CN109541430A - 一种nor flash类芯片测试系统 - Google Patents

一种nor flash类芯片测试系统 Download PDF

Info

Publication number
CN109541430A
CN109541430A CN201811067323.7A CN201811067323A CN109541430A CN 109541430 A CN109541430 A CN 109541430A CN 201811067323 A CN201811067323 A CN 201811067323A CN 109541430 A CN109541430 A CN 109541430A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
module
test
flash
norflash
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811067323.7A
Other languages
English (en)
Inventor
张薄军
姜胜林
赵俊
罗朝凤
周元辰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Kingcos Automation Robot Equipment Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Kingcos Automation Robot Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Kingcos Automation Robot Equipment Co Ltd filed Critical Shenzhen Kingcos Automation Robot Equipment Co Ltd
Priority to CN201811067323.7A priority Critical patent/CN109541430A/zh
Publication of CN109541430A publication Critical patent/CN109541430A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0084—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring voltage only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/3181—Functional testing
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种NOR FLASH类芯片测试系统，包括CPU模块、TTL接口模块、显示模块、功能选择模块、OS参数测试模块、IDD测试模块、FLASH功能测试模块、电平转换模块、系统电源模块和NAND FLASH芯片；CPU模块用于实现对系统中各个模块的功能实现及控制，从而实现对NOR FLASH类芯片的所有功能参数测试。本发明所述的一种NOR FLASH类芯片测试系统，由各种小型模块和机械手自动化设备组成，能够解决生产过程中通用测试设备自身体积大、控制程序繁琐、成本高等方面的不足，提高了芯片测试系统生产测试的灵活性，而且成本比较低，便于工作人员操作，缩短了芯片的生产周期，提高了生产效率，而且满足了并行和串行NOR FLASH类芯片的全面测试，带来更好的使用前景。

Description

一种NOR FLASH类芯片测试系统
技术领域
本发明涉及消防领域，特别涉及一种NOR FLASH类芯片测试系统。
背景技术
NOR FLASH类芯片是一种大容量低成本的芯片，应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，具有很高的传输速率，是现代人们的常用芯片，NORFLASH类芯片的需求量也不断扩大，而NOR FLASH类芯片在生产环节需要进行相应的测试，现有的NOR FLASH类芯片的测试通常采用大型通用测试设备才能测试，而通用大型测试设备体积大、价格贵、生产成本高，而且通用大型测试设备系统复杂，操作不便，从开发到投入的生产周期较长，而且很多设备只能对NOR FLASH类芯片串行和并行状态其中一种进行测试，测试不全面，不满足人们的使用要求，为此，我们提出一种NOR FLASH类芯片测试系统。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种NOR FLASH类芯片测试系统，可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种NOR FLASH类芯片测试系统，包括CPU模块、TTL接口模块、显示模块、功能选择模块、OS参数测试模块、IDD测试模块、FLASH功能测试模块、电平转换模块、系统电源模块和NAND FLASH芯片；
CPU模块用于实现对系统中各个模块的功能实现及控制，从而实现对NOR FLASH类芯片的所有功能参数测试；
显示模块用于实现显示NOR FLASH类芯片测试系统工作过程中检测到的芯片相关数据；
功能选择模块用于实现实际测试生产过程中NOR FLASH类芯片测试系统的测试调试及控制；
TTL接口模块用于实现CPU模块与机械手或分选机设备之间的信息通讯；
系统电源模块提供NOR FLASH类芯片测试系统检测过程中所有模块工作所需的电源电压；
OS参数测试模块用于测试NOR FLASH类芯片IC管脚上的保护二极管是否完好；
IDD测试模块用于即就是测试NOR FLASH类芯片的实际工作电流大小；
FLASH功能测试模块用于测试NOR FLASH类芯片的内部相关数据的运算和处理速度；
电平转换模块用于实现本系统能兼容不同电压标准的NAND FLASH芯片类型。
优选的，所述CPU模块采用Lattcie FPGA LFXP2-8芯片，XC7A75F484芯片采用TQFP144封装芯片。
优选的，所述显示模块采用串口液晶TFT显示模块GPU28，所述显示模块通过串行通讯接口与CPU模块连接。
优选的，所述功能选择模块包括芯片类型选择按键、START按键、PAUSE按键、STOP按键和点测按键。
优选的，所述TTL接口模块采用TLP281-1信号隔离光耦芯片和TLP281-4信号隔离光耦芯片,TLP281-1信号隔离光耦芯片和TLP281-4信号隔离光耦芯片用于实现信号隔离。
优选的，所述OS参数测试模块采用LM358芯片、ADS1118模数转换芯片和DAC7311数模转换芯片。
优选的，所述IDD测试模块采用SGM3005芯片,SGM3005芯片用于实现对电路中不同电阻值的切换。
优选的，所述电平转换模块采用TXB0108-SO接口芯片。
优选的，所示FLASH功能测试模块的测试内容包括芯片ID、芯片的擦除功能及时间、芯片的空检查功能及时间、芯片的读写功能及时间和芯片的校验功能及时间。
优选的，所述系统电源模块采用的线性电源AS1117为系统的各个模块供电。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
该一种NOR FLASH类芯片测试系统，整个测试系统由各种小型模块和机械手自动化设备组成，能够解决生产过程中通用测试设备自身体积大、控制程序繁琐、成本高等方面的不足，提高了芯片测试系统生产测试的灵活性，而且成本比较低，便于工作人员操作，缩短了芯片的生产周期，提高了生产效率，而且满足了并行和串行NOR FLASH类芯片的全面测试，满足人们的使用要求，较为实用，整个NOR FLASH类芯片测试系统的结构比较简单，而且操作方便，使用效果相对于传统方式更好。
附图说明
图1为本发明一种NOR FLASH类芯片测试系统的整体硬件框图；
图2为本发明一种NOR FLASH类芯片测试系统的整体电性框图；
图3-4为本发明一种NOR FLASH类芯片测试系统中CPU模块的部分电路图；
图5为本发明一种NOR FLASH类芯片测试系统中功能选择模块的部分电路图；
图6为本发明一种NOR FLASH类芯片测试系统中TTL接口模块的电路图；
图7-8为本发明一种NOR FLASH类芯片测试系统中OS参数测试模块的电路图；
图9-10为本发明一种NOR FLASH类芯片测试系统中IDD测试模块的电路图；
图11为本发明一种NOR FLASH类芯片测试系统中电平转换模块的电路图；
图12为本发明一种NOR FLASH类芯片测试系统中系统电源模块的电路图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
实施例1
如图1-12所示，一种NOR FLASH类芯片测试系统，包括CPU模块、TTL接口模块、显示模块、功能选择模块、OS参数测试模块、系统电源模块和NAND FLASH芯片；
CPU模块用于实现对系统中各个模块的功能实现及控制，从而实现对NOR FLASH类芯片的所有功能参数测试，CPU模块采用Lattcie FPGA LFXP2-8芯片，XC7A75F484芯片采用TQFP144封装芯片；
显示模块用于实现显示NOR FLASH类芯片测试系统工作过程中检测到的芯片相关数据，显示模块采用串口液晶TFT显示模块GPU28，显示模块通过串行通讯接口与CPU模块连接；
功能选择模块用于实现实际测试生产过程中NOR FLASH类芯片测试系统的测试调试及控制，功能选择模块包括芯片类型选择按键、START按键、PAUSE按键、STOP按键和点测按键；
TTL接口模块用于实现CPU模块与机械手或分选机设备之间的信息通讯，TTL接口模块采用TLP281-1信号隔离光耦芯片和TLP281-4信号隔离光耦芯片,TLP281-1信号隔离光耦芯片和TLP281-4信号隔离光耦芯片用于实现信号隔离；
系统电源模块提供NOR FLASH类芯片测试系统检测过程中所有模块工作所需的电源电压，系统电源模块采用的线性电源AS1117为系统的各个模块供电；
OS参数测试模块用于测试NOR FLASH类芯片IC管脚上的保护二极管是否完好，OS参数测试模块采用LM358芯片、ADS1118模数转换芯片和DAC7311数模转换芯片。
测试的过程为，启动NOR FLASH类芯片测试系统，将整个系统初始化，对芯片测试系统内部的TTL接口模块、显示模块及其他所有相关电路参数的初始化，通过功能选择模块上的芯片类型选择按键选择设备的测试模式，安装好芯片后通过OS参数测试模块对芯片进行OS参数测试，OS参数测试的原理为通过向测试管脚施加电流测试其管角上的电压，通过电压值判断芯片引脚上的保护二极管是否因正向或反向高压击穿而损坏，具体的测试原理和电路如图6所示。
实施例2
如图1-12所示，一种NOR FLASH类芯片测试系统，包括CPU模块、TTL接口模块、显示模块、功能选择模块、IDD测试模块、系统电源模块和NAND FLASH芯片；
CPU模块用于实现对系统中各个模块的功能实现及控制，从而实现对NOR FLASH类芯片的所有功能参数测试，CPU模块采用Lattcie FPGA LFXP2-8芯片，XC7A75F484芯片采用TQFP144封装芯片；
显示模块用于实现显示NOR FLASH类芯片测试系统工作过程中检测到的芯片相关数据，显示模块采用串口液晶TFT显示模块GPU28，显示模块通过串行通讯接口与CPU模块连接；
功能选择模块用于实现实际测试生产过程中NOR FLASH类芯片测试系统的测试调试及控制，功能选择模块包括芯片类型选择按键、START按键、PAUSE按键、STOP按键和点测按键；
TTL接口模块用于实现CPU模块与机械手或分选机设备之间的信息通讯，TTL接口模块采用TLP281-1信号隔离光耦芯片和TLP281-4信号隔离光耦芯片,TLP281-1信号隔离光耦芯片和TLP281-4信号隔离光耦芯片用于实现信号隔离；
系统电源模块提供NOR FLASH类芯片测试系统检测过程中所有模块工作所需的电源电压，系统电源模块采用的线性电源AS1117为系统的各个模块供电；
IDD测试模块用于即就是测试NOR FLASH类芯片的实际工作电流大小，IDD测试模块采用SGM3005芯片,SGM3005芯片用于实现对电路中不同电阻值的切换。
测试的过程为，启动NOR FLASH类芯片测试系统，将整个系统初始化，对芯片测试系统内部的TTL接口模块、显示模块及其他所有相关电路参数的初始化，通过功能选择模块上的芯片类型选择按键选择设备的测试模式，安装好芯片后通过IDD测试模块对芯片进行IDD测试，IDD测试模块的测试原理为向NOR FLASH类芯片提供不同大小的电流，测试NORFLASH类芯片的实际工作电流大小，用于评估芯片工作时的功率损耗，具体的测试原理和电路如图7所示。
实施例3
如图1-12所示，一种NOR FLASH类芯片测试系统，包括CPU模块、TTL接口模块、显示模块、功能选择模块、IDD测试模块、系统电源模块和NAND FLASH芯片；
CPU模块用于实现对系统中各个模块的功能实现及控制，从而实现对NOR FLASH类芯片的所有功能参数测试，CPU模块采用Lattcie FPGA LFXP2-8芯片，XC7A75F484芯片采用TQFP144封装芯片；
显示模块用于实现显示NOR FLASH类芯片测试系统工作过程中检测到的芯片相关数据，显示模块采用串口液晶TFT显示模块GPU28，显示模块通过串行通讯接口与CPU模块连接；
功能选择模块用于实现实际测试生产过程中NOR FLASH类芯片测试系统的测试调试及控制，功能选择模块包括芯片类型选择按键、START按键、PAUSE按键、STOP按键和点测按键；
TTL接口模块用于实现CPU模块与机械手或分选机设备之间的信息通讯，TTL接口模块采用TLP281-1信号隔离光耦芯片和TLP281-4信号隔离光耦芯片,TLP281-1信号隔离光耦芯片和TLP281-4信号隔离光耦芯片用于实现信号隔离；
系统电源模块提供NOR FLASH类芯片测试系统检测过程中所有模块工作所需的电源电压，系统电源模块采用的线性电源AS1117为系统的各个模块供电；
电平转换模块用于实现本系统能兼容不同电压标准的NAND FLASH芯片类型，电平转换模块采用TXB0108-SO接口芯片；
FLASH功能测试模块用于测试NOR FLASH类芯片的内部相关数据的运算和处理速度，FLASH功能测试模块的测试内容包括芯片ID、芯片的擦除功能及时间、芯片的空检查功能及时间、芯片的读写功能及时间和芯片的校验功能及时间。
测试的过程为，启动NOR FLASH类芯片测试系统，将整个系统初始化，对芯片测试系统内部的TTL接口模块、显示模块及其他所有相关电路参数的初始化，通过功能选择模块上的芯片类型选择按键选择设备的测试模式，安装好芯片后通过FLASH功能测试模块对芯片进行FLASH功能测试，FLASH功能测试模块主要通过FPGA内部的软件算法实现，主要是测试数据直接在Flash闪存内的运行速度，FLASH功能测试模块需要配合电平转换模块实现。
需要说明的是，本发明为一种NOR FLASH类芯片测试系统，测试前，首先接通各个模块之间的线路，启动NOR FLASH类芯片测试系统，整个系统的测试流程为：
1、系统通电后整个芯片测试系统的各个模块的相关电路参数的进行初始化；
2、初始化完成后，CPU模块通过TTL接口模块控制机械手将NOR FLASH类芯片放置到测试的位置并安装好；
3、首先通过OS参数测试模块对芯片进行OS测试并且判断其测试结果；
4、如果NOR FLASH类芯片通过OS测试则进行IDD测试，如果没有通过OS测试，机械手将芯片取出，测试结束，放入未检测的芯片重新检测；
5、如果芯片通过IDD测试则进行FLASH功能测试，如果没有通过IDD测试，机械手将芯片取出，测试结束，放入未检测的芯片重OS测试开始检测，如果芯片通过FLASH功能测试，则芯片为完好芯片，如果芯片有一个测试没有通过，则芯片有问题，检测完成后机械手自动放入未检测的芯片重头检测。
NOR FLASH类芯片在测试过程中，人们可以通过接口数量和封装大小判断需要测试的NOR FLASH类芯片的是串行FLASH还是并行FLASH，并且人们可以通过功能选择模块上的芯片类型选择模块选择相应的测试状态，而且人们可以通过功能选择模块上的PAUSE按键控制测试是否暂停，可以通过START按键恢复其生产过程，通过STOP按键控制整个测试停止工作，也可以通过点测按键控制芯片单独进行实施例中的一项测试，在此过程中只测试一遍，此过程TTL接口无测试结果信号，相应的机械手不会进行结果动作。
测试过程中芯片的检测参数通过显示模块显示出来，芯片测试过程中人们可以通过系统电源模块为整个系统的各个模块供电，可以通过TTL接口模块将整个系统与自动化设备和机械手连接，自行对芯片进行测试，实现芯片的批量测试，而且整个系统模块化，可以根据现实情况任意组装，只要芯片通过三项测试即可，而且三项测试之间相互独立，测试的顺序可以任意改变，而且芯片一次只能进行一项测试，不能同时检测。
整个NOR FLASH类芯片测试系统由各种小型模块和机械手自动化设备组成，整体成本较低，在实际的生产过程中，解决了通用测试设备自身体积大、控制程序繁琐、成本高等方面的不足，使芯片的生产测试更加具有灵活性，具有成本低，效率高，操作方便，生产周期短等优点，而且满足了并行和串行NOR FLASH类芯片的全面测试，比较方便。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (10)

1.一种NORFLASH类芯片测试系统，其特征在于，包括CPU模块、TTL接口模块、显示模块、功能选择模块、OS参数测试模块、IDD测试模块、FLASH功能测试模块、电平转换模块、系统电源模块和NANDFLASH芯片；
CPU模块用于实现对系统中各个模块的功能实现及控制，从而实现对NOR FLASH类芯片的所有功能参数测试；
显示模块用于实现显示NORFLASH类芯片测试系统工作过程中检测到的芯片相关数据；
功能选择模块用于实现实际测试生产过程中NORFLASH类芯片测试系统的测试调试及控制；
TTL接口模块用于实现CPU模块与机械手或分选机设备之间的信息通讯；
系统电源模块提供NORFLASH类芯片测试系统检测过程中所有模块工作所需的电源电压；
OS参数测试模块用于测试NORFLASH类芯片IC管脚上的保护二极管是否完好；
IDD测试模块用于即就是测试NORFLASH类芯片的实际工作电流大小；
FLASH功能测试模块用于测试NORFLASH类芯片的内部相关数据的运算和处理速度；
电平转换模块用于实现本系统能兼容不同电压标准的NANDFLASH芯片类型。
2.根据权利要求1所述的一种NORFLASH类芯片测试系统，其特征在于：所述CPU模块采用LattcieFPGALFXP2-8芯片，XC7A75F484芯片采用TQFP144封装芯片。
3.根据权利要求1所述的一种NORFLASH类芯片测试系统，其特征在于：所述显示模块采用串口液晶TFT显示模块GPU28，所述显示模块通过串行通讯接口与CPU模块连接。
4.根据权利要求1所述的一种NORFLASH类芯片测试系统，其特征在于：所述功能选择模块包括芯片类型选择按键、START按键、PAUSE按键、STOP按键和点测按键。
5.根据权利要求1所述的一种NORFLASH类芯片测试系统，其特征在于：所述TTL接口模块采用TLP281-1信号隔离光耦芯片和TLP281-4信号隔离光耦芯片，TLP281-1信号隔离光耦芯片和TLP281-4信号隔离光耦芯片用于实现信号隔离。
6.根据权利要求1所述的一种NORFLASH类芯片测试系统，其特征在于：所述OS参数测试模块采用LM358芯片、ADS1118模数转换芯片和DAC7311数模转换芯片。
7.根据权利要求1所述的一种NORFLASH类芯片测试系统，其特征在于：所述IDD测试模块采用SGM3005芯片，SGM3005芯片用于实现对电路中不同电阻值的切换。
8.根据权利要求1所述的一种NORFLASH类芯片测试系统，其特征在于：所述电平转换模块采用TXB0108-SO接口芯片。
9.根据权利要求1所述的一种NORFLASH类芯片测试系统，其特征在于：所述FLASH功能测试模块的测试内容包括芯片ID、芯片的擦除功能及时间、芯片的空检查功能及时间、芯片的读写功能及时间和芯片的校验功能及时间。
10.根据权利要求1所述的一种NORFLASH类芯片测试系统，其特征在于：所述系统电源模块采用的线性电源AS1117为系统的各个模块供电。
CN201811067323.7A 2018-09-13 2018-09-13 一种nor flash类芯片测试系统 Pending CN109541430A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811067323.7A CN109541430A (zh) 2018-09-13 2018-09-13 一种nor flash类芯片测试系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811067323.7A CN109541430A (zh) 2018-09-13 2018-09-13 一种nor flash类芯片测试系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109541430A true CN109541430A (zh) 2019-03-29

Family

ID=65838974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811067323.7A Pending CN109541430A (zh) 2018-09-13 2018-09-13 一种nor flash类芯片测试系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109541430A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111261218A (zh) * 2020-04-27 2020-06-09 深圳市芯天下技术有限公司 多颗Norflash样品同时测试的方法
CN112611959A (zh) * 2020-12-29 2021-04-06 烟台大学 高压发生器xpsi板故障诊断装置
CN113488101A (zh) * 2021-09-07 2021-10-08 北京紫光青藤微系统有限公司 NOR Flash芯片驱动能力的测试系统和电子设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5204837A (en) * 1990-08-16 1993-04-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device having test mode
US5956350A (en) * 1997-10-27 1999-09-21 Lsi Logic Corporation Built in self repair for DRAMs using on-chip temperature sensing and heating
JP2000036200A (ja) * 1998-07-02 2000-02-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 集積回路チップ及びその操作方法並びにｄｒａｍ
US20030226076A1 (en) * 2002-05-30 2003-12-04 Jong-Gu Kang PC and ATE integrated chip test equipment
CN102354537A (zh) * 2011-07-06 2012-02-15 华中科技大学 一种相变存储器芯片测试方法及其系统
CN104485135A (zh) * 2014-12-04 2015-04-01 中国科学院微电子研究所 一种多模式sram单粒子测试方法及装置
CN204832267U (zh) * 2015-08-14 2015-12-02 万高(杭州)科技有限公司 一种芯片测试平台

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5204837A (en) * 1990-08-16 1993-04-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device having test mode
US5956350A (en) * 1997-10-27 1999-09-21 Lsi Logic Corporation Built in self repair for DRAMs using on-chip temperature sensing and heating
JP2000036200A (ja) * 1998-07-02 2000-02-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 集積回路チップ及びその操作方法並びにｄｒａｍ
US20030226076A1 (en) * 2002-05-30 2003-12-04 Jong-Gu Kang PC and ATE integrated chip test equipment
CN102354537A (zh) * 2011-07-06 2012-02-15 华中科技大学 一种相变存储器芯片测试方法及其系统
CN104485135A (zh) * 2014-12-04 2015-04-01 中国科学院微电子研究所 一种多模式sram单粒子测试方法及装置
CN204832267U (zh) * 2015-08-14 2015-12-02 万高(杭州)科技有限公司 一种芯片测试平台

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘子政等: "《电子电路基础与应用》", 31 December 2016 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111261218A (zh) * 2020-04-27 2020-06-09 深圳市芯天下技术有限公司 多颗Norflash样品同时测试的方法
CN112611959A (zh) * 2020-12-29 2021-04-06 烟台大学 高压发生器xpsi板故障诊断装置
CN113488101A (zh) * 2021-09-07 2021-10-08 北京紫光青藤微系统有限公司 NOR Flash芯片驱动能力的测试系统和电子设备
CN113488101B (zh) * 2021-09-07 2021-12-28 北京紫光青藤微系统有限公司 NOR Flash芯片驱动能力的测试系统和电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106597142B (zh) 一种svg功率模块的自动测试装置
CN109541430A (zh) 一种nor flash类芯片测试系统
CN201438214U (zh) 一种用于电能表检验的多表并行检验装置
CN107037326A (zh) 一种基于pxi的电缆网导通绝缘自动测试系统
CN207851236U (zh) 一种芯片测试板及芯片测试系统
CN101975937B (zh) 一种智能卡仿真器装置及其使用方法
CN103901387A (zh) 一种电表检测系统
CN104809043A (zh) 基于边界扫描的主板cpu插槽的连接测试方法和装置
CN109918250A (zh) 一种服务器电源时序测试的方法、装置及可读存储介质
CN109490746A (zh) 一种spi flash类芯片测试系统
CN110174621A (zh) 汽车电池下线测试系统及方法
CN107576906A (zh) 一种手提式继电器校验平台及其使用方法
CN106772206A (zh) 便携式载波模块检测仪
CN202119855U (zh) 集成电路开短路测试系统
CN206863160U (zh) 一种多线检测仪
CN107942241A (zh) 一种用于高压直流断路器子模块的试验电路
CN111983546A (zh) 一种电表检测配置装置及方法
CN203786219U (zh) 一种多功能自动化测试系统
CN202256646U (zh) 一种模拟遥信测控装置
CN206990732U (zh) 一种基于pxi的电缆网导通绝缘自动测试系统
CN109490749A (zh) 一种eMMC FLASH类芯片测试系统
CN208654638U (zh) 单片机功能测试装置
CN109448776A (zh) 一种nand flash类芯片测试系统
CN207051406U (zh) 一种新型usb参数测试仪
CN206696311U (zh) 一种快速充电器的测试系统以及测试夹具

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190329

RJ01 Rejection of invention patent application after publication