CN109472168A - 基于一次性可编程mram的物理不可克隆函数生成方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法及装置，所述方法从OTP MRAM芯片中任意选择一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元，将参考位元的电阻和OTP MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图，利用所述逻辑状态图生成OTP MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。本发明的装置包括参考位元选择模块、比较模块和PUF生成模块。本发明的方法及装置，生成的PUF函数的数量和复杂程度与芯片的容量成正比。

Description

基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法及装置
技术领域
本发明涉及集成电路设计技术领域，尤其涉及一种基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法及装置。
背景技术
物理不可克隆函数(PUF)是一种应用在计算机芯片安全领域的先进技术，利用每一个芯片本征的物理独特性为其生成专属的识别标识。通常PUF可以利用芯片在材料级别的独特性生成芯片的专属标识。在芯片制造过程中，由于工艺的波动，在每一个芯片中将不可避免地引入不同类型的偏差，理论上这些偏差是随机分布的，而且每一个芯片的偏差分布都是不可控的，因此很难找到两个细节上完全相同的芯片。对芯片实施一个针对其偏差的激励，芯片会产生一个响应，由于芯片物理偏差的随机性，芯片对激励的响应也将具有随机性和不可预测性。因此，利用芯片偏差的独特性和不可复制性，可以生产芯片专属的PUF响应。
MRAM是一种非易失随机存取存储器，与传统的存储器不同，MRAM利用材料的磁电阻效应来实现数据的存储，其核心存储位元是磁隧道结(MTJ)。图1是典型的MRAM存储位元结构，MTJ主要由钉扎层110，绝缘势垒层120和自由层130组成。钉扎层110也称为参考层，它的磁矩方向保持不变，仅改变自由层130的磁矩方向使之与钉扎层110同向或反向。MTJ依靠量子隧穿效应使电子通过绝缘势垒层120，极化电子的隧穿概率和钉扎层110与自由层130的相对取向有关。当钉扎层110与自由层130磁化方向相同时，电子的隧穿概率较高，此时MTJ表现为低电阻状态(Rp)；而当钉扎层110与自由层130磁化方向相反时，电子的隧穿概率较低，此时MTJ表现为高电阻状态(Rap)。MRAM分别利用MTJ的Rp和Rap状态来表示逻辑状态“1”和“0”，从而实现数据存储。
在MRAM制造过程中，很难保证每一个MTJ位元完全相同。MTJ结构的电阻除了与自由层和钉扎层的相对取向有关外，还受到MRAM制造过程中的工艺偏差的影响，包括薄膜厚度，位元大小，薄膜均一性及界面结构等的偏差都会导致MTJ位元电阻的波动。由于工艺制造引入的偏差和击穿过程的不可控性，每一个被击穿后的磁隧道结表现出的阻抗呈现一定的随机分布。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法及装置，利用MRAM芯片中磁隧道结MTJ被击穿后的电阻随机偏差，任意选取一个被击穿的磁性隧道结位元作为参考，和存储阵列中的其他被击穿的磁隧道结位元比较其电阻大小，并将每一个比较结果标记为0或1，由于每一个被击穿的磁隧道结的电阻偏差随机分布，所以用此方法可以得到一组随机数，且该随机数可以作为物理不可克隆函数，用作芯片的PUF响应。
为了实现上述目的，本发明技术方案如下：
一种基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法，所述方法包括：
从一次性可编程MRAM芯片中任意选择一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
利用所述逻辑状态图生成一次性可编程MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
进一步地，所述基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法，还包括：
从一次性可编程MRAM芯片中选择另一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
利用所述逻辑状态图生成一次性可编程MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
进一步地，所述将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图，包括：
从所述其他被击穿磁性隧道结MTJ位元中选择一个被击穿磁性隧道结MTJ位元作为待比较的磁性隧道结MTJ位元；
打开与参考位元磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，以及与待比较的磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，将参考位元磁性隧道结MTJ位元和待比较的磁性隧道结MTJ位元连接到灵敏放大器的两个输入端；
根据灵敏放大器的输出生成待比较的磁性隧道结MTJ位元对应的逻辑状态；
依次遍历一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿磁性隧道结MTJ位元，生成逻辑状态图。
本发明所述物理不可克隆函数的激励为参考位元地址，所述物理不可克隆函数的响应为与该参考位元对应的逻辑状态图。
进一步地，所述逻辑状态图包括每一个被击穿磁性隧道结MTJ位元的地址。
本发明还提出了一种基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成装置，所述装置包括：
参考位元选择模块，用于从一次性可编程MRAM芯片中任意选择一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
比较模块，用于将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
PUF生成模块，用于利用所述逻辑状态图生成一次性可编程MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
进一步地，所述参考位元选择模块，还用于从一次性可编程MRAM芯片中选择另一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；则：
比较模块，还用于将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
PUF生成模块，还用于利用所述逻辑状态图生成一次性可编程MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
进一步地，所述比较模块将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图时，执行如下操作：
从所述其他被击穿磁性隧道结MTJ位元中选择一个被击穿磁性隧道结MTJ位元作为待比较的磁性隧道结MTJ位元；
打开与参考位元磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，以及与待比较的磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，将参考位元磁性隧道结MTJ位元和待比较的磁性隧道结MTJ位元连接到灵敏放大器的两个输入端；
根据灵敏放大器的输出生成待比较的磁性隧道结MTJ位元对应的逻辑状态；
依次遍历一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿磁性隧道结MTJ位元，生成逻辑状态图。
本发明提出的一种基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法及装置，利用一次性可编程MRAM芯片中磁隧道结MTJ被击穿后的电阻随机偏差，任意选取一个被击穿的磁性隧道结位元作为参考，和存储阵列中的其他被击穿的磁隧道结位元比较其电阻大小，并将每一个比较结果标记为0或1，由于每一个被击穿的磁隧道结的电阻偏差随机分布，所以用此方法可以得到一组随机数，且该随机数可以作为物理不可克隆函数，用作芯片的PUF响应。当变换不同的被击穿的磁性隧道结作为参考位元时，可以用来为一个芯片生成多组完全独立的随机数，用于生产芯片专属的PUF响应。本发明的方法及装置生成的PUF函数的数量和复杂程度与芯片的容量成正比。
附图说明
图1为磁性隧道结MTJ的结构示意图；
图2为被击穿磁性隧道结的连接结构示意图；
图3为本发明基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法流程图；
图4为本发明电阻比较原理图；
图5a、图5b为本发明实施例生成的逻辑状态图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明技术方案做进一步详细说明，以下实施例不构成对本发明的限定。
如图1所示，磁性隧道结MTJ包括钉扎层110，绝缘势垒层120和自由层130。其中钉扎层110，又称参考层，保持磁化方向固定，仅改变自由层130的磁化方向使之与钉扎层110磁化方向平行或反平行。而一次性可编程MRAM(OTP MRAM)芯片由被击穿的MTJ阵列和未被击穿的处于平行态或反平行态的MTJ组成，即在编程时，通过击穿某些MTJ位元写入数据，并且击穿的MTJ位元状态不可逆。
其中磁性隧道结MTJ位元结构如图2所示，被击穿的MTJ与MOS开关管连接，MOS开关管源极接固定电位“0”。MOS开关管用来控制MTJ的开关，当MOS开关管打开时，电流流过MTJ位元。要选中一个MTJ位元，只需要打开相应的MOS开关管即可。在存储阵列中，通过每条字线和每条位线的编码可对器件中某个特定的MRAM单元寻址并进行数据写入或读出的操作，正是基于每条字线和每条位线的编码对MTJ位元进行选取。
如图3所示，本实施例一种基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法，包括：
从OTP MRAM芯片中任意选择一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
将参考位元的电阻和OTP MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
利用所述逻辑状态图生成OTP MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
容易理解的是，本实施例物理不可克隆函数的激励其实就是参考位元地址，通过设定地址来选取参考位元；对应地，本实施例物理不可克隆函数的响应就是与该参考位元对应的逻辑状态图。该逻辑状态图包含所有被击穿的MTJ位元的地址和参考位元地址。
本实施例的参考位元从OTP MRAM芯片中任意选取，在选定参考位元后，还需要从OTP MRAM芯片中选择其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元，作为待比较的磁性隧道结MTJ位元。本实施例其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元是指区别于参考位元(不是参考位元)的其他磁性隧道结MTJ位元。可以是全部的其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元，也可以是其中的一部分。例如MRAM芯片中有100个被击穿的MTJ，分别为MTJ1-MTJ100，假设选定MTJ1作为参考位元，则MTJ2-MTJ100都是其他磁性隧道结MTJ位元。可以从MTJ2-MTJ100中选择全部99个MTJ来进行后续的比较，也可以选择一部分，如20个、30个来进行后续的比较。
本实施例将参考位元的电阻和其他单个MTJ位元的电阻做比较，其他位元电阻可能比参考位元大或小，比较结果用逻辑状态“0”和“1”表示。将参考位元与其他所有MTJ位元的电阻做比较，得到一个逻辑状态图，该逻辑状态图包含所有MTJ位元的地址和参考位元地址。
在本实施例中，所生成的PUF响应的复杂程度和用于生成PUF响应的存储阵列容量(选择多少个其他的MTJ位元)成正比，也就是说，用于生成PUF函数的MTJ阵列可以是芯片的一部分或者全部，即在选取参考位元之后，选择多少个其他的MTJ位元来进行比较决定了所生成的PUF响应的复杂程度。
生成的逻辑状态图包含了所有待比较MTJ位元对应的逻辑状态，可以利用所述逻辑状态图生成OTP MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。然而所需要的芯片的PUF响应也许不需要这么复杂，因此可以选用逻辑状态图的全部或者部分来生成芯片的PUF响应。
容易理解的是，为了增加PUF的复杂程度，生成的逻辑状态图还可以经过不同的函数运算以增加PUF的复杂程度。
例如，可以使用映射函数，将逻辑状态图中的阵列映射到另一个数据库，使得输出的数据不再是“0”和“1”的组合，生成更加复杂的PUF响应。
本实施例还可以选取不同的被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元，即从OTPMRAM芯片中任意选取另一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元来作为参考位元，例如原来选用MTJ1作为参考位元，那么可以选择MTJ2来作为参考位元，再生成一次PUF响应。采用相同方法，可以得到一组完全不同的，独立的逻辑状态图。按照此种方法，对同一个OTP MRAM芯片，可以用来生成一系列PUF响应，其复杂程度和OTP MRAM的容量呈正比。
例如对于一个拥有11个被击穿的MTJ位元的存储阵列，选取其中一个来作为参考位元，则可以生成一个逻辑状态图，生成一组PUF响应，该PUF响应中包括10个逻辑状态。
而通过选取不同的被击穿的MTJ位元来作为参考位元，则可以生成十一个逻辑状态图，即生成十一组PUF响应，每个PUF响应中包括10个逻辑状态。
可见本申请的技术方案可以为同一个芯片生成多组PUF响应。
本实施例在将OTP MRAM芯片的其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻与参考位元的电阻进行比较时，可以直接测出磁性隧道结MTJ位元的电阻来进行比较，但是直接测出电阻或相对电阻，会比较复杂。
需要说明的是，本实施例所选择的参考位元和其他磁性隧道结MTJ位元均为被击穿的MTJ，以下不在赘述。本实施例优选地，采用如下方法来进行比较：
从OTP MRAM芯片中其他被击穿磁性隧道结MTJ位元中选择一个磁性隧道结MTJ位元作为待比较的磁性隧道结MTJ位元；
打开与参考位元磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，以及与待比较的磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，将参考位元磁性隧道结MTJ位元和待比较的磁性隧道结MTJ位元连接到灵敏放大器的两个输入端；
根据灵敏放大器的输出生成待比较的磁性隧道结MTJ位元对应的逻辑状态；
依次遍历OTP MRAM芯片中其他被击穿磁性隧道结MTJ位元，生成逻辑状态图。
在上述方法中，MTJ位元与MOS开关管连接，MOS开关管用来控制MTJ位元的开关，当MOS开关管打开时，电流流过MTJ位元。要选中一个MTJ位元，只需要打开相应的MOS开关管即可。根据流经MTJ的电流与其电阻呈反比，采用灵敏放大器来比较两个MTJ位元的电阻大小，直接输出逻辑状态，不需要真实测量MTJ的电阻，实现起来非常方便。
如图4所示，430为灵敏放大器，410为参考位元，420为选中的待比较MTJ位元，440为MOS开关管，450为字线，460为位线。在存储阵列中，通过每条字线和每条位线的编码可对器件中某个特定的OTP MRAM单元寻址并进行数据写入或读出的操作。本实施例正是基于每条字线和每条位线的编码对MTJ位元进行选取。
本实施例使用灵敏放大器430来比较参考位元410和选中的待比较MTJ位元420电阻大小，可以通过打开相应的MOS开关管选中参考位元(电阻用Rreference表示)和另一个待比较位元(电阻用Rselected表示)。对两个MTJ位元施加相同的电压，流经MTJ的电流与其电阻呈反比。
灵敏放大器通过比较流经两个位元的电流大小来比较其电阻大小，并生成一个逻辑状态。例如，Rreference＞Rselected代表逻辑状态“1”，Rreference＜Rselected代表逻辑状态“0”，反之亦可。
以下通过具体实施例来进一步进行说明：
实施例1：如图5a所示，OTP MRAM芯片包含一个被击穿的MTJ阵列，其中的每一个MTJ位元呈现击穿态。每一个位元通过MOS开关管控制，选中(1，1)位置的位元作为参考位元。将参考位元与灵敏放大器的一个端口导通，然后依次将其他的位元与灵敏放大器的另一个端口导通，待比较参考位元和其他选中的位元的电阻大小(分别表示为Rreference和Rselected)，并生成一个逻辑状态。当Rreference＞Rselected时，表示为逻辑状态“0”，当Rreference＜Rselected时，表示为逻辑状态“1”。比较参考位元和其余所有位元的电阻后，生成一个逻辑状态图，如图5a右边部分所示。该逻辑状态图可以用来生成芯片的PUF响应。
对于同一个芯片，为了得到一个不同的PUF标识，还可以选中(2，2)位置的位元作为参考位元。如图5b所示，将参考位元与灵敏放大器的一个端口导通，然后依次将其余的位元与灵敏放大器的另一个端口导通，待比较参考位元和其余选中的位元的电阻大小(分别表示为Rreference和Rselected)，并生成一个逻辑状态。当Rreference＞Rselected时，表示为逻辑状态“0”，当Rreference＜Rselected时，表示为逻辑状态“1”。比较参考位元和其余所有位元的电阻后，生成一个新的，独立的逻辑状态图，如图5b右边部分所示。该逻辑状态图可以用来生成芯片的PUF响应。
通过本申请的方法，在组成OTP MRAM芯片的MTJ阵列中，任意一个被击穿的MTJ位元都可以被选择作为参考位元，每一个被击穿的MTJ位元作为参考位元时，依照本发明的方法，都可以生成不同的，芯片专属的，独立的逻辑状态图。该逻辑图的全部或者一部分可以用来生成芯片的PUF响应。
与上述方法对应地，本技术方案还提出了一种基于OTP MRAM的物理不可克隆函数生成装置的实施例，所述装置包括：
参考位元选择模块，用于从OTP MRAM一次性可编程MRAM芯片中任意选择一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
比较模块，用于将参考位元的电阻和OTP MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
PUF生成模块，用于利用所述逻辑状态图生成OTP MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
与方法对应地，本实施例参考位元选择模块，还用于从OTP MRAM芯片中任意选择一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；则：
比较模块，还用于将参考位元的电阻和OTP MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
PUF生成模块，还用于利用所述逻辑状态图生成OTP MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
同样，比较模块将参考位元的电阻和OTP MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图时，执行如下操作：
从所述其他被击穿磁性隧道结MTJ位元中选择一个被击穿磁性隧道结MTJ位元作为待比较的磁性隧道结MTJ位元；
打开与参考位元磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，以及与待比较的磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，将参考位元磁性隧道结MTJ位元和待比较的磁性隧道结MTJ位元连接到灵敏放大器的两个输入端；
根据灵敏放大器的输出生成待比较的磁性隧道结MTJ位元对应的逻辑状态；
依次遍历OTP MRAM芯片中其他被击穿磁性隧道结MTJ位元，生成逻辑状态图。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述方法包括：
从一次性可编程MRAM芯片中任意选择一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
利用所述逻辑状态图生成一次性可编程MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
2.如权利要求1所述的基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法，还包括：
从一次性可编程MRAM芯片中选择另一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
利用所述逻辑状态图生成一次性可编程MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
3.如权利要求1或2所述的基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图，包括：
从所述其他被击穿磁性隧道结MTJ位元中选择一个被击穿磁性隧道结MTJ位元作为待比较的磁性隧道结MTJ位元；
打开与参考位元磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，以及与待比较的磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，将参考位元磁性隧道结MTJ位元和待比较的磁性隧道结MTJ位元连接到灵敏放大器的两个输入端；
根据灵敏放大器的输出生成待比较的磁性隧道结MTJ位元对应的逻辑状态；
依次遍历一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿磁性隧道结MTJ位元，生成逻辑状态图。
4.如权利要求1所述的基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述物理不可克隆函数的激励为参考位元地址，所述物理不可克隆函数的响应为与该参考位元对应的逻辑状态图。
5.如权利要求4所述的基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述逻辑状态图包括每一个被击穿磁性隧道结MTJ位元的地址。
6.一种基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成装置，其特征在于，所述装置包括：
参考位元选择模块，用于从一次性可编程MRAM芯片中任意选择一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
比较模块，用于将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
PUF生成模块，用于利用所述逻辑状态图生成一次性可编程MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
7.如权利要求6所述的基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成装置，其特征在于，所述参考位元选择模块，还用于从一次性可编程MRAM芯片中选择另一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；则：
比较模块，还用于将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
PUF生成模块，还用于利用所述逻辑状态图生成一次性可编程MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
8.如权利要求6或7所述的基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成装置，其特征在于，所述比较模块将参考位元的电阻和一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图时，执行如下操作：
从所述其他被击穿磁性隧道结MTJ位元中选择一个被击穿磁性隧道结MTJ位元作为待比较的磁性隧道结MTJ位元；
打开与参考位元磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，以及与待比较的磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，将参考位元磁性隧道结MTJ位元和待比较的磁性隧道结MTJ位元连接到灵敏放大器的两个输入端；
根据灵敏放大器的输出生成待比较的磁性隧道结MTJ位元对应的逻辑状态；
依次遍历一次性可编程MRAM芯片中其他被击穿磁性隧道结MTJ位元，生成逻辑状态图。
9.如权利要求6所述的基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成装置，其特征在于，所述物理不可克隆函数的激励为参考位元地址，所述物理不可克隆函数的响应为与该参考位元对应的逻辑状态图。
10.如权利要求9所述的基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成装置，其特征在于，所述逻辑状态图包括每一个被击穿磁性隧道结MTJ位元的地址。
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