跨线处产生静电击伤。本发明的TFT阵列基板能够避免TFT阵列基板在其两层金属层中走线的跨线处产生静电击伤，提升产品的品质。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的TFT阵列基板的制作方法的步骤S1’的示意图；
图2为现有的TFT阵列基板的制作方法的步骤S2’结束后光阻条与第一走线的俯视示意图；
图3为现有的TFT阵列基板的制作方法的步骤S3’结束后第二走线与第一走线的俯视示意图；
图4为本发明的TFT阵列基板的制作方法的流程图；
图5为本发明的TFT阵列基板的制作方法的步骤S1的示意图；
图6为本发明的TFT阵列基板的制作方法的步骤S2的示意图；
图7为本发明的TFT阵列基板的制作方法的步骤S2结束后光阻条与第一走线的俯视示意图；
图8为本发明的TFT阵列基板的制作方法的步骤S3结束后第二走线与第一走线的俯视示意图；
图9为本发明的TFT阵列基板的剖视示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图4，本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、请参阅图5，提供衬底10。在所述衬底10上形成第一金属材料膜并进行图案化，形成第一走线21。在衬底10及第一走线21上依次形成有源材料膜39、第二金属材料膜49及光阻材料膜59。
具体地，所述衬底10的材料可以为玻璃。
具体地，所述第二金属材料膜49与第一金属材料膜的材料可以相同或不同。
具体地，请结合图6，所述第一走线21的宽度均匀。
具体地，在衬底10及第一走线21上形成有源材料膜39之前还在衬底10及第一走线21上形成栅极绝缘层(未图示)。所述有源材料膜39形成在栅极绝缘层上。
步骤S2、请参阅图6及图7，对所述光阻材料膜59进行曝光显影制程，形成光阻层50。
请参阅图7，所述光阻层50包括与第一走线21相交叉的光阻条51。所述光阻条51包括位于第一走线21上方的第一部分511及分别与第一部分511两端连接的两个第二部分512。第一部分511两侧边缘分别突出于第二部分512的两侧边缘，第一部分511与两个第二部分512的交界在竖直方向的投影分别位于第一走线21的两侧。
具体地，所述第二部分512的宽度均匀。
具体地，请参阅图7，所述第一部分511包括第一子部分5111及分别与第一子部分5111两端连接的两个第二子部分5112。所述第一子部分5111的宽度大于第二子部分的宽度。每一第二子部分5112的宽度沿远离第一子部分5111的方向逐渐减小。两个第二子部分5112分别与第一走线21两侧边缘重叠。
进一步地，所述第一子部分5111的宽度均匀。
步骤S3、请参阅图8，蚀刻去除第二金属材料膜49未被光阻层50遮挡的部分，对应所述光阻条51形成与第一走线21相交叉的第二走线41。
请参阅图8，所述第二金属层40包括与第一走线21相交叉的第二走线41，所述第二走线41中与第一走线21交叠的部分的两侧边缘突出于第二走线41中除了与第一走线21交叠的部分以外的部分的两侧边缘。
具体地，所述第二走线41中与第一走线21交叠的部分的两侧边缘均为圆弧状。
具体地，所述第二走线41中除了与第一走线21交叠的部分以外的部分的宽度均匀。
具体地，所述步骤S3中采用湿蚀刻的方式蚀刻去除第二金属材料膜49未被光阻层50遮挡的部分。
步骤S4、蚀刻去除有源材料膜39未被光阻层50及蚀刻后的第二金属材料膜49遮挡的部分。
具体地，所述步骤S4中采用干蚀刻的方式去除有源材料膜39未被光阻层50及蚀刻后的第二金属材料膜49遮挡的部分。
需要说明的是，本发明的TFT阵列基板的制作方法中，对形成在第二金属材料膜49上的光阻材料膜59进行图案化，形成包括与第一走线11相交叉的光阻条51的光阻层50，光阻条51包括位于第一走线11上方的第一部分511及分别与第一部分511两端连接的两个第二部分512，第一部分511两侧边缘分别突出于第二部分512的两侧边缘，第一部分511与两个第二部分512的交界在竖直方向的投影分别位于第一走线11的两侧，从而在蚀刻去除第二金属材料膜49未被光阻层50覆盖的部分后对应光阻条51形成与第一走线11相交叉的第二走线41，且第二走线41与第一走线11交叠的部分的两侧边缘突出其他部分的两侧边缘，解决现有技术中第二走线中与第一走线交叠的部分的宽度小于第二走线中其他部分宽度的问题，并且由于第二走线41与第一走线11交叠的部分的两侧边缘突出其他部分的两侧边缘，在蚀刻去除有源材料膜39未被蚀刻后的第二金属材料膜49遮挡的部分后，蚀刻后的有源材料膜39对应第二走线41在第一走线11上的爬坡处的位置不再形成的尖角，从而能够避免制得的TFT阵列基板在第二走线41与第一走线11的跨线处产生静电击伤，提升产品的品质。
请参阅图9并结合图8，基于同一发明构思，本发明还提供一种采用上述的TFT阵列基板的制作方法制得的TFT阵列基板，包括依次设置的衬底10、第一金属层20、有源层30及第二金属层40。
请参阅图8，所述第一金属层20包括第一走线21。所述第二金属层40包括与第一走线21相交叉的第二走线41，所述第二走线41中与第一走线21交叠的部分的两侧边缘突出于第二走线41中除了与第一走线21交叠的部分以外的部分的两侧边缘。
具体地，所述有源层30及第一金属层20之间还设有栅极绝缘层(未图示)。
具体地，所述第一走线21的宽度均匀。
具体地，所述第二走线41中与第一走线21交叠的部分的两侧边缘均为圆弧状。
具体地，所述第二走线41中除了与第一走线21交叠的部分以外的部分的宽度均匀。
需要说明的是，本发明的TFT阵列基板采用上述的TFT阵列基板的制作方法制作，第二金属层40包括与光阻条51对应的第二走线41，该第二走线41与第一走线11相交叉，且其与第一走线11交叠的部分的两侧边缘突出其他部分的两侧边缘，解决现有技术中第二走线中与第一走线交叠的部分的宽度小于第二走线中其他部分宽度的问题，并且能够避免有源层30对应第二走线41在第一走线11上的爬坡处的位置形成尖角，从而能够避免TFT阵列基板在第二金属层40中的第二走线41与第一金属层10中的第一走线11的跨线处产生静电击伤，提升产品的品质。
综上所述，本发明的TFT阵列基板的制作方法中，形成在第二金属材料膜上的光阻层包括与第一走线相交叉的光阻条，光阻条包括位于第一走线上方的第一部分及分别与第一部分两端连接的两个第二部分，第一部分两侧边缘分别突出于第二部分的两侧边缘，第一部分与两个第二部分的交界在竖直方向的投影分别位于第一走线的两侧，从而在蚀刻去除第二金属材料膜未被光阻层覆盖的部分后，得到与第一走线相交叉的第二走线，且第二走线与第一走线交叠的部分的两侧边缘突出其他部分的两侧边缘，能够避免TFT阵列基板在其两层金属层中走线的跨线处产生静电击伤。本发明的TFT阵列基板能够避免TFT阵列基板在其两层金属层中走线的跨线处产生静电击伤，提升产品的品质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供衬底(10)；在所述衬底(10)上形成第一金属材料膜并进行图案化，形成第一走线(21)；在衬底(10)及第一走线(21)上依次形成有源材料膜(39)、第二金属材料膜(49)及光阻材料膜(59)；
步骤S2、对所述光阻材料膜(59)进行曝光显影制程，形成光阻层(50)；
所述光阻层(50)包括与第一走线(21)相交叉的光阻条(51)；所述光阻条(51)包括位于第一走线(21)上方的第一部分(511)及分别与第一部分(511)两端连接的两个第二部分(512)；第一部分(511)两侧边缘分别突出于第二部分(512)的两侧边缘，第一部分(511)与两个第二部分(512)的交界在竖直方向的投影分别位于第一走线(21)的两侧；
步骤S3、蚀刻去除第二金属材料膜(49)未被光阻层(50)遮挡的部分，对应所述光阻条(51)形成与第一走线(21)相交叉的第二走线(41)；
所述第二走线(41)中与第一走线(21)交叠的部分的两侧边缘突出于第二走线(41)中除了与第一走线(21)交叠的部分以外的部分的两侧边缘。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括步骤S4、蚀刻去除有源材料膜(39)未被光阻层(50)及蚀刻后的第二金属材料膜(49)遮挡的部分。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一部分(511)包括第一子部分(5111)及分别与第一子部分(5111)两端连接的两个第二子部分(5112)；所述第一子部分(5111)的宽度大于第二子部分的宽度；每一第二子部分(5112)的宽度沿远离第一子部分(5111)的方向逐渐减小；两个第二子部分(5112)分别与第一走线(21)两侧边缘重叠。
4.如权利要求3所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一子部分(5111)的宽度均匀。
5.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二部分(512)的宽度均匀；
所述第一走线(21)的宽度均匀；
所述第二走线(41)中除了与第一走线(21)交叠的部分以外的部分的宽度均匀。
6.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二走线(41)中与第一走线(21)交叠的部分的两侧边缘均为圆弧状。
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