CN109440061B - 掩膜板、掩膜装置、掩膜板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种掩膜板、掩膜装置、掩膜板的制备方法，属于显示基板制备技术领域。本发明的一种掩膜板，用于显示基板的制备，所述掩膜板包括：具有第一开口的刚性透明基底，所述第一开口与所述显示基板的像素单元对应；设置于所述刚性透明基底上的韧性增强层，用以增强所述掩膜板的韧性；所述韧性增强层设置有第二开口，所述第二开口与所述第一开口一一对应。
Description
技术领域
本发明属于显示基板制备技术领域，具体涉及一种掩膜板、掩膜装置、掩膜板的制备方法。
背景技术
现有技术中，通常采用FMM(Fine Metal Mask，高精度金属掩模板)作为蒸镀掩模板，将有机发光材料通过FMM上的开口蒸镀在阵列基板上对应的开口区域，以形成OLED(Organic Light-Emitting Diode；有机电致发光二极管)器件。
传统的FMM是以因瓦合金(Invar)为材料，在上面通过刻蚀法进行开口，掩膜板厚度通常为20～50微米，金属掩膜板由于重力原因会产生较大的下垂量，张网时的拉伸作用又会造成褶皱的产生，在蒸镀时掩膜板与基板贴合不好产生间隙，会产生蒸镀阴影进而造成蒸镀混色不良。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种蒸镀精度高、开口率高的掩膜板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种掩膜板，用于显示基板的制备，所述掩膜板包括：
具有第一开口的刚性透明基底，所述第一开口与所述显示基板的像素单元对应；
设置于所述刚性透明基底上的韧性增强层，用以增强所述掩膜板的韧性；所述韧性增强层设置有第二开口，所述第二开口与所述第一开口一一对应。
优选的，在所述韧性增强层中掺杂有磁性纳米颗粒。
优选的，所述磁性纳米颗粒的材料包括：具有磁性的金属单质、金属合金、金属氧化物中的至少一者。
优选的，所述掩膜板还包括：磁性层，所述磁性层具有第三开口；所述第三开口与所述第一开口一一对应设置；其中，
所述磁性层设置于所述刚性透明基底和所述韧性增强层之间；
或者，所述磁性层和所述韧性增强层分设在所述刚性透明基底的两侧。
优选的，所述韧性增强层的材料包括：聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚丙烯中的至少一者。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种掩膜装置，包括：
上述任意一种掩膜板；
与所述掩膜板相适配的掩膜框架。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种掩膜板的制备方法，所述掩膜板用于显示基板的制备，所述掩膜板的制备方法包括：
在刚性透明基材上形成韧性增强层材料；
对所述刚性透明基材进行处理，形成具有第一开口的刚性透明基底和具有第二开口的韧性增强层；所述韧性增强层用以增强所述掩膜板的韧性；所述第一开口与所述显示基板的像素单元对应，所述第二开口与所述第一开口一一对应。
优选的，所述对所述刚性透明基材进行处理，形成具有第一开口的刚性透明基底和具有第二开口的韧性增强层的步骤包括：
对形成有所述韧性增强层材料的所述刚性透明基材进行处理，以使部分所述刚性透明基材和所述韧性增强层材料发生变性；
通过刻蚀工艺去除发生变性的所述刚性透明基材和预设厚度的未发生变性的所述刚性透明基材，以形成具有第一开口的刚性透明基底；
去除发生变性的所述韧性增强层材料，以形成具有第二开口的韧性增强层。
优选的，所述在刚性透明基材上形成韧性增强层材料的步骤包括：
形成掺杂有磁性纳米颗粒的韧性增强层材料溶液；
通过涂覆工艺在所述刚性透明基材上形成掺杂有所述磁性纳米颗粒的韧性增强层材料。
优选的，所述在刚性透明基材上形成柔性高分子材料的步骤之前或者之后，还包括：在刚性透明基材上形成磁性层；
所述通过刻蚀工艺去除发生变性的所述刚性透明基材和预设厚度的未发生变性的所述刚性透明基材，以形成具有第一开口的刚性透明基底的步骤和所述去除发生变性的所述柔性高分子材料，以形成具有第二开口的韧性增强层的步骤之间，还包括：通过刻蚀工艺去除裸露的所述磁性层，形成具有第三开口的磁性层，所述第三开口与所述第一开口一一对应。
优选的，所述去除发生变性的所述柔性高分子材料，以形成具有第二开口的韧性增强层的步骤之后，还包括：
所述刚性透明基底背离所述韧性增强层的一侧形成具有第三开口的磁性层，所述第三开口与所述第一开口一一对应。
附图说明
图1为本发明的实施例2的掩膜板的结构示意图；
图2为本发明的实施例2的掩膜板的制备方法的示意流程图；
图3为本发明的实施例3的掩膜板的结构示意图；
图4为本发明的实施例3的掩膜板的制备方法的示意流程图；
图5为本发明的实施例4的掩膜板的结构示意图；
图6为本发明的实施例5的掩膜板的结构示意图；
图7为本发明的实施例6的掩膜装置的结构示意图；
其中附图标记为：1、玻璃基底；1A、玻璃基材；2、韧性增强层；2A、韧性增强层；3、磁性层；3A、磁性层材料；4、磁性基座；5、掩膜框架；6、支撑条。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种掩膜板，用于显示基板的制备，特别适用于OLED显示基板中OLED器件各层结构的蒸镀。
该掩膜板包括：刚性透明基底和韧性增强层；刚性透明基底具有第一开口，第一开口与显示基板的像素单元对应；韧性增强层设置于刚性透明基底上，用以增强掩膜板的韧性；韧性增强层设置有第二开口，第二开口与第一开口一一对应。
本实施例的掩膜板由刚性透明基材和韧性增强层构成。其中，通过刚性透明基底使得掩膜板具有足够的骨架支撑强度，而不会像现有技术中的金属掩膜板一样产生过大的下垂量，且本实施例的掩膜板无需像现有技术中的金属掩膜板一样进行张网操作，故可减小褶皱的产生并减小对应像素单元的第一开口的变形。而韧性增强层则可弥补刚性玻璃基底的脆性问题，增强玻璃掩膜板的韧性，从而极大程度地避免掩膜板在制作过程中刚性透明基底产生脆裂，进而提高掩膜板的耐用性。
其中，优选的，刚性透明基底为玻璃基底，例如光敏玻璃，或者也可以为其它普通玻璃。优选的，韧性增强层优选为柔性膜层，其材料可包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚丙烯中的至少一者。
本实施例提供的掩膜板由刚性透明基底和柔性的韧性增强层构成，两层结构上都对应设置有开口(即第一开口和对应的第二开口)，通过这些开口制备OLED的各层结构(例如有机发光层)。
其中，优选的，本实施例中的掩膜板与显示母板对应，即位于同一张显示母板上的多个显示基板的像素单元可由一张掩膜板上的多个第一开口对应制备而成。在制备该掩膜板时，可在掩膜板上一次形成对应多个显示基板的像素单元、及对位标志的开口，之后，将该掩膜板安装于掩膜框架上，即可对显示基板的基底进行蒸镀，从而避免传统掩膜板在制作时需要逐条对掩膜条进行高精度张网工艺，极大的降低了掩膜板的制作难度，并消除了张网时的误差累积问题。
由于本实施例提供的掩膜板比现有技术中的金属掩膜板具有更高的强度，故抵抗变形能力好，除了可作为普通的水平式掩膜板外，还可作为垂直式蒸镀掩膜板。
本实施例中还提供一种掩膜板的制备方法，可用以制备上述任意一种掩膜板。该制备方法包括以下步骤：
S11、在刚性透明基材上形成韧性增强层材料。
S12、对刚性透明基材进行处理，形成具有第一开口的刚性透明基底和具有第二开口的韧性增强层。
步骤S12中可通过刻蚀工艺对刚性透明基材进行处理，根据需求去除部分刚性透明基材和部分韧性增强层材料，从而形成具有第一开口的刚性透明基底和具有第二开口的韧性增强层。
其中，由于第一开口与第二开口是一一对应的，故本实施例中可通过一次构图工艺刻蚀去除部分刚性透明基材和部分韧性增强层材料，以简化掩膜板的制备工艺。当然，也可以分开进行刻蚀，先对刚性透明基材进行处理，形成具有第一开口的刚性透明基底以后再形成具有第二开口的韧性增强层，本实施例中对此不做具体限制。
实施例2：
如图1和2所示，本实施例提供一种掩膜板，其结构与实施例1中提供的掩膜板类似，如图1所示，该掩膜板包括刚性的刚性透明基底和柔性的韧性增强层2。本实施例中以刚性透明基底的材质为玻璃为例进行说明。
特别的是，本实施例提供的掩膜板中，韧性增强层2中掺杂有磁性纳米颗粒，即在制备韧性增强层2时，可在韧性增强层材料2A中加入磁性纳米颗粒，以形成柔性的，具有磁性的韧性增强层2。其中，柔性材料可包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚丙烯中的至少一者；磁性纳米颗粒的材料包括具有磁性的金属或者具有磁性的金属氧化物。
本实施例中，通过使用具有磁性的韧性增强层2，能够在增强刚性透明基底的韧性的情况下，确保掩膜板与待进行蒸镀的显示基板能够在磁场作用下紧密贴合，从而避免产生蒸镀阴影，提高显示基板的产品良率。
本实施例中还提供一种掩膜板的制备方法，可用以制备上述的掩膜板。下面以制备刚性透明基底为玻璃基底1的掩膜板为例进行说明。该制备方法可包括以下步骤：
S21、形成掺杂有磁性纳米颗粒的韧性增强层材料2A溶液。
本步骤中，通过将磁性纳米颗粒混合入韧性增强层材料2A 溶液中，以在后续步骤中形成具有磁性的柔性的韧性增强层2。
其中，韧性增强层材料2A优选为聚酰亚胺(PI)，也可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯(PP)等任意柔性高分子材料。磁性纳米颗粒的材料具体可为具有磁性的金属单质、金属合金、金属氧化物中的至少一者，例如镍、铁镍合金、镍钴合金、四氧化三铁、氧化钴等。
S22、通过涂覆工艺在玻璃基材1A上形成掺杂有磁性纳米颗粒的韧性增强层材料2A。
其中，玻璃基底1的材料具体可为光敏玻璃或普通玻璃，厚度可为20微米-150微米。
本步骤中，通过涂覆工艺将步骤S1中形成的韧性增强层材料 2A溶液形成于整块的玻璃基底1上，从而形成整层的韧性增强层材料2A。其中，韧性增强层材料2A的厚度优选为1微米-30微米。
S23、对玻璃基材1A进行处理，以使部分玻璃基材1A和韧性增强层材料2A发生变性。
本步骤中，具体可通过激光照射工艺对玻璃基底1及韧性增强层材料2A进行曝光，从而使被照射区域的玻璃基材1A和韧性增强层材料2A发生变性，进而使后续制备步骤中刻蚀更容易且尺寸精度更高、刻蚀角度更易控制。具体的，激光照射可采用激光束直接在玻璃基底1上精准地画出图案，或者也可采用激光扫描方式，利用光罩掩膜板遮挡，然后使激光在上面扫描，从而快速照射出特定图案。其中，图案指掩膜板上待形成的开口的图案，具体可根据显示基板的像素单元的形状、尺寸确定。
其中，可以理解的是，玻璃基材1A和韧性增强层材料2A的变性区域应该是形状相同且一一对应的，故本步骤中可利用同一掩膜光罩进行激光照射。针对玻璃基底1和韧性增强层材料2A两种不同的材料，可采用对应的不同频率的激光进行照射，以使二者都能够发生变性。
优选的，如图2所示，本步骤可在磁性基座4上进行，即在形成具有磁性的韧性增强层材料2A之后可将玻璃基材1A放置于磁性基座4上进行，以在后续步骤中可利用磁场作用力将玻璃基材1A与磁性基座4贴合稳定、良好，使玻璃基材1A保持平整，从而避免制备工艺中由于掩膜板不平整而导致开口存在误差。
S24、通过刻蚀工艺去除发生变性的玻璃基材1A和预设厚度的未发生变性的玻璃基材1A，以形成具有第一开口的玻璃基底1。
本步骤中，无需使用光刻胶，可直接对玻璃基材1A整体进行刻蚀。其中，由于玻璃基材1A的部分区域已经变性，会导致玻璃基材1A的未变性部分与变性部分的刻蚀速率不同，变性部分的刻蚀速度远大于未变性部分的刻蚀速率，故本步骤中不仅可以实现对玻璃基材1A的开孔作用，还可实现对玻璃基材1A的减薄作用。其中，优选的，减薄后的玻璃基材1A(即所形成的玻璃基底 1)的厚度为5微米-50微米。
本实施例中，之所以将玻璃基材1A减薄是因为：对玻璃基材1A的刻蚀开孔必然存在一定的刻蚀角度，若玻璃基材1A的厚度较大，则会限制相邻开口之间的间距，而这样限制显示基板的分辨率。因此，本实施例中，将玻璃基材1A减薄，从而可以使相邻开口能够更靠近一点，进而可用以制备高分辨率的显示基板。
优选的，本步骤之后可翻转磁性基座4，并利用磁性基座4 的吸附力将掩膜板放置于掩膜框架5上。其中，由于掩膜板较薄，将掩膜板放置于磁性基座4上后再进行掩膜板与掩膜框架5进行安装，能够保证掩膜板的平整及避免移动过程中受到外界损伤，在安装完成后再移除磁性基座4即可。
S25、去除发生变性的韧性增强层材料2A，以形成具有第二开口的韧性增强层2。
本步骤中，可通过显影工艺、刻蚀工艺或者激光切割工艺等对韧性增强层材料2A进行处理，去除步骤S23中变性的韧性增强层材料2A，形成具有第二开口的韧性增强层2。
由于本实施例提供的掩膜板下垂量较小，开口形状不会变形，能够提高显示基板的制备良率，且由于开口间距较小，故可用于高精度显示基板的制备。进一步的，由于本实施例中可采用激光对掩膜板进行处理，比传统掩膜板的制备方法能够明显提高掩膜板的开口精度与刻蚀角度，从而显著提高显示基板的产品良率。
实施例3：
如图3和4所示，本实施例提供一种掩膜板，其结构与实施例1及实施例2中提供的掩膜板类似，包括刚性的刚性透明基底和柔性的韧性增强层2。
特别的是，本实施例的掩膜板中，除韧性增强层2外，还包括具有第三开口的磁性层3，第三开口与第一开口一一对应。也就是说，本实施例的掩膜板中，通过另外的磁性层3来使掩膜板具有一定的磁性，能够在增强刚性透明基底的韧性的情况下，确保掩膜板与待进行蒸镀的显示基板能够在磁场作用下紧密贴合，从而避免产生蒸镀阴影，提高显示基板的产品良率。
具体的，如图3所示，磁性层3可设置于刚性透明基底和韧性增强层2之间。其中，磁性层3的材料可以为具有磁性的金属单质、金属合金、金属氧化物中的至少一者，例如镍、铁镍合金、镍钴合金、四氧化三铁、氧化钴等。韧性增强层2可以不具有磁性，也可以如实施例2中掺杂有磁性纳米颗粒，本实施例中对此不做限制。
本实施例中，还提供一种掩膜板的制备方法，可用于制备上述掩膜板。下面具体以掩膜板的基底为玻璃基底1为例进行说明。
该制备方法包括以下步骤：
S31、在玻璃基材1A上形成磁性层材料3A。
本步骤中，可通过蒸镀、磁控溅射、气相沉积等方式在玻璃基材1A上形成磁性层材料3A。
S32、在磁性层3上形成韧性增强层材料2A。
与实施例2中相似的，本步骤中可通过涂覆工艺形成韧性增强层材料2A。
S33、对完成步骤S32的玻璃基材1A进行处理，以使部分玻璃基材1A和韧性增强层材料2A发生变性。
与实施例2中相似的，本步骤中可通过激光照射工艺对玻璃基底1及韧性增强层材料2A进行曝光，从而使被照射区域的玻璃基材1A和韧性增强层材料2A发生变性。
需要说明的是，由于本实施例中的磁性层材料3A为金属或者金属合金、金属氧化物膜层，其透光率较低，反光能力较强，且磁性层3位于刚性透明基材和韧性增强层材料2A之间，故如图 4所示，本实施例中分别在掩膜板两侧(也即刚性透明基材侧和韧性增强层材料2A侧)都进行激光照射。其中，刚性透明基材和韧性增强层材料2A被照射区域应该是形状相同且一一对应的，以使形成的刚性透明基底的第一开口与韧性增强层2的第二开口能够一一对应。
S34、通过刻蚀工艺形成去除发生变性的玻璃基材1A和预设厚度的未发生变性的玻璃基材1A，以形成具有第一开口的玻璃基底1。
与实施例2中相似的，本步骤中可直接对玻璃基材1A整体进行刻蚀，具体可参考实施例2，在此不再详述。
S35、通过刻蚀工艺形成具有第三开口的磁性层3。
本步骤中，由于刚性透明基底已具有第一开口，故可将刚性透明基底当作图案化的光刻胶，直接采用刻蚀液对磁性层材料3A 进行刻蚀，即可形成具有第三开口的磁性层3。
S36、去除发生变性的韧性增强层材料2A，以形成具有第二开口的韧性增强层2。
与实施例2中相似的，本步骤中可通过显影工艺或刻蚀工艺或激光切割工艺对韧性增强层材料2A进行处理，去除变性的韧性增强层材料2A，从而形成具有第二开口的韧性增强层2。
与实施例2相似的，优选的，步骤S34和步骤S35都可以在磁性基座4上完成，即在形成磁性层材料3A后，可将玻璃基材 1A放置于磁性基座4上，利用磁场作用力将玻璃基材1A与磁性基座4贴合稳定、良好，使玻璃基材1A保持平整，从而避免制备工艺中由于掩膜板不平整而导致开口存在误差。其中，磁性基座4 可在完成步骤S35后移除，也可在其它步骤中移除，在此不做限制。
优选的，本实施例中，还包括将掩膜板放置于掩膜框架5上的步骤，具体可在步骤S35之前或者之后执行。其中，由于掩膜板较薄，为了保证掩膜板的平整及避免移动过程中受到外界损伤，可将掩膜板放置于磁性基座4上后再进行掩膜板与掩膜框架5进行安装，安装完成后再移除磁性基座4。
实施例4：
如图5所示，本实施例提供一种掩膜板，其结构与实施例3 中提供的掩膜板类似，包括刚性的刚性透明基底、柔性的韧性增强层2，以及磁性层3。其中，刚性透明基底的第一开口与韧性增强层2的第二开口、磁性层3的第三开口一一对应。
特别的是，如图5所示，本实施例中磁性层3和韧性增强层 2分设在刚性透明基底的两侧。
对应的，本实施例中还提供一种掩膜板的制备方法，可用于制备上述掩膜板。具体以掩膜板的基底为玻璃基底1为例进行说明。该制备方法包括以下步骤：
S41、在磁性层3上形成韧性增强层材料2A。
与实施例2中相似的，本步骤中可通过涂覆工艺形成韧性增强层材料2A。
S42、对完成步骤S41的玻璃基材1A进行处理，以使部分玻璃基材1A和韧性增强层材料2A发生变性。
与实施例2中相似的，本步骤中可通过激光照射工艺对玻璃基底1及韧性增强层材料2A进行曝光，从而使被照射区域的玻璃基材1A和韧性增强层材料2A发生变性。
其中，玻璃基材1A和韧性增强层材料2A的变性区域应该是形状相同且一一对应的，故本步骤中可利用同一掩膜光罩进行激光照射。针对玻璃基底1和韧性增强层材料2A两种不同的材料，可采用对应的不同频率的激光进行照射，以使二者都能够发生变性。
S43、通过刻蚀工艺形成去除发生变性的玻璃基材1A和预设厚度的未发生变性的玻璃基材1A，以形成具有第一开口的玻璃基底1。
与实施例2中相似的，本步骤中可直接对玻璃基材1A整体进行刻蚀，具体可参考实施例2，在此不再详述。
S44、去除发生变性的韧性增强层材料2A，以形成具有第二开口的韧性增强层2。
与实施例2中相似的，本步骤中可通过显影工艺或刻蚀工艺或激光切割工艺对韧性增强层材料2A进行处理，去除变性的韧性增强层材料2A，从而形成具有第二开口的韧性增强层2。
S45、在玻璃基底1上形成具有第三开口的磁性层3。
本步骤中，可通过蒸镀、磁控溅射、气相沉积等方式在具有第一开口的玻璃基底1背离韧性增强层2的一侧形成具有第三开口的磁性层3。
实施例5：
如图6所示，本实施例提供一种掩膜板，其结构与实施例3、实施例4中提供的掩膜板类似，包括刚性的刚性透明基底、柔性的韧性增强层2，以及磁性层3。其中，刚性透明基底的第一开口与韧性增强层2的第二开口、磁性层3的第三开口一一对应。
特别的是，如图6所示，本实施例中，韧性增强层2位于刚性透明基底和磁性层3之间。
本实施例中还提供一种掩膜板的制备方法，可用以制备上述掩膜板。该制备方法包括：
S51、在玻璃基材1A上形成韧性增强层材料2A。
与实施例2中相似的，本步骤中可通过涂覆工艺形成韧性增强层材料2A。
S52、对玻璃基材1A进行处理，以使部分玻璃基材1A和韧性增强层材料2A发生变性。
与实施例2中相似的，本步骤中可通过激光照射工艺对玻璃基底1及韧性增强层材料2A进行曝光，从而使被照射区域的玻璃基材1A和韧性增强层材料2A发生变性。
其中，玻璃基材1A和韧性增强层材料2A的变性区域应该是形状相同且一一对应的，故本步骤中可利用同一掩膜光罩进行激光照射。针对玻璃基底1和韧性增强层材料2A两种不同的材料，可采用对应的不同频率的激光进行照射，以使二者都能够发生变性。
S53、通过刻蚀工艺形成去除发生变性的玻璃基材1A和预设厚度的未发生变性的玻璃基材1A，以形成具有第一开口的玻璃基底1。
与实施例2中相似的，本步骤中可直接对玻璃基材1A整体进行刻蚀，具体可参考实施例2，在此不再详述。
S54、去除发生变性的韧性增强层材料2A，以形成具有第二开口的韧性增强层2。
与实施例2中相似的，本步骤中可通过显影工艺或刻蚀工艺或激光切割工艺对韧性增强层材料2A进行处理，去除变性的韧性增强层材料2A，从而形成具有第二开口的韧性增强层2。
S55、在韧性增强层2上形成具有第三开口的磁性层3。
本步骤中，可通过蒸镀、磁控溅射、气相沉积等方式在具有第二开口的韧性增强层2上形成具有第三开口的磁性层3。
实施例6：
本实施例提供一种掩膜装置，包括实施例1至5中提供的任意一种掩膜板，以及与掩膜板相适配的掩膜框架5。
其中，如图7所示，掩膜框架5上设置有纵横交错的支撑条 6，用以支撑掩膜板，以进一步避免掩膜板的中心产生较大的下垂量。其中，支撑条6的材质可以是因瓦合金、不锈钢或者是其它强度较高的材料。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种掩膜板，用于显示基板的制备，其特征在于，所述掩膜板包括：
具有第一开口的刚性透明基底，所述第一开口与所述显示基板的像素单元对应；
设置于所述刚性透明基底上的韧性增强层，用以增强所述掩膜板的韧性；所述韧性增强层设置有第二开口，所述第二开口与所述第一开口一一对应；
在所述韧性增强层中掺杂有磁性纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述磁性纳米颗粒的材料包括：具有磁性的金属单质、金属合金、金属氧化物中的至少一者。
3.一种掩膜板，用于显示基板的制备，其特征在于，所述掩膜板包括：
具有第一开口的刚性透明基底，所述第一开口与所述显示基板的像素单元对应；
设置于所述刚性透明基底上的韧性增强层，用以增强所述掩膜板的韧性；所述韧性增强层设置有第二开口，所述第二开口与所述第一开口一一对应；
磁性层，所述磁性层具有第三开口；所述第三开口与所述第一开口一一对应设置；其中，
所述磁性层设置于所述刚性透明基底和所述韧性增强层之间；
或者，所述磁性层和所述韧性增强层分设在所述刚性透明基底的两侧。
4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述韧性增强层的材料包括：聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚丙烯中的至少一者。
5.一种掩膜装置，其特征在于，包括：
上述权利要求1至4中任意一项所述的掩膜板；
与所述掩膜板相适配的掩膜框架。
6.一种掩膜板的制备方法，所述掩膜板用于显示基板的制备，其特征在于，所述掩膜板的制备方法包括：
在刚性透明基材上形成韧性增强层材料；
对所述刚性透明基材进行处理，形成具有第一开口的刚性透明基底和具有第二开口的韧性增强层；所述韧性增强层用以增强所述掩膜板的韧性；所述第一开口与所述显示基板的像素单元对应，所述第二开口与所述第一开口一一对应；
所述在刚性透明基材上形成韧性增强层材料的步骤包括：
形成掺杂有磁性纳米颗粒的韧性增强层材料溶液；
通过涂覆工艺在所述刚性透明基材上形成掺杂有所述磁性纳米颗粒的韧性增强层材料。
7.根据权利要求6所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述对所述刚性透明基材进行处理，形成具有第一开口的刚性透明基底和具有第二开口的韧性增强层的步骤包括：
对形成有所述韧性增强层材料的所述刚性透明基材进行处理，以使部分所述刚性透明基材和所述韧性增强层材料发生变性；
通过刻蚀工艺去除发生变性的所述刚性透明基材和预设厚度的未发生变性的所述刚性透明基材，以形成具有第一开口的刚性透明基底；
去除发生变性的所述韧性增强层材料，以形成具有第二开口的韧性增强层。
8.一种掩膜板的制备方法，所述掩膜板用于显示基板的制备，其特征在于，所述掩膜板的制备方法包括：
在刚性透明基材上形成韧性增强层材料；
对所述刚性透明基材进行处理，形成具有第一开口的刚性透明基底和具有第二开口的韧性增强层；所述韧性增强层用以增强所述掩膜板的韧性；所述第一开口与所述显示基板的像素单元对应，所述第二开口与所述第一开口一一对应；
所述在刚性透明基材上形成韧性增强层材料的步骤之前或者之后，还包括：在刚性透明基材上形成磁性层；
形成具有第一开口的刚性透明基底的步骤和形成具有第二开口的韧性增强层的步骤之间，还包括：通过刻蚀工艺去除裸露的所述磁性层，形成具有第三开口的磁性层，所述第三开口与所述第一开口一一对应。
9.根据权利要求8所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，形成具有第二开口的韧性增强层的步骤之后，还包括：
刚性透明基底背离所述韧性增强层的一侧形成具有第三开口的磁性层，所述第三开口与所述第一开口一一对应。
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