CN109490738A - 一种晶体振荡器二极管特性的测量装置 - Google Patents

一种晶体振荡器二极管特性的测量装置 Download PDF

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郑宝琦
高志祥
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2632Circuits therefor for testing diodes

Abstract

本发明提出的是一种晶体振荡器二极管特性的测量装置,其结构包括测试座、底座和控制开关,其中测试座设于底座上表面的中心,控制开关包括2组,分别并排安装于底座上表面测试座的左、右两侧。本发明的优点:操作简单,可方便地测量各种尺寸晶振,测量误差小,结果可靠。

Description

一种晶体振荡器二极管特性的测量装置
技术领域
本发明涉及一种晶体振荡器二极管特性的测量装置,属于石英晶体电子元器件制造技术领域。
背景技术
石英晶体振荡器的二极管特性检测是石英晶体制造行业中重要的失效分析方法,用来确认晶体振荡器中的IC是否存在故障,测量具体的方法是将晶体各电极依次分别连接到万用表的正负极输入,选择二极管特性测试功能进行测试。当晶振工作异常时可通过二极管特性的数值分析确认 IC是否存在故障。
随着石英晶体振荡器的小型化,特别是3.2mm×2.5mm,2.5mm×2.0mm尺寸的小型化石英晶体振荡器产品的普及,晶体尺寸越来越小,传统的用万用表表棒测试二极管特性的人工方法不仅难度增大,同时测量效率也难以提高。
发明内容
本发明的目的在于解决现有手工测量晶体振荡器二极管特性存在的难度以及效率低下问题,特别是针对小尺寸晶振的测量过程,提出一种采用适配座安装,开关切换测试通道晶体振荡器二极管特性的测量装置。
本发明的技术解决方案:一种晶体振荡器二极管特性的测量装置,其结构包括测试座、底座和控制开关,其中测试座设于底座上表面的中心,控制开关包括2组,分别并排安装于底座上表面测试座的左、右两侧。
本发明的优点:操作简单,可方便地测量各种尺寸晶振,测量误差小,结果可靠。
附图说明
附图1是本发明的结构示意图。
附图2是本发明连接万用表测量晶振的线路示意图。
图中1.1为晶振适配座,1.2为适配座转接PCB,1.3为金属插针;2.1为A组开关,2.2为B组开关,3.1为底座PCB板,3.2为金属套管,3.3为外壳;4为晶振。
具体实施方式
如图1所示,一种晶体振荡器二极管特性的测量装置,其结构包括测试座、底座和控制开关,其中测试座设于底座上表面的中心,控制开关包括2组,分别并排安装于底座上表面测试座的左、右两侧。
所述的测试座包括晶振适配座1.1、适配座转接PCB 1.2、金属插针1.3;其中适配座转接PCB 1.2的上表面安装晶振适配座1.1,晶振适配座1.1的一端安装有扣具;适配座转接PCB 1.2的下表面设有4根金属插针1.3,转接PCB 1.2将晶振适配座1.1的金属探针焊盘与金属插针1.3的焊盘分别对应连接。
所述的晶振适配座1.1可针对7050、5032、3225、2520型号的晶体振荡器更换不同尺寸。
所述的底座包括底座PCB板3.1、金属套管3.2、外壳3.3;其中外壳3.3为长方体盒状,底座PCB板3.1覆盖于外壳3.3的上表面,底座PCB板3.1的中心设有4个金属套管3.2,编号为1号金属套管~4号金属套管,其安装位置和尺寸与测试座上的4根金属插针1.3相对应。
如图2所示,所述的控制开关包括A组开关2.1和B组开关2.2,每组开关包括4个单刀单掷带自锁开关,分别编号为A1~A4开关和B1~B4开关;A组开关2.1的A1~A4开关的一脚分别通过导线连接对应编号的1号~4号金属套管3.2,另一脚并联到万用表的正极; B组开关2.2的B1~B4开关的一脚焊接分别连接到对应的1号~4号金属套管3.2,另一脚并联到万用表的负极。
实际使用时,将晶振4放入晶振适配座1.1并扣上扣具,将测试座插入底座上的金属套管3.2中,万用表选择二极管参数测试功能,首先将所有开关拨到断开状态,合上开关A1,再分别合上开关B2~B4可从万用表读出晶振4的1号PIN脚相对2号~4号PIN脚的二极管特性参数;以此类推可测2号PIN脚相对1号、3号、4号PIN脚,3号PIN脚相对1号、2号、4号PIN脚,4号PIN脚相对1号、2号、3号PIN脚的二极管特性参数。
本发明利用测试测试座以及开关的切换实现了不同尺寸晶振的二极管特性测量,使得各种尺寸的晶体二极管特性的测量更加便捷快速。

Claims (5)

1.一种晶体振荡器二极管特性的测量装置,其结构包括测试座、底座和控制开关,其中测试座设于底座上表面的中心,控制开关包括2组,分别并排安装于底座上表面测试座的左、右两侧。
2.根据权利要求1所述的一种晶体振荡器二极管特性的测量装置,其特征是所述的测试座包括晶振适配座(1.1)、适配座转接PCB (1.2)、金属插针(1.3);其中适配座转接PCB(1.2)的上表面安装晶振适配座(1.1),晶振适配座(1.1)的一端安装有扣具;适配座转接PCB (1.2)的下表面设有4根金属插针(1.3),转接PCB (1.2)将晶振适配座(1.1)的金属探针焊盘与金属插针(1.3)的焊盘分别对应连接。
3.根据权利要求2所述的一种晶体振荡器二极管特性的测量装置,其特征是所述的晶振适配座(1.1)的尺寸适配7050、5032、3225、2520型号的晶体振荡器。
4.根据权利要求1所述的一种晶体振荡器二极管特性的测量装置,其特征是所述的底座包括底座PCB板(3.1)、金属套管(3.2)、外壳(3.3);其中外壳(3.3)为长方体盒状,底座PCB板(3.1)覆盖于外壳(3.3)的上表面,底座PCB板(3.1)的中心设有4个金属套管(3.2),编号为1号金属套管~4号金属套管,其安装位置和尺寸与测试座上的4根金属插针(1.3)相对应。
5.根据权利要求1所述的一种晶体振荡器二极管特性的测量装置,其特征是所述的控制开关包括A组开关(2.1)和B组开关(2.2),每组开关包括4个单刀单掷带自锁开关,分别编号为A1~A4开关和B1~B4开关;A组开关(2.1)的A1~A4开关的一脚分别通过导线连接对应编号的1号~4号金属套管(3.2),另一脚并联到万用表的正极; B组开关(2.2)的B1~B4开关的一脚焊接分别连接到对应的1号~4号金属套管(3.2),另一脚并联到万用表的负极。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111693739A (zh) * 2020-05-20 2020-09-22 成都恒晶科技有限公司 晶振测试工座的搭锡连接结构

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101650395A (zh) * 2008-08-11 2010-02-17 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 晶体振荡器检测装置
CN201429673Y (zh) * 2009-07-02 2010-03-24 广州市天马电讯科技有限公司 晶体振荡器综合测试设备
CN102565676A (zh) * 2012-01-13 2012-07-11 平湖市电子有限公司 晶体振荡器参数自动化测量仪
CN103308785A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 海洋王(东莞)照明科技有限公司 晶振检测电路及晶振检测装置
CN203433054U (zh) * 2013-07-19 2014-02-12 南京中电熊猫晶体科技有限公司 一种恒温晶体振荡器自动电性能测试系统
CN203673033U (zh) * 2013-12-28 2014-06-25 黄月华 石英晶体振荡器性能测试装置
CN203705599U (zh) * 2014-01-07 2014-07-09 航天科工防御技术研究试验中心 一种半导体器件检测装置
CN103926429A (zh) * 2014-04-16 2014-07-16 成都先进功率半导体股份有限公司 芯片测试座

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101650395A (zh) * 2008-08-11 2010-02-17 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 晶体振荡器检测装置
CN201429673Y (zh) * 2009-07-02 2010-03-24 广州市天马电讯科技有限公司 晶体振荡器综合测试设备
CN102565676A (zh) * 2012-01-13 2012-07-11 平湖市电子有限公司 晶体振荡器参数自动化测量仪
CN103308785A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 海洋王(东莞)照明科技有限公司 晶振检测电路及晶振检测装置
CN203433054U (zh) * 2013-07-19 2014-02-12 南京中电熊猫晶体科技有限公司 一种恒温晶体振荡器自动电性能测试系统
CN203673033U (zh) * 2013-12-28 2014-06-25 黄月华 石英晶体振荡器性能测试装置
CN203705599U (zh) * 2014-01-07 2014-07-09 航天科工防御技术研究试验中心 一种半导体器件检测装置
CN103926429A (zh) * 2014-04-16 2014-07-16 成都先进功率半导体股份有限公司 芯片测试座

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111693739A (zh) * 2020-05-20 2020-09-22 成都恒晶科技有限公司 晶振测试工座的搭锡连接结构
CN111693739B (zh) * 2020-05-20 2022-07-22 成都恒晶科技有限公司 晶振测试工座的搭锡连接结构

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