CN109493912B - 多层阻变存储器的温度分布测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种多层阻变存储器的温度分布测试方法，包括：选定目标层；选定目标层上的多个目标单元；将选定的多个目标单元构成目标集合；对目标集合中的各目标单元进行N次读写，得到各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合；根据各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合分别计算出各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数；根据各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数，获得各目标单元的温度数据集合；根据温度数据集合、各目标单元的位置坐标和热传导方程构建目标层的温度分布模型。本发明能够有效地分析阻变存储器内部的温度，提高了温度分布分析的可靠性。

Description

多层阻变存储器的温度分布测试方法

技术领域

本发明涉及电子器件测试技术领域，尤其涉及一种多层阻变存储器的温度分布测试方法。

背景技术

随着数据量的大幅增加，对于数据处理能力的要求也日益增加，处理器带宽成为了制约处理能力的主要瓶颈。为了提高信息存储的容量、提升信息处理速度，超大规模、高速的非易失性存储器成为了研究的重点。

由于传统Flash器件的存储速度慢、存储容量低、工艺兼容性差等问题，迫切需要开发、应用新型存储器结构。阻变存储器由于其构成结构简单，存储速度快等优点成为了下一代最具潜力的非易失性存储器。阻变存储器采用三明治的结构，由上下电极与阻变材料层构成。阻变存储器通过施加电压实现阻值变化，从而实现数据的写入。随着对存储容量要求的增加，阻变存储器由单层结构向三维堆叠方向发展。通过三维堆叠的方式，阻变存储器的存储容量可以成倍地增加。然而，多层堆叠导致三维器件中内部阻变存储器单元的温度无法很快扩散，导致内部单元的温度上升较快，高温会造成阻变存储器单元内部存储信息发生变化，从而造成信息丢失。因此，分析与检测三维堆叠阻变存储器内部层间节点温度分布对阻变存储器可靠性分析具有重要意义。

目前，阻变存储器的温度测试主要采用传统的温度测试方法，通过红外镜头对存储器表面温度进行成像，通过对温度图像进行分析实现对阻变存储器的温度分布测试，由于直接测量只能测量表面的温度分布，为了能够测量内部温度分布情况，需要保证上层存储器不进行读写操作，不产生温度变化。通过读写目标层阻变存储器单元，并测量表面的温度变化，然后利用热传导方程反推目标层的温度分布。

因此，现有技术只能测量和分析阻变存储器表面层的温度分布，无法直接测量和分析阻变存储器内部层的温度分布，通过热扩散方程求解内部温度分布，对于浅层的三维存储器有效，对于堆叠层数较多的存储器，由于堆叠层数的增加，反推内部温度分布的误差很大，无法准确了解内部的温度分布。

发明内容

本发明的目的是提供一种多层阻变存储器的温度分布测试方法，能够有效地分析阻变存储器内部的温度，提高温度分布分析的可靠性。

为了实现上述目的，本发明的一个方面提供一种多层阻变存储器的温度分布测试方法，包括：

S1：选定目标层；

S2：选定目标层上的多个目标单元；

S3：将选定的多个目标单元构成目标集合；

S4：对目标集合中的各目标单元进行N次读写，其中N＞1，并对各目标单元的高阻态阻值和低阻态阻值进行测量，得到各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合；

S5：根据各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合分别计算出各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数；

S6：根据各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数，获得各目标单元所对应的温度数据，并将各目标单元的温度数据形成温度数据集合；

S7：根据温度数据集合、各目标单元的位置坐标和热传导方程构建目标层的温度分布模型。

优选地，在步骤S2中，以目标层的边缘单元为起点，按照固定的水平步长或垂直步长选取目标单元。

优选地，在步骤S2中，以目标层的中心单元为起点，按照固定的距离间隔选取目标单元。

优选地，步骤S4包括如下步骤：

S401：在目标集合中选取任一目标单元作为测试单元；

S402：根据测试单元的位置生成行选信号和列选信号；

S403：对测试单元进行单次读写，测量并记录测试单元进行单次读写时的高阻态阻值和低阻态阻值；

S404：对测试单元执行N次步骤S403的操作，将N个高阻态阻值形成高阻态阻值集合，将N个低阻态阻值形成低阻态阻值集合；

S405：循环步骤执行S401至S404，直至得到目标集合中各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合。

优选地，步骤S4包括如下步骤：

S411：对目标集合中的目标单元进行排序，确定测试顺序；

S412：按照测试顺序将其中一个目标单元作为测试单元；

S413：根据测试单元的位置生成行选信号和列选信号；

S414：对测试单元进行单次读写，测量并记录测试单元进行单次读写时的高阻态阻值和低阻态阻值；

S415：循环步骤S412至S414，直至完成目标集合中各目标单元的高阻态阻值和低阻态阻值的测量和记录；

S416：进行N次步骤S414至S415的操作，获得各目标单元的N个高阻态阻值和N个低阻态阻值，从而得到各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合。

优选地，步骤S4包括如下步骤：

S421：对目标集合中的目标单元进行排序，确定测试顺序；

S422：按照测试顺序将其中一个目标单元作为测试单元；

S423：根据测试单元的位置生成行选信号和列选信号；

S424：对测试单元进行M次的单次读写，并进行K次循环，形成高阻态阻值集合{RH₁，RH₂，RH₃，……，RH_i}和低阻态阻值集合{RL₁，RL₂，RL₃，……，RL_i}，其中，1＜M＜N，N＝M*K，i为1～N中的某一值。

优选地，通过行选信号和列选信号获得目标单元在二维平面中的位置坐标。

优选地，在对目标单元进行单次读写和测量时，通过目标单元由初始高阻态向低阻态转变的过程中电压和电流来计算低阻态阻值，并记录低阻态阻值。

优选地，在对目标单元进行单次读写和测量时，通过目标单元由初始低阻态向高阻态转变的过程中电压和电流来计算高阻态阻值，并记录高阻态阻值。

优选地，在步骤S7中，温度分布模型为正态分布、F分布、T分布中的任意一种。

本发明提供的多层阻变存储器的温度分布测试方法，通过分析阻变存储器单元阻态分布特性的方法来推断温度的变化，从而构建内部层间的温度分布，能够有效地分析阻变存储器内部的温度，提高了温度分布分析的可靠性。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本发明一种实施方式的多阻变存储器的温度分布测试方法的流程图；

图2为均匀分布选取法选定目标单元的示意图；

图3为等距方式选取法选定目标单元的示意图；

图4为应用温度分布模型进行目标层单元温度计算的示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。

实施例1：

请参考图1，本发明实施方式提供一种多层阻变存储器的温度分布测试方法，在实施例1中，该温度分布测试方法为连续读写方法，包括：

S1：选定目标层，具体地，针对多层阻变存储器而言，由于其为三维阵列结构，在测试的过程中需要有针对性地进行，通过选定目标层从而明确温度分布测试的目标，从而使得阻变存储器的温度分布测试的精度更高。

S2：选定目标层上的多个目标单元，目标单元的数量为M(M＞1)，为了提高测试的效率，当选定目标层以后，在所选定的目标层上选取多个目标单元进行测试，通过对多个目标单元的测试，从而获得目标层的温度分布模型。具体地，上述多个目标单元需要均布在目标层上，从而能够有效反映出目标层的温度分布特性，进而提高温度分布测试的精度及准确性。具体参考图2，图中黑色单元即为需要选取的目标单元，本实施例1采用均匀分布选取法进行目标单元的选取，即以目标层的边缘单元为起点，按照固定的水平步长或垂直步长选取目标单元，直至所选取的目标单元在目标层上均布。

需要指出的是，上述目标单元的选取方法还可以为等距方式选取法、随机分布选取法和螺旋线分布选取法等中的任意一种。

S3：将选定的多个目标单元构成目标集合G。

S4：在目标集合中选取任一目标单元k(k为1～M中的某一值)作为测试单元；

根据测试单元的位置生成行选信号和列选信号，通过行选信号和列选信号获得目标单元在二维平面中的位置坐标；

对测试单元k进行单次读写，测量并记录测试单元进行单次读写时的高阻态阻值RH_i(i为1～N中的某一值)和低阻态阻值RL_i，在目标单元进行单次读写和测量时，通过将目标单元由初始高阻态向低阻态转变(若测试单元原先为低阻态，则先设置为高阻态，再设置为低阻态)的过程中电压和输出电流来计算低阻态阻值，并记录低阻态阻值，在目标单元进行单次读写和测量时，通过将目标单元由初始低阻态向高阻态转变的过程中电压和输出电流来计算高阻态阻值，并记录高阻态阻值；

对测试单元执行N次(N＞1)单次读写，形成高阻态阻值集合{RH₁，RH₂，RH₃，……，RH_i}和低阻态阻值集合{RL₁，RL₂，RL₃，……，RL_i}。

S5：根据高阻态阻值集合{RH₁，RH₂，RH₃，……，RH_i}和低阻态阻值集合{RL₁，RL₂，RL₃，……，RL_i}，分别计算测试单元k高阻态阻值的分布参数与低阻态阻值的分布参数。

S6：根据计算的高阻态阻值的分布参数与低阻态阻值的分布参数，查找对应的温度分布，从而确定目标单元k的温度T_k；从目标集合G中取新的目标单元，重复上述过程，直到目标集合G为空，形成各目标单元的温度集合{T₁，T₂，T₃，……，T_M}。

S7：根据获取的各目标单元的温度集合{T₁，T₂，T₃，……，T_M}，以及每一个单元在二维平面中的位置，依据热传导方程，可以构建目标层的温度分布模型，该温度分布模型为正态分布、F分布、T分布或其它分布模型中的任意一种。

由于阻变存储器在不同的温度下执行写入操作后，阻变存储器单元的阻值不同，通过测定阻变存储器单元阻值的分布特性可以反向推断出阻变存储器单元所处的温度，从而有效实现对目标层温度分布的测试。上述续读写方法的控制信号产生与控制方法简单，能够有效提高测试的效率。

实施例2：

请继续参考图1，在实施例2中，本发明实施方式的多层阻变存储器的温度分布测试方法为分散读写方法，包括：

S1：选定目标层，具体地，针对多层阻变存储器而言，由于其为三维阵列结构，在测试的过程中需要有针对性地进行，通过选定目标层从而明确温度分布测试的目标，从而使得阻变存储器的温度分布测试的精度更高。

S2：选定目标层上的多个目标单元，目标单元的数量为M(M＞1)，为了提高测试的效率，当选定目标层以后，在所选定的目标层上选取多个目标单元进行测试，通过对多个目标单元的测试，从而获得目标层的温度分布模型。具体地，上述多个目标单元需要均布在目标层上，从而能够有效反映出目标层的温度分布特性，进而提高温度分布测试的精度及准确性。具体参考图3，图中黑色单元即为需要选取的目标单元，本实施例2中采用等距方式选取法进行目标单元的选取，以目标层的中心单元为起点，按照固定的距离间隔选取目标单元，直至所选取的目标单元在目标层上均布。

需要指出的是，上述目标单元的选取方法还可以为均匀分布选取法、随机分布选取法和螺旋线分布选取法等中的任意一种。

S3：将选定的多个目标单元构成目标集合G。

S4：对目标集合G中的目标单元进行排序，确定测试顺序；

按照测试顺序将其中一个目标单元k(k为1～M中的某一值)作为测试单元；

根据测试单元的位置生成行选信号和列选信号，通过行选信号和列选信号获得目标单元在二维平面中的位置坐标；

对目标单元进行第一次的单次读写与测量，并记录高阻态阻值RH_1，k与低阻态阻值RL_1，k，通过将目标单元由初始高阻态向低阻态转变(若测试单元原先为低阻态，则先设置为高阻态，再设置为低阻态)的过程中电压和输出电流来计算低阻态阻值，并记录低阻态阻值，在目标单元进行单次读写和测量时，通过将目标单元由初始低阻态向高阻态转变的过程中电压和输出电流来计算高阻态阻值，并记录高阻态阻值；

按照测试顺序再次选取测试单元，获取第一次的单次读写与测量操作，直到目标集合G为空，得到的高阻态阻值集合{RH_1，1，RH_1，2，RH_1，3，……，RH_1，M}与低阻态阻值集合{RL_1，1，RL_1，2，RL_1，3，……，RL_1，M}；

重新初始化目标集合G，并重复上述过程，记录第二次到第N次(N＞1)的单次读写的高阻态阻值集合与低阻态阻值集合；

依据目标单元k的编号，构建对于每一个目标单元k的高阻态阻值集合{RH_1，k，RH_2，k，RH_3，k，……，RH_N，k}和低阻态阻值集合{RL_1，k，RL_2，k，RL_3，k，……，RL_N，k}。

S5：根据每一个目标单元k的高阻态阻值集合{RH_1，k，RH_2，k，RH_3，k，……，RH_N，k}和低阻态阻值集合{RL_1，k，RL_2，k，RL_3，k，……，RL_N，k}，分别计算目标单元k高阻态阻值的分布参数与低阻态阻值的分布参数。

S6：根据计算的高阻态阻值的分布参数与低阻态阻值的分布参数，查找对应的温度分布，从而确定目标单元k的温度T_k。

S7：根据获取的各目标单元的温度集合{T₁，T₂，T₃，……，T_M}，以及每一个目标单元在二维平面中的位置，依据热传导方程，可以构建目标层的温度分布模型，该温度分布模型为正态分布、F分布、T分布或其它分布模型中的任意一种。

由于阻变存储器在不同的温度下执行写入操作后，阻变存储器单元的阻值不同，通过测定阻变存储器单元阻值的分布特性可以反向推断出阻变存储器单元所处的温度，从而有效实现对目标层温度分布的测试。上述分散读写方法能够将读写过程在整个单元平面内分散，产生温度分散，对热分析影响较小，从而提高了测试的精度。

在实施例1和实施例2中，根据温度分布模型可计算出目标层中各单元的温度，下面举例进行详细说明：

由于阻变存储器可以认为是均匀导体，各向同性，有三维热传导公式：

其中：a²＝k/Cρf(x，y，z，t)＝f₀/C

k，C，ρ为常数。

仅考虑二维平面情况，以上公式可简化为：

由于阻变存储器的发热单元较小、发热时间较短，可以认为热量产生后会较快速地扩散，即热分布较为均匀，可以将阻变存储器目标层视为一个热均匀分布的平面，以测得的温度数据集合{T₁，T₂，T₃，……，T_M}、各目标单元的位置坐标作为上述热传导方程中的边界条件，从而计算各单元的温度。

以均匀分布选取法为例，以单一目标层计算分析，当获得了目标单元的温度集合{T₁，T₂，T₃，……，T_M}和目标单元的位置坐标，如图4所示，黑色单元为选定的目标单元，黑色斜线单元为需要计算的单元温度，坐标为(x，y)。假定(1，1)坐标的温度为T₁，(1，9)单元温度为T₂，(9，1)坐标的温度为T₃，(9，9)单元温度为T₄。依据温度均匀变化，通过均匀分布公式可以得出目标单元温度为：

代入图中黑色斜线单元坐标(4，5)，即可以计算出处于坐标(x，y)处的单元温度。通过上述方法可以计算出所有单元的温度特性，从而得到二维平面的温度分布。

实施例3：

请继续参考图1，在实施例3中，本发明实施方式的多层阻变存储器的温度分布测试方法为连续读写方法和分散读写方法相结合的方法，包括：

S1：选定目标层，具体地，针对多层阻变存储器而言，由于其为三维阵列结构，在测试的过程中需要有针对性地进行，通过选定目标层从而明确温度分布测试的目标，从而使得阻变存储器的温度分布测试的精度更高。

S2：选定目标层上的多个目标单元，目标单元的数量为M(M＞1)，为了提高测试的效率，当选定目标层以后，在所选定的目标层上选取多个目标单元进行测试，通过对多个目标单元的测试，从而获得目标层的温度分布模型。具体地，上述多个目标单元需要均布在目标层上，从而能够有效反映出目标层的温度分布特性，进而提高温度分布测试的精度及准确性。具体参考图3，图中黑色单元即为需要选取的目标单元，本实施例3中采用等距方式选取法进行目标单元的选取，以目标层的中心单元为起点，按照固定的距离间隔选取目标单元，直至所选取的目标单元在目标层上均布。

需要指出的是，上述目标单元的选取方法还可以为均匀分布选取法、随机分布选取法和螺旋线分布选取法等中的任意一种。

S3：将选定的多个目标单元构成目标集合G。

S4：对目标集合G中的目标单元进行排序，确定测试顺序；

按照测试顺序将其中一个目标单元k(k为1～M中的某一值)作为测试单元；

根据测试单元的位置生成行选信号和列选信号，通过行选信号和列选信号获得目标单元在二维平面中的位置坐标；

对目标单元进行M次(1＜M＜N)的单次读写与测量，并进行K次循环，N＝M*K，形成高阻态阻值集合{RH₁，RH₂，RH₃，……，RH_i}和低阻态阻值集合{RL₁，RL₂，RL₃，……，RL_i}，(i为1～N中的某一值)；

S5：根据高阻态阻值集合{RH₁，RH₂，RH₃，……，RH_i}和低阻态阻值集合{RL₁，RL₂，RL₃，……，RL_i}，分别计算测试单元k高阻态阻值的分布参数与低阻态阻值的分布参数。

S6：根据计算的高阻态阻值的分布参数与低阻态阻值的分布参数，查找对应的温度分布，从而确定目标单元k的温度T_k；从目标集合G中取新的目标单元，重复上述过程，直到目标集合G为空，形成各目标单元的温度集合{T₁，T₂，T₃，……，T_M}；

S7：根据获取的各目标单元的温度集合{T₁，T₂，T₃，……，T_M}，以及每一个单元在二维平面中的位置，依据热传导方程，可以构建目标层的温度分布模型，该温度分布模型为正态分布、F分布、T分布或其它分布模型中的任意一种。

由于阻变存储器在不同的温度下执行写入操作后，阻变存储器单元的阻值不同，通过测定阻变存储器单元阻值的分布特性可以反向推断出阻变存储器单元所处的温度，从而有效实现对目标层温度分布的测试。

基于上述实施例3，解决了连续读写可能会产生额外的温度集中，影响分析结果和分散读写方法控制复杂的情况，从而提高了检测时的精度。

与现有技术相比，本发明所述提供的阻变存储器的温度分布测试方法的有益效果为：采用通过分析阻变存储器单元阻态分布特性的方法来推断温度的变化，从而构建内部层间的温度分布，能够有效的分析阻变存储器内部阻态层的温度，提高了温度分布分析的可靠性。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，包括：

S1：选定目标层；

S2：选定目标层上的多个目标单元；

S3：将选定的多个目标单元构成目标集合；

S4：对目标集合中的各目标单元进行N次读写，其中N＞1，并对各目标单元的高阻态阻值和低阻态阻值进行测量，得到各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合；

S5：根据各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合分别计算出各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数；

S6：根据各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数，获得各目标单元所对应的温度数据，并将各目标单元的温度数据形成温度数据集合；

S7：根据温度数据集合、各目标单元的位置坐标和热传导方程构建目标层的温度分布模型。

2.根据权利要求1所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，在步骤S2中，以目标层的边缘单元为起点，按照固定的水平步长或垂直步长选取目标单元。

3.根据权利要求1所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，在步骤S2中，以目标层的中心单元为起点，按照固定的距离间隔选取目标单元。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，步骤S4包括如下步骤：

S401：在目标集合中选取任一目标单元作为测试单元；

S402：根据测试单元的位置生成行选信号和列选信号；

S403：对测试单元进行单次读写，测量并记录测试单元进行单次读写时的高阻态阻值和低阻态阻值；

S404：对测试单元执行N次步骤S403的操作，将N个高阻态阻值形成高阻态阻值集合，将N个低阻态阻值形成低阻态阻值集合；

S405：循环执行步骤S401至S404，直至得到目标集合中各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合。

5.根据权利要求4所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，通过行选信号和列选信号获得目标单元在二维平面中的位置坐标。

6.根据权利要求4所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，在对目标单元进行单次读写和测量时，通过目标单元由初始高阻态向低阻态转变的过程中电压和电流来计算低阻态阻值，并记录低阻态阻值。

7.根据权利要求4所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，在对目标单元进行单次读写和测量时，通过目标单元由初始低阻态向高阻态转变的过程中电压和电流来计算高阻态阻值，并记录高阻态阻值。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，步骤S4包括如下步骤：

S411：对目标集合中的目标单元进行排序，确定测试顺序；

S412：按照测试顺序将其中一个目标单元作为测试单元；

S413：根据测试单元的位置生成行选信号和列选信号；

S414：对测试单元进行单次读写，测量并记录测试单元进行单次读写时的高阻态阻值和低阻态阻值；

S415：循环步骤S412至S414，直至完成目标集合中各目标单元的高阻态阻值和低阻态阻值的测量和记录；

S416：进行N次步骤S414至S415的操作，获得各目标单元的N个高阻态阻值和N个低阻态阻值，从而得到各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合。

9.根据权利要求8所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，通过行选信号和列选信号获得目标单元在二维平面中的位置坐标。

10.根据权利要求8所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，在对目标单元进行单次读写和测量时，通过目标单元由初始高阻态向低阻态转变的过程中电压和电流来计算低阻态阻值，并记录低阻态阻值。

11.根据权利要求8所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，在对目标单元进行单次读写和测量时，通过目标单元由初始低阻态向高阻态转变的过程中电压和电流来计算高阻态阻值，并记录高阻态阻值。

12.根据权利要求1-3中任一项所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，步骤S4包括如下步骤：

S421：对目标集合中的目标单元进行排序，确定测试顺序；

S422：按照测试顺序将其中一个目标单元作为测试单元；

S423：根据测试单元的位置生成行选信号和列选信号；

S424：对测试单元进行M次的单次读写，并进行K次循环，形成高阻态阻值集合和低阻态阻值集合，其中，1＜M＜N，N＝M*K。

13.根据权利要求12所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，通过行选信号和列选信号获得目标单元在二维平面中的位置坐标。

14.根据权利要求12所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，在对目标单元进行单次读写和测量时，通过目标单元由初始高阻态向低阻态转变的过程中电压和电流来计算低阻态阻值，并记录低阻态阻值。

15.根据权利要求12所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，在对目标单元进行单次读写和测量时，通过目标单元由初始低阻态向高阻态转变的过程中电压和电流来计算高阻态阻值，并记录高阻态阻值。

16.根据权利要求1-3中任一项所述的多层阻变存储器的温度分布测试方法，其特征在于，在步骤S7中，温度分布模型为正态分布、F分布、T分布中的任意一种。

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