CN109468598B - 一种旋转磁场阴极弧源 - Google Patents
一种旋转磁场阴极弧源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109468598B CN109468598B CN201811360933.6A CN201811360933A CN109468598B CN 109468598 B CN109468598 B CN 109468598B CN 201811360933 A CN201811360933 A CN 201811360933A CN 109468598 B CN109468598 B CN 109468598B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic field
- cathode
- rotating magnetic
- target
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
本发明公开了一种旋转磁场阴极弧源，包括可进行弧光放电的阴极体以及磁体；所述的阴极体上固定有靶材，所述的阴极体背对靶材的一侧设置有磁体，所述的磁体包括中心磁组和二级横向旋转磁场发生装置，中心磁组置于所述二级横向旋转磁场发生装置中部；所述的二级横向旋转磁场发生装置为三相绕制的电磁线圈，可在靶面产生旋转磁场，旋转磁场可影响放电过程中的电子的运动轨迹，极大的提升等离子体的浓度，同时减少靶材表面大颗粒的迸射。通过利用中心磁组可实现阴极体的弧光放电的稳定性，旋转磁场对弧光放电中靶面弧斑及等离子体中电子的影响，既可以高利用率的靶材刻蚀，又可以减少大颗粒的产生，提升涂层的质量。
Description
技术领域
本发明涉及真空镀膜技术关键部件阴极弧源技术装备领域，具体是指一种多磁场集成阴极弧源。
背景技术
离子镀的基本原理就是把蒸发源（靶材）作为阴极，通过它与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发并离化，形成空间等离子体，对工件进行沉积镀覆。
电弧离子镀膜技术是当今一种先进的离子镀膜技术，由于其结构简单，离化率高，入射粒子能量高，绕射性好，可实现低温沉积等一系列优点，使电弧离子镀技术得到快速发展并获得广泛应用，展示出很大的经济效益和工业应用前景。但是大颗粒的喷射造成了薄膜表面污染，导致表面的粗糙度增大而降低薄膜的光泽，对装饰及抗磨应用带来不利影响，严重影响薄膜的质量，导致镀层附着力降低并出现剥落现象，镀层严重不均匀等。电弧离子镀高离化率，低温沉积的突出优点使其在工模具镀上展现出其他镀膜方式所不具备的优势，但是电弧放电的特点使得大颗粒的存在成为工模具镀的阻碍，也成为阻碍电弧离子镀技术更深入广泛应用的瓶颈问题。此外，现阶段的常规弧源主要通过单个磁组来控制弧斑的运动，靶材刻蚀容易出现大量沟道，靶材有效利用率较低。
目前对于大颗粒的解决方式主要是磁过滤及机械过滤两种，虽然两种过滤方式都有比较好的效果，但等离子体在传输过程中损耗很大，能够到达待镀基体表面的等离子体浓度不高于30%。
现阶段对于弧源靶材有效利用的有效途径主要是通过手动调节单个磁组与靶材表面的距离，通过磁场的变化来控制弧斑的运动区域，这种方式为手动经验性操作，存在一定的不可控性，操作繁琐；传统的阴极弧源靶材多采用靶材背面加工小于靶材直径的外螺纹，例如靶材100mm的小圆靶通常其螺纹为80mm，螺纹直径小于靶材一方面造成材料的浪费成本的提高，另一方面靶材刻蚀过程中，因螺纹直径小于靶材直径，靶材通常使用过程中，为保护靶材螺纹连接处，刻蚀深度较小，经常更换靶材，造成靶材的浪费。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明在于提供一种旋转磁场阴极弧源，通过设置旋转电磁场，实现电弧运动轨迹进行引导，达到靶材表面均匀燃烧的目的。
为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：一种旋转磁场阴极弧源，包括可进行弧光放电的阴极体以及磁体；所述的阴极体上固定有靶材，所述的阴极体背对靶材的一侧设置有磁体，所述的磁体包括中心磁组和二级横向旋转磁场发生装置，所述的中心磁组置于所述二级横向旋转磁场发生装置中部；所述的二级横向旋转磁场发生装置为三相绕制的可通过调节输入电流的大小调节旋转磁场的大小的电磁线圈，可在阴极体靶面产生旋转磁场；阴极体包括阴极座、阴极后盖、绝缘套、基座、屏蔽环、屏蔽支撑杆，靶材通过螺纹固定在阴极座上，阴极座与阴极后盖形成水冷腔，阴极座通过螺栓固定在基座上，并通过绝缘套实现电位绝缘，屏蔽支撑杆固定在基座上，屏蔽环固定在屏蔽支撑杆上，基座与真空腔室之间设置有绝缘环，从而实现基座电位悬浮，阴极后盖后可装配中心磁组及二级横向旋转磁场发生装置；阴极体在放电过程中，中心磁组作为稳弧磁场，用以提升放电过程中的稳定性。
本设置的创新机理和有益效果是：阴极体在放电过程中，中心磁组可作为稳弧磁场，来提升放电过程中的稳定性，三相绕制的电磁线圈可通过调节输入电流的大小调节旋转磁场的大小，旋转磁场一方面可对靶面弧光放电中弧斑的运动产生影响，使整个靶面都可以得到弧斑的刻蚀，提升靶材利用率，同时旋转磁场可提升弧斑的运动速度，进而减少大颗粒的迸射，另一方面旋转磁场可以改变放电过程中的等离子体中的电子的运动轨迹，从而提升电子的运动行程，提升电子的碰撞次数，提高等离子体浓度可影响放电过程中的电子的运动轨迹，极大的提升等离子体的浓度，提升粒子能量，可获得致密细腻的涂层。
本发明进一步设置为：所述的二级横向旋转磁场发生装置包括六组铁芯和绕组线圈，六组铁芯分为三组，相对的为一组，铁芯表面涂有绝缘层；绕组线圈按二级磁场规律连接成对称的三相绕制，每组绕制一相；绕组线圈采用相位差为120°的三相变频正弦交流电源激励，电流频率和电压单独调节，通过电压调节二极横向旋转磁场的强度，通过电流频率调节二极横向旋转磁场的旋转速度。
本发明进一步设置为：所述的阴极座与阴极座后盖形成水冷腔，阴极座背向靶材面加工有隔水条，阴极座后盖背侧为内凹腔，其内凹腔内可放置磁体。
本发明进一步设置为：所述的阴极座背向靶材面加工有隔水条，阴极座后盖背侧为内凹腔，其内凹腔内可放置磁体。
本发明进一步设置为：所述的磁体装配在阴极后盖的内凹腔内，中心磁组既可以为单个平行于阴极体轴向方向的强磁铁，亦可以为多个平行于阴极体轴向方向的强磁铁形成的磁组，也可以为多个平行于阴极体靶面方向的强磁铁形成的磁组，亦可以为两种方向磁组形成的复合磁场。
本发明进一步设置为：所述的阴极体装配在真空腔室上为悬浮电位，阴极座通过绝缘套装配在基座上，并形成电位绝缘。
本发明进一步设置为：所述的阴极座上可通过螺纹装配固定靶材，靶材外螺纹线径与靶材工作直径相等。
本发明进一步设置为：所述的绝缘套的材料包括陶瓷、尼龙、氧化锆、云母、聚四氟乙烯中的一种或多种。
与现有技术相比，本发明提供的多磁场集成阴极弧源，还具有如下实质性区别和显著性进步：
1）采用旋转磁场，极大的改善了弧光放电过程中的等离子分布，有效的提升了靶材的利用率；
2）通过中心磁组及旋转磁场集成及阴极铜座水冷隔条设计，靶材表面的冷却效率大大提高，从根源上减少了大颗粒的产生；
3）采用靶材同直径尺寸的外螺纹，有效的提高了靶材的使用范围，进一步提高靶材利用率；
4)相较于传统的阴极弧源，本装置结构简单，可制备获得高质量的涂层；
总之，本发明所提供的阴极弧源，在高真空利用旋转磁场对弧光放电中电子运动轨迹的影响，在涂层制备过程中获得表面致密的优质涂层。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，根据这些附图获得其他的附图仍属于本发明的范畴。
图1是本发明的刨面结构示意图；
图2是旋转磁场阴极弧源的外部结构示意图；
图3是体现磁体的结构示意图；
图4是中心磁组磁场模拟示意图；
图5为二级横向旋转磁场发生装置的磁感线图。
附图标记：1、阴极体；11、阴极座；12、屏蔽支撑杆；13、基座；14、绝缘套；15、阴极后盖；16、屏蔽环；10、靶材；2、磁体；21、中心磁组；22、二级横向旋转磁场发生装置。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
本发明所提到的方向和位置用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「顶部」、「底部」、「侧面」等，仅是参考附图的方向或位置。因此，使用的方向和位置用语是用以说明及理解本发明，而非对本发明保护范围的限制。
下面，对本发明中工件的具体工作方式进行说明。
如图所示，一种旋转磁场阴极弧源，包括可进行弧光放电的阴极体1以及磁体2；阴极体1上固定有靶材10，阴极体1背对靶材10的一侧设置有磁体2，磁体2包括中心磁组21和二级横向旋转磁场发生装置22，中心磁组21置于二级横向旋转磁场发生装置22中部；二级横向旋转磁场发生装置22为三相绕制的电磁线圈，可在阴极体靶面产生旋转磁场。
阴极体1包括阴极座11、阴极后盖15、绝缘套14、基座13、屏蔽环16、屏蔽支撑杆12，靶材10通过螺纹固定在阴极座11上，阴极座11与阴极后盖15形成水冷腔，阴极座11通过螺栓固定在基座13上，并通过绝缘套14实现电位绝缘，屏蔽支撑杆12固定在基座13上，屏蔽环16固定在屏蔽支撑杆12上，基座13与真空腔室之间设置有绝缘环，从而实现基座电位悬浮，阴极后盖15后可装配中心磁组21及二级横向旋转磁场发生装置22。
在阴极座11背对靶材10的一侧，通过螺栓固定连接有基座13。阴极后盖15与阴极座11之间形成水冷腔，水冷腔内流通冷却水，阴极座11背向靶面方向可加工水冷隔条，提高冷却效率。阴极后盖15为内凹腔结构，背对阴极座11的一侧为内凹腔。在内凹腔内固定连接有磁体2。磁体2包括中心磁组21和二级横向旋转磁场发生装置22。中心磁组21位于二级横向旋转磁场发生装置22的内部。
二级横向旋转磁场发生装置22是由六组铁芯及绕制在铁芯上的绕组线圈组成，其中六组铁芯将分为三组，相对的为一种，铁芯表面涂有绝缘层，绕制线圈按二级磁场规律连接成对称的三相绕制，每组铁芯绕制的线圈施加同相电压，绕组线圈采用相位差为120°的三相变频正弦交流电源激励，电流频率和电压单独调节，通过电压调节二极横向旋转磁场的强度，通过电流频率调节二极横向旋转磁场的旋转速度。
中心磁组21放置于内凹腔中心，其既可以为单个平行于阴极体轴向方向的强磁铁，亦可以为多个平行于阴极体轴向方向的强磁铁形成的磁组，也可以为多个平行于阴极体靶面方向的强磁铁形成的磁组，亦可以为两种方向磁组形成的复合磁场。
装配在阴极座11上的外接电极接通负载电压（-25v），外置引弧装置引弧时，靶面10表面在中心磁组21的影响下发生弧光放电，靶面的弧斑在磁场作用下，随机出现在靶面，其等离子体浓度较低，大量电子被接地的腔体内壁吸收，其离华效率较低，接通二级横向旋转磁场发生装置22的电源，调节其电流大小，线圈产生磁场，其正负极相互变换，对电弧产生往远离或远离靶材中部的方向产生作用力的同时，驱动电弧沿着靶材的圆周方向发生移动，从而使靶材的边缘处和中部能够均匀燃烧，同时交替变化的磁场对等离子体中的电子的运动轨迹产生影响，电子的运动行程加大，有效碰撞次数增多，等离子体浓度及强度都有很大的变化。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种旋转磁场阴极弧源，其特征为：包括可进行弧光放电的阴极体以及磁体；所述的阴极体上固定有靶材，所述的阴极体背对靶材的一侧设置有磁体，所述的磁体包括中心磁组和二级横向旋转磁场发生装置，所述的中心磁组置于所述二级横向旋转磁场发生装置中部；所述的二级横向旋转磁场发生装置为三相绕制的可通过调节输入电流的大小调节旋转磁场的大小的电磁线圈，可在阴极体靶面产生旋转磁场；阴极体包括阴极座、阴极后盖、绝缘套、基座、屏蔽环、屏蔽支撑杆，靶材通过螺纹固定在阴极座上，阴极座与阴极后盖形成水冷腔，阴极座通过螺栓固定在基座上，并通过绝缘套实现电位绝缘，屏蔽支撑杆固定在基座上，屏蔽环固定在屏蔽支撑杆上，基座与真空腔室之间设置有绝缘环，从而实现基座电位悬浮，阴极后盖后可装配中心磁组及二级横向旋转磁场发生装置；阴极体在放电过程中，中心磁组作为稳弧磁场，用以提升放电过程中的稳定性，所述的阴极座背向靶材面加工有隔水条，阴极座后盖背侧为内凹腔，其内凹腔内放置磁体。
2.根据权利要求1所述的一种旋转磁场阴极弧源，其特征是：所述的二级横向旋转磁场发生装置包括六组铁芯和绕组线圈，六组铁芯分为三组，相对的为一组，铁芯表面涂有绝缘层；绕组线圈按二级磁场规律连接成对称的三相绕制，每组绕制一相；绕组线圈采用相位差为120°的三相变频正弦交流电源激励，电流频率和电压单独调节，通过电压调节二极横向旋转磁场的强度，通过电流频率调节二极横向旋转磁场的旋转速度。
3.根据权利要求1所述的一种旋转磁场阴极弧源，其特征是：所述的磁体装配在阴极后盖的内凹腔内，中心磁组为单个平行于阴极体轴向方向的强磁铁，或为多个平行于阴极体轴向方向的强磁铁形成的磁组，或为多个平行于阴极体靶面方向的强磁铁形成的磁组，或为两种方向磁组形成的复合磁场。
4.根据权利要求1所述的一种旋转磁场阴极弧源，其特征是：所述的阴极体装配在真空腔室上为悬浮电位，阴极座通过绝缘套装配在基座上，并形成电位绝缘。
5.根据权利要求1或3所述的一种旋转磁场阴极弧源，其特征是：所述的屏蔽环固定在屏蔽支撑杆上，屏蔽支撑杆装配在基座上，屏蔽环与基座为同电位，屏蔽环高于靶材高度。
6.根据权利要求1所述的一种旋转磁场阴极弧源，其特征是：所述的阴极座上通过螺纹装配固定靶材，靶材外螺纹线径与靶材工作直径相等。
7.根据权利要求1或4所述的一种旋转磁场阴极弧源，其特征是：所述的绝缘套的材料包括陶瓷、尼龙、氧化锆、云母、聚四氟乙烯中的一种或多种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811360933.6A CN109468598B (zh) | 2018-11-15 | 2018-11-15 | 一种旋转磁场阴极弧源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811360933.6A CN109468598B (zh) | 2018-11-15 | 2018-11-15 | 一种旋转磁场阴极弧源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109468598A CN109468598A (zh) | 2019-03-15 |
| CN109468598B true CN109468598B (zh) | 2020-09-29 |
Family
ID=65673680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811360933.6A Active CN109468598B (zh) | 2018-11-15 | 2018-11-15 | 一种旋转磁场阴极弧源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109468598B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112048701B (zh) * | 2020-07-28 | 2022-11-29 | 温州职业技术学院 | 一种多磁场集成阴极弧源 |
| CN112030116B (zh) * | 2020-07-28 | 2022-11-29 | 温州职业技术学院 | 一种中心进气的调制电弧离子镀装置 |
| CN114657518A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-06-24 | 北京茂孚工业控制技术中心 | 带有多级可控复合磁场电弧离子源的难溶金属沉积设备 |
| CN115074678B (zh) * | 2022-06-20 | 2023-05-16 | 肇庆市科润真空设备有限公司 | 不锈钢薄板连续镀膜用的多弧靶机构及pvd镀膜装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN87106947A (zh) * | 1987-10-12 | 1988-05-18 | 浙江大学 | 分离磁体式平面磁控溅射源 |
| JP2003328122A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
| CN103409725A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-11-27 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 旋转异形靶阴极机构及磁控溅射镀膜装置 |
| CN204490984U (zh) * | 2015-02-02 | 2015-07-22 | 上海法德机械设备有限公司 | 一种真空阴极旋转永磁体动态磁场 |
| CN105986234A (zh) * | 2015-02-02 | 2016-10-05 | 上海法德机械设备有限公司 | 一种真空阴极旋转永磁体动态磁场及其组装方法 |
| JP6265534B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-01-24 | 株式会社アルバック | スパッタリングカソード |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040000478A1 (en) * | 2002-06-26 | 2004-01-01 | Guenzer Charles S. | Rotating hollow cathode magnetron |
-
2018
- 2018-11-15 CN CN201811360933.6A patent/CN109468598B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN87106947A (zh) * | 1987-10-12 | 1988-05-18 | 浙江大学 | 分离磁体式平面磁控溅射源 |
| JP2003328122A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
| CN103409725A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-11-27 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 旋转异形靶阴极机构及磁控溅射镀膜装置 |
| JP6265534B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-01-24 | 株式会社アルバック | スパッタリングカソード |
| CN204490984U (zh) * | 2015-02-02 | 2015-07-22 | 上海法德机械设备有限公司 | 一种真空阴极旋转永磁体动态磁场 |
| CN105986234A (zh) * | 2015-02-02 | 2016-10-05 | 上海法德机械设备有限公司 | 一种真空阴极旋转永磁体动态磁场及其组装方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 电弧离子镀的旋转横向磁场弧源设计;赵彦辉等;《真空科学与技术学报》;20130415(第04期);387-391 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109468598A (zh) | 2019-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109468598B (zh) | 一种旋转磁场阴极弧源 | |
| RU2448388C2 (ru) | Электродуговой источник и магнитное приспособление | |
| CN102953035B (zh) | 多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备 | |
| CN102936717B (zh) | 一种紧凑高效的准扩散弧冷阴极弧源 | |
| SE519931C2 (sv) | Anordning och förfarande för pulsad, starkt joniserad magnetronsputtering | |
| CN109712858B (zh) | 激光微波离子源 | |
| CN112628098A (zh) | 一种具有下沉式空心内磁极结构的霍尔加速器 | |
| CN102936718A (zh) | 一种多结构耦合磁场适应型旋转弧离子镀装置 | |
| CN105889006B (zh) | 一种霍尔推力器陶瓷散热支架 | |
| US20090057133A1 (en) | Method and Apparatus for Reactive Solid-Gas Plasma Deposition | |
| CN202945315U (zh) | 一种高效动态耦合磁控弧源装置 | |
| CN108441826B (zh) | 一种增强弧源、以及弧电流激发的气体离子源、金属离子源和电子源 | |
| CN105704902A (zh) | 一种组合式磁约束线形空心阴极放电装置 | |
| CN112176292A (zh) | 一种磁过滤弧镀膜装置 | |
| CN209045482U (zh) | 微波ecr等离子体阴极环形束电子枪 | |
| CN108193174B (zh) | 大口径圆台形靶材的高真空电弧稳弧装置及溅射方法 | |
| CN109659212B (zh) | 一种阵列孔空心阴极放电离子源 | |
| CN109671602B (zh) | 基于热电子放电的复合电子源 | |
| CN109686631B (zh) | 一种阵列多孔空心阴极放电电子源 | |
| CN202201957U (zh) | 一种少液滴电弧靶及带少液滴电弧靶的等离子涂层系统 | |
| CN110965036A (zh) | 稀土永磁体表面真空镀膜设备 | |
| CN109671604A (zh) | 一种基于空心阴极放电的潘宁离子源 | |
| JP4409015B2 (ja) | アークイオンプレーティング装置 | |
| CN1004558B (zh) | 枪式磁控溅射源 | |
| JP2005163151A (ja) | 三次元スパッタ成膜装置並びに方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220812 Address after: Building 10-11 West Taishan Avenue, Luotang Village, Taishan Street, Haiyan County, Jiaxing City, Zhejiang Province 314300 Patentee after: Jiaxing aitico nanotechnology Co.,Ltd. Address before: 325000 Wenzhou City National University Science Park incubator, No. 38 Dongfang South Road, Ouhai District, Wenzhou, Zhejiang Patentee before: WENZHOU VOCATIONAL & TECHNICAL College |
|
| TR01 | Transfer of patent right |