CN109450423B - 一种发射电路及触摸屏设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种发射电路及触摸屏设备包括:信号产生模块、预处理模块、控制模块和传输模块,信号产生模块用于产生信号,并将信号输出至预处理模块;预处理模块用于接收信号,并根据信号幅值将信号拆分为正值信号和负值信号,以获取第一预处理信号,且将第一预处理信号进行量化以获取第二预处理信号;控制模块用于根据接收的第二预处理信号分别产生驱动信号和触发信号,且将驱动信号和触发信号输出至传输模块;传输模块用于接收第一预处理信号、驱动信号和触发信号,并利用驱动信号和触发信号控制第一预处理信号的输出。通过预处理模块将接受的信号拆分为正值信号和负值信号进行处理,降低制程器件的耐压值,节约了生产成本,提高了信噪比。
Description
技术领域
本发明涉及触摸技术,尤其是涉及一种发射电路及触摸屏设备。
背景技术
当前,电容式触摸屏已经逐渐渗透到人们工作和生活的各个领域,而随着技术的飞速发展,触摸屏(Touch Panel,TP)的结构已经形成三种形式,分别是Out-cell触摸屏、On-Cell触摸屏、In-Cell触摸屏。由于OLED显示的优越性,使其在高端手机的应用越来越广泛,而与之相匹配的触摸控制一般采用On-Cell或Out-cell实现,这使得高性能的外挂式触摸控制器的开发也重新受到各个厂家的重视。
为了提高外挂式触摸控制器的性能,现有厂家一般采取两种方式实现,一种是提高发送扫描信号的电压幅度,从而提高系统的信噪比;另一种是采用CDMA等通讯领域的先进调制方式来提高系统的信噪比。采用高电压幅度的发送信号的话,要求工艺制程支持10V或更高电压的工艺,这会使得制程选择大大受限,同时生产成本也相应提高;而采用CDMA调制手段的话,系统的设计复杂度增加,同时会增加设计的迭代次数,以及增加芯片的面积,提高了生产成本。
发明内容
基于此,有必要针对如何提高信噪比的问题,提供一种发射电路及触摸屏设备。
一种发射电路,包括:信号产生模块,用于产生信号,并将所述信号输出至预处理模块;所述预处理模块,用于接收所述信号,并根据所述信号幅值将所述信号拆分为正值信号和负值信号,以获取第一预处理信号,且将第一预处理信号进行量化以获取第二预处理信号,其中,所述第一预处理信号用于输出至传输模块,所述第二预处理信号输出至控制模块;所述控制模块用于根据接收的所述第二预处理信号分别产生驱动信号和触发信号,且将所述驱动信号和所述触发信号输出至所述传输模块;所述传输模块用于接收所述第一预处理信号、所述驱动信号和所述触发信号,并利用所述驱动信号和所述触发信号控制所述第一预处理信号的输出。
在其中一个实施例中,所述预处理模块包括:数模转换单元,用于当所述信号产生模块产生数字信号时,接收所述数字信号并将其进行数模转换生成模拟信号,并将所述模拟信号输出至提取单元;所述提取单元,用于根据幅值对所述模拟信号进行提取,得到所述第一预处理信号,并将所述第一预处理信号输出至量化单元,其中,所述第一预处理信号包括:幅值为正的第一正信号和幅值为负的第一负信号;所述量化单元,用于将接收的所述第一预处理信号进行量化,得到所述第二预处理信号,其中,所述第二预处理信号包括:幅值为正的第二正信号和幅值为负的第二负信号。
在其中一个实施例中,所述控制模块用于接收所述第二预处理信号,包括:驱动单元,用于输入所述第二预处理信号,获取所述驱动信号;触发单元,用于输入所述第二预处理信号,获取所述触发信号。
在其中一个实施例中,所述驱动单元获取的所述驱动信号包括第一驱动信号和第二驱动信号,且所述驱动单元,被配置为:若输入所述第二正信号,则输出第一驱动信号,输入所述第二负信号,则输出第二驱动信号。
在其中一个实施例中,所述驱动单元,包括反相器和CMOS反相器,所述反相器的与所述CMOS反相器串联连接,若所述反相器输入所述第二正信号,则所述CMOS反相器输出第一驱动信号;若所述反相器输入所述第二负信号,则所述CMOS反相器输出第二驱动信号。
在其中一个实施例中,所述触发单元获取的所述触发信号包括第一触发信号和第二触发信号,且所述触发单元,被配置为:若输入零电压信号,则输出第一触发信号,所述第一触发信号为所述第二正信号和所述第二负信号线性叠加;若输入所述第二正信号和所述第二负信号,则输出第二触发信号,所述第二触发信号为零电压信号。
在其中一个实施例中,所述触发单元包括第一反相器、第二反相器、第一开关和第二开关,其中,所述第一反相器串联所述第一开关形成第一支路;所述第二反相器串联所述第二开关形成第二支路,所述第一支路并联第二支路形成并联,若所述第一反相器和所述第二反相器均输入零电压信号,则所述第一支路被配置为用于输出第一触发信号,所述第一触发信号为所述第二正信号和所述第二负信号线性叠加;若所述第一反相器输入所述第二正信号,所述第二反相器输入所述第二负信号,则所述第二支路被配置为用于输出第二触发信号,所述第二触发信号为零电压信号。
在其中一个实施例中,所述传输模块被配置为:若输入信号为所述第一预处理信号的所述第一正信号和所述第一负信号,则输出信号为所述第一正信号和所述第一负信号的线性叠加。
在其中一个实施例中,所述传输模块包括第一传输单元、第二传输单元和输出单元,所述第一传输单元和所述第二传输单元连接所述输出单元,所述第一传输单元用于输入所述第一正信号;所述第二传输单元用于输入所述第一负信号,所述输出单元用于输出信号,若第一传输单元输入信号为所述第一正信号,所述第二传输单元输入为所述第一负信号,则所述输出单元的输出信号为所述第一正信号和所述第一负信号的线性叠加。
上述发射电路通过预处理模块根据信号幅值将接受的信号拆分为正值信号和负值信号,并将处理后的正值信号和负值信号传输至控制模块和传输模块,且控制模块控制传输模块对扫描信号进行输出;实现了提高信噪比的情况下不增加发射电路器件的耐压值,解决了不增加生产成本和系统设计复杂度的情况下提高信噪比的问题。
一种触摸屏设备,包括上述所述的任意一种发射电路、触摸屏电路和接收电路,所述发射电路用于产生模拟扫描信号,并将所述模拟扫描信号发送至所述触摸屏电路;所述触摸屏电路用于接收并处理触摸信号和所述模拟扫描信号,以获取触摸定位信号,并将所述触摸定位信号发送至所述接收电路;所述接收电路用于接收所述触摸定位信号,并对所述触摸定位信号进行处理,以确认用户操作。
上述触摸屏设备通过通过发射电路产生模拟扫描信号,并将模拟扫描信号发送至触摸屏电路;触摸屏电路接收并处理触摸信号和模拟扫描信号,以获取触摸定位信号,并将触摸定位信号发送至接收电路;接收电路接收触摸定位信号,并对触摸定位信号进行处理,以确认用户操作,其中发射电路的预处理模块根据信号幅值将接受的信号拆分为正值信号和负值信号,并将处理后的正值信号和负值信号传输至控制模块和传输模块,且控制模块控制传输模块对扫描信号进行输出;实现了提高信噪比的情况下不增加发射电路器件的耐压值,解决了不增加生产成本和系统设计复杂度的情况下提高信噪比的问题。
附图说明
图1为本发明一实施例的发射电路10的结构示意图;
图2为本发明一实施例的驱动单元1031的结构示意图;
图3为本发明一实施例的触发单元1032的结构示意图;
图4为本发明一实施例的传输模块104的结构示意图;
图5为本发明一实施例的传输模块104的控制信号时序示意图;
图6为本发明一实施例的发射电路10中信号时序示意图;
图7为本发明一实施例的触摸屏设备1的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。在本发明的描述中,“若干”的含义是至少一个,例如一个,两个等,除非另有明确具体的限定。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明实施例提供一种发射电路10,如图1所述,发射电路10可以包括:信号产生模块101、预处理模块102、控制模块103和传输模块104,信号产生模块101可以为信号发生器用于产生数字信号或者模拟信号,产生的信号可以为正弦信号、余弦信号、方波信号或三角波等周期信号,其中该周期信号的幅值包括正值和负值,最大值和最小值得绝对值可以相等,信号产生模块101并将信号输出至预处理模块102;预处理模块102用于接收上述信号,并根据信号幅值将信号拆分为正值信号和负值信号,以获取第一预处理信号,且将第一预处理信号进行量化,以获取第二预处理信号,其中,第一预处理信号用于输出至传输模块104,第二预处理信号输出至控制模块103;控制模块103用于根据接收的第二预处理信号分别产生驱动信号和触发信号,且将驱动信号和触发信号输出至传输模块104;传输模块104用于接收第一预处理信号、驱动信号和触发信号,并利用驱动信号和触发信号控制第一预处理信号的输出。
在其中一个实施例中,预处理模块102可以包括:数模转换单元1021、提取单元1022和量化单元1023,数模转换单元1021用于当信号产生模块101产生数字信号时,接收数字信号并将其进行数模转换生成模拟信号,并将模拟信号输出至提取单元1022,即当信号产生模块101产生模拟信号时,直接将模拟信号传输至提取单元1022;提取单元1022,用于根据幅值对模拟信号进行提取,得到第一预处理信号,并将第一预处理信号输出至量化单元1023,其中,第一预处理信号包括:幅值为正的第一正信号TX-SIN-POS和幅值为负的第一负信号TX-SIN-NEG;举例来说,输入提取单元1022模拟信号为正弦波TX-SIN,根据幅值对模拟信号进行提取,得到的第一预处理信号为幅值为正的第一正信号TX-SIN-POS和幅值为负的第一负信号TX-SIN-NEG,即将模拟正弦信号分割为正值部分和负值部分。量化单元1023用于将接收的第一预处理信号进行量化,得到第二预处理信号,其中,第二预处理信号包括:幅值为正的第二正信号TX-SIN-POS-MSB和幅值为负的第二负信号TX-SIN-NEG-MSB。量化的规则可以是幅值为正的第一正信号TX-SIN-POS全部取第一正信号TX-SIN-POS的最大值VDD-P,则幅值VDD-P的方波为第二正信号TX-SIN-POS-MSB;幅值为负的第一负信号TX-SIN-NEG全部取第一负信号TX-SIN-NEG的最小值VDD-N,则幅值VDD-N的方波为第二负信号TX-SIN-NEG-MSB。
在其中一个实施例中,控制模块103用于接收第二预处理信号,控制模块103包括:驱动单元1031和触发单元1032,驱动单元1031用于输入第二预处理信号,获取驱动信号;触发单元1032用于输入第二预处理信号,获取触发信号。
在其中一个实施例中,驱动单元1031获取的驱动信号包括:第一驱动信号和第二驱动信号,且驱动单元1031被配置为:若输入第二正信号TX-SIN-POS-MSB,则输出第一驱动信号VIH,若输入第二负信号TX-SIN-NEG-MSB,则输出第二驱动信号VIL。
在其中一个实施例中,如图2所示,驱动单元1031,包括反相器10311和互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)反相器10322,反相器10311的与CMOS反相器10322串联连接,其中,反相器10311是指逻辑上的反相反相器10311是可以将输入信号的相位翻转180度,可以是现有技术的逻辑反相器,此处不再赘述。若反相器1031输入的第二正信号TX-SIN-POS-MSB,则CMOS反相器10322输出第一驱动信号VIH;若反相器1031输入第二负信号TX-SIN-NEG-MSB,则CMOS反相器10322输出第二驱动信号VIL。
在其中一个实施例中,触发单元1032获取的触发信号包括:第一触发信号和第二触发信号,且触发单元1032,被配置为:若输入零电压信号,则输出第一触发信号ENN-TX,第一触发信号ENN-TX为第二正信号TX-SIN-POS-MSB和第二负信号TX-SIN-NEG-MSB线性叠加;若输入第二正信号TX-SIN-POS-MSB和第二负信号TX-SIN-NEG-MSB,输出第二触发信号ENP-TX,第二触发信号ENP-TX为零电压信号。
在其中一个实施例中,如图3所示,触发单元1032包括第一反相器10321、第二反相器10322、第一开关10323和第二开关10324,其中,第一反相器10321串联第一开关10323形成第一支路;第二反相器10322串联第二开关10324形成第二支路,第一支路并联第二支路形成并联。第一开关10323和第二开关10324工作状态如下:当输入信号TX-SIN-POS-MSB电压值大于零,TX-SIN-NEG-MSB等于零时第一开关10323闭合,第二开关10324断开,当输入信号TX-SIN-POS-MSB等于零,TX-SIN-NEG-MSB电压值大于零时第一开关10323断开,第二开关10324闭合,若第一反相器10321和第二反相器10322均输入零电压信号,则第一支路作为输出支路被配置为用于输出第一触发信号ENN-TX,第一触发信号ENN-TX为第二正信号TX-SIN-POS-MSB和第二负信号TX-SIN-NEG-MSB线性叠加;若第一反相器10321输入第二正信号TX-SIN-POS-MSB,第二反相器10322输入第二负信号TX-SIN-NEG-MSB,则第二支路作为输出支路被配置为用于输出第二触发信号ENP-TX,其中,第二触发信号ENP-TX为零电压信号。
在其中一个实施例中,传输模块104被配置为:若输入信号为第一预处理信号的第一正信号TX-SIN-POS和第一负信号TX-SIN-NEG,则输出信号为第一正信号TX-SIN-POS和第一负信号TX-SIN-NEG的线性叠加。
在其中一个实施例中,如图4所示,传输模块104包括第一传输单元1041、第二传输单元1042和输出单元1043(图中未示出),第一传输单元1041和第二传输单元1042连接输出单元1043,第一传输单元1041和第二传输单元1042均可以是互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)传输门,CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)并联而成。第一驱动信号VIH作为P沟道增强型MOSFET的衬底电压,第二驱动信号VIL作为N沟道增强型MOSFET的衬底电压,第一传输单元1041中,第一触发信号ENN-TX作为N沟道增强型MOSFET的栅极电压,第二触发信号ENP-TX作为P沟道增强型MOSFET的栅极电压。第二传输单元1042中,第一触发信号ENN-TX作为P沟道增强型MOSFET的栅极电压,第二触发信号ENP-TX作为N沟道增强型MOSFET的栅极电压。第一传输单元1041用于输入第一正信号TX-SIN-POS;第二传输单元1042用于输入第一负信号TX-SIN-NEG,输出单元1043用于输出信号,若第一传输单元1041输入信号为第一正信号TX-SIN-POS,第二传输单元1042输入为第一负信号TX-SIN-NEG,则输出单元1043的输出信号为第一正信号TX-SIN-POS和第一负信号TX-SIN-NEG的线性叠加,如图5所示的控制模块产生的四路信号时序图,图5(a)所示的第一驱动信号VIH,图5(b)所示的第二驱动信号VIL,图5(c)所示的第一触发信号ENN-TX,图5(d)所示的第二触发信号ENP-TX均输入传输模块104,以使传输模块104的输出信号为第一正信号TX-SIN-POS和第一负信号TX-SIN-NEG的线性叠加。
如图6所示发射电路10的发射信号变化的过程,图6(a)所示的第一正信号TX-SIN-POS,图6(c)所示的第一负信号TX-SIN-NEG,图6(b)所示的第二正信号TX-SIN-POS-MSB,图6(d)所示的第二负信号TX-SIN-NEG-MSB,图6(e)所示的第一驱动信号VIH,图6(f)所示的第二驱动信号VIL,图6(g)所示的第一触发信号ENN-TX,图6(h)所示的第二触发信号ENP-TX,图6(i)所示的输出信号TX-OUT。即发射电路10的发射出的信号TX-OUT为第一正信号TX-SIN-POS和第一负信号TX-SIN-NEG的线性叠加。其中,发射电路器件的耐压值大于等于VDD-P,通过预处理模块102将信号分为正信号和负信号两部分,以使传输过程中信号的电压不超过器件的耐压值,但发射电路发射的信号电压值VDD-N-VDD-P,忽略噪声变化,而发射的信号功率增加,故提高了发射电路的信噪比。
上述发射电路10通过预处理模块102根据信号幅值将接受的信号拆分为正值信号和负值信号,并将处理后的正值信号和负值信号传输至控制模块103和传输模块104,且控制模块103控制传输模块104对扫描信号进行输出;实现了提高信噪比的情况下不增加发射电路10器件的耐压值,解决了不增加生产成本的情况下提高信噪比的问题。
本发明实施例还提供一种触摸屏设备1,如图7所示,包括上述的任意一种发射电路10、触摸屏电路20和接收电路30,发射电路10用于产生模拟扫描信号,并将模拟扫描信号发送至触摸屏电路20;触摸屏电路20用于接收并处理触摸信号和模拟扫描信号,以获取触摸定位信号,并将触摸定位信号发送至接收电路30;接收电路30用于接收触摸定位信号,并对触摸定位信号进行处理,以确认用户操作。
在其中一个实施例中,发射电路10可以包括:信号产生模块101、预处理模块102、控制模块103和传输模块104,信号产生模块101可以为信号发生器用于产生数字信号或者模拟信号,产生的信号可以为正弦信号、余弦信号、方波信号或三角波等周期信号,其中该周期信号的幅值包括正值和负值,最大值和最小值得绝对值可以相等,信号产生模块101并将信号输出至预处理模块102;预处理模块102用于接收上述信号,并根据信号幅值将信号拆分为正值信号和负值信号,以获取第一预处理信号,且将第一预处理信号进行量化,以获取第二预处理信号,其中,第一预处理信号用于输出至传输模块104,第二预处理信号输出至控制模块103;控制模块103用于根据接收的第二预处理信号分别产生驱动信号和触发信号,且将驱动信号和触发信号输出至传输模块104;传输模块104用于接收第一预处理信号、驱动信号和触发信号,并利用驱动信号和触发信号控制第一预处理信号的输出。
在其中一个实施例中,预处理模块102可以包括:数模转换单元1021、提取单元1022和量化单元1023,数模转换单元1021用于当信号产生模块101产生数字信号时,接收数字信号并将其进行数模转换生成模拟信号,并将模拟信号输出至提取单元1022,即当信号产生模块101产生模拟信号时,直接将模拟信号传输至提取单元1022;提取单元1022,用于根据幅值对模拟信号进行提取,得到第一预处理信号,并将第一预处理信号输出至量化单元1023,其中,第一预处理信号包括:幅值为正的第一正信号TX-SIN-POS和幅值为负的第一负信号TX-SIN-NEG;举例来说,输入提取单元1022模拟信号为正弦波TX-SIN,根据幅值对模拟信号进行提取,得到的第一预处理信号为幅值为正的第一正信号TX-SIN-POS和幅值为负的第一负信号TX-SIN-NEG,即将模拟正弦信号分割为正值部分和负值部分。量化单元1023用于将接收的第一预处理信号进行量化,得到第二预处理信号,其中,第二预处理信号包括:幅值为正的第二正信号TX-SIN-POS-MSB和幅值为负的第二负信号TX-SIN-NEG-MSB。量化的规则可以是幅值为正的第一正信号TX-SIN-POS全部取第一正信号TX-SIN-POS的最大值VDD-P,则幅值VDD-P的方波为第二正信号TX-SIN-POS-MSB;幅值为负的第一负信号TX-SIN-NEG全部取第一负信号TX-SIN-NEG的最小值VDD-N,则幅值VDD-N的方波为第二负信号TX-SIN-NEG-MSB。
在其中一个实施例中,控制模块103用于接收第二预处理信号,控制模块103包括:驱动单元1031和触发单元1032,驱动单元1031用于输入第二预处理信号,获取驱动信号;触发单元1032用于输入第二预处理信号,获取触发信号。
在其中一个实施例中,驱动单元1031获取的驱动信号包括:第一驱动信号和第二驱动信号,且驱动单元1031被配置为:若输入第二正信号TX-SIN-POS-MSB,则输出第一驱动信号VIH,若输入第二负信号TX-SIN-NEG-MSB,则输出第二驱动信号VIL。
在其中一个实施例中,如图2所示,驱动单元1031,包括反相器10311和互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)反相器10322,反相器10311的与CMOS反相器10322串联连接,其中,反相器10311是指逻辑上的反相反相器10311是可以将输入信号的相位翻转180度,可以是现有技术的逻辑反相器,此处不再赘述。若反相器1031输入的第二正信号TX-SIN-POS-MSB,则CMOS反相器10322输出第一驱动信号VIH;若反相器1031输入第二负信号TX-SIN-NEG-MSB,则CMOS反相器10322输出第二驱动信号VIL。
在其中一个实施例中,触发单元1032获取的触发信号包括:第一触发信号和第二触发信号,且触发单元1032,被配置为:若输入零电压信号,则输出第一触发信号ENN-TX,第一触发信号ENN-TX为第二正信号TX-SIN-POS-MSB和第二负信号TX-SIN-NEG-MSB线性叠加;若输入第二正信号TX-SIN-POS-MSB和第二负信号TX-SIN-NEG-MSB,输出第二触发信号ENP-TX,第二触发信号ENP-TX为零电压信号。
在其中一个实施例中,如图3所示,触发单元1032包括第一反相器10321、第二反相器10322、第一开关10323和第二开关10324,其中,第一反相器10321串联第一开关10323形成第一支路;第二反相器10322串联第二开关10324形成第二支路,第一支路并联第二支路形成并联。第一开关10323和第二开关10324工作状态如下:当输入信号TX-SIN-POS-MSB电压值大于零,TX-SIN-NEG-MSB等于零时第一开关10323闭合,第二开关10324断开,当输入信号TX-SIN-POS-MSB等于零,TX-SIN-NEG-MSB电压值大于零时第一开关10323断开,第二开关10324闭合,若第一反相器10321和第二反相器10322均输入零电压信号,则第一支路作为输出支路被配置为用于输出第一触发信号ENN-TX,第一触发信号ENN-TX为第二正信号TX-SIN-POS-MSB和第二负信号TX-SIN-NEG-MSB线性叠加;若第一反相器10321输入第二正信号TX-SIN-POS-MSB,第二反相器10322输入第二负信号TX-SIN-NEG-MSB,则第二支路作为输出支路被配置为用于输出第二触发信号ENP-TX,其中,第二触发信号ENP-TX为零电压信号。
在其中一个实施例中,传输模块104被配置为:若输入信号为第一预处理信号的第一正信号TX-SIN-POS和第一负信号TX-SIN-NEG,则输出信号为第一正信号TX-SIN-POS和第一负信号TX-SIN-NEG的线性叠加。
在其中一个实施例中,如图4所示,传输模块104包括第一传输单元1041、第二传输单元1042和输出单元1043(图中未示出),第一传输单元1041和第二传输单元1042连接输出单元1043,第一传输单元1041和第二传输单元1042均可以是互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)传输门,CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)并联而成。第一驱动信号VIH作为P沟道增强型MOSFET的衬底电压,第二驱动信号VIL作为N沟道增强型MOSFET的衬底电压,第一传输单元1041中,第一触发信号ENN-TX作为N沟道增强型MOSFET的栅极电压,第二触发信号ENP-TX作为P沟道增强型MOSFET的栅极电压。第二传输单元1042中,第一触发信号ENN-TX作为P沟道增强型MOSFET的栅极电压,第二触发信号ENP-TX作为N沟道增强型MOSFET的栅极电压。第一传输单元1041用于输入第一正信号TX-SIN-POS;第二传输单元1042用于输入第一负信号TX-SIN-NEG,输出单元1043用于输出信号,若第一传输单元1041输入信号为第一正信号TX-SIN-POS,第二传输单元1042输入为第一负信号TX-SIN-NEG,则输出单元1043的输出信号为第一正信号TX-SIN-POS和第一负信号TX-SIN-NEG的线性叠加,如图5所示的控制模块产生的四路信号时序图,图5(a)所示的第一驱动信号VIH,图5(b)所示的第二驱动信号VIL,图5(c)所示的第一触发信号ENN-TX,图5(d)所示的第二触发信号ENP-TX均输入传输模块104,以使传输模块104的输出信号为第一正信号TX-SIN-POS和第一负信号TX-SIN-NEG的线性叠加。
如图6所示发射电路10的发射信号变化的过程,图6(a)所示的第一正信号TX-SIN-POS,图6(c)所示的第一负信号TX-SIN-NEG,图6(b)所示的第二正信号TX-SIN-POS-MSB,图6(d)所示的第二负信号TX-SIN-NEG-MSB,图6(e)所示的第一驱动信号VIH,图6(f)所示的第二驱动信号VIL,图6(g)所示的第一触发信号ENN-TX,图6(h)所示的第二触发信号ENP-TX,图6(i)所示的输出信号TX-OUT。即发射电路10的发射出的信号TX-OUT为第一正信号TX-SIN-POS和第一负信号TX-SIN-NEG的线性叠加。其中,发射电路器件的耐压值大于等于VDD-P,通过预处理模块102将信号分为正信号和负信号两部分,以使传输过程中信号的电压不超过器件的耐压值,但发射电路发射的信号电压值VDD-P-VDD-N,忽略噪声变化,而发射的信号功率增加,故提高了发射电路的信噪比。
上述触摸屏设备通过通过发射电路10产生模拟扫描信号,并将模拟扫描信号发送至触摸屏电路20;触摸屏电路20接收并处理触摸信号和模拟扫描信号,以获取触摸定位信号,并将触摸定位信号发送至接收电路30;接收电路30接收触摸定位信号,并对触摸定位信号进行处理,以确认用户操作,其中发射电路10的预处理模块102根据信号幅值将接受的信号拆分为正值信号和负值信号,并将处理后的正值信号和负值信号传输至控制模块103和传输模块104,且控制模块103控制传输模块104对扫描信号进行输出;实现了提高信噪比的情况下不增加发射电路10器件的耐压值,解决了不增加生产成本的情况下提高信噪比的问题。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。需要说明的是,本申请的“一实施例中”、“例如”等,旨在对本申请进行举例说明,而不是用于限制本申请。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种发射电路,其特征在于,包括:
信号产生模块,用于产生信号,并将所述信号输出至预处理模块;
所述预处理模块,用于接收所述信号,并根据所述信号的幅值将所述信号拆分为正值信号和负值信号,以获取第一预处理信号,且将第一预处理信号进行量化以获取第二预处理信号,其中,所述第一预处理信号用于输出至传输模块,所述第二预处理信号输出至控制模块;
所述控制模块用于根据接收的所述第二预处理信号分别产生驱动信号和触发信号,且将所述驱动信号和所述触发信号输出至所述传输模块;
所述预处理模块包括:
数模转换单元,用于当所述信号产生模块产生数字信号时,接收所述数字信号并将其进行数模转换生成模拟信号,并将所述模拟信号输出至提取单元;
所述提取单元,用于根据幅值对所述模拟信号进行提取,得到所述第一预处理信号,并将所述第一预处理信号输出至量化单元,其中,所述第一预处理信号包括:幅值为正的第一正信号和幅值为负的第一负信号;
所述量化单元,用于将接收的所述第一预处理信号进行量化,得到所述第二预处理信号,其中,所述第二预处理信号包括:幅值为正的第二正信号和幅值为负的第二负信号;
所述控制模块包括驱动单元和触发单元,所述驱动单元用于输入所述第二预处理信号,获取驱动信号,所述触发单元用于输入所述第二预处理信号,获取触发信号;
所述触发单元获取的所述触发信号包括第一触发信号和第二触发信号,且所述触发单元,被配置为:
若输入零电压信号,则输出第一触发信号,所述第一触发信号为所述第二正信号和所述第二负信号线性叠加;
若输入所述第二正信号和所述第二负信号,则输出第二触发信号,所述第二触发信号为零电压信号;所述传输模块用于接收所述第一预处理信号、所述驱动信号和所述触发信号,并利用所述驱动信号和所述触发信号控制所述第一预处理信号的输出。
2.根据权利要求1所述的发射电路,其特征在于,所述驱动单元获取的所述驱动信号包括第一驱动信号和第二驱动信号,且所述驱动单元被配置为:
若输入所述第二正信号,则输出所述第一驱动信号,若输入所述第二负信号,则输出所述第二驱动信号。
3.根据权利要求2所述的发射电路,其特征在于,所述驱动单元,包括反相器和CMOS反相器,所述反相器的与所述CMOS反相器串联连接,
若所述反相器输入所述第二正信号,则所述CMOS反相器输出第一驱动信号;
若所述反相器输入所述第二负信号,则所述CMOS反相器输出第二驱动信号。
4.根据权利要求3所述的发射电路,其特征在于,所述触发单元包括第一反相器、第二反相器、第一开关和第二开关,其中,所述第一反相器串联所述第一开关形成第一支路;所述第二反相器串联所述第二开关形成第二支路,所述第一支路并联第二支路形成并联,
若所述第一反相器和所述第二反相器均输入零电压信号,则所述第一支路被配置为用于输出第一触发信号,所述第一触发信号为所述第二正信号和所述第二负信号线性叠加;
若所述第一反相器输入所述第二正信号,所述第二反相器输入所述第二负信号,则所述第二支路被配置为用于输出第二触发信号,所述第二触发信号为零电压信号。
5.根据权利要求4所述的发射电路,其特征在于,所述第一开关和所述第二开关工作状态包括:
当输入的所述第二正信号电压值大于零,所述第二负信号等于零时,所述第一开关闭合,所述第二开关断开;
当输入的所述第二正信号等于零,所述第二负信号电压值大于零时,所述第一开关断开,所述第二开关闭合。
6.根据权利要求1所述的发射电路,其特征在于,所述传输模块被配置为:若输入信号为所述第一预处理信号的所述第一正信号和所述第一负信号,则输出信号为所述第一正信号和所述第一负信号的线性叠加。
7.根据权利要求6所述的发射电路,其特征在于,所述传输模块包括第一传输单元、第二传输单元和输出单元,所述第一传输单元和所述第二传输单元连接所述输出单元,
所述第一传输单元用于输入所述第一正信号;所述第二传输单元用于输入所述第一负信号,所述输出单元用于输出信号,
若第一传输单元输入信号为所述第一正信号,所述第二传输单元输入为所述第一负信号,则所述输出单元的输出信号为所述第一正信号和所述第一负信号的线性叠加。
8.根据权利要求7所述的发射电路,其特征在于,所述第一传输单元和所述第二传输单元均是互补金属氧化物半导体传输门,所述互补金属氧化物半导体传输门由一个P沟道增强型金氧半场效晶体管和一个N沟道增强型金氧半场效晶体管并联而成。
9.根据权利要求8所述的发射电路,其特征在于,所述驱动单元获取的所述驱动信号包括第一驱动信号和第二驱动信号,所述驱动单元获取的所述驱动信号包括第一驱动信号和第二驱动信号,所述第一驱动信号作为所述P沟道增强型型金氧半场效晶体管的衬底电压,所述第二驱动信号作为所述N沟道增强型金氧半场效晶体管的衬底电压,所述第一传输单元中,所述第一触发信号作为所述N沟道增强型金氧半场效晶体管的栅极电压,所述第二触发信号作为所述P沟道增强型金氧半场效晶体管的栅极电压;
所述第二传输单元中,所述第一触发信号作为所述P沟道增强型金氧半场效晶体管的栅极电压,所述第二触发信号作为所述N沟道增强型金氧半场效晶体管的栅极电压。
10.一种触摸屏设备,包括权利要求1-9任一项权利要求所述的发射电路、触摸屏电路和接收电路,
所述发射电路用于产生模拟扫描信号,并将所述模拟扫描信号发送至所述触摸屏电路;
所述触摸屏电路用于接收并处理触摸信号和所述模拟扫描信号,以获取触摸定位信号,并将所述触摸定位信号发送至所述接收电路;
所述接收电路用于接收所述触摸定位信号,并对所述触摸定位信号进行处理,以确认用户操作。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1936811A (zh) * | 2005-09-21 | 2007-03-28 | 三星电子株式会社 | 触摸感应显示装置、驱动装置和检测触摸的方法 |
CN102681720A (zh) * | 2011-02-01 | 2012-09-19 | 刘鸿达 | 触控元件及感光取像装置 |
CN203661025U (zh) * | 2013-12-06 | 2014-06-18 | Tcl通力电子(惠州)有限公司 | 红外发射管的调整电路及触摸屏设备 |
CN104461151A (zh) * | 2014-12-22 | 2015-03-25 | 西安中颖电子有限公司 | 低压高信噪比的触摸屏检测方法 |
CN105320387A (zh) * | 2014-08-01 | 2016-02-10 | 三星电子株式会社 | 半导体装置及其操作方法 |
CN105373258A (zh) * | 2015-12-03 | 2016-03-02 | 深圳磨石科技有限公司 | 触摸显示装置和电子设备 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101398322B1 (ko) * | 2011-12-05 | 2014-05-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린의 센싱 장치 및 방법 |
CN108431749B (zh) * | 2016-10-26 | 2021-04-30 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 一种电容变化量检测电路及触摸屏、触摸检测方法 |
-
2018
- 2018-09-30 CN CN201811159811.0A patent/CN109450423B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1936811A (zh) * | 2005-09-21 | 2007-03-28 | 三星电子株式会社 | 触摸感应显示装置、驱动装置和检测触摸的方法 |
CN102681720A (zh) * | 2011-02-01 | 2012-09-19 | 刘鸿达 | 触控元件及感光取像装置 |
CN203661025U (zh) * | 2013-12-06 | 2014-06-18 | Tcl通力电子(惠州)有限公司 | 红外发射管的调整电路及触摸屏设备 |
CN105320387A (zh) * | 2014-08-01 | 2016-02-10 | 三星电子株式会社 | 半导体装置及其操作方法 |
CN104461151A (zh) * | 2014-12-22 | 2015-03-25 | 西安中颖电子有限公司 | 低压高信噪比的触摸屏检测方法 |
CN105373258A (zh) * | 2015-12-03 | 2016-03-02 | 深圳磨石科技有限公司 | 触摸显示装置和电子设备 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
投射式电容触摸屏高精度驱动与检测方法;张晋芳等;《电子科技大学学报》;20160918;763-766 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109450423A (zh) | 2019-03-08 |
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