CN109537010A - 一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，包括取电子元器件，用盐酸浸泡后，清洗，化学抛光，清洗，中和，装夹，清洗，除油；活化，去离子水清洗；冲击镀镍，冲击镀镍温度为(10～30)℃，电流密度为(1～8)A/dm2；电镀镍，电镀镍温度为(40～55)℃，电流密度为(0.1～1)A/dm2；回收，去离子水清洗，活化；镀金(带电下槽)，镀金温度为(38～45)℃，电流密度为(0.1～0.3)A/dm2；回收，去离子水清洗，卸夹，脱水，干燥；热处理，后处理，即可。本发明工艺中镀镍层上镀金层结合力好，镀层性能好。

Description

一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺
技术领域
本发明涉及一种电子元器件镀镍打底后无氰镀金的工艺，解决通用镀镍打底后无氰镀金结合力问题。
背景技术
作为电子元件高可靠产品的引出脚，一直以来均氰化镀银打底，然后氰化镀金。随着航空航天领域要求的不断拓展，特别是宇航产品质量要求的不断升级，逐渐将高可靠产品引出脚的镀层要求参照美国MIL标准，必须镀镍镀金。
国家产业政策的调整，全面推行清洁生产，确保绿色生态发展的要求，国内镀金镀银等均开展无氰电镀工艺研发。但高可靠电子元件引出脚须满足镀镍打底镀金要求。目前的工艺存在无氰镀金工艺在镀镍层上镀金结合力差的问题，镀层性能很难满足要求。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种电子元器件零件镀镍打底镀金的工艺。本发明工艺工艺中镀镍层上无氰镀金镀层结合力好，镀层性能好。
本发明的技术方案：一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，具体包括以下步骤：
①取电子元器件，用30％浓度的盐酸浸泡后，自来水冲洗30～60s，清洗，常温下化学抛光2～3min，化学抛光液为磷酸：双氧水的体积比＝2:1的混合液，自来水清洗60～90s；然后用10％～15％碳酸氢钠溶液浸泡10～20s中和，随及用自来水清洗30～60s后抖去多余水分，用蒸馏酒精浸泡10～15s后，100～110℃干燥 25-35min；
②将步骤①处理后的电器元器件装夹于导电夹具，自来水清洗30～60s，电解除油，所述电解除油是；在电流密度3～5A/dm2,温度60-80℃，正向时间2min、反向时间1min，随及80-90℃热水清洗30-60s,反复清洗2-5次；
③将步骤②处理后的电器元器件用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，然后去离子水清洗15～30s；
④将步骤③处理后的电器元器件冲击镀镍，冲击镀镍温度为10～30℃，电流密度为1～8A/dm2；镀层厚度0.5～1.5μm；
⑤将步骤④处理后的电器元器件进行电镀镍，电镀镍温度为40～55℃，电流密度为0.1～1A/dm2；镀层厚度1.5～3μm；
⑥将步骤⑤处理后的电器元件上带出的镀镍液回收，去离子水清洗后，用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，再用去离子水清洗2～4 次；
⑦将步骤⑥处理后的电器元件镀金，镀金温度为38～45℃，电流密度为0.1～0.3A/dm2；带电下槽、镀层厚度1.5～3.5μm；
⑧将步骤⑦处理后的电器元件上带出的镀金液回收，去离子水清洗，卸夹，无水乙醇脱水，在100～110℃下干燥30min；
⑨将步骤⑧处理后的电器元件在200±5℃热处理2h，然后用15～20％分析纯盐酸浸泡、去离子水清洗、无水乙醇脱水、100～110℃下干燥30min后，即可。
前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，步骤④中，冲击镀镍时，所用的镀镍液为：每升镀镍液含氯化镍30～300g和盐酸40～80ml；所述镀镍液这样制作：将氯化镍加入盐酸水溶液中，充分搅拌后，加入活性炭，吹气下放置12h以上，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得；所述盐酸的比重为1.14。前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，每升镀镍液含氯化镍150g 和盐酸60ml。
前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，步骤⑤中，电镀镍时，所用的电镀液为：每升电镀液含氨基磺酸镍220～350g、氯化镍15～35g和硼酸 35-45g；所述电镀液的制作方法为：取氨基磺酸镍、氯化镍，用600mL去离子水将其溶解，混匀，取硼酸加入250mL55～65℃的热水中，搅拌溶解后，倒入前面的混合液中，搅拌混匀后，加活性炭，在吹气下放置24h以上，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得。
前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，每升电镀液含氨基磺酸镍300g、氯化镍25g和硼酸40g。
前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，步骤⑦中，镀金时，所用的镀金电镀液为：每升镀金电镀液含三氯化金5～12g、无水亚硫酸钠120～180g、一水柠檬酸钾50～100g、氯化钾40～100g和EDTA 2～15g；所述镀金电镀液这样制作：取800mL去离子水加热80～90℃，称量需要的无水亚硫酸钠倒入加热水中不停搅拌至清泽透明，得亚硫酸钠溶液；将三氯化金5～12g倒入亚硫酸钠溶液中，不断搅拌直至清泽透明后，加入一水柠檬酸钾和氯化钾、EDTA，在60～70℃下充分搅拌至完全溶解，得已络合的镀金金液；然后用25～30％的氢氧化钾溶液调整PH值至10-11，充分搅拌1～2h后补充去离子水至一升，即得。
前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，每升镀金电镀液含三氯化金8-11g、无水亚硫酸钠160g、一水柠檬酸钾75g、氯化钾70g和EDTA9g。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1.本发明开拓一种新的镀镍层上无氰镀金工艺方法，在镀镍工艺中增加冲击镀镍打底，镀金后电子元器件的200℃左右进行焙烘，提高了整体镀金效果。
2.工艺保障方面：
(1)电镀液稳定性：采用改进的工艺，本发明经申请人长期使用试验，稳定性良好。
(2)溶液成分比例范围宽泛，每升镀金电镀液含三氯化金5～12g都可以进行电镀，减少电镀过程中溶液补充次数，生产效率大大提升。
3.技术提升方面：响应了清洁生产要求的无氰电镀，保障了国内高可靠电子元件引出脚镀镍打底镀金要求。
盐雾试验：按照GJB360《电子及电子元器件试验方法》试验，时间96h。按一般工艺流程进行镀镍打底后无氰镀金，其盐雾试验结果(见图1)；按本发明工艺流程进行镍打底后无氰镀金，其盐雾试验结果(见图2)，对比结果可知，本发明镀金表面不起泡，更加光滑。
孔隙率检测：常用工艺流程镀镍打底后氰化镀金，电镜4000倍扫描，孔隙率情况(见图3)；使用发明工艺流程镀镍后无氰镀金，电镜4000倍扫描，孔隙率情况(见图4)，对比结果可知，本发明孔隙率更低。
4.社会效益方面：降低环境污染问题，提高废水处理效率，符合《清洁生产》要求。
附图说明
附图1是现有工艺镀金后的盐雾试验结果；
附图2是本发明工艺镀金后的盐雾试验结果；
附图3是现有工艺镀金后的孔隙率情况；
附图4是本发明工艺镀金后的孔隙率情况。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明，但并不作为对本发明限制的依据。
电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，具体包括以下步骤：
①取电子元器件，用30％浓度的盐酸浸泡后，自来水冲洗30～60s，清洗，常温下化学抛光2～3min，化学抛光液为磷酸：双氧水的体积比＝2:1的混合液，自来水清洗60～90s；然后用10％～15％碳酸氢钠溶液浸泡10～20s中和，随及用自来水清洗30～60s后抖去多余水分，用蒸馏酒精浸泡10～15s后，100～110℃干燥 25-35min；
②将步骤①处理后的电器元器件装夹于导电夹具，自来水清洗30～60s，电解除油，所述电解除油是；在电流密度3～5A/dm2,温度60-80℃，正向时间2min、反向时间1min，随及80-90℃热水清洗30-60s,反复清洗2-5次；
③将步骤②处理后的电器元器件用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，然后去离子水清洗15～30s；
④将步骤③处理后的电器元器件冲击镀镍，冲击镀镍温度为10～30℃，电流密度为1～8A/dm2；镀层厚度0.5～1.5μm；
⑤将步骤④处理后的电器元器件进行电镀镍，电镀镍温度为40～55℃，电流密度为0.1～1A/dm2；镀层厚度1.5～3μm；
⑥将步骤⑤处理后的电器元件上带出的镀镍液回收，去离子水清洗后，用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，再用去离子水清洗2～4 次；
⑦将步骤⑥处理后的电器元件镀金，镀金温度为38～45℃，电流密度为0.1～0.3A/dm2；带电下槽、镀层厚度1.5～3.5μm；
⑧将步骤⑦处理后的电器元件上带出的镀金液回收，去离子水清洗，卸夹，无水乙醇脱水，在100～110℃下干燥30min；
⑨将步骤⑧处理后的电器元件在200±5℃热处理2h，然后用15～20％分析纯盐酸浸泡、去离子水清洗、无水乙醇脱水、100～110℃下干燥30min后，即可。
前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，步骤④中，冲击镀镍时，所用的镀镍液为：每升镀镍液含氯化镍30～300g和盐酸40～80ml；所述镀镍液这样制作：将氯化镍加入盐酸水溶液中，充分搅拌后，加入活性炭，吹气下放置12h以上，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得；所述盐酸的比重为1.14。前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，每升镀镍液含氯化镍150g 和盐酸60ml。
前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，步骤⑤中，电镀镍时，所用的电镀液为：每升电镀液含氨基磺酸镍220～350g、氯化镍15～35g和硼酸 35-45g；所述电镀液的制作方法为：取氨基磺酸镍、氯化镍，用600mL去离子水将其溶解，混匀，取硼酸加入250mL55～65℃的热水中，搅拌溶解后，倒入前面的混合液中，搅拌混匀后，加活性炭，在吹气下放置24h以上，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得。
前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，每升电镀液含氨基磺酸镍300g、氯化镍25g和硼酸40g。
前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，步骤⑦中，镀金时，所用的镀金电镀液为：每升镀金电镀液含三氯化金5～12g、无水亚硫酸钠120～180g、一水柠檬酸钾50～100g、氯化钾40～100g和EDTA(乙二胺四乙酸)2～15g；所述镀金电镀液这样制作：取800mL去离子水加热80～90℃，称量需要的无水亚硫酸钠倒入加热水中不停搅拌至清泽透明，得亚硫酸钠溶液；将三氯化金5～12g 倒入亚硫酸钠溶液中，不断搅拌直至清泽透明后，加入一水柠檬酸钾和氯化钾、 EDTA，在60～70℃下充分搅拌至完全溶解，得已络合的镀金金液；然后用25～ 30％的氢氧化钾溶液调整PH值至10-11，充分搅拌1～2h后补充去离子水至一升，即得。
前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，每升镀金电镀液含三氯化金8-11g、无水亚硫酸钠160g、一水柠檬酸钾75g、氯化钾70g和EDTA9g。
实施例1。
一种电子元器件镀镍打底后无氰镀金的工艺，包括以下步骤：
①取电子元器件，用30％浓度的盐酸浸泡后，自来水冲洗45s，清洗，常温下化学抛光3min，化学抛光液为磷酸：双氧水的体积比＝2:1的混合液，自来水清洗75s；用12％碳酸氢钠溶液浸泡15s中和，随及用自来水清洗45s后抖去多余水分，用蒸馏酒精浸泡12s后，100～110℃下干燥30min；
②将步骤①处理后的电器元器件装夹于导电夹具，自来水清洗45s，电解除油，所述电解除油是；在电流密度4A/dm2,温度60-80℃，正向时间2min、反向时间1min，随及80-90℃热水清洗45s,自来水清洗3次；
③将步骤②处理后的电器元器件用18％的分析纯盐酸浸泡12s,浸泡时左右上下移动，然后去离子水清洗23s；
④将步骤③处理后的电器元器件冲击镀镍，冲击镀镍温度为10～30℃，电流密度为4A/dm2；镀层厚度0.5～1.5μm；所用的镀镍液为：每升镀镍液含氯化镍150和盐酸60ml/L；所述镀镍液这样制作：将氯化镍加入盐酸水溶液中，充分搅拌后，加入活性炭，吹气下放置15h，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得；所述盐酸的比重为1.14；
⑤将步骤④处理后的电器元器件进行电镀镍，电镀镍温度为40～55℃，电流密度为0.5A/dm2；镀层厚度1.5～3μm；所用的电镀液为：每升电镀液含氨基磺酸镍300g、氯化镍25g和硼酸40g；所述电镀液的制作方法为：取氨基磺酸镍、氯化镍，用600mL去离子水将其溶解，混匀，取硼酸加入250mL55～65℃的热水中，搅拌溶解后，倒入前面的混合液中，搅拌混匀后，加活性炭，在吹气下放置24h以上，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得；
⑥将步骤⑤处理后的电器元件上带出的镀镍液回收，去离子水清洗后，用 15％～20％的分析纯盐酸浸泡13s,浸泡时左右上下移动，去离子水清洗3次；
⑦将步骤⑥处理后的电器元件镀金，镀金温度为38～45℃，电流密度为 0.2A/dm2；带电下槽、镀层厚度1.5～3.5μm；所用的镀金电镀液为：每升镀金电镀液含三氯化金8g、无水亚硫酸钠160g、一水柠檬酸钾75g、氯化钾70g和 EDTA9g；所述镀金电镀液这样制作：取800mL去离子水加热80～90℃，称量需要的无水亚硫酸钠倒入加热水中不停搅拌至清泽透明，得亚硫酸钠溶液；将三氯化金8g倒入亚硫酸钠溶液中，不断搅拌直至清泽透明后，加入一水柠檬酸钾和氯化钾、EDTA，在60～70℃下充分搅拌至完全溶解，得已络合的镀金金液；然后用25～30％的氢氧化钾溶液调整PH值至10-11，充分搅拌1～2h后补充去离子水至一升，即得；
⑧将步骤⑦处理后的电器元件上带出的镀金液回收，去离子水清洗，卸夹，无水乙醇脱水，在100～110℃下干燥30min；
⑨将步骤⑧处理后的电器元件200±5℃、2h热处理，然后用15～20％分析纯盐酸浸泡、去离子水清洗、无水乙醇脱水、100～110℃下干燥30min的后处理，即可。
实施例2.
一种电子元器件镀镍打底后无氰镀金的工艺，包括以下步骤：
①取电子元器件，用30％浓度的盐酸浸泡后，自来水冲洗60s，清洗，常温下化学抛光3min，化学抛光液为磷酸：双氧水的体积比＝2:1的混合液，自来水清洗90s；用15％碳酸氢钠溶液浸泡20s中和，随及用自来水清洗60s后抖去多余水分，用蒸馏酒精浸泡15s后，100～110℃下干燥35min；
②将步骤①处理后的电器元器件装夹于导电夹具，自来水清洗60s，电解除油，所述电解除油是；在电流密度5A/dm2,温度60-80℃，正向时间2min、反向时间1min，随及80-90℃热水清洗60s,自来水清洗5次；
③将步骤②处理后的电器元器件用20％的分析纯盐酸浸泡15s,浸泡时左右上下移动，然后去离子水清洗30s；
④将步骤③处理后的电器元器件冲击镀镍，冲击镀镍温度为10～30℃，电流密度为8A/dm2；镀层厚度0.5～1.5μm；所用的镀镍液为：每升镀镍液含氯化镍300g和盐酸80ml/L；所述镀镍液这样制作：将氯化镍加入盐酸水溶液中，充分搅拌后，加入活性炭，吹气下放置12h，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得；
⑤将步骤④处理后的电器元器件进行电镀镍，电镀镍温度为40～55℃，电流密度为1A/dm2；镀层厚度1.5～3μm；所用的电镀液为：每升电镀液含氨基磺酸镍350g、氯化镍35g和硼酸45g；所述电镀液的制作方法为：取氨基磺酸镍、氯化镍，用600mL去离子水将其溶解，混匀，取硼酸加入250mL55～65℃的热水中，搅拌溶解后，倒入前面的混合液中，搅拌混匀后，加活性炭，在吹气下放置24h，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得；
⑥将步骤⑤处理后的电器元件上带出的镀镍液回收，去离子水清洗后，用20％的分析纯盐酸浸泡15s,浸泡时左右上下移动，去离子水清洗4次；
⑦将步骤⑥处理后的电器元件镀金，镀金温度为38～45℃，电流密度为 0.3A/dm2；带电下槽、镀层厚度1.5～3.5μm；所用的镀金电镀液为：每升镀金电镀液含三氯化金12g、无水亚硫酸钠180g、一水柠檬酸钾100g、氯化钾100g和 EDTA 15g；所述镀金电镀液这样制作：取800mL去离子水加热80～90℃，称量需要的无水亚硫酸钠倒入加热水中不停搅拌至清泽透明，得亚硫酸钠溶液；将三氯化金12g倒入亚硫酸钠溶液溶液中，不断搅拌直至清泽透明后，加入一水柠檬酸钾和氯化钾、EDTA，在60～70℃下充分搅拌至完全溶解，得已络合的镀金金液；然后用30％的氢氧化钾溶液调整PH值至10-11，充分搅拌2h后补充去离子水至一升，即得；
⑧将步骤⑦处理后的电器元件上带出的镀金液回收，去离子水清洗，卸夹，无水乙醇脱水，在100～110℃下干燥30min；
⑨将步骤⑧处理后的电器元件200±5℃、2h热处理，然后用20％分析纯盐酸浸泡、去离子水清洗、无水乙醇脱水、100～110℃下干燥30min的后处理，即可。
实施例3.
一种电子元器件镀镍打底后无氰镀金的工艺，包括以下步骤：
①取电子元器件，用30％浓度的盐酸浸泡后，自来水冲洗30s，清洗，常温下化学抛光2min，化学抛光液为磷酸：双氧水的体积比＝2:1的混合液，自来水清洗60s；用10％％碳酸氢钠溶液浸泡10s中和，随及用自来水清洗30s后抖去多余水分，用蒸馏酒精浸泡10s后，100～110℃下干燥25min；
②将步骤①处理后的电器元器件装夹于导电夹具，自来水清洗30s，电解除油，所述电解除油是；在电流密度3A/dm2,温度60-80℃，正向时间2min、反向时间1min，随及80-90℃热水清洗30s,自来水清洗2次；
③将步骤②处理后的电器元器件用15％的分析纯盐酸浸泡10s,浸泡时左右上下移动，然后去离子水清洗15s；
④将步骤③处理后的电器元器件冲击镀镍，冲击镀镍温度为10～30℃，电流密度为1A/dm2；镀层厚度0.5～1.5μm；所用的镀镍液为：每升镀镍液含氯化镍30g和盐酸40ml/L；所述镀镍液这样制作：将氯化镍加入盐酸水溶液中，充分搅拌后，加入活性炭，吹气下放置12h，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得；
⑤将步骤④处理后的电器元器件进行电镀镍，电镀镍温度为40～55℃，电流密度为0.1A/dm2；镀层厚度1.5～3μm；所用的电镀液为：每升电镀液含氨基磺酸镍220g、氯化镍15g和硼酸35g；所述电镀液的制作方法为：取氨基磺酸镍、氯化镍，用600mL去离子水将其溶解，混匀，取硼酸加入250mL55～65℃的热水中，搅拌溶解后，倒入前面的混合液中，搅拌混匀后，加活性炭，在吹气下放置24h以上，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得；
⑥将步骤⑤处理后的电器元件上带出的镀镍液回收，去离子水清洗后，用 15％的分析纯盐酸浸泡10ss,浸泡时左右上下移动，去离子水清洗2次；
⑦将步骤⑥处理后的电器元件镀金，镀金温度为38～45℃，电流密度为 0.1A/dm2；带电下槽、镀层厚度1.5～3.5μm；所用的镀金电镀液为：每升镀金电镀液含三氯化金5g、无水亚硫酸钠120g、一水柠檬酸钾50g、氯化钾40g和EDTA 2g；所述镀金电镀液这样制作：取800mL去离子水加热80～90℃，称量需要的无水亚硫酸钠倒入加热水中不停搅拌至清泽透明，得亚硫酸钠溶液；将三氯化金 5g倒入亚硫酸钠溶液中，不断搅拌直至清泽透明后，加入一水柠檬酸钾和氯化钾、EDTA，在60～70℃下充分搅拌至完全溶解，得已络合的镀金金液；然后用 25～30％的氢氧化钾溶液调整PH值至10-11，充分搅拌1～2h后补充去离子水至一升，即得；
⑧将步骤⑦处理后的电器元件上带出的镀金液回收，去离子水清洗，卸夹，无水乙醇脱水，在100～110℃下干燥30min；
⑨将步骤⑧处理后的电器元件200±5℃、2h热处理，然后用15～20％分析纯盐酸浸泡、去离子水清洗、无水乙醇脱水、100～110℃下干燥30min的后处理，即可。

Claims (7)

1.一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，其特征在于具体包括以下步骤：
①取电子元器件，用30％浓度的盐酸浸泡后，自来水冲洗30～60s，清洗，常温下化学抛光2～3min，化学抛光液为磷酸：双氧水的体积比＝2:1的混合液，自来水清洗60～90s；然后用10％～15％碳酸氢钠溶液浸泡10～20s中和，随及用自来水清洗30～60s后抖去多余水分，用蒸馏酒精浸泡10～15s后，100～110℃干燥25-35min；
②将步骤①处理后的电器元器件装夹于导电夹具，自来水清洗30～60s，电解除油，所述电解除油是；在电流密度3～5A/dm2,温度60-80℃，正向时间2min、反向时间1min，随及80-90℃热水清洗30-60s,反复清洗2-5次；
③将步骤②处理后的电器元器件用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，然后去离子水清洗15～30s；
④将步骤③处理后的电器元器件冲击镀镍，冲击镀镍温度为10～30℃，电流密度为1～8A/dm2；镀层厚度0.5～1.5μm；
⑤将步骤④处理后的电器元器件进行电镀镍，电镀镍温度为40～55℃，电流密度为0.1～1A/dm2；镀层厚度1.5～3μm；
⑥将步骤⑤处理后的电器元件上带出的镀镍液回收，去离子水清洗后，用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，再用去离子水清洗2～4次；
⑦将步骤⑥处理后的电器元件镀金，镀金温度为38～45℃，电流密度为0.1～0.3A/dm2；带电下槽、镀层厚度1.5～3.5μm；
⑧将步骤⑦处理后的电器元件上带出的镀金液回收，去离子水清洗，卸夹，无水乙醇脱水，在100～110℃下干燥30min；
⑨将步骤⑧处理后的电器元件在200±5℃热处理2h，然后用15～20％分析纯盐酸浸泡、去离子水清洗、无水乙醇脱水、100～110℃下干燥30min后，即可。
2.如权利要求1所述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，其特征在于：步骤④中，冲击镀镍时，所用的镀镍液为：每升镀镍液含氯化镍30～300g和盐酸40～80ml；所述镀镍液这样制作：将氯化镍加入盐酸水溶液中，充分搅拌后，加入活性炭，吹气下放置12h以上，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得；所述盐酸的比重为1.14。
3.如权利要求2所述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，其特征在于：每升镀镍液含氯化镍150g和盐酸60ml。
4.如权利要求1所述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，其特征在于：步骤⑤中，电镀镍时，所用的电镀液为：每升电镀液含氨基磺酸镍220～350g、氯化镍15～35g和硼酸35-45g；所述电镀液的制作方法为：取氨基磺酸镍、氯化镍，用600mL去离子水将其溶解，混匀，取硼酸加入250mL55～65℃的热水中，搅拌溶解后，倒入前面的混合液中，搅拌混匀后，加活性炭，在吹气下放置24h以上，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得。
5.如权利要求4所述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，其特征在于：每升电镀液含氨基磺酸镍300g、氯化镍25g和硼酸40g。
6.如权利要求1所述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，其特征在于：步骤⑦中，镀金时，所用的镀金电镀液为：每升镀金电镀液含三氯化金5～12g、无水亚硫酸钠120～180g、一水柠檬酸钾50～100g、氯化钾40～100g和EDTA2～15g；所述镀金电镀液这样制作：取800mL去离子水加热80～90℃，称量需要的无水亚硫酸钠倒入加热水中不停搅拌至清泽透明，得亚硫酸钠溶液；将三氯化金5～12g倒入亚硫酸钠溶液中，不断搅拌直至清泽透明后，加入一水柠檬酸钾和氯化钾、EDTA，在60～70℃下充分搅拌至完全溶解，得已络合的镀金金液；然后用25～30％的氢氧化钾溶液调整PH值至10-11，充分搅拌1～2h后补充去离子水至一升，即得。
7.如权利要求6所述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，其特征在于：每升镀金电镀液含三氯化金8～11g、无水亚硫酸钠160g、一水柠檬酸钾75g、氯化钾70g和EDTA9g。
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