CN109509167B - 计算用于坯料处置的不可校正的euv坯料平坦度的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及计算用于坯料处置的不可校正的EUV坯料平坦度的方法。本公开总体上涉及半导体结构，并且更具体地涉及掩模结构和制造方法。该方法包括确定穿过掩模的前侧表面和后侧表面的平面，每个平面分别表示前侧表面和后侧表面的平坦度；使用至少一个计算设备减去所述前侧表面的所述平面与所述后侧表面的所述平面之间的差以找出厚度变化；使用所述至少一个计算设备生成用以拟合所述厚度变化的拟合；以及使用所述至少一个计算设备从所述厚度变化中减去所述拟合以生成用于收集残余平坦度测量的残余结构。

Description

计算用于坯料处置的不可校正的EUV坯料平坦度的方法
技术领域
本公开通常涉及半导体结构，更特别地，涉及掩模结构和制造方法。
背景技术
在光刻技术中，在图案化器件的层中实现掩模。在光刻方法期间，每一层都需要被精确地图案化，使得层的重叠(overlay)没有差异。由此，来自光刻技术的不准确性应该被最小化。
随着技术节点缩小，极紫外(EUV)光刻掩模在光刻方法中变得更普遍。与光学透明掩模相比，EUV光掩模是图案化的反射掩模。也就是，EUV掩模与传统的光学掩模基本上不同，因为它们是反射掩模，需要几个原子级别的低表面粗糙度。这些类型的掩模也具有严格的平坦度和曲率要求。
与所有掩模一样，EUV掩模由坯料(blank)制成。然而，制造EUV掩模特别困难，注意到它们具有反射性并用于小的技术节点。由于不正确或不准确的掩模制造而导致的问题可能导致图像放置误差，这可能导致重叠误差。这些图像放置误差可能是由坯料的平坦度的差异造成的。因此，引起重叠问题的掩模坯料的平坦度规范对于解决问题至关重要。
发明内容
在本公开的方面中，一种方法包括：确定通过掩模的前侧表面和后侧表面的平面，每个平面表示所述前侧表面和所述后侧的平坦度；使用至少一个计算设备减去所述前侧表面的所述平面与所述后侧表面的所述平面之间的差以找出厚度变化；使用所述至少一个计算设备生成用以拟合所述厚度变化的拟合；以及使用所述至少一个计算设备从所述厚度变化中减去所述拟合以生成用于收集残余平坦度测量的残余结构。
在本公开的方面中，一种计算机程序产品包括：计算机可读存储介质，其具有包含在其中的程序指令，并且所述程序指令可由计算设备读取以使所述计算设备：通过减去结构的前侧表面与后侧表面之间的平坦度来找出厚度变化；使用多项式拟合来拟合所述厚度变化；通过从所述厚度变化中减去所述多项式拟合来生成残余结构；以及通过获取所述残余结构中存在的最高点与最低点之间的差来找出残余平坦度测量。
在本公开的方面中，一种用于分析坯料平坦度的系统包括：CPU、计算机可读存储器和计算机可读存储介质；第一程序指令，其通过减去结构的前侧表面与后侧表面之间的平坦度来找出所述结构的厚度变化；第二程序指令，其使用多项式拟合来拟合所述厚度变化；第三程序指令，其通过从所述厚度变化中减去所述多项式拟合来生成残余结构；以及第四程序指令，其通过获取所述残余结构中存在的最高点与最低点之间的差来找出残余平坦度测量，其中所述第一、第二、第三和第四程序指令被存储在所述计算机可读存储介质上以用于所述CPU通过所述计算机可读存储器来执行。
附图说明
通过本公开的示例性实施例的非限制性实例并参考所述多个附图，在以下详细描述中描述本公开。
图1A示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的输入结构以及相应的制造方法。
图1B示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的厚度变化结构以及相应的制造方法。
图1C示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的残余结构以及相应的制造方法。
图2A示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的前表面的形貌以及相应的制造方法。
图2B示出根据本公开的方面的除了其他特征之外的后表面的形貌以及相应的制造方法。
图2C示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的厚度变化的形貌以及相应的制造方法。
图2D示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的质量区域(quality area)以及相应的制造方法。
图2E示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的拟合表面的形貌以及相应的制造方法。
图2F示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的残余表面的形貌以及相应的制造方法。
图3A示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的未校正的预测的重叠结构以及相应的制造方法。
图3B示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的步进器(stepper)校正系数以及相应的制造方法。
图3C示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的实际使用预测的重叠结构以及相应的制造方法。
图4A和4B示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的表面平坦度结果以及相应的制造方法。
图5示出了根据本发明的方面的用于实现不平坦度(non-flatness)测量和分析的示例性基础结构。
具体实施方式
本公开通常涉及半导体结构，更特别地，涉及掩模结构和制造方法。在实施例中，本文描述的方法包括掩模分析以确保掩模在特定的平坦度规范内。例如，用于光刻的掩模满足如使用用于光刻方法中的坯料处置(disposition)的不可校正的坯料平坦度计算的平坦度规范。以此方式，本文提供的平坦度测量仿真了关于光刻方法的实际使用情况，诸如除了其他例子之外的极紫外(EUV)光刻技术。更具体地，本文公开的平坦度测量考虑到背侧表面平坦度特征，而不是仅观察掩模坯料的前侧表面平坦度。另外，平坦度测量考虑到在解决一些图像放置误差时由步进机实施的校正。
通常，大多数掩模坯料不满足EUV光刻方法的规范要求，并且需要例如诸如iHOPC的软件的掩模写入补偿来校正图像放置误差。例如，校正系数的例子包括掩模第3阶补偿和掩模第6阶补偿。除了其他例子之外，图像放置误差的例子包括平面外失真(OPD)和平面内失真(IPD)。作为示例，当夹持(chuck)的掩模前侧以6度的入射角被照射时，会引入由OPD导致的图像放置误差(IPEOPD)。
更具体地，在IPEOPD中，当掩模被平坦化时，背侧不平坦度被部分地转移到前侧，并且被如此夹持的前侧表面近似为厚度变化。这会产生环场照明，这对IPEOPD的x和y分量有微妙的影响。由IPD(IPEIPD)引起的图像放置误差是在静电夹持期间掩模背侧被平坦化时引入的。更具体地，在掩模写入期间，使用运动学夹具将掩模安装到E卡盘(E-chuck)上。然而，掩模的背侧不平坦，从而造成在掩模写入操作期间需要补偿的重力下垂。
本文描述的方法提供用于确定可能导致图像放置误差的掩模平坦度问题的准确计算。在实施例中，计算厚度变化以更好地表示工具上的掩模结构，诸如在EUV光刻方法中使用的静电卡盘(E-卡盘)。在EUV光刻方法中，进行EUV光刻的步进机被编程为考虑到图像放置误差并纠正这些误差。然而，步进器(扫描仪)要解决的这些误差的数量可能太多了。因此，在实施例中，执行计算以计算在步进器中不可校正的表面平坦度特征，即，不可校正的掩模坯料的平坦度。更具体地，本文描述的方法计算用于掩模坯料的有效的不可校正的表面平坦度，其说明了在夹持以及在扫描仪(步进器)中的可校正系数的去除之后的掩模坯料的平坦度。以此方式，通过计算哪些掩模满足平坦度要求，本文提供的方法在EUV光刻方法期间仿真掩模的实际使用原因，由此注意哪些掩模可以用于减少图像放置误差。
本公开的结构可以使用多种不同的工具以多种方式来制造。一般而言，方法和工具被用于形成具有微米和纳米尺寸的结构。已从集成电路(IC)技术中采用了用于制造本公开的结构的方法，即，技术。例如，该结构可以建立在晶片上，并且以通过光刻方法被图案化的材料膜来实现。特别地，结构的制造使用三个基本构建块：(i)将薄膜材料沉积在衬底上，(ii)通过光刻成像在膜的顶部施加图案化的掩模，以及(iii)选择性地将膜蚀刻到掩模。
图1A示出了EUV掩模100。在光刻期间，掩模100用作模板以图案化器件的层。在EUV光刻方法期间，将掩模100放置在光刻扫描仪，即，步进机中。步进机包括光源，该光源通过来自掩模的反射将光投射到电路的层上以用于图案化。以此方式，掩模100可以由反射光源的合适材料制成，即，可以用作反射镜以反射光的材料。通过EUV掩模反射光提供被减小的波长的光(与透射掩模相比)的益处，这在图案中提供更高的分辨率。由于掩模的反射性，与传输光的掩模(即，光直接穿过的光学透射掩模)相比，该掩模的表面平坦度对图案化的准确度有更多的暗示。
掩模100包括前侧105和后侧110，每一者具有变化的平坦度。正是这些表面平坦度特征的变化会导致图案中的差异(重叠问题)。更具体地，除了其他问题之外，这些平坦度问题可能导致各种层之间的重叠问题。在EUV光刻方法中，掩模100的背侧110被后膜覆盖，并且掩膜100的前侧105被前膜覆盖。掩模100的背侧110将通过销(pin)卡盘和静电力(例如，E卡盘)附到卡盘，而前膜包含要被反射到正被图案化的层上的图案。
更具体地，在将掩模100安装到E卡盘时，掩模100的背侧110被平坦化。掩模100的背侧110的这种平坦化导致前膜和伴随图案的改变，导致不准确的图案被反射到器件层上。更具体地，在某些情况下，表面粗糙度的变化可能由夹持时的背侧平坦化引起的。这导致前膜图案被改变，从而导致图像放置误差，诸如除了其他问题之外的OPD和IPD。图像放置误差会导致晶片的不想要的移动。
图1A-1C示意性地示出了3D结构中的掩模的前侧105和背侧110的表面平坦度的分析和补偿，以仿真实际使用情况。更具体地，本文描述的结构和方法考虑到掩模100的背侧表面平坦度特征，而不仅观察前侧表面平坦度特征。图1A示出了厚度变化120，其是增量位置处的掩模坯料的前侧105与后侧110之间的差。在实施例中，对于厚度变化120，分析掩模坯料的整体，其中贯穿掩模100测量前侧105与后侧110之间的差。更具体地，前侧平坦度具有延伸穿过其中的前平面，以及背侧平坦度具有延伸穿过其中的背平面，其中厚度变化是根据前平面与后平面之间的差被计算出的。作为示例，厚度变化120可以是1600×1600像素阵列中的前侧105与后侧110之间的差的测量。作为另一示例，可以分析掩模坯料的152mm×152mm的面积以获得厚度变化。在实施例中，厚度变化120不是掩模坯料的真实厚度的测量。
图1B示出了步进器拟合结构125，其试图尽可能接近地拟合图1的厚度变化120。在实施例中，拟合结构125是通过考虑到步进器校正系数130形成的多项式拟合，其校正步进机中的图像放置误差。除其他例子之外，校正系数130的例子包括扫描仪线性校正和扫描仪高阶校正。在实施例中，拟合结构125的多项式拟合可由式子(1)中所示的函数来表示。
a+bX+cY+dX2+eXY+fY2+gX3+hX2Y+jXY2+kY3 (1)
作为示例，对于特定的掩模坯料，校正将是：
-0.0004+0.00001X+0.00002Y+0.00017X2-0.00002XY-0.00008Y2
+0.00018X2Y-0.00005XY2-0.00007Y3
图1C示出了由厚度变化120与拟合结构125之间的差形成的残余结构135。通过从厚度变化120中减去拟合结构125，残余结构135表示保留的任何不可校正的平坦度137，诸如保留在掩模坯料的背侧表面上的不可校正的平坦度。谷(v)140表示不可校正的平坦度137的表面上的最低点，而峰(p)140’表示不可校正的平坦度137的表面上的最高点。在实施例中，可以通过获取谷140与峰140’之间的差来计算不可校正的平坦度137的平坦度，即，平坦度＝p-v。
图2A-2F示出了本公开的平坦度计算的具体示例。本文所述的工艺将示例性地示出计算，该计算被需要以基于掩模的平坦度轮廓来确定哪些掩模可以用于EUV光刻，如关于图2A-2F所示的图示所描述的。
如图2A示例性示出的，该方法从测量掩模的前侧表面205的表面平坦度开始。例如，图2A示出了前侧表面205的形貌测量/计算，其中最高点207位于中间，最低点209位于外边缘上。在实施例中，通过获取最高点207与最低点209之间的差来确定前侧表面205的平坦度。在实施例中，除了其他例子之外，最高点207与最低点209之间的差可以是290nm。目前，行业惯例是将该掩模坯料特定在290nm的不平坦度的值。
如图2B示例性示出的，该方法继续以测量掩模的背侧表面210的表面平坦度。例如，图2B示出背侧表面210的形貌测量/计算，其中最高点212位于中间，最低点214位于外边缘上。在实施例中，通过获取最高点212与最低点214之间的差来确定背侧表面210的平坦度。在实施例中，除了其他例子之外，最高点212与最低点214之间的差可以是319nm。
图2B进一步示出了后第五阶表面215，其中最高点217位于中间，最低点219位于外边缘上。在实施例中，后第5阶表面215是后侧表面210数据的平滑算法。更具体地，后第5阶表面215表示后侧表面210的不平坦度有多少表现并转移到厚度变化。在实施例中，除了其他例子之外，后第五阶表面215的最高点217与最低点219之间的差可以是309nm。在另外的实施例中，后第五阶表面215可以替代地为后第十阶表面，或者任何阶，即，后第X阶表面。
如图2C示例性示出的，该方法继续以计算总的被夹持的厚度变化220的形貌。在该方法中的该点处，计算被夹持的掩模的厚度变化，即，总的被夹持的厚度变化220。在实施例中，总的被夹持的厚度变化220可以通过获取延伸穿过前侧表面205的平面与延伸穿过后侧表面210的平面之间的差来计算出。除了贯穿这些表面的其他有限的测量之外，总的被夹持的厚度变化220包括使用位于外边缘上的最高点222和位于中间的最低点224。在实施例中，除了其他例子之外，最高点222与最低点224之间的差可以是59nm。
如图2A示例性示出的，该方法继续以计算质量区域(QA)223，该质量区域223是总的被夹持的厚度变化220的快照(snapshot)。QA 223的减小的尺寸与正被图案化的晶片的面积相关。更具体地，由于掩模的总面积大于正被图案化的区域的尺寸，所以注意到QA223。例如，掩模坯料可以具有152mm×152mm的总面积，但待图案化的面积的尺寸小于152mm×152mm的总面积。因此，QA 223与待图案化的区域的尺寸相关，其中QA 223的尺寸依赖于正被图案化的区域而具有不同的尺寸。除了对于前侧和背侧上的附加测量之外，QA 223还包括位于外边缘上的最高点222和位于中间的最低点224。在实施例中，最高点222与最低点224之间的差可以是53nm，其表示需要被校正以避免问题放置问题的区域的尺寸。
该方法继续以进行图2E的形貌测量/计算。图2E示出了在EUV光刻方法期间由步进器施加的拟合225的形貌。拟合225考虑到各种步进器校正系数230，这些校正系数校正了在光刻方法期间可能导致问题放置误差的掩模坯料中的一些变化。更具体地，拟合225考虑到已通过步进器校正系数230校正的平坦度表面。在实施例中，除了其他例子之外，步进器校正系数230可以由步进机内编程的软件(诸如iHOPC)执行。除了其他例子之外，步进器校正系数230的例子包括扫描仪线性校正和扫描仪高阶校正。拟合225包括位于外边缘上的最高点227和位于中间的最低点229。在实施例中，除了其他例子之外，最高点227与最低点229之间的差可以是48nm。
如图2F示例性示出的，通过计算被夹持的残余物235继续该方法，该被夹持的残余物235表示掩模中剩余的不可校正的平坦度240。通过获取得QA 223与拟合225之间的差而生成被夹持的残余物235。在实施例中，该差可以沿着表面逐点相减而执行。以此方式，从QA223中去除步进器校正系数230，留下表示掩模中剩余的不可校正的平坦度240的被夹持的残余物235。正是这种不可校正的平坦度240可能导致晶片图像放置问题，除了其他例子之外，诸如OPD和IPD。
在该具体例子中，除了其他例子之外，不可校正的平坦度240的尺寸可以是15.4nm。在这个例子中，掩模坯料中剩余的15.4nm的不平坦度导致了图像放置误差。更具体地，被夹持的残余物235的最高点与被夹持的残余物235的最低点之间的高度差为15.4nm。因此，具有小于16nm的表面平坦度高度差的掩模坯料可能导致晶片上的图像放置误差低于0.3nm。然后可以将不可校正的平坦度240用作关于哪个掩模将满足用户要求的指导准则。此外，不可校正的平坦度240允许更好地通知掩模坯料提供者关于最重要的平坦度特征的平坦度公差。
图3A示出了在来自步进机的校正之前未被校正的预测的重叠300。更具体地，图3A示出在没有对掩模坯料进行任何校正的情况下晶片上出现什么，其中各种箭头示出点距离重叠点应处位置有多远。图3B示出了在x和y方向上应用的步进器校正系数330的表格，诸如扫描仪线性校正和扫描仪高阶校正，除了其他例子之外。图3C示出了已使用步进器校正系数230(诸如扫描仪高阶校正系数)校正的预测的实际使用重叠360。然后可以使用预测的实际使用重叠360中图示的信息来进一步确定不可校正的平坦度。
图4A和4B示出了与用户所期望的相比的从提供者接收到的掩模平坦度。在实施例中，本文描述的结构和方法可以应用于已经从掩模坯料提供者接收到的掩模。图4A的图表400示出了关于从提供者接收到的掩模坯料的前侧平坦度405和后侧平坦度410。在该掩模板中提供的规范(spec)415低于20nm。然而，在图2A-2F中讨论的先前例子中，发现期望的不可校正的平坦度为15.4nm。对于不可校正的平坦度460，15.4nm的不可校正的平坦度被示出在图4B的图表450中作为规范415。因此，在这个例子中，从提供者处接收到的图4A的掩模坯料将不符合关于用户的需求的规范。然而，用户仍然可以使用这些掩模坯料。
如本领域技术人员将理解的，本公开的方面可以体现为系统、方法或计算机程序产品。因此，本公开的方面可以采取完全硬件实施例、完全软件实施例(包括固件、常驻软件、微代码等)或组合软件和硬件方面的实施例的形式。此外，本公开的方面可以采取体现在一个或多个在其上包含有计算机可读程序代码的计算机可读存储介质中的计算机程序产品的形式。
其上具有计算机可读程序指令的计算机可读存储介质(或媒介)使得一个或多个计算处理器执行本公开的方面。计算机可读存储介质可以保留并存储供指令执行设备使用的指令。计算机可读存储介质可以是例如但不限于电子存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或前述的任何适当的组合。
计算机可读存储介质的更具体示例的非穷尽列表包括以下非暂时性信号：便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或闪存)、静态随机存取存储器(SRAM)、便携式光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能盘(DVD)、记忆棒、软盘、以及前述的任何合适的组合。计算机可读存储介质本身不应被解释为暂时信号；相反，计算机可读存储介质是存储数据的物理介质或设备。如图1所示，计算机可读程序指令也可以加载到计算机上用于执行指令。
图5示出了根据本公开的方面的用于实现步骤的计算机基础结构500。就此而言，基础结构500可以实施如图1A-2F所示的掩模坯料的不平坦度的分析和测量，例如，找出厚度变化并生成不可校正的平坦度测量。基础结构500包括可以执行本文描述的方法的服务器505或其他计算系统。特别地，服务器505包括计算设备510。计算设备510可以驻留在第三方服务提供商的网络基础结构或计算设备上(其中的任何一个通常在图5中被表示出)。
计算设备510包括处理器515(例如，CPU)、存储器525、I/O接口540和总线520。存储器525可以包括在程序代码的实际执行期间使用的本地存储器、大容量存储器以及高速缓存存储器，该高速缓存存储器提供至少一些程序代码的临时存储以便减少在执行期间从大容量存储器取回代码的次数。另外，计算设备包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)和操作系统(O/S)。
计算设备510与外部I/O设备/源545和存储系统550通信。例如，I/O设备545可以包括使个人能够与计算设备510交互的任何设备(例如，用户接口)或使计算设备510能够使用任何类型的通信链路与一个或多个其他计算设备通信的任何设备。外部I/O设备/源545可以是例如手持设备、PDA、手持机、键盘等。
通常，处理器515执行可存储在存储器525和/或存储系统550中的计算机程序代码(例如，程序控制530)。此外，根据本发明的方面，程序控制530控制不平坦度分析仪工具535，该不平坦度分析仪工具535生成本文提供的平坦度结构和测量以仿真关于诸如EUV光刻技术的光刻方法的实际使用情况。不平坦度分析仪工具535可以实现为存储在存储器525中的程序控制530中的一个或多个程序代码来作为单独或组合的模块。另外，不平坦度分析仪工具535可以被实现为单独的专用处理器或单个或几个处理器以提供该工具的功能。在执行计算机程序代码时，处理器515可以从存储器525、存储系统550和/或I/O接口540中读取数据和/或向存储器525、存储系统550和/或I/O接口540写入数据。程序代码执行本发明的方法。总线520提供计算设备510中的每个组件之间的通信链路。
不平坦度分析仪工具535被用于执行在诸如EUV光刻技术的光刻方法中使用的掩模坯料的不平坦度测量和分析。例如，不平坦度分析仪工具535生成延伸通过前侧平坦度的前平面和延伸穿过后侧平坦度的后平面。不平坦度分析仪工具535将通过获取前平面与后平面之间的差来找出掩模坯料的厚度变化。另外，不平坦度分析仪工具535可以拍摄厚度变化的特定区域的快照，该特定区域是与正被图案化的晶片上的区域相关的质量区域(QA)。
不平坦度分析仪工具535将生成步进器拟合结构，其尝试尽可能接近地拟合厚度变化。在实施例中，步进器拟合结构是通过考虑到步进器校正系数而形成的多项式拟合。然后，不平坦度分析仪工具535将生成由厚度变化(即，QA)与步进器拟合结构之间的差形成的残余结构。残余结构表示剩余的任何不可校正的平坦度，诸如在掩模坯料的背侧表面上剩余的不可校正的平坦度。不平坦度分析仪工具535通过获取残余结构的谷与峰之间的差来找出不可校正的平坦度。在实施例中，不平坦度分析仪工具535还可以将输入的掩模坯料与所发现的不可校正的平坦度进行比较，以判定输入的掩模坯料是否满足用户的规范。
虽然下文描述的系统和方法是关于示例性方法和/或计算机程序产品的，但应该理解，本文所述的本公开也可以考虑其他实施方式。例如，根据本公开的实施例的其他设备、系统、装置和/或计算机程序产品将在阅读附图和详细描述后对于本领域普通技术人员而言变得显而易见。旨在将所有这些附加的其他设备、系统、装置、方法和/或计算机程序产品包括在本公开的范围内。
如上所述的方法用在集成电路芯片的制造中。所得到的集成电路芯片可以由制造商以作为裸芯片的原始晶片形式(即，作为具有多个未封装芯片的单个晶片)或者以封装形式分发。在后一种情况下，芯片被安装在单芯片封装(诸如塑料载体中，其引线固定到母板或其他更高级别的载体)或多芯片封装(诸如陶瓷载体中，其具有表面互连和/或掩埋互连中的一者或两者)中。在任何情况下，芯片然后与其他芯片、分立电路元件和/或其他信号处理设备集成，作为(a)中间产品(诸如母板)或者(b)最终产品的一部分。最终产品可以是包括集成电路芯片的任何产品，从玩具和其他低端应用，到具有显示器、键盘或其他输入设备以及中央处理器的高级计算机产品。
本公开的各种实施例的描述已为了示例的目的而给出，但并非旨在是穷举性的或限于所公开的实施例。在不脱离所描述的实施例的范围和精神的情况下，许多修改和变化对于本领域普通技术人员将是显而易见的。本文中所用术语的被选择以旨在最好地解释实施例的原理、实际应用或对市场中发现的技术的技术改进，或者使本技术领域的其他普通技术人员能理解本文公开的实施例。

Claims (20)

1.一种用于分析掩模平坦度的方法，包括：
确定穿过掩模的前侧表面和后侧表面的平面，每个平面分别表示所述前侧表面和所述后侧表面的平坦度；
使用至少一个计算设备减去所述前侧表面的所述平面与所述后侧表面的所述平面之间的差以找出厚度变化；
使用所述至少一个计算设备生成用以拟合所述厚度变化拟合；以及
使用所述至少一个计算设备从所述厚度变化中减去所述拟合以生成用于收集残余平坦度测量的残余结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模是坯料掩模。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述厚度变化是1600×1600像素阵列的测量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述拟合是多项式拟合。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述残余平坦度测量是不可校正的平坦度测量。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述不可校正的平坦度测量包括所述残余结构中的最高点与最低点之间的差。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使用所述至少一个计算设备来判定输入掩模坯料结构是否落在所述残余平坦度测量以下。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述拟合包含校正系数。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述校正系数是扫描仪线性校正和扫描仪高阶校正。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在减去所述前侧表面的所述平面与所述后侧表面的所述平面之间的所述差以找出厚度变化之前，使用所述至少一个计算设备平滑所述后侧表面。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括使用所述至少一个计算设备对与待图案化的晶片上的区域相关的所述厚度变化进行快照。
12.一种包括计算机可读存储介质的计算机程序产品，所述计算机可读存储介质具有包含在其中的程序指令，并且所述程序指令可由计算设备读取以使所述计算设备：
通过减去结构的前侧表面与后侧表面之间的平坦度来找出厚度变化；
使用多项式拟合来拟合所述厚度变化；
通过从所述厚度变化中减去所述多项式拟合来生成残余结构；以及
通过获取所述残余结构中存在的最高点与最低点之间的差来找出残余平坦度测量。
13.根据权利要求12所述的计算机程序产品，其中所述结构为掩模坯料。
14.根据权利要求12所述的计算机程序产品，其中所述多项式拟合包含校正系数。
15.根据权利要求14所述的计算机程序产品，其中所述校正系数是扫描仪线性校正和扫描仪高阶校正。
16.根据权利要求12所述的计算机程序产品，进一步包括将所述厚度变化快照至与待图案化的晶片上的区域相关的尺寸。
17.根据权利要求12所述的计算机程序产品，其中所述残余平坦度测量是不可校正的平坦度测量。
18.根据权利要求17所述的计算机程序产品，其中所述不可校正的平坦度测量小于16nm。
19.一种用于分析坯料平坦度的系统，包括：
CPU、计算机可读存储器和计算机可读存储介质；
第一程序指令，其通过减去结构的前侧表面与后侧表面之间的平坦度来找出所述结构的厚度变化；
第二程序指令，其使用多项式拟合来拟合所述厚度变化；
第三程序指令，其通过从所述厚度变化中减去所述多项式拟合来生成残余结构；以及
第四程序指令，其通过获取所述残余结构中存在的最高点与最低点之间的差来找出残余平坦度测量，
其中，
所述第一、第二、第三和第四程序指令被存储在所述计算机可读存储介质上以用于所述CPU通过所述计算机可读存储器来执行。
20.根据权利要求19所述的系统，其中所述结构是掩模坯料。
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