CN109558083B - 防止代码被改写的方法及存储器 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种防止代码被改写的方法,通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型。若所述当前控制信号为写操作信号,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述锁存器。通过所述第二控制单元判断所述锁存器内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同。若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同,则所述第二控制单元控制所述锁存器将所述当前控制信号发送至所述寄存器,从而进行写操作。本申请还提供了一种存储器。本申请大大降低了所述存储器内原始代码被改写的风险,进而提高生产良率,增加产品可靠性。
Description
技术领域
本申请涉及数据存储技术领域,特别是涉及防止代码被改写的方法及存储器。
背景技术
在TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display,薄膜晶体管液晶显示器)驱动电路设计中,TCON(Timer Control Register,时序控制器)会发送相关信号产生器产生的信号给driver(驱动器),它们的属性及相对关系可由使用者根据应用要求进行对应的修改。这部分数据整合成TCON code(代码)的bin(二进制)文档,由PC(PersonalComputer,个人计算机)机发起。
经由各厂商的TCON治具及配线,烧录进TCON外围器件EEPROM(ElectricallyErasable Programmable read only memory,带电可擦可编程只读存储器)元件里。断电上电后,TCON直接向EEPROM读取数据,将相关设置发送给driver。其中,控制TCON读写由电压控制信号进行控制,电压控制信号为高电位时进行读操作,电压控制信号为低电位时进行写操作。写code一般是PCBA(Printed Circuit Board Assembly,印制电路板组件)打件完成之后在打件厂内完成。而在面板厂内,在bonding(绑定)完成之后,需要进行上电测试,此时因为电压控制信号为高电位,进行的是读操作。
但是一旦电压控制信号受到干扰而被拉低,就将进行写操作。此时如果又遇到数据线上的读写位恰恰因为layout(布局)走线上寄生电容和高频率等原因在EEPROM识别的时候为写,就会导致存储器的原始code被改写。
发明内容
基于此,有必要针对电压控制信号因受到干扰而导致电位被拉低,从而导致存储器内的原始代码被改写的问题,提供一种防止代码被改写的方法及存储器。
一种防止代码被改写的方法,应用于存储器,所述存储器包括第一控制单元、第二控制单元、锁存器和寄存器,所述方法包括:
通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型;
若所述当前控制信号为写操作信号,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述锁存器;
通过所述第二控制单元判断所述锁存器内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同;
若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同,则所述第二控制单元控制所述锁存器将所述当前控制信号发送至所述寄存器,从而进行写操作。
在其中一个实施例中,所述若所述当前控制信号为写操作,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述锁存器的步骤之前,所述方法还包括:
若所述当前控制信号为读操作信号,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述寄存器,以完成读操作。
在其中一个实施例中,所述通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤包括:
通过所述第一控制单元获取所述时序控制器发送的所述当前控制信号;
通过所述第一控制单元判断所述当前控制信号的电位高低;
若所述当前控制信号的电位为低电位,则判断所述当前控制信号为写操作信号。
在其中一个实施例中,所述通过所述第一控制单元判断所述当前控制信号的电位高低的步骤包括:
通过所述第一控制单元将所述当前控制信号的电位与预设基准电位进行比较;
判断所述当前控制信号的电位相对于所述预设基准电位的电位高低。
在其中一个实施例中,所述通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤还包括:
若所述当前控制信号的电位为高电位,则判断所述当前控制信号为读操作信号。
在其中一个实施例中,所述若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同,则所述第二控制单元控制所述锁存器将所述当前控制信号发送至所述寄存器,从而进行写操作的步骤之前,所述方法还包括:
若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码不相同,则返回所述通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤。
一种防止代码被改写的方法,应用于存储器,所述存储器包括第一控制单元、第二控制单元、锁存器和寄存器,所述方法包括:
通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型;
若所述当前控制信号为读操作信号,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述寄存器,以完成读操作;
若所述当前控制信号为写操作信号,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述锁存器;
通过所述第二控制单元判断所述锁存器内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同;
若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同,则所述第二控制单元控制所述锁存器将所述当前控制信号发送至所述寄存器,从而进行写操作;
若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码不相同,则返回所述通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤。
在其中一个实施例中,所述通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤包括:
通过所述第一控制单元获取所述时序控制器发送的所述当前控制信号;
通过所述第一控制单元判断所述当前控制信号的电位高低;
若所述当前控制信号的电位为高电位,则判断所述当前控制信号为写操作信号;
若所述当前控制信号的电位为低电位,则判断所述当前控制信号为读操作信号。
在其中一个实施例中,所述通过所述第一控制单元判断所述当前控制信号的电位高低的步骤包括:
通过所述第一控制单元将所述当前控制信号的电位与预设基准电位进行比较;
判断所述当前控制信号的电位相对于所述预设基准电位的电位高低。
一种存储器,包括:
第一控制单元,用于接收时序控制器发送的当前控制信号,并判断所述当前控制信号的读写操作类型;
第一控制开关,所述第一控制开关的一端与所述时序控制器电连接;
第二控制开关,所述第二控制开关的一端与所述时序控制器电连接;
锁存器,与所述第一控制开关的另一端电连接;
第二控制单元,与所述锁存器电连接,用于判断所述锁存器内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同;
第三控制开关,所述第三控制开关的一端与所述锁存器电连接;
寄存器,分别与所述第二控制开关的另一端和所述第三控制开关的另一端电连接;
所述第一控制单元还用于依据所述当前控制信号的读写操作类型控制所述第一控制开关的开启与断开和所述第二控制开关的开启与断开;所述第二控制单元还用于控制所述第三控制开关的开启与断开。
与现有技术相比,上述防止代码被改写的方法,通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型。若所述当前控制信号为写操作信号,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述锁存器。通过所述第二控制单元判断所述锁存器内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同。若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同,则所述第二控制单元控制所述锁存器将所述当前控制信号发送至所述寄存器,从而进行写操作。
本申请通过所述第二控制单元检测并判断所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码是否相同,只有二者相同,所述第二控制单元才会控制所述锁存器将所述当前控制信号发送至所述寄存器,从而进行写操作。大大降低了所述存储器内原始代码被改写的风险,进而提高生产良率,增加产品可靠性。
附图说明
图1为本申请一实施例提供的防止代码被改写的方法的流程图;
图2为本申请一实施例提供的存储器的结构示意图。
100 存储器
110 第一控制单元
111 第一控制开关
112 第二控制开关
113 第三控制开关
120 第二控制单元
130 锁存器
140 寄存器
200 时序控制器
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参见图1,本申请一实施例提供一种防止代码被改写的方法,应用于存储器100,所述存储器100包括第一控制单元110、第二控制单元120、锁存器130和寄存器140,所述方法包括:
S102:通过所述第一控制单元110检测时序控制器200发送的当前控制信号的读写操作类型。
可以理解,所述第一控制单元110的具体结构不做具体的限定,只要保证能够检测所述时序控制器200发送的当前控制信号的读写操作类型即可。在一个实施例中,所述第一控制单元110可为MCU(Microcontroller Unit,单片机)。在一个实施例中,所述第一控制单元110可为第一处理器。所述第一控制单元110的具体结构,可根据实际需求进行选择。
在一个实施例中,所述读写操作类型可包括读操作类型和写操作类型。所述读操作类型是指只能对所述寄存器140内的代码进行读操作。所述写操作类型是指可对所述寄存器140内的代码进行改写操作。
S104:若所述当前控制信号为写操作信号,则所述第一控制单元110将所述当前控制信号发送至所述锁存器130。
可以理解,所述第一控制单元110将所述当前控制信号发送至所述锁存器130的方式不限,只要保证所述锁存器130能够接收到所述第一控制单元110发送的所述当前控制信号即可。在一个实施例中,所述第一控制单元110可通过有线数据传输的方式将所述当前控制信号发送至所述锁存器130。在一个实施例中,所述第一控制单元110可通过有线数据传输的方式将所述当前控制信号发送至所述锁存器130。在一个实施例中,所述第一控制单元110也可通过无线数据传输的方式将所述当前控制信号发送至所述锁存器130。
S106:通过所述第二控制单元120判断所述锁存器130内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同。
可以理解,所述第二控制单元120的具体结构不做具体的限定,只要保证能够判断所述锁存器130内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同即可。在一个实施例中,所述第二控制单元120可为MCU(Microcontroller Unit,单片机)。在一个实施例中,所述第二控制单元120可为第一控制器。所述第二控制单元120的具体结构,可根据实际需求进行选择。
所述预设总和检验码通过驱动电路提前存储在所述第二控制单元120内。所述每一个code(代码)对应一个总和检验码。只有在所述锁存器130内的所述当前控制信号的总和检验码是否与所述预设总和检验码相同时,所述第二控制单元120才会进行下一步的控制操作。
S108:若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同,则所述第二控制单元120控制所述锁存器130将所述当前控制信号发送至所述寄存器140,从而进行写操作。
可以理解,所述第二控制单元120控制所述锁存器130将所述当前控制信号发送至所述寄存器140的方式不限,只要保证所述寄存器140能够接收到所述当前控制信号即可。在一个实施例中,所述第二控制单元120控制所述锁存器130可通过有线传输方式将所述当前控制信号发送至所述寄存器140。在一个实施例中,所述第二控制单元120控制所述锁存器130可通过无线传输方式将所述当前控制信号发送至所述寄存器140。
在一个实施例中,所述存储器100内的所述第一控制单元110分别与所述时序控制器200和所述锁存器130通信连接。所述第二控制单元120分别与所述锁存器130和所述寄存器140通信连接。具体的通信连接方式可采用传统的通信连接方式,这里就不做具体的描述。
本实施例中,通过所述第二控制单元120检测并判断所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码是否相同,只有二者相同,所述第二控制单元120才会控制所述锁存器130将所述当前控制信号发送至所述寄存器140,从而进行写操作。本实施例可大大降低了所述存储器100内原始代码被改写的风险,进而提高生产良率,增加产品可靠性。
在一个实施例中,所述若所述当前控制信号为写操作,则所述第一控制单元110将所述当前控制信号发送至所述锁存器130的步骤之前,所述方法还包括:若所述当前控制信号为读操作信号,则所述第一控制单元110将所述当前控制信号发送至所述寄存器140,以完成读操作。
可以理解,所述第一控制单元110将所述当前控制信号发送至所述寄存器140的方式不限,只要保证所述存器140能够接收到所述当前控制信号即可。在一个实施例中,所述第一控制单元110可通过导线将所述当前控制信号发送至所述寄存器140。在一个实施例中,所述第一控制单元110可通过无线数据传输的方式将所述当前控制信号发送至所述寄存器140。所述无线数据传输的方式可为WIFI、蓝牙等。
在一个实施例中,所述通过所述第一控制单元110检测时序控制器200发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤包括:首先,通过所述第一控制单元110获取所述时序控制器200发送的所述当前控制信号。其次,通过所述第一控制单元110判断所述当前控制信号的电位高低。最后,若所述当前控制信号的电位为低电位,则判断所述当前控制信号为写操作信号。
可以理解,所述第一控制单元110获取所述时序控制器200发送的所述当前控制信号的方式不限,只要保证所述第一控制单元110能够获取到所述当前控制信号即可。在一个实施例中,所述第一控制单元110可通过有线数据传输的方式获取所述时序控制器200发送的所述当前控制信号。在一个实施例中,所述第一控制单元110可通过无线数据传输的方式获取所述时序控制器200发送的所述当前控制信号。
在一个实施例中,所述第一控制单元110可基于第一预设基准电压对所述当前控制信号的电位高低进行判断。所述第一预设基准电压的具体数值,可根据实际需求进行设定。若所述当前控制信号的电位相对于所述第一预设基准电压为低电位,则判定所述当前控制信号为写操作信号。若所述当前控制信号的电位相对于所述第一预设基准电压为高电位,则判定所述当前控制信号为读操作信号。
在一个实施例中,所述通过所述第一控制单元110判断所述当前控制信号的电位高低的步骤包括:通过所述第一控制单元110将所述当前控制信号的电位与预设基准电位进行比较。判断所述当前控制信号的电位相对于所述预设基准电位的电位高低。
在一个实施例中,所述预设基准电位可根据实际需求进行设定,这里就不做具体的数值限定。在一个实施例中,若所述当前控制信号的电位相对于所述预设基准电位为高电位,则判断所述当前控制信号为读操作信号。若所述前控制信号的电位相对于所述预设基准电位为低电位,则判断所述当前控制信号为写操作信号。
在一个实施例中,所述若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同,则所述第二控制单元120控制所述锁存器130将所述当前控制信号发送至所述寄存器140,从而进行写操作的步骤之前,所述方法还包括:若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码不相同,则返回所述通过所述第一控制单元110检测时序控制器200发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤。
在一个实施例中,当所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码不相同时,则返回所述通过所述第一控制单元110检测时序控制器200发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤。即只有在所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同时,才会对所述存储器100内原始代码进行改写,通过这一检测验证方法,大大降低了所述存储器100内原始代码被改写的风险,增加产品可靠性。
本申请另一实施例提供一种防止代码被改写的方法,应用于存储器100,所述存储器100包括第一控制单元110、第二控制单元120、锁存器130和寄存器140。所述方法包括:首先,通过所述第一控制单元110检测时序控制器200发送的当前控制信号的读写操作类型。若所述当前控制信号为读操作信号,则所述第一控制单元110将所述当前控制信号发送至所述寄存器140,以完成读操作。其次,若所述当前控制信号为写操作信号,则所述第一控制单元110将所述当前控制信号发送至所述锁存器130。然后,通过所述第二控制单元120判断所述锁存器130内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同。
再次,若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同,则所述第二控制单元120控制所述锁存器130将所述当前控制信号发送至所述寄存器140,从而进行写操作。最后,若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码不相同,则返回所述通过所述第一控制单元110检测时序控制器200发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤。
可以理解,所述第一控制单元110的具体结构不做具体的限定,只要保证能够检测所述时序控制器200发送的当前控制信号的读写操作类型即可。在一个实施例中,所述第一控制单元110可为MCU(Microcontroller Unit,单片机)。在一个实施例中,所述第一控制单元110可为第一处理器。所述第一控制单元110的具体结构,可根据实际需求进行选择。在一个实施例中,所述第一控制单元110将所述当前控制信号发送至所述锁存器130的方式可采用上述实施例所述的方式,这里就不做重复描述。
可以理解,所述第二控制单元120的具体结构不做具体的限定,只要保证能够判断所述锁存器130内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同即可。在一个实施例中,所述第二控制单元120可为MCU(Microcontroller Unit,单片机)。在一个实施例中,所述第二控制单元120可为第一控制器。所述第二控制单元120的具体结构,可根据实际需求进行选择。
在一个实施例中,所述预设总和检验码通过驱动电路提前存储在所述第二控制单元120内。所述每一个code(代码)对应一个总和检验码。只有在所述锁存器130内的所述当前控制信号的总和检验码是否与所述预设总和检验码相同时,所述第二控制单元120才会进行下一步的控制操作。
在一个实施例中,所述第二控制单元120控制所述锁存器130将所述当前控制信号发送至所述寄存器140的方式采用上述实施例所述的方式,这里就不做重复描述。
在一个实施例中,所述存储器100内的所述第一控制单元110分别与所述时序控制器200和所述锁存器130通信连接。所述第二控制单元120分别与所述锁存器130和所述寄存器140通信连接。具体的通信连接方式可采用传统的通信连接方式,这里就不做具体的描述。
在一个实施例中,所述通过所述第一控制单元110检测时序控制器200发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤包括:通过所述第一控制单元110获取所述时序控制器200发送的所述当前控制信号。通过所述第一控制单元110判断所述当前控制信号的电位高低。若所述当前控制信号的电位为高电位,则判断所述当前控制信号为写操作信号。若所述当前控制信号的电位为低电位,则判断所述当前控制信号为读操作信号。
在一个实施例中,所述通过所述第一控制单元110判断所述当前控制信号的电位高低的步骤包括:通过所述第一控制单元110将所述当前控制信号的电位与预设基准电位进行比较;判断所述当前控制信号的电位相对于所述预设基准电位的电位高低。
在一个实施例中,所述预设基准电位可根据实际需求进行设定,这里就不做具体的数值限定。在一个实施例中,若所述当前控制信号的电位相对于所述预设基准电位为高电位,则判断所述当前控制信号为读操作信号。若所述前控制信号的电位相对于所述预设基准电位为低电位,则判断所述当前控制信号为写操作信号。
综上所述,本申请通过所述第二控制单元120检测并判断所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码是否相同,只有二者相同,所述第二控制单元120才会控制所述锁存器130将所述当前控制信号发送至所述寄存器140,从而进行写操作。本申请可大大降低了所述存储器100内原始代码被改写的风险,进而提高生产良率,增加产品可靠性。
请参见图2,本申请一实施例提供一种存储器100,包括第一控制单元110、第一控制开关111、第二控制开关112、锁存器130、第二控制单元120、第三控制开关113和寄存器140。所述第一控制单元110用于接收时序控制器200发送的当前控制信号,并判断所述当前控制信号的读写操作类型。所述第一控制开关111的一端与所述时序控制器200电连接。所述第二控制开关112的一端与所述时序控制器200电连接。所述锁存器130与所述第一控制开关111的另一端电连接。所述第二控制单元120与所述锁存器130电连接。所述第二控制单元120用于判断所述锁存器130内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同。
所述第三控制开关113的一端与所述锁存器130电连接。所述寄存器140分别与所述第二控制开关112的另一端和所述第三控制开关113的另一端电连接。所述第一控制单元110还用于依据所述当前控制信号的读写操作类型控制所述第一控制开关111的开启与断开和所述第二控制开关112的开启与断开。所述第二控制单元120还用于控制所述第三控制开关113的开启与断开。
可以理解,所述第一控制单元110的具体结构不做具体的限定,只要保证能够检测所述时序控制器200发送的当前控制信号的读写操作类型即可。在一个实施例中,所述第一控制单元110可为MCU(Microcontroller Unit,单片机)。在一个实施例中,所述第一控制单元110可为第一处理器。所述第一控制单元110的具体结构,可根据实际需求进行选择。
可以理解,所述第二控制单元120的具体结构不做具体的限定,只要保证能够判断所述锁存器130内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同即可。在一个实施例中,所述第二控制单元120可为MCU(Microcontroller Unit,单片机)。在一个实施例中,所述第二控制单元120可为第一控制器。所述第二控制单元120的具体结构,可根据实际需求进行选择。
可以理解,所述第一控制开关111的具体结构不做具体的限定,只要保证所述第一控制单元110能够控制所述第一控制开关111的开启与断开即可。在一个实施例中,所述第一控制开关111可为继电器开关。在一个实施例中,所述第一控制开关111可为MOS(场效应晶体管)开关。
可以理解,所述第二控制开关112的具体结构不做具体的限定,只要保证所述第一控制单元110能够控制所述第二控制开关112的开启与断开即可。在一个实施例中,所述第二控制开关112可为继电器开关。在一个实施例中,所述第二控制开关112可为MOS(场效应晶体管)开关。
可以理解,所述第三控制开关113的具体结构不做具体的限定,只要保证所述第二控制单元120能够控制所述第三控制开关113的开启与断开即可。在一个实施例中,所述第三控制开关113可为继电器开关。在一个实施例中,所述第三控制开关113可为MOS(场效应晶体管)开关。
本实施例中,通过所述第一控制单元110、所述第一控制开关111、所述第二控制开关112、所述锁存器130、所述第二控制单元120以及所述第三控制开关113之间的配合,可避免所述存储器100中的所述寄存器140内的原始代码被改写,大大提高了产品的可靠性。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种防止代码被改写的方法,其特征在于,应用于存储器,所述存储器包括第一控制单元、第二控制单元、锁存器和寄存器,所述方法包括:
通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型;
若所述当前控制信号为读操作信号,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述寄存器,以完成读操作;
若所述当前控制信号为写操作信号,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述锁存器;
通过所述第二控制单元判断所述锁存器内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同;
若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同,则所述第二控制单元控制所述锁存器将所述当前控制信号发送至所述寄存器,从而进行写操作。
2.根据权利要求1所述的防止代码被改写的方法,其特征在于,所述通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤包括:
通过所述第一控制单元获取所述时序控制器发送的所述当前控制信号;
通过所述第一控制单元判断所述当前控制信号的电位高低;
若所述当前控制信号的电位为低电位,则判断所述当前控制信号为写操作信号。
3.根据权利要求2所述的防止代码被改写的方法,其特征在于,所述通过所述第一控制单元判断所述当前控制信号的电位高低的步骤包括:
通过所述第一控制单元将所述当前控制信号的电位与预设基准电位进行比较;
判断所述当前控制信号的电位相对于所述预设基准电位的电位高低。
4.根据权利要求2所述的防止代码被改写的方法,其特征在于,所述通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤还包括:
若所述当前控制信号的电位为高电位,则判断所述当前控制信号为读操作信号。
5.一种防止代码被改写的方法,其特征在于,应用于存储器,所述存储器包括第一控制单元、第二控制单元、锁存器和寄存器,所述方法包括:
通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型;
若所述当前控制信号为读操作信号,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述寄存器,以完成读操作;
若所述当前控制信号为写操作信号,则所述第一控制单元将所述当前控制信号发送至所述锁存器;
通过所述第二控制单元判断所述锁存器内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同;
若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码相同,则所述第二控制单元控制所述锁存器将所述当前控制信号发送至所述寄存器,从而进行写操作;
若所述当前控制信号的总和检验码与所述预设总和检验码不相同,则返回所述通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤。
6.根据权利要求5所述的防止代码被改写的方法,其特征在于,所述通过所述第一控制单元检测时序控制器发送的当前控制信号的读写操作类型的步骤包括:
通过所述第一控制单元获取所述时序控制器发送的所述当前控制信号;
通过所述第一控制单元判断所述当前控制信号的电位高低;
若所述当前控制信号的电位为高电位,则判断所述当前控制信号为写操作信号;
若所述当前控制信号的电位为低电位,则判断所述当前控制信号为读操作信号。
7.根据权利要求6所述的防止代码被改写的方法,其特征在于,所述通过所述第一控制单元判断所述当前控制信号的电位高低的步骤包括:
通过所述第一控制单元将所述当前控制信号的电位与预设基准电位进行比较;
判断所述当前控制信号的电位相对于所述预设基准电位的电位高低。
8.一种存储器,其特征在于,包括:
第一控制单元,用于接收时序控制器发送的当前控制信号,并判断所述当前控制信号的读写操作类型;
第一控制开关,所述第一控制开关的一端与所述时序控制器电连接;
第二控制开关,所述第二控制开关的一端与所述时序控制器电连接;
锁存器,与所述第一控制开关的另一端电连接;
第二控制单元,与所述锁存器电连接,用于判断所述锁存器内的所述当前控制信号的总和检验码是否与预设总和检验码相同;
第三控制开关,所述第三控制开关的一端与所述锁存器电连接;
寄存器,分别与所述第二控制开关的另一端和所述第三控制开关的另一端电连接;
所述第一控制单元还用于依据所述当前控制信号的读写操作类型控制所述第一控制开关的开启与断开和所述第二控制开关的开启与断开;所述第二控制单元还用于控制所述第三控制开关的开启与断开。
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