CN109573964A - 一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法 - Google Patents

一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109573964A
CN109573964A CN201811422281.4A CN201811422281A CN109573964A CN 109573964 A CN109573964 A CN 109573964A CN 201811422281 A CN201811422281 A CN 201811422281A CN 109573964 A CN109573964 A CN 109573964A
Authority
CN
China
Prior art keywords
boron nitride
graphene oxide
template
hexagonal boron
nitride particle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811422281.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109573964B (zh
Inventor
梁宝岩
张旺玺
王文科
许广存
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Henan Qixiang Intelligent Technology Co ltd
Shandong Kunboron New Materials Co ltd
Original Assignee
Zhongyuan University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhongyuan University of Technology filed Critical Zhongyuan University of Technology
Priority to CN201811422281.4A priority Critical patent/CN109573964B/zh
Publication of CN109573964A publication Critical patent/CN109573964A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109573964B publication Critical patent/CN109573964B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/064Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及氮化硼材料领域,特别是指一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法。本发明基于氮化硼的有机物前驱体法,该方法优化制备工艺,以硼酸、三聚氰铵以及氧化石墨烯为原料,在溶液状态下反应,获得前驱体,前驱体和石墨烯充分复合,在随后的热处理过程中,石墨烯的存在抑制了氮化硼晶粒的长大,从而得到纳米氮化硼粉体。最后,通过空气中氧化石墨烯,得到单相氮化硼粉末。

Description

一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法
技术领域
本发明涉及氮化硼材料领域,特别是指一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法。
背景技术
六方氮化硼是一种重要的无机材料,其具有耐高温、高导热率、耐腐蚀和高温润滑及耐辐射和绝缘性能等。因此氮化硼材料在许多领域,比如高温坩埚、立方氮化硼合成原料、电子封闭行业、国防以及核工业都具有较好应用。纳米六方氮化硼粉末,在机械、生物、微电子应用、纳米光子学等许多领域具有巨大的应用前景。
尽管目前合成纳米六方氮化硼材料的方法很多,但是这些方法存在许多制约纳米氮化硼产业化及应用的缺点。比如化学气相沉积法制备氮化硼,虽然易得到纯度高、粒度均匀的纳米氮化硼,但是设备成本高、产率低,制备工艺需精确控制。水热法的工艺条件相对容易控制,产物粒度可达到纳米级,均匀性和球形度良好,但产率普遍偏低。同时水热法需高温高压设备,对设备的依赖程度较高。因此目前纳米六方氮化硼粉体的制备成本很高,它的市场售价通常是普通微米级六方氮化硼粉体的10倍左右,极大地制约了其应用。
采用有机物前驱体法可制备微米级六方氮化硼粉末,即采用三聚氰胺与硼酸为原料,通过湿化学法合成棒状先驱体,然后通过高温煅烧得到氮化硼粉末。这方面已有一些报道,该方法制备六方氮化硼的优点是生产成本低、工艺流程简单,但缺点是氮化硼粉体粒径较大、尺寸也不规则,为10-30微米。
发明内容
本发明提出一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,解决了现有氮化硼粉体粒径较大、尺寸不规则的问题。本发明通过优化制备工艺,以硼酸、三聚氰铵以及氧化石墨烯为原料,在溶液状态反应,获得前驱体,前驱体和石墨烯充分复合;随后的热处理过程中,石墨烯的存在抑制了氮化硼晶粒的长大,从而得到纳米氮化硼粉体;最后,利用空气氧化石墨烯,得到单相氮化硼粉末。
本发明的技术方案是这样实现的:
一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,步骤如下:
(1)将氧化石墨烯加入水中超声处理2-4h,充分分散后,按比例加入硼酸和三聚氰铵,置于微波合成仪中反应,反应完全即得到氮化硼前驱体混合液;
(2)将步骤(1)得到的氮化硼前驱体混合液倒入冰水混合物中,使混合液迅速冷却,然后用去离子水和无水乙醇反复洗涤过滤,直至过滤后的去离子水的pH值为中性,之后将所得的固体产物置于烘箱内烘干,得烘干产物;
(3)将烘干产物置于氮气中进行热处理,然后转至空气中进行降温、水洗,得到纳米六方氮化硼颗粒。
所述步骤(1)中氧化石墨烯的质量为预期合成得到的纳米六方氮化硼颗粒质量的1-10%;硼酸和三聚氰铵的摩尔比为(1.5-3): 1。
所述步骤(1)中微波合成仪中反应的温度为90-100℃,保温时间为40-60min。
所述步骤(2)中烘干的温度为60-90℃,烘干时间为10-12h。
所述步骤(3)中热处理温度1200-1400℃,保温时间为3-6h;降温参数为降温至900-1000℃,保温4-6h。
本发明的有益效果在于:本发明中添加了氧化石墨烯,起到抑制前驱体尺寸,在热处理过程中又促进氮化硼晶粒长大的作用,进而得到纳米级的六方氮化硼颗粒,颗粒的形状为短棒状,平均长度为 27nm,平均宽度为14nm,形状也都很规则;本申请制备的纳米六方氮化硼的成本很低,而且技术工艺较简单,易于批量化生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为实例1制得的氮化硼粉体的扫描电镜图片。
图2为述实例1制得的氮化硼粉体的透射电镜照片,从图中可以看出氮化硼粉体的平均晶粒尺寸约为50nm。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,步骤如下:
将0.083g氧化石墨烯在200ml的去离子水中超声处理2小时,使其充分分散。然后把4.20g的硼酸和4.11g三聚氰铵倒进该混合液体中。之后一同放入微波合成仪中,加热温度为90℃,保温时间60min。加热结束后,把该液体取出倒入冰水混合物中,使液体迅速冷却。用去离子水和无水乙醇反复洗涤、过滤,直至过滤后的去离子水的pH值为中性。最后,将所得到的产物置于烘箱中于60℃烘干10h,得到灰黑色样品。将得到灰黑色样品在氮气中进行热处理,热处理温度为1200℃,保温时间为3小时。然后降温至900℃,保温6h,气氛为空气。热处理得到的样品经多次水洗并烘干后,得到纳米六方氮化硼颗粒。
实施例2
一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,步骤如下:
将0.125g氧化石墨烯在200ml的去离子水中超声处理2小时,使其充分分散。然后把4.20g的硼酸和5.64g三聚氰铵倒进该混合液体中。之后一同放入微波合成仪中,加热温度为100℃,保温时间40min。加热结束后,把该液体取出倒入冰水混合物中,使液体迅速冷却。用去离子水和无水乙醇反复洗涤、过滤,直至过滤后的去离子水的pH值为中性。最后,将所得到的产物置于烘箱中于90℃烘干12h,得到灰黑色样品。将得到灰黑色样品在氮气中进行热处理,热处理温度为1400℃,保温时间为3小时。然后降温至1000℃,保温4h,气氛为空气。热处理得到的样品经多次水洗并烘干后,得到纳米六方氮化硼颗粒。
实施例3
一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,步骤如下:
将0.042g氧化石墨烯在200ml的去离子水中超声处理2小时,使其充分分散。然后把4.20g的硼酸和2.82g三聚氰铵倒进该混合液体中。之后一同放入微波合成仪中,加热温度为90℃,保温时间50min。加热结束后,把该液体取出倒入冰水混合物中,使液体迅速冷却。用去离子水和无水乙醇反复洗涤、过滤,直至过滤后的去离子水的pH值为中性。最后,将所得到的产物置于烘箱中于90℃烘干12h,得到灰黑色样品。将得到灰黑色样品在氮气中进行热处理,热处理温度为1300℃,保温时间为4小时。然后降温至1000℃,保温4h,气氛为空气。热处理得到的样品经多次水洗并烘干后,得到纳米六方氮化硼颗粒。
实施例4
一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,步骤如下:
将0.166g氧化石墨烯在400ml的去离子水中超声处理2小时,使其充分分散,然后把4.20g的硼酸和5.21g三聚氰铵倒进该混合液体中。之后一同放入微波合成仪中,加热温度为95℃,保温时间40min。加热结束后,把该液体取出倒入冰水混合物中,使液体迅速冷却。用去离子水和无水乙醇反复洗涤、过滤,直至过滤后的去离子水的pH值为中性。最后,将所得到的产物置于烘箱中于60℃烘干10h,得到灰黑色样品。将得到产物在氮气中进行热处理,热处理温度为1250℃,保温时间为6小时。然后降温至900℃,保温6h,气氛为空气。热处理得到的样品经多次水洗并烘干后,得到纳米六方氮化硼颗粒。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,其特征在于,步骤如下:
(1)将氧化石墨烯加入水中超声处理2-4h,充分分散后,按比例加入硼酸和三聚氰铵,置于微波合成仪中反应,反应完全即得到氮化硼前驱体混合液;
(2)将步骤(1)得到的氮化硼前驱体混合液倒入冰水混合物中,使混合液迅速冷却,然后用去离子水和无水乙醇反复洗涤过滤,直至过滤后的去离子水的pH值为中性,之后将所得的固体产物置于烘箱内烘干,得烘干产物;
(3)将烘干产物置于氮气中进行热处理,然后转至空气中进行降温、水洗,得到纳米六方氮化硼颗粒。
2.根据权利要求1所述的氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,其特征在于:所述步骤(1)中氧化石墨烯的质量为纳米六方氮化硼颗粒质量的1-10%;硼酸和三聚氰铵的摩尔比为(1.5-3): 1。
3.根据权利要求1所述的氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,其特征在于:所述步骤(1)中微波合成仪中反应的温度为90-100℃,保温时间为40-60min。
4.根据权利要求1所述的氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,其特征在于:所述步骤(2)中烘干的温度为60-90℃,烘干时间为10-12h。
5.根据权利要求1所述的氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法,其特征在于:所述步骤(3)中热处理温度1200-1400℃,保温时间为3-6h;降温参数为降温至900-1000℃,保温4-6h。
CN201811422281.4A 2018-11-27 2018-11-27 一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法 Active CN109573964B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811422281.4A CN109573964B (zh) 2018-11-27 2018-11-27 一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811422281.4A CN109573964B (zh) 2018-11-27 2018-11-27 一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109573964A true CN109573964A (zh) 2019-04-05
CN109573964B CN109573964B (zh) 2020-04-24

Family

ID=65924205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811422281.4A Active CN109573964B (zh) 2018-11-27 2018-11-27 一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109573964B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115895262A (zh) * 2022-05-19 2023-04-04 华中科技大学 一种竖直取向结构热界面材料及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105293453A (zh) * 2015-11-20 2016-02-03 汕头大学 一种掺杂六方氮化硼纳米片及其制备方法和以其为载体的催化剂及应用
CN108328585A (zh) * 2018-05-03 2018-07-27 河北工业大学 一种氮化硼包覆石墨烯纳米片的制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105293453A (zh) * 2015-11-20 2016-02-03 汕头大学 一种掺杂六方氮化硼纳米片及其制备方法和以其为载体的催化剂及应用
CN108328585A (zh) * 2018-05-03 2018-07-27 河北工业大学 一种氮化硼包覆石墨烯纳米片的制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115895262A (zh) * 2022-05-19 2023-04-04 华中科技大学 一种竖直取向结构热界面材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109573964B (zh) 2020-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mu et al. Synthesis, characterization, shape-preserved transformation, and optical properties of La (OH) 3, La2O2CO3, and La2O3 nanorods
Wang et al. Lotus-root-like In2O3 nanostructures: fabrication, characterization, and photoluminescence properties
CN104998674A (zh) 一种多级结构的硅酸盐粘土-氮化碳复合材料及其制备方法
Huang et al. Gd2O2S: Eu3+ and Gd2O2S: Eu3+/Gd2O2S hollow microspheres: Solvothermal preparation and luminescence properties
CN105692686B (zh) 一种纳米氧化锌粉体的制备方法
CN110002414A (zh) 一种多孔氮化碳纳米管的制备方法
CN105328206A (zh) 一种油相化学还原制备铜纳米线的方法
Zhong et al. Preparation and optical properties of sodium borosilicate glasses containing Sb nanoparticles
CN106622331B (zh) 一种高比表面积石墨相氮化碳光催化剂的制备方法
CN104016408B (zh) 一种铌酸钠纳米线的合成方法
Naskar Soft solution processing for the synthesis of alumina nanoparticles in the presence of glucose
Chen et al. Effect of temperature on the preparation of yttrium oxide in microwave field
CN103274425B (zh) 花球状纳米硼酸镍的制备方法
Niu et al. Pyrolysis of single carbon sources in SBA-15: A recyclable solid phase synthesis to obtain uniform carbon dots with tunable luminescence
CN115196605A (zh) 一种石墨相氮化碳纳米片的制备方法及应用
CN109573964A (zh) 一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法
Shen et al. Preparation and characterization of ultrafine zinc oxide powder by hydrothermal method
KR20130070092A (ko) 산화 이트륨 분말의 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화 이트륨 분말
CN109706550A (zh) 一种碳纳米纤维作为模板制备六方氮化硼的方法
US11623210B2 (en) Method for preparing silicate/carbon composite from attapulgite, and use of silicate/carbon composite
CN102320659B (zh) 一种采用微波辐射法合成钒酸镧纳米材料的方法
CN105290414A (zh) 一种合成纳米铜颗粒的方法
CN103466688A (zh) 一种制备ZnS纳米片的方法
CN107138149B (zh) 一种高效产氢的球状纳米ZnO/ZnCr2O4复合光催化剂的制备方法
CN109502629A (zh) 氧化锌纳米薄片/纳米颗粒的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231107

Address after: No. 1600-1, South of Ningbo Road, East of Fuyuan Fourth Road, Xingcheng Street, High tech Zone, Zaozhuang City, Shandong Province, 277500

Patentee after: Shandong Kunboron New Materials Co.,Ltd.

Address before: Room 1502, Building A, No. 60 Guoji Road, Jinshui District, Zhengzhou City, Henan Province, 451191

Patentee before: Henan Qixiang Intelligent Technology Co.,Ltd.

Effective date of registration: 20231107

Address after: Room 1502, Building A, No. 60 Guoji Road, Jinshui District, Zhengzhou City, Henan Province, 451191

Patentee after: Henan Qixiang Intelligent Technology Co.,Ltd.

Address before: 451191 No. 1 Huaihe Road, Shuang Hu Economic and Technological Development Zone, Xinzheng, Zhengzhou, Henan

Patentee before: ZHONGYUAN University OF TECHNOLOGY