CN109632853A - 透射电子显微镜样品及其制造方法 - Google Patents

透射电子显微镜样品及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种透射电子显微镜样品，所述样品自下而上依次包括硅衬底、多晶硅层、氮化硅层、基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层、无掺杂硅酸盐玻璃层、电子束保护层以及离子束保护层；所述无掺杂硅酸盐玻璃层具有第一厚度、所述基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层具有第二厚度，所述硅衬底、多晶硅层及氮化硅层具有第三厚度，所述第一厚度、第二厚度与第三厚度的数值各不相同。本申请还公开了一种透射电子显微镜样品的制造方法。使用本发明方法制得的透射电子显微镜样品，可以通透射电子显微镜图像的观察，直接获取不同生长方式生长出来的二氧化硅薄膜的厚度信息。

Description

透射电子显微镜样品及其制造方法
技术领域
本申请涉及一种半导体集成电路领域，特别是涉及一种透射电子显微镜样品制造方法。本申请还涉及一种透射电子显微镜样品。
背景技术
在半导体集成电路制造中，二氧化硅是一种优秀的绝缘材料，其为非晶体，二氧化硅的结构可认为是4个氧原子位于三角形多面体的角上，多面体的中心是一个硅原子。这样，每4个氧原子近似共价键合到硅原子，满足了硅的化合价外壳。二氧化硅一般情况下不与水反应，即与水接触不生成硅酸，由于二氧化硅具有极其稳定的化学性质，因此对于多层金属布线结构，它可以用作上下两层金属之间的绝缘介质，防止发生短路。
另外，随着技术节点的提高，器件尺寸越做越小，间距越来越窄，对介质层的填充性能要求越来越高，比如在做ILD(Inter Layer Dielectric，层间介质)时先利用HARP(High Aspect Ratio Process，高深宽比工艺)生长二氧化硅薄膜，确保间距之间没有空隙。
在现在的制造工艺中，可以在二氧化硅中进行掺杂，改变它的性能，满足不同结构中对二氧化硅的不同需求。如集成电路制造工艺中常会用到BPSG (boro-phospho-silicate-glass，硼磷硅玻璃)，PSG(phospho-silicate-glass，磷硅玻璃)，FSG(fluorinated-silicate-glass，掺氟硅玻璃)等。BPSG是一种掺硼的 SiO2玻璃，可采用CVD方法(SiH4+O2+PH3+B2H6，400oC～450oC)来制备。BPSG与PSG (磷硅玻璃)一样，在高温下的流动性较好，广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜。对于某些特定的产品，工艺还会用到无掺杂的SiO2。比如在SiO2中掺硼、磷可以改善其流动性，而在CIS产品中，就希望尽量减少掺杂，以降低对光线的阻挡作用，所以CIS(CMOS Image Sensor，CMOS图像传感器)产品的ILD中通常就会使用NSG (Non doped Silicate Glass，无掺杂硅酸盐玻璃)。
在实际的生产研发过程中，集成电路产品的ILD会先后使用不同掺杂的二氧化硅薄膜。此时，工程师如果需要分别量测不同薄膜的厚度或者辨别颗粒缺陷产生于哪个薄膜层次时，普通的TEM制样方式将无法满足这个需求，TEM图像的衬度差异无法区分不同掺杂的二氧化硅薄膜，如图1所示。
发明内容
本申请所要解决的技术问题是，提供一种直观方便的方法来量测不同薄膜的厚度或者辨别颗粒缺陷产生于哪个薄膜层次。
为了解决上述技术问题，本发明公开了一种透射电子显微镜样品，所述样品自下而上依次包括硅衬底、多晶硅层、氮化硅层、基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层、无掺杂硅酸盐玻璃层、电子束保护层以及离子束保护层；所述无掺杂硅酸盐玻璃层具有第一厚度、所述基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层有第二厚度，所述硅衬底、多晶硅层及氮化硅层具有第三厚度，所述第一厚度、第二厚度与第三厚度的数值各不相同。
优选地，所述第一厚度与第二厚度的差值范围为10nm-100nm。
优选地，所述第二厚度与第三厚度的差值范围为10nm-100nm。
本发明还公开了一种透射电子显微镜样品的制造方法，包括以下步骤：步骤一，利用聚焦离子束轰击透射电子显微镜原始样品，并在电子束和离子束下沉积金属保护层，所述原始样品自下而上依次包括硅衬底、多晶硅层、氮化硅层、基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层和无掺杂硅酸盐玻璃层；步骤二，在离子束窗口下，使用电流加工样品的目标区域的正面与背面；步骤三，使用小于步骤二中电流值的离子束电流加工样品正面，露出目标区域；步骤四，将样品放入配置好的酸液中，静止预设时间后再取出，用去离子水洗净，氮气枪吹干净；步骤五，再将样品放入聚焦离子束中，去除酸反应后的颗粒，从背面减薄样品，制备成最终透射电子显微镜样品。
优选地，所述酸液为氢氟酸或缓冲氧化物刻蚀液。
优选地，所述氢氟酸的浓度范围为1％-15％。
优选地，所述氢氟酸的浓度为4.9％。
优选地，步骤四中的预设时间范围为2秒-20秒。
优选地，步骤四中的预设时间为8秒。
优选地，步骤二中电流值的范围为400pA-1nA。
优选地，步骤三中电流值的范围为40pA-400pA。
本发明在制备TEM样品的过程当中，额外增加一步利用酸液腐蚀的步骤，利用密度不同的薄膜刻蚀速率不一致的特性，得到厚薄不一的薄膜，在TEM成像的过程中，可以利用厚度衬度的差异，将不同生长方式形成的二氧化硅直接表征出来。并且，已经通过实例，完成了该技术方案，获得的图像清晰，界面明显，便于量测。使用本发明方法制得的TEM样品，可以通过TEM图像的观察，直接获取不同生长方式生长出来的二氧化硅薄膜的厚度信息。
附图说明
图1为现有技术的透射电子显微镜(TEM)样品在扫描电镜下成像示意图。
图2为未经处理的透射电子显微镜(TEM)样品侧视示意图。
图3为本发明的透射电子显微镜(TEM)样品制备方法中经过离子束注入后的样品侧视示意图。
图4为本发明的透射电子显微镜(TEM)样品制备方法中经氢氟酸反应后的样品侧视示意图。
图5为经过本发明的透射电子显微镜(TEM)样品制备方法处理后的最终样品侧视示意图。
图6为与图3对应的经过离子束注入后的样品在扫描电镜下的主视图。
图7为与图4对应的经氢氟酸反应后的样品在扫描电镜下主视图。
图8为与图5对应的最终样品在扫描电镜下主视图。
图9为本发明的透射电子显微镜(TEM)样品最终样品在扫描电镜下成像示意图。
附图标记说明
1 工作区 2 多晶硅层
3 氮化硅层 4 基于HARP生长的二氧化硅薄膜
5 无掺杂硅酸盐玻璃 6 E-Beam保护层
7 I-Beam保护层 8 ILD
9 第一厚度 10 第二厚度
11 第三厚度
具体实施方式
下文公开了本发明的具体实施例；但是，公开的实施例仅为本发明的示例，它们可以采用各种形式实施。因此，在此所公开的具体结构和功能细节不应解释为具有限制性。进一步地，本文中使用的名词和术语不是限制性的；而是提供对本发明的可理解描述。通过结合附图来考虑以下描述将能更好地理解本发明，其中相同参考数字代表相同的含义。这些附图不是按比例绘制。
实施例一
本发明的透射电子显微镜(TEM)样品制备方法包括以下步骤：
步骤一，将所述样品放入FIB(Focused Ion beam，聚焦离子束)，找到目标区域，在E-Beam(electron beam，电子束)、I-Beam(Ion Beam，离子束)下沉积金属保护层。聚焦离子束技术(Focused Ion beam，FIB)是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。聚焦离子束技术(FIB)利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜(SEM)等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。
如图2所示，所述样品自下而上依次包括：
工作区1(AA，Active Area)，即在硅衬底上制备晶体管的区域；
多晶硅层2(Poly-Si)；
氮化硅层3(SiN)；
基于HARP(High Aspect Ratio Process，高深宽比工艺)生长的二氧化硅薄膜4；
无掺杂硅酸盐玻璃5(NSG,Non doped Silicate Glass)。
步骤二，在离子束窗口下，使用52°的温度，并使用大电流加工样品目标区域的正面与背面。较佳地，该电流范围为：400pA～1nA。
步骤三，用较小的(电流范围：40pA～400pA)离子束电流细修正面，露出所需分析的二氧化硅层，并保证断面平整光滑。同时，背面不用加工，保持样品处在一个比较厚 (厚度范围：150nm～300nm)的状态，确保样品在后续酸处理时不会把整层的二氧化硅反应完，另外，在最终制备成TEM样品的时候也能够保证样品不会太脏，图6为经过离子束注入后的样品在扫描电镜(SEM)下的主视图，图3为图6的样品侧视示意图。
步骤四，将样品取下，放入配置好的氢氟酸溶液中，静置后再取出，用去离子水洗净，接着用氮气枪吹干，如图4所示。在此过程中，放入氢氟酸溶液后，静置时间为2～20s 左右，最好为8s左右。氢氟酸溶液最好为稀释过的溶液，浓度在1％～15％之间，最好为 4.9％氢氟酸。
在这一步骤中，也可以将样品放在缓冲氧化物刻蚀液(Buffered Oxide Etch，BOE) 中，静置后取出，接着用氮气枪吹干。
这时样品在扫描电镜下主视图如图7所示，与图7对应的样品侧视示意图如图4所示。由于不同生长方法得到的二氧化硅层致密度不一样，同氢氟酸反应时的腐蚀速率也不一样，所以两层二氧化硅之间会有一条明显的界线。
步骤五，再将样品放入聚焦离子束，找到之前的位置，逐步减小离子束电流，继续加工样品，去除酸反应后吸附着的颗粒，并且从背面切割减薄样品，最终样品在扫描电镜(SEM)下截面图如图8所示，与图8相对应的侧视示意图如图5所示。此时，无掺杂硅酸盐玻璃层具有第一厚度9、所述基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层具有第二厚度10，所述硅衬底、多晶硅层及氮化硅层具有第三厚度11，所述第一厚度9、第二厚度10与第三厚度11的数值各不相同。
步骤六，完成后续的TEM样品制备步骤，并在TEM明场模式下观测样品。样品截面图如图9所示。能够看到由于腐蚀速率不同，不同层次SiO2的厚度不同，各个层次厚度差值在10nm～100nm之间，正是这个厚度的差异，造成了在TEM明场像中的衬度不同，同时在界面处形成一条清晰的界线，使得量测它们各自的厚度成为可能。
实施例二
本发明还公开了一种透射电子显微镜样品，所述样品自下而上依次包括硅衬底、多晶硅层2、氮化硅层3、基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层4、无掺杂硅酸盐玻璃层5、电子束保护层6以及离子束保护层7；所述无掺杂硅酸盐玻璃层具有第一厚度9、所述基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层具有第二厚度10，所述硅衬底、多晶硅层及氮化硅层具有第三厚度11，所述第一厚度9、第二厚度10与第三厚度11的数值各不相同。所述第一厚度9与第二厚度10的差值范围在10nm～100nm之间，所述第二厚度10 与第三厚度11的差值范围也在10nm～100nm之间。
本发明所描述的方法以及根据此方法形成的产品，可以解决TEM成像无法分辨出用不同的生长工艺形成的二氧化硅薄膜的问题，利用了生长工艺条件不同，二氧化硅薄膜密度也不同的特性，在氢氟酸(HF)的腐蚀下刻蚀速率也不同，最终导致二氧化硅薄膜的厚度不同，在TEM成像中，可以利用厚度像，将界面表征出来，使得量测成为了可能，并且厚度数值具有一定的准确性。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
同时，本发明并不限于此处描述的特定的方法。此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。因此，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义。

Claims (11)

1.一种透射电子显微镜样品，其特征在于，
所述样品自下而上依次包括硅衬底、多晶硅层、氮化硅层、基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层、无掺杂硅酸盐玻璃层、电子束保护层以及离子束保护层；
所述无掺杂硅酸盐玻璃层具有第一厚度、所述基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层具有第二厚度，所述硅衬底、多晶硅层及氮化硅层具有第三厚度，所述第一厚度、第二厚度与第三厚度的数值各不相同。
2.如权利要求1所述的透射电子显微镜样品的制造方法，其特征在于，所述第一厚度与第二厚度的差值范围为10nm-100nm。
3.如权利要求1所述的透射电子显微镜样品的制造方法，其特征在于，所述第二厚度与第三厚度的差值范围为10nm-100nm。
4.一种如权利要求1至3中之一所述的透射电子显微镜样品的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，利用聚焦离子束轰击透射电子显微镜原始样品，并在电子束和离子束下沉积金属保护层，所述原始样品自下而上依次包括硅衬底、多晶硅层、氮化硅层、基于高深宽比工艺生长的二氧化硅薄膜层和无掺杂硅酸盐玻璃层；
步骤二，在离子束窗口下，使用电流加工样品的目标区域的正面与背面；
步骤三，使用小于步骤二中电流值的离子束电流加工样品正面，露出目标区域；
步骤四，将样品放入配置好的酸液中，静止预设时间后再取出，用去离子水洗净，氮气枪吹干净；
步骤五，再将样品放入聚焦离子束中，去除酸反应后的颗粒，从背面减薄样品，制备成最终透射电子显微镜样品。
5.如权利要求4所述的透射电子显微镜样品制造方法，其特征在于，所述酸液为氢氟酸或缓冲氧化物刻蚀液。
6.如权利要求5所述的透射电子显微镜样品制造方法，其特征在于，所述氢氟酸的浓度范围为1％-15％。
7.如权利要求6所述的透射电子显微镜样品制造方法，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为4.9％。
8.如权利要求4所述的透射电子显微镜样品制造方法，其特征在于，步骤四中的预设时间范围为2秒-20秒。
9.如权利要求8所述的透射电子显微镜样品制造方法，其特征在于，步骤四中的预设时间为8秒。
10.如权利要求4所述的透射电子显微镜样品制造方法，其特征在于，步骤二中电流值的范围为400pA-1nA。
11.如权利要求4所述的透射电子显微镜样品制造方法，其特征在于，步骤三中电流值的范围为40pA-400pA。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111474200A (zh) * 2020-04-16 2020-07-31 宸鸿科技(厦门)有限公司 制备电子元件显微结构样品的方法
CN112083022A (zh) * 2019-06-12 2020-12-15 苏试宜特(上海)检测技术有限公司 一种基于平面样品转截面样品的特定微小区域标定方法
CN113834831A (zh) * 2020-06-08 2021-12-24 宸鸿科技(厦门)有限公司 制备透射电子显微镜样品的方法
CN113916919A (zh) * 2021-08-26 2022-01-11 长江存储科技有限责任公司 样品制备方法、样品检测方法及样品检测系统
CN114441561A (zh) * 2020-10-20 2022-05-06 陈健群 用于电子显微镜的测试样品及其制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050033699A (ko) * 2003-10-07 2005-04-13 삼성전자주식회사 투과전자현미경 분석용 시편의 제작 방법
CN1801470A (zh) * 2005-01-06 2006-07-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法
CN101153833A (zh) * 2006-09-30 2008-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 透射电子显微镜样品的制作方法
CN102052906A (zh) * 2009-11-10 2011-05-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于透射电子显微镜的器件绝缘隔离区观测样品制备方法
CN104458371A (zh) * 2014-11-26 2015-03-25 上海华力微电子有限公司 一种tem样品的制备方法
US20170069457A1 (en) * 2014-08-22 2017-03-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Electron microscopy specimen and method of fabrication

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050033699A (ko) * 2003-10-07 2005-04-13 삼성전자주식회사 투과전자현미경 분석용 시편의 제작 방법
CN1801470A (zh) * 2005-01-06 2006-07-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法
CN101153833A (zh) * 2006-09-30 2008-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 透射电子显微镜样品的制作方法
CN102052906A (zh) * 2009-11-10 2011-05-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于透射电子显微镜的器件绝缘隔离区观测样品制备方法
US20170069457A1 (en) * 2014-08-22 2017-03-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Electron microscopy specimen and method of fabrication
CN104458371A (zh) * 2014-11-26 2015-03-25 上海华力微电子有限公司 一种tem样品的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
顾文琪等: "《聚焦离子束微纳加工技术》", 31 December 2006, 北京工业大学出版社 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112083022A (zh) * 2019-06-12 2020-12-15 苏试宜特(上海)检测技术有限公司 一种基于平面样品转截面样品的特定微小区域标定方法
CN111474200A (zh) * 2020-04-16 2020-07-31 宸鸿科技(厦门)有限公司 制备电子元件显微结构样品的方法
CN111474200B (zh) * 2020-04-16 2023-09-26 宸鸿科技(厦门)有限公司 制备电子元件显微结构样品的方法
CN113834831A (zh) * 2020-06-08 2021-12-24 宸鸿科技(厦门)有限公司 制备透射电子显微镜样品的方法
CN113834831B (zh) * 2020-06-08 2023-07-21 全德科技(厦门)有限公司 制备透射电子显微镜样品的方法
CN114441561A (zh) * 2020-10-20 2022-05-06 陈健群 用于电子显微镜的测试样品及其制作方法
CN114441561B (zh) * 2020-10-20 2023-12-01 陈健群 用于电子显微镜的测试样品及其制作方法
CN113916919A (zh) * 2021-08-26 2022-01-11 长江存储科技有限责任公司 样品制备方法、样品检测方法及样品检测系统

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