CN109627700B - 一种高导电pedot∶pss膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于PEDOT∶PSS膜制备技术领域,公开一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法。包括如下步骤:(1)、在冰浴条件下,配制浓度为0.1‑1mol/L的NIPAM单体溶液;(2)、室温环境中,向PEDOT∶PSS水分散液中加入步骤(1)所得NIPAM单体溶液,混合均匀;其中,PEDOT∶PSS水分散液和NIPAM单体溶液的体积比为(1‑10)∶1;(3)、将步骤(2)所得混合液转移到器皿中,干燥成膜。本发明制得的导电薄膜的电导率提高不小于30倍,大大提高了其导电性能,对采用其制备的电学器件的性能的提升也很重要。
Description
技术领域
本发明属于PEDOT∶PSS膜制备技术领域,具体涉及一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法。
背景技术
PEDOT∶PSS具有良好的导电性、生物相容性和可加工性等优点被广泛地应用于超级电容器、太阳能电池、热电材料、有机发光二极管、触摸屏和电子纸等领域。尤其在柔性电子器件领域,PEDOT∶PSS有望取代ITO成为下一代柔性器件的衬底或者电极材料,但一般需要DMF、DMSO、离子液体、表面活性剂等来提高其导电性,并且导电的提升的机理一直都有争议。研究和寻找提高PEDOT∶PSS导电性的方法,不仅有利于PEDOT∶PSS导电性的提升,更对PEDOT∶PSS的实际应用和使用PEDOT∶PSS制备的器件的性能的提升尤为重要。特别地,通过实际的发明应用去促进基础科学的发展,使人们更加深刻的了解导电聚合物的导电机理也是很必要的。
发明内容
本发明的目的旨在提供一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案如下:
一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)、在冰浴条件下,配制浓度为0.1-1mol/L的NIPAM单体溶液;
(2)、室温环境中,向PEDOT∶PSS水分散液中加入步骤(1)所得NIPAM单体溶液,混合均匀;其中,PEDOT∶PSS水分散液和NIPAM单体溶液的体积比为(1-10)∶1;
(3)、将步骤(2)所得混合液转移到器皿中,干燥成膜。
较好地,PEDOT∶PSS水分散液的固含量为1.0-1.3%,PEDOT∶PSS水分散液中PEDOT和PSS的重量比为1∶2.5。
较好地,干燥成膜的温度为60-80℃。
本发明与现有技术相比,具有如下优点:
本发明是第一个采用含有双键的极性小分子单体来提升PEDOT∶PSS导电性的;此方法不仅可以提高PEDOT∶PSS的成膜性,而且经过测试,本发明制得的导电薄膜的电导率提高不小于30倍,大大提高了其导电性能,对采用其制备的电学器件的性能的提升也很重要。
附图说明
图1:实施例2和对照例1制备的PEDOT∶PSS膜的导电性的对比图。
图2:实施例3和对照例2制备的PEDOT∶PSS膜的导电性的对比图。
图3:实施例2和对照例1制备的PEDOT∶PSS膜的Raman 光谱表征。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明的技术方案作进一步地详细介绍,但本发明的保护范围并不局限于此。
下面实施例以及对照例中的PEDOT∶PSS水分散液购自Heraeus公司,规格:固含量1.0-1.3%(质量百分比), PEDOT和PSS的重量比为1∶2.5。
实施例1
一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)、在冰浴条件下,在烧杯中加入3 mmol的NIPAM和10mL的水,磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间60min,配制成浓度0.3mol/L的NIPAM单体溶液;
(2)、室温环境中,向样品瓶中加入9mL的PEDOT∶PSS水分散液并磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间30min;
(3)、向步骤(2)所得PEDOT∶PSS水分散液中按体积比3∶1加入3mL步骤(1)所得NIPAM单体溶液,磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间60min;
(4)、将步骤(3)所得混合液转移到蒸发皿中,在60℃真空烘箱中加热干燥成膜。
实施例2
一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)、在冰浴条件下,在烧杯中加入5 mmol的NIPAM和10mL的水,磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间60min,配制成浓度0.5mol/L的NIPAM单体溶液;
(2)、室温环境中,向样品瓶中加入9mL的PEDOT∶PSS水分散液并磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间30min;
(3)、向步骤(2)所得PEDOT∶PSS水分散液中按体积比3∶1加入3mL步骤(1)所得NIPAM单体溶液,磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间60min;
(4)、将步骤(3)所得混合液转移到蒸发皿中,在60℃鼓风烘箱中加热干燥成膜。
实施例3
一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)、在冰浴条件下,在烧杯中加入5 mmol的NIPAM和10mL的水,磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间60min,配制成浓度0.5mol/L的NIPAM单体溶液;
(2)、室温环境中,向样品瓶中加入9mL的PEDOT∶PSS水分散液并磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间30min;
(3)、向步骤(2)所得PEDOT∶PSS水分散液中按体积比15∶1加入0.6mL步骤(1)所得NIPAM单体溶液,磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间60min;
(4)、将步骤(3)所得混合液转移到蒸发皿中,在80℃鼓风烘箱中加热干燥成膜。
对照例1
一种PEDOT∶PSS膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)、室温环境中,向样品瓶中加入9ml的PEDOT∶PSS水分散液并磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间30min;
(2)、向步骤(1)所得PEDOT∶PSS水分散液中按体积比3∶1加入3mL去离子水,磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间60min;
(3)、将步骤(2)所得混合液转移到蒸发皿(与实施例2同规格)中,在60℃鼓风烘箱中加热干燥成膜。
对照例2
一种PEDOT∶PSS膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)、室温环境中,向样品瓶中加入9ml的PEDOT∶PSS水分散液并磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间30min;
(2)、向步骤(1)所得PEDOT∶PSS水分散液中按体积比15∶1加入0.6mL去离子水,磁力搅拌均匀,搅拌速度800r/min,搅拌时间60min;
(3)、将步骤(2)所得混合液转移到蒸发皿(与实施例3同规格)中,在80℃鼓风烘箱中加热干燥成膜。
图1是本发明实施例2(B)和对照例1(A)所制备的PEDOT∶PSS膜的导电性的对比图,电阻从458Ω降低为10.5Ω,导电性至少提高了30倍。
图2是本发明实施例3(B)和对照例2(A)所制备的PEDOT∶PSS膜的导电性的对比图,电阻从462Ω降低为218.7Ω,导电性提升不到三倍。
图3是本发明实施例2和对照例1所制备的PEDOT∶PSS膜的Raman 光谱表征,1425cm-1处拉曼峰的蓝移表明:PEDOT从苯式构象变为醌式构象,从而导电性得到提升。
Claims (3)
1.一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)、在冰浴条件下,配制浓度为0.1-1mol/L的NIPAM单体溶液;
(2)、室温环境中,向PEDOT∶PSS水分散液中加入步骤(1)所得NIPAM单体溶液,混合均匀;其中,PEDOT∶PSS水分散液和NIPAM单体溶液的体积比为(1-10)∶1;
(3)、将步骤(2)所得混合液转移到器皿中,干燥成膜。
2.如权利要求1所述的高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法,其特征在于:PEDOT∶PSS水分散液的固含量为1.0-1.3%,PEDOT∶PSS水分散液中PEDOT和PSS的重量比为1∶2.5。
3.如权利要求1所述的高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法,其特征在于:干燥成膜的温度为60-80℃。
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