CN109599448A - 一种异质结太阳电池及其制备方法 - Google Patents

一种异质结太阳电池及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种异质结太阳电池，包括衬底层、第一掺杂层、第一导电层、第一电极、第二掺杂层、第四导电层和第二电极，其中第一导电层包括位于第一掺杂层背离衬底层的表面的第二导电层和位于第二导电层背离第一掺杂层的表面的第三导电层，第四导电层包括位于第二掺杂层背离衬底层的表面的第五导电层和位于第五导电层背离第二掺杂层的表面的第六导电层，第二导电层和第五导电层均为热蒸发法形成的导电层，不会对第一掺杂层和第二掺杂层造成损伤，进一步的，第二导电层和第五导电层还分别作为形成第三导电层和第六导电层时的缓冲层，因此，消除对第一掺杂层和第二掺杂层造成的损伤。此外，本申请还提供一种具有上述优点的异质结太阳电池制备方法。

Description

一种异质结太阳电池及其制备方法
技术领域
本申请涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种异质结太阳电池及其制备方法。
背景技术
异质结太阳电池采用非晶硅薄膜实现晶体硅表面钝化和选择性接触功能，拥有光电转换效率高、温度系数低、无电势诱导衰减和光致衰减等优点，成为近年来光伏行业研究的热点。
在异质结太阳电池的制备过程中，透明导电层通常采用溅射法进行沉积，但是在沉积过程中，由于从靶材表面溅射出来的粒子具有较高的能量，会对非晶硅薄膜造成轰击和损伤，导致复合增加，影响异质结太阳电池光电转换性能。
现有的技术中，在溅射沉积透明导电层时将溅射沉积过程分为两步，即分别采用第一溅射法和第二溅射法。在采用第一溅射法时，通过减小溅射粒子能量，减弱对非晶硅薄膜的轰击力，从而缓减对非晶硅薄膜的损伤。但是这种方法仅能缓减透明导电层沉积过程中对非晶硅薄膜造成的损伤，并不能消除。
发明内容
本申请的目的是提供一种异质结太阳电池及其制备方法，以消除透明导电层溅射沉积过程中对非晶硅薄膜造成的损伤。
为解决上述技术问题，本申请提供一种异质结太阳电池，包括：
衬底层；
位于所述衬底层第一表面的第一掺杂层；
位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第一导电层，其中，第一导电层包括位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第二导电层和位于所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面的第三导电层；
位于所述第一导电层背离所述第一掺杂层的表面的第一电极；
位于所述衬底层第二表面的第二掺杂层；
位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第四导电层，其中，第四导电层包括位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第五导电层和位于所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面的第六导电层；
位于所述第四导电层背离所述第二掺杂层的表面的第二电极；
其中，所述第二导电层和所述第五导电层均为热蒸发法形成的导电层，所述第一表面与所述第二表面相对。
可选的，还包括：
位于所述衬底层与所述第一掺杂层之间的第一本征层；
和位于所述衬底层与所述第二掺杂层之间的第二本征层。
可选的，所述第三导电层和所述第六导电层均为溅射法形成的导电层。
可选的，所述第二导电层的厚度取值范围为0.1nm-50nm，包括端点值；所述第五导电层的厚度取值范围为0.1nm-50nm，包括端点值。
可选的，所述第三导电层的厚度取值范围为0.1nm-500nm，包括端点值；所述第六导电层的厚度取值范围为0.1nm-500nm，包括端点值。
可选的，所述第一导电层和所述第四导电层均为透明导电层。
本申请还一种异质结太阳电池制备方法，包括：
在衬底层的第一表面形成第一掺杂层；
利用热蒸发法，在所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面形成第二导电层；
在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层；
在所述第三导电层背离所述第二导电层的表面形成第一电极；
在所述衬底层第二表面形成第二掺杂层；
利用热蒸发法，在所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面形成第五导电层；
在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层；
在所述第六导电层背离所述第五导电层的表面形成第二电极；
其中，所述第一表面与所述第二表面相对。
可选的，还包括：
在所述衬底层与所述第一掺杂层之间形成第一本征层；
和在所述衬底层与所述第二掺杂层之间形成第二本征层。
可选的，所述在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层包括：
利用溅射法，在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层；
所述在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层包括：
利用溅射法，在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层。
可选的，在所述在衬底层的第一表面形成第一掺杂层之前还包括：
对所述衬底层的第一表面进行制绒。
本申请所提供的异质结太阳电池，包括衬底层；位于所述衬底层第一表面的第一掺杂层；位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第一导电层，其中，第一导电层包括位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第二导电层和位于所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面的第三导电层；位于所述第一导电层背离所述第一掺杂层的表面的第一电极；位于所述衬底层第二表面的第二掺杂层；位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第四导电层，其中，第四导电层包括位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第五导电层和位于所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面的第六导电层；位于所述第四导电层背离所述第二掺杂层的表面的第二电极；其中，所述第二导电层和所述第五导电层均为热蒸发法形成的导电层，所述第一表面与所述第二表面相对。本申请中的第二导电层和第五导电层均为待沉积材料蒸发为气态分别形成在第一掺杂层背离衬底层的表面和第二掺杂层背离衬底层的表面的导电层，不会对第一掺杂层和第二掺杂层造成损伤，进一步的，第二导电层和第五导电层还可以分别作为形成第三导电层和第六导电层时的缓冲层，因此，消除了对第一掺杂层和第二掺杂层造成的损伤。此外，本申请还提供一种具有上述优点的异质结太阳电池制备方法。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的异质结太阳电池的一种结构示意图；
图2为本申请所提供的异质结太阳电池的另一种结构示意图；
图3为本申请所提供的异质结太阳电池制备方法的一种流程图；
图4为本申请所提供的异质结太阳电池制备方法的另一种流程图；
图5为本申请所提供的异质结太阳电池制备方法的另一种流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，现有的技术中在形成导电层时，导电层分为两层，分别采用第一溅射法和第二溅射法。虽然在采用第一溅射法时，通过减小溅射粒子能量，可以减弱对非晶硅薄膜的轰击力，从而缓减对非晶硅薄膜的损伤，但是这种方法仅能缓减透明导电层沉积过程中对非晶硅薄膜造成的损伤，并不能消除。
有鉴于此，本申请提供了一种异质结太阳电池，请参考图1，图 1为本申请所提供的异质结太阳电池的一种结构示意图，该异质结太阳电池包括：
衬底层1；
位于所述衬底层1第一表面的第一掺杂层2；
位于所述第一掺杂层2背离所述衬底层1的表面的第一导电层3，其中，第一导电层3包括位于所述第一掺杂层2背离所述衬底层1的表面的第二导电层31和位于所述第二导电层31背离所述第一掺杂层 2的表面的第三导电层32；
位于所述第一导电层3背离所述第一掺杂层2的表面的第一电极 4；
位于所述衬底层1第二表面的第二掺杂层5；
位于所述第二掺杂层5背离所述衬底层1的表面的第四导电层6，其中，第四导电层6包括位于所述第二掺杂层5背离所述衬底层1的表面的第五导电层61和位于所述第五导电层61背离所述第二掺杂层 5的表面的第六导电层62；
位于所述第四导电层6背离所述第二掺杂层5的表面的第二电极 7；
其中，所述第二导电层31和所述第五导电层61均为热蒸发法形成的导电层，所述第一表面与所述第二表面相对。
本申请实施例中，第二导电层31和第五导电层61均为热蒸发法形成的导电层，目的是通过热蒸发法，加热升温使待沉积材料蒸发为气态，进而使第二导电层31和第五导电层61分别沉积在位于第一掺杂层2背离所述衬底层1的表面上和位于第二掺杂层5背离所述衬底层1的表面上，因此热蒸发法本身并不会对第一掺杂层2和第二掺杂层5造成损伤。
还需要说明的是，本实施例中衬底层1采用N型晶体硅作为衬底层，但是本实施例对此并不做具体限定。在上述实施例的基础上，在本申请的另一个实施例中，衬底层1采用P型晶体硅作为衬底层。
具体的，在本申请的一个实施例中，当采用N型晶体硅作为衬底层1时，位于N型晶体硅第一表面的第一掺杂层2为P型非晶硅。在本申请的另一个实施例中，当采用P型晶体硅作为衬底层1时，位于 P型晶体硅第一表面的第一掺杂层2为N型非晶硅。
具体的，在本申请的一个实施例中，当采用N型晶体硅作为衬底层1时，位于衬底层1第二表面的第二掺杂层5为N型非晶硅。在本申请的另一个实施例中，当采用P型晶体硅作为衬底层1时，位于衬底层1第二表面的第二掺杂层5为P型非晶硅。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，第一电极4和第二电极7的材料均为金属电极，金属电极材料可以为银(Ag)、镍(Ni)、铜(Cu)等，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，第一电极4和第二电极7的材料还可以为其他导电材料，优选为导电性好，电阻率低的材料，具体视情况而定。
需要说明的是，本实施例中并不对第一导电层3和第四导电层6 进行具体限定，只要分别起到将第一电极4与第一掺杂层2实现电导通，将第二电极7与第二掺杂层5实现电导通即可。
还需要说明的是，本实施例中对第二电极7的结构不做具体限定，视情况而定。第二电极7可以为栅线电极，还可以为全背式电极。
本申请所提供的异质结太阳电池，包括衬底层1；位于所述衬底层1第一表面的第一掺杂层2；位于所述第一掺杂层2背离所述衬底层1的表面的第一导电层3，其中，第一导电层3包括位于所述第一掺杂层2背离所述衬底层1的表面的第二导电层31和位于所述第二导电层31背离所述第一掺杂层2的表面的第三导电层32；位于所述第一导电层3背离所述第一掺杂层2的表面的第一电极4；位于所述衬底层1第二表面的第二掺杂层5；位于所述第二掺杂层5背离所述衬底层1的表面的第四导电层6，其中，第四导电层6包括位于所述第二掺杂层5背离所述衬底层1的表面的第五导电层61和位于所述第五导电层61背离所述第二掺杂层5的表面的第六导电层62；位于所述第四导电层6背离所述第二掺杂层5的表面的第二电极7；其中，所述第二导电层31和所述第五导电层61均为热蒸发法形成的导电层，所述第一表面与所述第二表面相对。本申请中的第二导电层31和第五导电层61均为待沉积材料蒸发为气态分别形成在第一掺杂层2背离衬底层1的表面和第二掺杂层5背离衬底层1的表面的导电层，不会对第一掺杂层2和第二掺杂层5造成损伤，进一步的，第二导电层31 和第五导电层61还可以分别作为形成第三导电层32和第六导电层62 时的缓冲层，因此，消除了对第一掺杂层2和第二掺杂层5造成的损伤。
请参考图2，图2为本申请所提供的异质结太阳电池的另一种结构示意图。在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，该异质结太阳电池还包括：
位于所述衬底层1与所述第一掺杂层2之间的第一本征层8；
和位于所述衬底层1与所述第二掺杂层5之间的第二本征层9。
具体的，本申请的一个实施例中，第一本征层8和第二本征层9 均为本征非晶体硅。
本申请实施例所提供的异质结太阳电池，在衬底层1与第一掺杂层2之间具有第一本征层8，且在衬底层1与第二掺杂层5之间具有第二本征层9，可以抑制衬底层1的表面复合，提升异质结太阳电池的光电转换效率。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第三导电层32和所述第六导电层62均为溅射法形成的导电层。
本申请实施例所提供的异质结太阳电池，第二导电层31和第五导电层61均为热蒸发法形成的导电层，第三导电层32和第六导电层 62均为溅射法形成的导电层，整合了热蒸发法和溅射法两者优势，一方面热蒸发法不损伤第一掺杂层2和第二掺杂层5，另一方面溅射法沉积出的导电层具有电阻率低、透光率高的特点，提高异质结太阳电池的光电转换性能，同时第二导电层31和第五导电层61还可以分别作为溅射形成第三导电层32和第六导电层62时的缓冲层，完全消除对第一掺杂层2和第二掺杂层5的损害。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第二导电层31的厚度取值范围为0.1nm-50nm，包括端点值；所述第五导电层61的厚度取值范围为0.1nm-50nm，包括端点值；以避免第二导电层31的厚度和第五导电层61的厚度太小，在形成第三导电层32 和第六导电层62时起到的缓冲作用不够，造成对第一掺杂层2和第二掺杂层5的损害，同时避免第二导电层31的厚度和第五导电层61的厚度太大，因为热蒸发法的沉积速率慢，当第二导电层31的厚度和第五导电层61的厚度较大时，沉积时间便长，导致生产速率降低，并且，热蒸发法沉积形成的膜层，其透光性和导电性相对较于溅射法形成的膜层差，厚度太大会影响异质结太阳电池的光电转换性能。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第三导电层32的厚度取值范围为0.1nm-500nm，包括端点值；所述第六导电层62的厚度取值范围为0.1nm-500nm，包括端点值，将第三导电层32的厚度和第六导电层62的厚度分别设置在上述范围内目的是，第三导电层32的厚度和第六导电层62的厚度分别需要与第二导电层 31的厚度和第五导电层61的厚度进行匹配，以使第一导电层3和第四导电层6达到最优的减反增透的效果。
优选的，在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一导电层3和所述第四导电层6均为透明导电层，增加光线的透过率，使衬底层1吸收更多的光线，提升太阳电池的光电转换效率。
需要说明的是，本实施例中对透明导电层的材料不做具体限定，可以自行选择。例如，透明导电层的材料可以为掺锡氧化铟(ITO)，或者掺氟氧化锡(FTO)，或掺铝氧化锌(AZO)，或掺硼氧化锌(BZO) 等等。
此外，本申请还提供了一种异质结太阳电池制备方法，请参考图 3，图3为本申请所提供的异质结太阳电池制备方法的一种流程图，该方法包括：
步骤S101：在衬底层的第一表面形成第一掺杂层。
具体的，在衬底层的第一表面沉积第一掺杂层。其中，衬底层可以选择N型晶体硅，或者P型晶体硅，本实施例对此不做限定。
需要说明的是，本实施例中对沉积第一掺杂层的方法并不做具体限定。例如，沉积方法可以采用等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，或者低压化学气相沉积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)，或者热丝化学气相沉积(Hot Wire Chemical Vapor Deposition，HWCVD)等等。其具体工作原理，已为本领域技术人员所熟知，对此不再详细赘述。
步骤S102：利用热蒸发法，在所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面形成第二导电层。
具体的，在第一掺杂层背离衬底层的表面采用热蒸发法沉积第二导电层。
本实施例中，采用热蒸发法，加热使待沉积材料蒸发为气态，进而将第二导电层沉积在第一掺杂层背离所述衬底层的表面上，热蒸发法本身并不会对第一掺杂层造成损伤。
需要说明的是，本实施例中对热蒸发法的具体方式不做限定，可以视情况而定。例如，热蒸发法可以具体为电阻热蒸发法，或者电子束热蒸发法，或者反应热蒸发法等。其具体工作原理，已为本领域技术人员所熟知，对此不再详细赘述。
步骤S103：在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层。
具体的，在第二导电层背离第一掺杂层的表面沉积第三导电层。
需要说明的是，本实施例中对沉积第三导电层的方法不做具体限定。
步骤S104：在所述第三导电层背离所述第二导电层的表面形成第一电极。
具体的，在第三导电层背离第二导电层的表面沉积第一电极。
需要说明的是，本实施例中对沉积第一电极的方法不做具体限定。例如，沉积第一电极时可以采用丝网印刷法，或者采用电镀等。其具体工作原理，已为本领域技术人员所熟知，对此不再详细赘述。
步骤S105：在所述衬底层第二表面形成第二掺杂层。
需要说明的是，本实施例中对沉积第二掺杂层的方法并不做具体限定，例如，沉积方法可以采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)，或者低压化学气相沉积(Low PressureChemical Vapor Deposition， LPCVD)，或者热丝化学气相沉积(HWCVD)等等。其具体工作原理，已为本领域技术人员所熟知，对此不再详细赘述。
步骤S106：利用热蒸发法，在所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面形成第五导电层。
具体的，在第二掺杂层背离衬底层的表面采用热蒸发法沉积第五导电层。
本实施例中，采用热蒸发法，加热使待沉积材料蒸发为气态，进而将第五导电层沉积在第二掺杂层背离所述衬底层的表面上，热蒸发法本身并不会对第二掺杂层造成损伤。
需要说明的是，本实施例中对热蒸发法的具体方式不做限定，可以视情况而定。例如，热蒸发法可以具体为电阻热蒸发法，或者电子束热蒸发法，或者反应热蒸发法等。其具体工作原理，已为本领域技术人员所熟知，对此不再详细赘述。
步骤S107：在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层。
需要说明的是，本实施例中对沉积第六导电层的方法不作具体限定，可以自行选择。
步骤S108：在所述第六导电层背离所述第五导电层的表面形成第二电极；
其中，所述第一表面与所述第二表面相对。
需要说明的是，本实施例中对沉积第二电极的方法不做具体限定。例如，沉积第一电极时可以采用丝网印刷法，或者采用电镀等。其具体工作原理，已为本领域技术人员所熟知，对此不再详细赘述。
还需要说明的是，本实施例中对形成第二电极的结构不做具体限定，视情况而定。例如，可以将第二电极形成为栅线电极，还可以将第二电极形成为全背式电极。
需要说明的是，上述步骤间的顺序可以调整，例如，还可以按照以下顺序进行，步骤S101，步骤S105，步骤S102，步骤S106，步骤 S103，步骤S107，步骤S104，步骤S108。
本申请所提供的异质结太阳电池制备方法制作的异质结太阳电池，包括衬底层；位于所述衬底层第一表面的第一掺杂层；位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第一导电层，其中，第一导电层包括位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第二导电层和位于所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面的第三导电层；位于所述第一导电层背离所述第一掺杂层的表面的第一电极；位于所述衬底层第二表面的第二掺杂层；位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第四导电层，其中，第四导电层包括位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第五导电层和位于所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面的第六导电层；位于所述第四导电层背离所述第二掺杂层的表面的第二电极；其中，所述第二导电层和所述第五导电层均为热蒸发法形成的导电层，所述第一表面与所述第二表面相对。本申请中的第二导电层和第五导电层均为待沉积材料蒸发为气态分别形成在第一掺杂层背离衬底层的表面和第二掺杂层背离衬底层的表面的导电层，不会对第一掺杂层和第二掺杂层造成损伤，进一步的，第二导电层和第五导电层还可以分别作为形成第三导电层和第六导电层时的缓冲层，因此，消除了对第一掺杂层和第二掺杂层造成的损伤。
具体的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，当衬底层选择N型晶体硅时，在N型晶体硅第一表面沉积P型非晶硅。在本申请的另一个实施例中，当衬底层选择P型晶体硅时，在P型衬底层第一表面沉积N型非晶硅。
具体的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，当采用N型晶体硅作为衬底层时，在衬底层第二表面沉积N型非晶硅。在本申请的另一个实施例中，当采用P型晶体硅作为衬底层时，位于衬底层第二表面沉积P型非晶硅。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，在形成第二导电层，优选的，将第二导电层的厚度设置在0.1nm-50nm之间，包括端点值；在形成第五导电层时，优选的，将第五导电层的厚度设置在0.1nm-50nm之间，包括端点值；以避免第二导电层的厚度和第五导电层的厚度太小，在形成第三导电层和第六导电层时起到的缓冲作用不够，造成对第一掺杂层和第二掺杂层的损害，同时避免第二导电层的厚度和第五导电层的厚度太大，因为热蒸发法的沉积速率慢，当第二导电层31的厚度和第五导电层61的厚度较大时，沉积时间便延长，导致生产速率降低，并且，热蒸发法沉积形成的膜层，其透光性和导电性相对较于溅射法形成的膜层差，厚度太大会影响异质结太阳电池的光电转换性能。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，在形成第三导电层，优选的，将第三导电层的厚度设置在0.1nm-500nm之间，包括端点值；在形成第六导电层时，优选的，将第六导电层的厚度设置在0.1nm-500nm之间，包括端点值，将第三导电层32的厚度和第六导电层62的厚度分别形成在上述范围内目的是，第三导电层32的厚度和第六导电层62的厚度分别需要与第二导电层31的厚度和第五导电层61的厚度进行匹配，以使第一导电层3和第四导电层6达到最优的减反增透的效果。
请参考图4，图4为本申请所提供的异质结太阳电池制备方法的另一种流程图。在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，还包括：
在所述衬底层与所述第一掺杂层之间形成第一本征层，即：
步骤S201：在所述衬底层的第一表面形成第一本征层；
和在所述衬底层与所述第二掺杂层之间形成第二本征层，即
步骤S206：在所述衬底层的第二表面形成第二本征层。
因此，第一掺杂层和第二掺杂层的形成过程分别为：
步骤S202：在所述第一本征层背离所述衬底层的表面形成第一掺杂层；
步骤S207：在所述第二本征层背离所述衬底层的表面形成第二掺杂层。
需要说明的是，本实施例中对沉积形成第一本征层的方法不做具体限定，可以视情况而定。例如，沉积方法可以采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)，或者低压化学气相沉积(LPCVD)，或者热丝化学气相沉积(HWCVD)等等。
还要说明的是，本实施例中对沉积形成第二本征层的方法也不做具体限定，可以视情况而定。例如，沉积方法可以采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)，或者低压化学气相沉积(LPCVD)，或者热丝化学气相沉积(HWCVD)等等。
本实施例提供的异质结太阳电池制备方法制作的异质结太阳电池，在衬底层与第一掺杂层之间形成第一本征层，且在衬底层与第二掺杂层之间形成第二本征层，可以抑制衬底层的表面复合，提升异质结太阳电池的光电转换效率。
请参考图5，图5为本申请所提供的异质结太阳电池制备方法的另一种流程图。在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层包括：
步骤S304：利用溅射法，在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层；
所述在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层包括：
步骤S309：利用溅射法，在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层。
需要说明的是，本市实施例中对溅射法的具体方式不做限定，可以视情况而定。例如，溅射法可以为直流溅射法，或者射频溅射法，或磁控溅射法，或者反应溅射法等。
本实施例提供的异质结太阳电池制备方法制作的异质结太阳电池，利用热蒸发法沉积形成第二导电层和第五导电层，利用溅射法沉积形成第三导电层和第六导电层，整合了热蒸发法和溅射法两者的优势，一方面热蒸发法不损伤第一掺杂层和第二掺杂层，另一方面溅射法沉积的导电层具有电阻率低、透光率高的特点，提高异质结太阳电池的光电转换性能，同时第二导电层和第五导电层还可以分别作为溅射形成第三导电层和第六导电层时的缓冲层，完全消除对第一掺杂层和第二掺杂层的损害。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，在所述在衬底层的第一表面形成第一掺杂层之前还包括：
对所述衬底层的第一表面进行制绒。
具体的，在本申请的一个实施例中，当第二电极为栅线电极时，还包括对衬底层的第二表面进行制绒。
本实施例提供的异质结太阳电池制备方法制作的异质结太阳电池，对衬底层进行制绒，不仅可以消除衬底层表面的污染，还可以减少对太阳光线的反射，增加光线的接收量，从而使异质结太阳电池的光电转换性能提高。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
以上对本申请所提供的异质结太阳电池及其制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种异质结太阳电池，其特征在于，包括：
衬底层；
位于所述衬底层第一表面的第一掺杂层；
位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第一导电层，其中，第一导电层包括位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第二导电层和位于所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面的第三导电层；
位于所述第一导电层背离所述第一掺杂层的表面的第一电极；
位于所述衬底层第二表面的第二掺杂层；
位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第四导电层，其中，第四导电层包括位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第五导电层和位于所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面的第六导电层；
位于所述第四导电层背离所述第二掺杂层的表面的第二电极；
其中，所述第二导电层和所述第五导电层均为热蒸发法形成的导电层，所述第一表面与所述第二表面相对。
2.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，还包括：
位于所述衬底层与所述第一掺杂层之间的第一本征层；
和位于所述衬底层与所述第二掺杂层之间的第二本征层。
3.如权利要求2所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述第三导电层和所述第六导电层均为溅射法形成的导电层。
4.如权利要求3所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述第二导电层的厚度取值范围为0.1nm-50nm，包括端点值；所述第五导电层的厚度取值范围为0.1nm-50nm，包括端点值。
5.如权利要求4所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述第三导电层的厚度取值范围为0.1nm-500nm，包括端点值；所述第六导电层的厚度取值范围为0.1nm-500nm，包括端点值。
6.如权利要求1至5任一项所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述第一导电层和所述第四导电层均为透明导电层。
7.一种异质结太阳电池制备方法，其特征在于，包括：
在衬底层的第一表面形成第一掺杂层；
利用热蒸发法，在所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面形成第二导电层；
在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层；
在所述第三导电层背离所述第二导电层的表面形成第一电极；
在所述衬底层第二表面形成第二掺杂层；
利用热蒸发法，在所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面形成第五导电层；
在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层；
在所述第六导电层背离所述第五导电层的表面形成第二电极；
其中，所述第一表面与所述第二表面相对。
8.如权利要求7所述的异质结太阳电池制备方法，其特征在于，还包括：
在所述衬底层与所述第一掺杂层之间形成第一本征层；
和在所述衬底层与所述第二掺杂层之间形成第二本征层。
9.如权利要求8所述的异质结太阳电池制备方法，其特征在于，所述在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层包括：
利用溅射法，在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层；
所述在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层包括：
利用溅射法，在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层。
10.如权利要求7至9任一项所述的异质结太阳电池制备方法，其特征在于，在所述在衬底层的第一表面形成第一掺杂层之前还包括：
对所述衬底层的第一表面进行制绒。
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