CN109461752A - 具微半导体结构的目标基板 - Google Patents

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Abstract

本发明的题目是具微半导体结构的目标基板。一种具微半导体结构的目标基板，包括一目标基板、复数个微半导体结构以及复数个微接触凸部。目标基板具一板体与设于板体上的复数个导电部。所述微半导体结构呈图形化地设于所述目标基板；各所述微半导体结构具有一本体、与设于所述本体上的至少一电极；所述至少一电极与所述目标基板上所对应的所述导电部呈共金接着；所述微接触凸部连接呈图形化的所述微半导体的所述本体至所述目标基板的所述板体。

Description

具微半导体结构的目标基板
技术领域
本发明是关于一种微半导体结构的目标基板，特别是关于一种受批量移转后而具有微半导体结构的目标基板。
背景技术
微发光二极管在巨量移转的实务上，有其技术门坎与限制。
传统发光二极管(边长超过100微米)通常在外延(epitaxy)制程后，通过一系列制程形成数组排列的发光二极管晶粒，欲转置于一承载底材上，其采用一选取头(pick-uphead)对应一晶粒的方式，自前述承载底材执行挑选与转移。然而，发光二极管一进入微米化，即发生：微发光二极管晶粒的边长尺寸相对较小(如100微米以下、或以下等级)，选取头的尺寸有微缩下限，选取头的尺寸大于发光二极管晶粒的尺寸，而无法有效拾取微发光二极管晶粒；又，微米化意谓同尺寸晶圆所能成形的晶粒数量将巨量增加，传统制程中一对一拾取使微发光二极管的产率极低。
业界有利用微接触印刷(micro contact printing)技术，使聚合物材料模板上预设有巨量的凹凸图案，用来对应所要选取的微发光二极管晶粒，以达到巨量移转至一目标基板的要求。但实务上，聚合物材料本身必须兼具硬度与黏性的特性，以在重复黏取的制程中保持不变形。
因此，业界亟需提供一种有效且创新的巨量移转技术。
发明内容
有鉴于此，本发明可对一目标基板形成微接触凸部的图样化，以便对复数个微半导体结构进行选择性地的批量黏取，进而提供一种具微半导体结构的目标基板。
为此，本发明提出一种具微半导体结构的目标基板，包括一目标基板、复数个微半导体结构、以及复数个微接触凸部。其中，目标基板具一板体、与设于板体上的复数个导电部；所述微半导体结构，呈图形化地设于目标基板；其中，各所述微半导体结构具有一本体、与设于所述本体上的至少一电极；其中，所述至少一电极与所对应的导电部呈共金接着；所述微接触凸部，连接呈所述微半导体的本体至目标基板的板体。
为此，本发明提出一种具微半导体结构的目标基板，包括一目标基板、设于目标基板的复数个微半导体结构、以及连接各所述微半导体结构至目标基板之一第一接着组件与一第二接着组件。其中，目标基板具一板体、与设于板体上的复数个导电部；其中，各所述微半导体结构具有一本体、与设于本体上的至少一电极。其中，第一接着组件由各所述微半导体结构的所述至少一电极与所述目标基板所对应的导电部呈共金接着所构成；所述第二接着组件连接各所述微半导体结构的本体至目标基板的板体，且第二接着组件由至少一微接触凸部所构成。
附图说明
图1A、1B为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第一、第二实施例流程图；
图1C为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第三实施例流程图；
图1D为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第四实施例流程图；
图1E为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第五实施例流程图；
图1F为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第六实施例流程图；
图2A至图2H为图1A、图1B的制程示意图；
图2I至图2J为图1C的制程示意图；
图3、图3A为图2D、图2E的不同实施态样的示意图；
图4、图4A至图4I为微接触凸部的不同实施态样的示意图；
图5A至图5C为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第四实施例与第五实施例的制程示意图；
图5D为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第五实施例的制程示意图；
图6A至图6D为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第七实施例与第八实施例的制程示意图；
图6E为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第八实施例的制程示意图；
图7为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第九实施例的制程示意图；以及
图8A至图8C为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第十实施例的制程示意图。
具体实施方式
本发明关于一种用于批量移转微半导体结构的方法，可允许数组式排列的微尺度结构/器件，并进行批量拾取并整合至非原生基板上，而不发生对结构/器件自身的损坏。以下兹配合附图、图号说明、组件符号，详细介绍本发明的具体实施例如后；在附图中，类似组件符号大体上指示相同、功能上类似及/或结构上类似的组件；此外，组件符号仅供对组件、流程、步骤等说明的用，而对组件之间的顺序、上下层关系的限定，除非以文内定义，否则仅供例示与说明。
如本文所使用「半导体结构」、「半导体器件」同义使用且广泛地是指一半导体材料、晶粒、结构、器件、一器件的组件、或一半成品。所使用「微」半导体结构、「微」半导体器件是同义使用且泛指微尺度。半导体组件包含高质量单晶半导体及多晶半导体、经由高温处理而制造的半导体材料、掺杂半导体材料、有机及无机半导体，以及具有一或多个额外半导体组件或非半导体组件的组合半导体材料及结构(诸如，介电层或材料，或导电层或材料)。半导体组件包含(但不限于)晶体管、包含太阳能电池的光伏打器件、二极管、发光二极管、雷射、p～n接面、光电二极管、集成电路及传感器的半导体器件及器件组件。此外，半导体组件可指形成一功能性半导体器件或产品之一部件或部分。
如本文中所使用的「目标基板」指用于接收「微半导体结构」的非原生基板；其可为制程的中或最终的中间基板或最终基板。原生基板或非原生基板的材料的实施例包含聚合物、塑料、树脂、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸伸乙基酯、金属、金属箔、玻璃、石英、可挠性玻璃、半导体、蓝宝石、或薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)等等。
为便于理解与说明，本文所使用「微半导体结构」以为完成至少一外延层并已受定义的微半导体结构的半成品为例；「目标基板」则以薄膜晶体管为例。
[第一实施例]
图1A、图2A至图2G所示者，为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法，其主要概念的流程图及其制程示意图。其中，微半导体结构以水平式或覆晶式电极为例。
如图1A所示，本发明用于批量移转微半导体结构的方法至少包括步骤S10、步骤S20、与步骤S30。
步骤S10：对一目标基板10上形成图形化的复数个微接触凸部22，如图2A至图2E。
步骤S20：使复数个微半导体结构50迫近目标基板10，所述微接触凸部22黏取所对应的部分的微半导体结构50，如图2F至图2G。
步骤S30：使所述微半导体结构50，保持图形化且定位于目标基板10，如图2H。
[第二实施例]
本实施例是对第一实施例进一步为具体说明者，并请同时参阅图1B，进一步说明的流程图。
步骤S10，如图2A至2E，包括步骤S12、步骤S14、与步骤S16。
步骤S12：同时参阅图2A与图2B。如图2A，目标基板10具有一板体12、以及设于板体10的复数对导电部14；如图2B，于目标基板10上铺覆一预黏着层20；预黏着层20至少覆盖住可供后续制程作用的多个导电部14。预黏着层20不限以正光阻层或负光阻层为限，其透过蚀刻显影使得预黏着层20区分为熟化部分P1与未熟化部分P2(见图3)即可。本发明中，预黏着层20以正光阻层为例示，而非以此局限本发明。
步骤S14：同时参阅图2C、图2D、与图3。如图2C，提供一遮蔽件30，遮蔽件30包括一石英基板32、以及设于石英基板32上且呈图形化的遮光层34；将遮蔽件30置于目标基板10及其预黏着层20上方，照射紫外线L，预黏着层20未受遮光层34遮蔽的部分将受紫外线L熟化，为熟化部分P1，反的，未受紫外线照射的预黏着层20，则为未熟化部分P2。熟化部分P1与未熟化部分P2的示意图，亦可参图3。
步骤S16：同时参阅图2E、图3A与图4。如图2E，显影洗除预黏着层20中未熟化部分P2，使在目标基板10上留下呈图形化的复数个微接触凸部22，所述微接触凸部22具有黏性。其中，呈图形化的所述微接触凸部22对应部分导电部14；换句话说，各对导电部14邻近至少之一个微接触凸部22，或各所述微接触凸部22邻近所对应的导电部14布设。其中，各微接触凸部22包括，但不局限，至少一凸点；本实施例中，其实施单一微接触凸部22的单一凸点于各对导电部14之间，如图4。
其中，各微接触凸部22的高度高于各导电部14的高度，各微接触凸部22与各导电部14之间具有一高度差d，如图2E。
其中，所述微接触凸部22对应所述导电部14的配置，可参阅，但不局限于，图3A中之一第一配置Q1与一第二配置Q2，可混合或单独适用。
微接触凸部可对所对应的所述对导电部14形成不同的实施态样，其区分者主要在于：微接触凸部是否分布在所述对导电部14之间。例如，参阅图4A，各微接触凸部22a包括复数个凸点222a，所述凸点222a，呈非连续性结构(如：间歇性结构)，围绕所述对导电部14，且可配置其中一凸点222a设于所述对导电部14之间。例如，参阅图4B，二微接触凸部22b呈连续性结构，平行设于所对应的所述对导电部14的相对两侧。例如，参阅图4C，一微接触凸部22c呈连续性结构，设于所对应的所述对导电部14之间。例如，参阅图4D，二微接触凸部22d为一凸点222d，分别设于所对应的所述对导电部14的外侧。例如，参阅图4E，二微接触凸部22e各包括复数个凸点222e，呈非连续性结构(如：间歇性结构)，围绕所对应的所述对导电部14的外侧。例如，参阅图4F，二微接触凸部22f，呈连续性环状结构，分别围绕所对应的导电部14。例如，参阅图4G，一微接触凸部22g，呈连续性结构，自所对应的所述对导电部14之间朝各所述导电部14外侧延伸。例如，参阅图4H，一微接触凸部22h围绕所述对导电部14且呈工字型，类似图4A围绕所述对导电部14的复数个凸点222a，区别在于图4H的微接触凸部22h呈连续性结构；微接触凸部22h亦可模拟为图4B、图4C的二微接触凸部22b与微接触凸部22c的组合；微接触凸部22h亦可模拟为图4G的二微接触凸部22g的变化形。例如，参阅图4I，一微接触凸部22i围绕所述对导电部14且呈日字型，类似图4F中彼此接合的二微接触凸部22f；微接触凸部22i亦可模拟为图4、图4E的微接触凸部22与所述微接触凸部22e的组合，区别在于图4I的微接触凸部22i呈连续性结构。分布在所述对导电部14之间的微接触凸部22、22a、22c、22f、22g、22h、22i，其进一步对所述对导电部14提供绝缘效果。前述微接触凸部的实施态样，仅为例示，而非以此局限本发明。
步骤S20，如图2F至2H，包括步骤S22、与步骤S24。
步骤S22：如图2F，使复数个微半导体结构50迫近目标基板10；所述复数微半导体结构50透过一携载装置40携载；其中，携载装置40的效果在于使携载装置40携载微半导体结构50；携载装置40可采真空吸嘴、静电、或达到相同效果的均等手段。本发明的携载装置40以具有保持均一平整之一黏贴表面42为例示，而非以此局限本发明。
其中，所述微半导体结构50黏贴于黏贴表面42。其中，各所述微半导体结构50具有一本体52、以及设于本体52之一对电极54。所述微半导体结构50通常以数组排列，且所述微半导体结构50可为制程完整且个别独立的微发光二极管晶粒、或制程中断但个别独立的微发光二极管半成品。
步骤S24：如图2G，使目标基板10上呈图形化的所述微接触凸部22，接触并批量黏取携载装置40上的部分微半导体结构50。换句话说，所述微半导体结构50受所述微接触凸部22批量黏取。此时，至少一微接触凸部22接触黏取各所述微半导体结构50的本体52，各所述微接触凸部22黏取各所述微半导体结构50的本体52时并不干涉其电极54。此时，各所述微半导体结构50的电极54通常尚未接触目标基板10上所对应的导电部14。
步骤S30：参阅图2H，移离携载装置40，受所述微接触凸部22批量黏取的微半导体结构50则脱离携载装置40，保持图形化并定位于目标基板10上。其中，所述微接触凸部22与所对应的微半导体结构50之间的黏性，大于携载装置40与所述微半导体结构50之间的黏性，足以保持呈图形化的所述微半导体结构50脱离携载装置40。本实施例中，离开目标基板10的携载装置40，尚残留有本次未受所述微接触凸部22批量黏取的所述微半导体结构50。此外，图2H中，垂直移离携载装置40仅为例示，而非以此局限本发明。
[第三实施例]
本实施例是对第一、二实施例增加后续制程者，并请同时参阅图1C、以及图2I、图2J。
本实施例在于：对保持在目标基板上的微半导体结构实施一预定手段，使的与目标基板上的导电部之间发生导电结构。
步骤40，其于步骤S10、S20、S30的后；并包括步骤S42、步骤S44，如图2I与图2J。
步骤S42：如图2I，提供一装置HP，对保持在目标基板10上呈图形化的微半导体结构50施予一预定手段，使得各所述微半导体结构50的所述电极54接触目标基板10所对应的所述导电部14、黏取各所述微半导体结构50的本体42的各所述微接触凸部22填充各所述微半导体结构50的本体42与目标基板10的板体12之间。各所述微半导体结构50的电极54与所对应的导电部14，发生共金接着(eutectic bonding)；各所述微接触凸部22则因高温发生硬化。其中，预定手段所欲达到的效果在于使电极54与所对应的导电部14发生共金接着；预定手段可为热压、超音波热融、电磁线圈加热、或达到相同效果的均等手段。本实施例的预定手段是以热压为例示，而非以此局限本发明。
步骤S34：参阅图2J，移除装置HP。此时，定义有一第一接着组件62与一第二接着组件64，将各所述微半导体结构50连接至目标基板10；第一接着组件62与第二接着组件64构成将各所述微半导体结构50连接至目标基板10之一接着结构60。第一接着组件62即前述由各所述微半导体结构50的至少一电极54与目标基板10所对应的导电部14呈共金接着所构成，连接各所述微半导体结构50的本体52至目标基板10的板体12；而第二接着组件64则由至少一微接触凸部22发生硬化所构成，连接各所述微半导体结构50的本体52至目标基板10的板体12。
值得一提的是，当第二接着组件64位于各所述微半导体结构50的各对电极54之间时，可对各对电极中的二电极54提供绝缘效果。
[第四实施例]
本实施例是对完成第二实施例后再重复进行步骤S10、步骤S20、步骤S30；同时参阅图1D、以及图5A至图5C。指示上相同、功能上类似第一、第二实施例的其他步骤采用相同标号。
如图1D，本实施例在于将已完成第一、第二实施例中的步骤S10、步骤S20、步骤S30，图形化批量黏取微半导体结构50后，再于步骤S50选择是否回到步骤S10；是，则回到步骤S10，以图形化批量黏取其他微半导体结构50a的制程；否，则结束制程。
进入步骤S10：如图5A，对具有呈图形化分布的微半导体结构50的目标基板10，重新铺设一预黏着层20a；本实施例采正光阻层为例，采同一或另一遮蔽件30a遮蔽，以紫外线L照射熟化。如图5B，显影洗除预黏着层20a中未熟化部分，使在目标基板10留下再次呈图形化的复数个微接触凸部22a；本实施例中的微接触凸部22a可高于前次黏着于目标基板10的微半导体结构50，二者定义一高度差为du。
进入步骤S20、S30：如图5C，使携载装置40提供前次未受批量黏取的所述微半导体结构50、或提供另一批复数个微半导体结构50a，迫近所述目标基板10。本实施例以另一批微半导体结构50a为例，使目标基板10的所述微接触凸部22a对所述微半导体结构50进行再次的批量黏取。此时，携载装置40不干涉已于目标基板10呈图形化的微半导体结构50。
[第五实施例]
本实施例是对完成第三实施例后再进行步骤S40；同时参阅图1E、以及图5D。指示上相同、功能上类似第三、四实施例的其他步骤采用相同标号。
步骤S40：如图5D，本实施例在于将第四实施例中，完成布设微半导体结构50、50a的目标基板10，进行一预定手段。使各所述导电部14与对应的各所述电极54、54a之间发生共金接着，而分别构成第一接着组件62、62a；各所述微接触凸部22、22a，则分别构成第二接着组件64、64a。
[第六实施例]
本实施例是对完成第三实施例后再重复进行步骤S10、步骤S20、步骤S30、步骤S40；同时参阅图1F。指示上相同、功能上类似第一、第二、第三实施例的其他步骤采用相同标号。
本实施例在于将已具共金接着微半导体结构的目标基板，再重复图形化批量黏取微半导体结构、及其一预定手段形成共金接着的制程。
如图1F的流程图：完成步骤S20、步骤S30、步骤S40后，目标基板上呈图形化的微半导结构，均已与目标基板呈共金接着；再于步骤S50选择是否回到步骤S10；是，则回到步骤S10，以进行后续的步骤S20、步骤S30、步骤S40；否，则结束制程。
[第七实施例]
本实施例是根据第四实施例，提供不同的黏贴表面；同时参阅图1D、以及图6A至图6D。指示上相同、功能上类似第一、二、四实施例的其他步骤采用相同标号。
如图1D，本实施例在于将已完成第一、第二实施例中的步骤S10、步骤S20、步骤S30，图形化批量黏取微半导体结构50后，再于步骤S50选择是否回到步骤S10；是，则回到步骤S10，以图形化批量黏取其他微半导体结构50b的制程；否，则结束制程。
进入步骤S10：如图6A，对具有呈图形化分布的微半导体结构50的目标基板10，再形成次一批复数个微接触凸部22b；此时，目标基板10上已呈图形化的所述微接触凸部22，业已批量黏取所对应的所述微半导体结构50。本实施例中，可容许所述微接触凸部22b低于已定位至目标基板10的微半导体结构50，其高度差定义为dd。
同时，一携载装置40b上定义有深度不同的黏贴表面S1、S2、S3，其中黏贴表面S2、S3具有一深度差g，各黏贴表面S1、S2、S3预先黏贴图样数组的微半导体结构50b。通常，不同的黏贴共面S1、S2、S3个别制备所需的图样数组，以黏贴一组或一种微半导体结构；例如，第一黏贴共面S1黏贴蓝色微发光二极管结构，第二黏贴共面S2黏贴红色微发光二极管结构，第三黏贴共面S3黏贴绿色微发光二极管结构。本实施例中，黏贴表面S2、S3黏贴同一种微半导体结构50b。
进入步骤S20：如图6B，将携载有所述微半导体结构50b的携载装置40b，迫近目标基板10，使目标基板10上呈图形化的所述微接触凸部22b，接触并批量黏取携载装置40上位于黏贴表面S2的微半导体结构50b；此时，携载装置40上位于黏贴表面S3的微半导体结构50b，未接触目标基板10上的微接触凸部22b。
进入步骤S30：移离携载装置40b。受所述微接触凸部22b黏取的微半导体结构50b，保持图形化并定位于目标基板10上；位于黏贴表面S3的微半导体结构50b随携载装置40离开目标基板10。
进入步骤S50：选择是否回到步骤S10；是，则回到步骤S10，以图形化批量黏取其他微半导体结构50b的制程；否，则结束制程。
重复步骤S10：如图6C，对具有呈图形化分布的微半导体结构50、50b的目标基板10，再形成次一批复数个微接触凸部22c；此时，目标基板10上已呈图形化的所述微接触凸部22、22b，业已批量黏取所对应的所述微半导体结构50、50b。本实施例中，可容许所述微接触凸部22c高于已定位至目标基板10的微半导体结构50b，其高度差定义为du，以对应具有具有保持均一平整之一黏贴表面42c的携载装置40c；复数个微半导体结构50c，设于携载装置40c的黏贴表面42c上。
重复步骤S20、步骤S30：如图6D，移离携载装置40c；受所述微接触凸部22b黏取的微半导体结构50b，保持图形化并定位于目标基板10上；受所述微接触凸部22c黏取的微半导体结构50c，亦保持图形化并定位于目标基板10上。
值得注意的是，本发明中所谓「次一批」，仅相对于同一步骤的「前一批」而言，并不特指为「同等或次等」、「相同或其他种类」的意。
值得注意的是，本发明的所有图示中，所述微接触凸部，相较于微半导体结构与目标基板的比例，均仅供说明与理解，而非以此局限本发明。
[第八实施例]
本实施例是对完成第七实施例后再进行步骤S40；同时参阅图1E、以及图6E。指示上相同、功能上类似第七实施例的其他步骤采用相同标号。
步骤S40：如图6E，本实施例在于将第七实施例中，完成布设微半导体结构50、50b、50c的目标基板10，进行一预定手段。使各所述导电部14与对应的各所述电极54、54b、54c之间发生共金接着，而分别构成第一接着组件62、62b、62c；各所述微接触凸部22、22b、22c，则分别构成第二接着组件64、64b、64c。
[第九实施例]
本实施例是根据第一至第八实施例，提供携载装置的另一实施态样为至少一黏贴滚轮40d；同时参照图7。指示上相同、功能上类似第一至第八实施例的其他步骤采用相同标号。
如图7，一黏贴表面42d设于一黏贴滚轮40d上，本实施例仅选用具有保持均一平整的黏贴表面42d，但不以此为限。黏贴滚轮40d将所述微半导体结构50迫近目标基板10，以使目标基板10上呈图形化的所述微接触凸部22，批量黏取黏贴滚轮40d上的微半导体结构50。
[第十实施例]
本实施例是根据第一至第八实施例，替换垂直式电极的微半导体结构50d，如图8A至8C。指示上相同、功能上类似第一至第八实施例的其他步骤采用相同标号。
如图8A，一携载装置40携载复数个微半导体结构50d，其包括本体52d、以及布设于本体52d上的单一电极54a。目标基板10a定义有复数个导电部14a，个别对应至微半导体结构50d的单一电极54d。目标基板10a上呈图形化的复数个微接触凸部22，邻近各个导电部14a设置。
如图8B，同样使目标基板10a上呈图形化的所述微接触凸部22，批量黏取携载装置40上所述微半导体结构50d。
如图8C，使各所述导电部14与对应的各所述电极54d之间发生共金接着，而构成第一接着组件62d；各所述微接触凸部22d，则构成第二接着组件64d。此后，可进一步对所述微半导体结构50d置备另外一侧电极54d(如虚线所示)。
本文中的「批量移转」，其可选择至少一排的至少部分的微半导体结构20；或复数排微半导体结构20；或一排微半导体结构20中的一部分的微半导体结构20；或复数排微半导体结构20中的一部分的微半导体结构20；或前述任何组合与变化。本文例示是便于说明，而非拘束对「批量移转」或「批量黏取」的解释。
本发明于目标基板上进行图样化的复数个微接触凸部，以便能对复数个微半导体结构进行选择性地的批量黏取。透过调整微接触凸部的高度，可使携载装置仅具保持均一平整的黏贴表面，而不必提供不同深度的多个黏贴表面，从而可避开因携载装置的精度要求而无法降低的成本；然而，此为本发明提供的有益效果，却非用以局限本发明的适用。换句话说，搭配实际要求，本发明亦可适用具有不同深度的多个黏贴表面的携载装置使用。
此外，本发明再根据制程或工作需求，当目标基板为一薄膜基板时，进一步以一预定手段将所述微半导体结构移转至薄膜基板，使目标基板与微半导体结构之间形成接着结构，而此接着结构至少包括第一接着组件与第二接着组件。其中，第一接着组件即各所述微半导体结构的电极与目标基板的导电部呈共金接着所构成；而第二接着组件则由微接触凸部发生热硬化所构成。
藉此，采用本发明的用于批量移转微半导体结构的方法，以有效、与有效率地允许进行批量或巨量拾取微半导体结构50(微尺度结构/器件)的数组选择及整合于目标基板10(非原生基板)上。不仅可应用于不同的微发光二极管晶粒或器件或半成品，能广泛地应用于各种微半导体结构的批量或巨量移转领域；更能在目标基板为一薄膜基板时，提供微半导体结构与薄膜基板之间更稳固的接着结构。
综上所述，在本发明的用于批量移转微半导体结构的方法、以及具微半导体结构的目标基板，其功效包含，但不局限于本发明：
1、使批量选择的时间点发生在移转至目标基板的步骤，因此对于携载装置的精度要求可降低限制，使得半导体组件(包含：微半导体结构)的批量移转更具有弹性。
2、使各所述半导体组件(包含：微半导体结构)与所述目标基板之间形成至少两种接着组件，其一为微接触凸部接着，其二为共金接着，而能更稳固接着。
3、当微接触凸部分布在单一的半导体组件(包含：微半导体结构)的二电极之间时，可对二电极之间提供绝缘效果。
4、允许此等超薄、易碎及/或小型器件的选择及应用而不导致对器件自身的损坏。
5、达到有效且有效率地，进行批量或巨量移转半导体组件(包含：微半导体结构)至目标基板上，且可广泛地应用于各种半导体组件(包含：微半导体结构)的批量或巨量移转领域。
以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于后附的权利要求中。

Claims (12)

1.一种具微半导体结构的目标基板，包括：
一目标基板，具一板体、与设于所述板体上的复数个导电部；
复数个微半导体结构，呈图形化地设于所述目标基板；各所述微半导体结构具有一本体、与设于所述本体上的至少一电极；所述至少一电极与所述目标基板上所对应的所述导电部呈共金接着；以及
复数个微接触凸部，连接呈图形化的所述微半导体的所述本体至所述目标基板的所述板体。
2.如权利要求第1项所述的具微半导体结构的目标基板，其中：
沿所对应的所述导电部周围布设各所述微接触凸部。
3.如权利要求第1项所述的具微半导体结构的目标基板，其中：
各所述微接触凸部呈连续性或非连续性。
4.如权利要求第1项所述的具微半导体结构的目标基板，其中：
各所述微半导体结构的所述电极数为一对；各所述微半导体结构的所述对电极之间布设有各所述微接触凸部。
5.如权利要求第1项所述的具微半导体结构的目标基板，其中：
各所述微半导体结构之间不布设有所述微接触凸部。
6.如权利要求第1项所述的具微半导体结构的目标基板，其中：
所述微半导体结构，为水平式或覆晶式电极的微发光二极管晶粒。
7.如权利要求第1项所述的具微半导体结构的目标基板，其中：
所述微半导体结构，为垂直式电极的微发光二极管晶粒。
8.一种具微半导体结构的目标基板，包括：
一目标基板；
复数个微半导体结构，设于所述目标基板；以及
一第一接着组件，与一第二接着组件，连接各所述微半导体结构至所述目标基板；
其中，所述目标基板具一板体、与设于所述板体上的复数个导电部；各所述微半导体结构具有一本体、与设于所述本体上的至少一电极；
其中，所述第一接着组件由各所述微半导体结构的所述至少一电极与所述目标基板所对应的所述导电部呈共金接着所构成；
其中，所述第二接着组件连接各所述微半导体结构的所述本体至所述目标基板的所述板体，且所述第二接着组件由至少一微接触凸部所构成。
9.如权利要求第8项所述的具微半导体结构的目标基板，其中：
沿所对应的所述导电部周围布设所述至少一微接触凸部。
10.如权利要求第8项所述的具微半导体结构的目标基板，其中：
所述至少一微接触凸部呈连续结构或非连续性结构。
11.如权利要求第8项所述的具微半导体结构的目标基板，其中：
所述至少一微接触凸部包围所对应的所述导电部。
12.如权利要求第8项所述的具微半导体结构的目标基板，其中：
各所述微半导体结构的所述电极数为一对；各所述微半导体结构的所述对电极之间布设有各所述微接触凸部。
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