CN109422241A - 用于以激光熔化封闭微机械装置的方法和微机械装置 - Google Patents

用于以激光熔化封闭微机械装置的方法和微机械装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109422241A
CN109422241A CN201811030172.8A CN201811030172A CN109422241A CN 109422241 A CN109422241 A CN 109422241A CN 201811030172 A CN201811030172 A CN 201811030172A CN 109422241 A CN109422241 A CN 109422241A
Authority
CN
China
Prior art keywords
flange
micro
mechanical device
laser
channel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811030172.8A
Other languages
English (en)
Inventor
J·莱茵穆特
M·兰巴赫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of CN109422241A publication Critical patent/CN109422241A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00325—Processes for packaging MEMS devices for reducing stress inside of the package structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B23K26/206—Laser sealing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K33/00—Specially-profiled edge portions of workpieces for making soldering or welding connections; Filling the seams formed thereby
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
    • B81B7/0051—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the package lid and the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
    • B81C1/00293—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS maintaining a controlled atmosphere with processes not provided for in B81C1/00285
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0145—Hermetically sealing an opening in the lid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0172—Seals
    • B81C2203/019—Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

一种用于借助激光熔化封闭微机械装置的方法，具有以下步骤：提供具有进入通道的微机械装置，该进入通道在外开口处具有凸缘；借助对所述凸缘进行激光辐射将进入通道的外开口封闭，其中，凸缘至少部分熔化并且外开口通过由凸缘的材料构成的熔化物封闭。还提出具有激光熔化封闭部的机械装置，微机械装置具有进入通道，该进入通道在外开口上具有凸缘，进入通道的外开口通过由凸缘材料构成的熔化封闭部封闭。

Description

用于以激光熔化封闭微机械装置的方法和微机械装置
技术领域
本发明涉及一种用于借助激光熔化来封闭微机械装置的方法和一种具有激光熔化封闭部的微机械装置。
背景技术
MEMS元件通常包括传感器元件，该传感器元件通过罩保护，以便免受周围环境影响。这出于多种原因是必须的。传感器元件的功能常常仅在确定的压力范围内提供。借助罩来调设、关封传感器元件的周围环境压力并且在结构元件的寿命期间确保压力在规范限制内(小的)变化。为了在传感器元件的传感器腔室内调设所需的压力，多种方法是可能的。例如可在传感器晶片和罩晶片之间的键合过程期间调设压力。替代地，也可在每个传感器腔室中实现通到周围环境的进入孔，该进入孔在限定的压力的情况下借助激光方法封闭。该方法具有多种优点，尤其是在晶片上的压力分布和压力调设的精度方面。由德国专利申请DE 102014202801.9已知这种方法。
在真正的激光封闭之后或期间，可能在封闭部的区域中形成裂缝。如果由此腔室变得不密封，则构成对MEMS元件的功能性的风险。
发明内容
本发明的任务是提供具有机械稳健的封闭部的微机械装置。
发明优点
本发明涉及一种用于借助激光熔化来封闭微机械装置的方法，该方法具有以下步骤：
(A)提供具有进入通道的微机械装置，该进入通道在外开口处具有凸缘。
(B)借助对凸缘进行激光辐射将进入通道的外开口封闭，其中，将凸缘至少部分熔化并且将外开口通过由凸缘的材料构成的熔化物封闭。
根据本发明的方法的有利构型设置，在步骤(A)中提供具有外主表面的微机械装置，其中，凸缘布置在外主表面中的槽口中，尤其以下述方式，凸缘与进入通道的外开口相对于外主表面沉入地布置。
根据本发明的方法的有利构型设置，在步骤(A)中提供微机械装置，其中，凸缘具有通过至少一个沟槽构成的子结构化部，沟槽环形地绕着外开口布置并且平行于进入通道延伸。
根据本发明的方法的有利构型设置，在步骤(A)中提供微机械装置，其中，凸缘具有通过盲孔构成的子结构化部，所述盲孔平行于进入通道延伸并且尤其具有方形横截面。
根据本发明的方法的有利构型设置，在步骤(A)之前，进入通道或槽口或凸缘至少部分地通过激光钻孔制造。
根据本发明的方法的有利构型设置，在步骤(A)之前，槽口或凸缘或子结构化部至少部分地通过干刻蚀制造。
本发明也涉及一种具有激光熔化封闭部的微机械装置，尤其以根据本发明的方法制造该微机械装置，其中，该微机械装置具有进入通道，该进入通道在外开口上具有凸缘，其中，进入通道的外开口通过由凸缘材料构成的熔化封闭部来封闭。
根据本发明的微机械装置的有利构型设置，该微机械装置在外主表面中具有槽口并且凸缘布置在该槽口中，尤其以下述方式，凸缘与进入通道的外开口相对于外主表面沉入地布置。
本发明的核心在于用于激光封闭的封闭区域的几何结构的改型设计，其方式是，在进入通道的外开口处布置有凸缘。在此可能的是：取代迄今为止容易出现裂缝的几何结构并且开发新的应用。尤其地，激光封闭部移位到主表面下方的槽口中、如尤其激光腔室(德语是Laser-Kaverne)，使得能在进一步处理MEMS晶片时将由于激光封闭部的损坏造成的失灵率最小化。附加地，该移位可在极深的槽口中、尤其是激光腔室中进行，使得在激光封闭之后还可应用去料方法如CMP来减小晶片厚度。
有利地，本发明可用于各种不同的MEMS，尤其是传感器。这尤其包括芯片上的加速度传感器、转速传感器、具有加速度传感器和转速传感器的组合元件以及需要限定地调设腔室压力的其他新型传感器和其他MEMS。
附加地，本发明也可用于封闭进入孔，该进入孔用于将材料引入到腔室中。这例如可以是用于涂层或刻蚀的材料。
附图说明
图1示出现有技术中的具有激光熔化封闭部的第一微机械装置。
图2示出现有技术中的具有较深的激光熔化封闭部的第二微机械装置。
图3a和b在封闭之前示出根据本发明的具有激光熔化封闭部的微机械装置的第一实施例。
图4示出根据本发明的具有激光熔化封闭部的、已借助激光熔化封闭的微机械装置。
图5a和b示出根据本发明的具有激光熔化封闭部的微机械装置的实施例，直接围绕的材料的壁厚是薄的。
图5c和d示出根据本发明的具有激光熔化封闭部的微机械装置的实施例，直接围绕的材料的壁厚是厚的。
图6a和b示出根据本发明的具有激光熔化封闭部的微机械装置的实施例，孔直径与直接围绕的材料的壁厚的比例大。
图6c和d示出根据本发明的具有激光熔化封闭部的微机械装置的实施例，孔直径与直接围绕的材料的壁厚的比例小。
图7a和b示出根据本发明的具有激光熔化封闭部的微机械装置的实施例，其具有直接围绕的材料的环形子结构化部。
图7c和d示出根据本发明的具有激光熔化封闭部的微机械装置的实施例，其具有直接围绕的材料的环形子结构化部，这些环形子结构化部具有不同的深度。
图7e和f示出根据本发明的具有激光熔化封闭部的微机械装置的实施例，其具有直接围绕的材料的局部子结构化部，该局部子结构化部具有横截面为方形的盲孔。
图8示意性地示出根据本发明的用于借助激光熔化封闭微机械装置的方法。
具体实施方式
图1示出现有技术中的第一微机械装置，其具有激光熔化封闭部。示出的是微机械装置，其具有腔室15，该腔室基本上被MEMS晶片100和罩25包围。在腔室15中布置有微机械功能元件10。微机械装置具有进入通道20，该进入通道形成从外部环境到腔室15的进入口。进入通道20为此在微机械装置的外主表面60中以外开口30终止。外开口30以熔化封闭部90封闭，该熔化封闭部通过将围绕的材料激光熔化而形成。
图2示出现有技术中的第二微机械装置，其具有较深的激光熔化封闭部。与图1不同，在这里，进入通道20的外开口30布置在微机械装置的外主表面60中的槽口50中。同样，熔化封闭部90由此也布置在槽口50中，从而沉入地布置在微机械装置的外主表面60的下方。
在激光封闭方法的迄今的实现方式中，通到传感器腔室的进入口要么直接在表面上封闭(图1)要么在该表面下方的宽的激光腔室中封闭(图2)。如果封闭直接在表面上进行，则传感器晶片的进一步处理仅是受限地可能的，因为封闭部是敏感的并且会容易受损。但在宽的激光腔室中的位于表面下方的封闭部的情况下存在更高的以下风险：形成应力裂缝，应力裂缝最终导致待封闭的传感器腔室的不密封性。这意味着，这种传感器元件不再能发挥功能。因而需要对激光封闭进行优化。
在表面上封闭时以及在较深的激光腔室的情况下封闭时都形成应力裂缝的原因在于激光封闭方法自身。在封闭区域中，通过激光将材料加热直至液态。该液体将预备的进入孔封闭。在接着的凝固过程中，之前为液态的材料膨胀。在此涉及已知的异常，类似于水和铁。附加地，已凝固的材料和周围的未熔化的材料之间的温度梯度导致拉应力，因为在冷却过程中(没有相变)体积改变。该拉应力显著地胜于由于从液态到固态的相变造成的压应力。通过形成的拉应力，在之前熔化的材料的区域中会形成裂缝(图2)。
根据本发明，微机械装置具有进入通道，该进入通道在外开口处具有凸缘。该凸缘超过MEMS的围绕(该凸缘)的外表面隆起。该凸缘可将进入开口环形地包围。该凸缘可在内侧与进入通道对齐地构造。该凸缘可由围绕进入通道的材料构成。
图3a和b在封闭之前示出根据本发明的MEMS装置的第一实施例，该装置具有激光熔化封闭部。在该布置中，借助激光产生槽口50。在激光腔室内存在通到微机械装置的腔室容积的进入通道。主要的是：进入通道的外开口自身被材料包围，该材料之后用于封闭并且具有形貌，该形貌示出比宽的激光腔室的底部高的高度。进入通道20为此在外开口30处具有凸缘40。凸缘40以凸缘高度44超过微机械装置的围绕的外表面隆起。在该示例中，凸缘40这样布置在外主表面60中的槽口50中，使得凸缘40以进入通道20的外开口30相对于外主表面60沉入地布置。凸缘40在此距离槽口50的边缘具有横向的凸缘间距42。
替代地，凸缘也可直接布置在微机械装置的外主表面上并且超过外主表面隆起。
在激光封闭方法期间，将激光传导到进入孔和直接围绕(进入孔)的封闭材料上，以将该封闭材料熔化。熔化的材料将进入孔封闭并且凝固。与迄今已知的几何结构的主要区别在于：在冷却过程期间出现的应力可放松，因为并不形成激光封闭部的横向耦合，从而不产生应力裂缝。这基于待封闭的材料与周围脱耦。以该新型几何结构进行的激光封闭方法的结果在图4中示出。
图4示出根据本发明的借助激光熔化封闭的微机械装置，其具有激光熔化封闭部。与图3a不同，借助激光熔化仅将凸缘40的上部部分熔化并且形成熔化封闭部90，该熔化封闭部将进入通道20的外开口30封闭。熔化封闭部90布置在凸缘40的剩余部分的上方并从而布置在槽口50的底部的上方。为了为熔化提供足够的材料，凸缘必须具有足够的壁厚48。
替代地，将整个凸缘40借助激光熔化来熔化并且以其材料形成熔化封闭部，该熔化封闭部将进入通道的外开口封闭。
附加地，可优化凸缘的几何结构，其方式是，改变熔化的材料与待封闭的孔的比例。对于详细构型存在多种方案：
按照图5a-d优化围绕的孔材料的壁厚
通过改变直接围绕的材料的壁厚来调整孔的面积和直接围绕的材料的面积(在俯视图中看)之间的比例。由此可将熔化的材料的量针对孔直径进行优化。图5a和b在横截面和俯视图中示出凸缘的示例，该凸缘具有较薄的壁厚48。图5c和d在横截面和俯视图中示出凸缘的示例，该凸缘具有较厚的壁厚48。
按照图6a-d调整孔尺寸
孔直径和直接围绕的材料之间的比例的改变的另一可能性在于调整孔直径。对此的示例可从图6a-d中得到。
按照图7a-f将直接围绕的材料结构化
用于调整熔化的材料和外开口的孔面积之间的比例的另一可能性在于直接围绕的材料的适宜的子结构化。这以下述方式实现：可将熔化用的直接围绕的材料的体积改变，从而在不同的高度中存在直接围绕的材料的不同面积。子结构化部可通过同心环、方形、矩形或其他几何形状以及它们的组合进行。附加地，各子结构化部可具有不同的高度。子结构化部可能性的选择在图7a-f中示出。技术上特别有利的是，具有完全围绕的环或部分围绕的环、即环形沟槽70(图7a-d)的变型。图7a和b以横截面和俯视图示出凸缘的环形子结构化部的示例。示出的是具有闭合的环形沟槽70的凸缘40。图7c和d在横截面和俯视图中示出凸缘的具有不同的深度的多个环形子结构化部的示例。示出的是具有两个同心布置的闭合的环形沟槽70的凸缘40。图7e和f在横截面和俯视图中示出凸缘的具有盲孔的子结构化部的示例。示出的是具有盲孔80的凸缘40，这些盲孔具有不同大小的方形横截面。其他形状和大小的横截面也是可能的。
描述应力的有效放松的主要参数是凸缘40在封闭部90下方的厚度48(见图4)。壁结构的刚性在一阶近似中随壁厚的三次方增大。因而通过壁分成具有窄壁厚的多个壁区域，不仅可调整熔化的材料和孔表面之间的比例，而且也可通过减小壁结构的刚性来极有效地提高整个系统的放松能力。
子结构化部可能性的组合
为了优化熔化的材料的体积，也可将前述三个措施的方案组合。
为了制造根据本发明的新型几何结构，使用结构化部的借助平板印刷和接着的刻蚀实现的既定方法。通过合适的构造掩膜和利用ARDE效应，可在干刻蚀时将进入通道的刻蚀和直接围绕孔的材料的附加结构化、即凸缘在一个刻蚀步骤中进行。这既节约了过程时间也节约了过程成本。从而在根据本发明的几何结构中与迄今所用的几何结构相比不用考虑显著的附加成本，但同时优化了激光封闭的可能性且尤其在较深的激光腔室50中消除了裂缝形成。
替代地，槽口50取代作为激光腔室地也可借助刻蚀过程制造。
图8示意性地示出根据本发明的用于借助激光熔化封闭MEMS的方法。根据本发明的用于借助激光熔化封闭MEMS的方法包含至少以下步骤：
(A)提供具有进入通道20的微机械装置，该进入通道在外开口30处具有凸缘40。
(B)借助对凸缘40进行激光辐射将进入通道20的外开口30封闭，其中，凸缘40至少部分熔化并且外开口30通过由凸缘的材料构成的熔化物封闭。
附图标记列表
10 微机械功能元件
15 腔室
20 进入通道
25 罩
30 外开口
40 凸缘
42 横向凸缘间距
44 凸缘高度
48 壁厚
50 槽口
60 外主表面
70 环形沟槽
80 盲孔
90 熔化封闭部
100 MEMS晶片

Claims (8)

1.一种用于封闭微机械装置的方法，该封闭借助激光熔化来进行，该方法具有以下步骤：
(A)提供具有进入通道(20)的微机械装置，该进入通道在外开口(30)处具有凸缘(40)，
(B)借助对所述凸缘(40)进行激光辐射将所述进入通道(20)的外开口(30)封闭，其中，将所述凸缘(40)至少部分熔化并且将所述外开口(30)通过由所述凸缘的材料构成的熔化物封闭。
2.根据权利要求1所述的用于封闭微机械装置的方法，其特征在于，在步骤(A)中提供具有外主表面(60)的微机械装置，其中，所述凸缘(40)布置在所述外主表面(60)中的槽口(50)中，尤其以下述方式：所述凸缘(40)与所述进入通道(20)的外开口(30)相对于所述外主表面(60)沉入地布置。
3.根据权利要求1所述的用于封闭微机械装置的方法，其特征在于，在步骤(A)中提供微机械装置，其中，所述凸缘(40)具有通过至少一个沟槽(70)构成的子结构化部，所述沟槽环形地绕着所述外开口(30)布置并且平行于所述进入通道(20)延伸。
4.根据权利要求1所述的用于封闭微机械装置的方法，其特征在于，在步骤(A)中提供微机械装置，其中，所述凸缘(40)具有通过盲孔(80)构成的子结构化部，所述盲孔平行于所述进入通道(20)延伸并且尤其具有方形横截面。
5.根据权利要求1至4之一所述的用于封闭微机械装置的方法，其特征在于，在步骤(A)之前，至少部分地通过激光钻孔制造进入通道(20)和/或槽口(50)和/或凸缘(40)。
6.根据前述权利要求之一所述的用于封闭微机械装置的方法，其特征在于，在步骤(A)之前，至少部分地通过干刻蚀制造槽口(50)和/或凸缘(40)和/或子结构化部。
7.一种微机械装置，其具有激光熔化封闭部，该微机械装置尤其以根据前述权利要求之一所述的方法制造，
-其中，所述微机械装置具有进入通道(20)，该进入通道在外开口(30)处具有凸缘(40)，
-其中，所述进入通道(20)的外开口(30)以由所述凸缘的材料构成的熔化封闭部(90)封闭。
8.根据权利要求7所述的微机械装置，该微机械装置在外主表面(60)中具有槽口(50)并且所述凸缘(40)布置在该槽口(50)中，尤其以下述方式：所述凸缘(40)与所述进入通道(20)的外开口(30)相对于所述外主表面(60)沉入地布置。
CN201811030172.8A 2017-09-05 2018-09-05 用于以激光熔化封闭微机械装置的方法和微机械装置 Pending CN109422241A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017215531.0 2017-09-05
DE102017215531.0A DE102017215531A1 (de) 2017-09-05 2017-09-05 Verfahren zum Verschließen einer mikromechanischen Vorrichtung mittels Laser-Schmelzen und mikromechanische Vorrichtung mit einem Laser-Schmelz-Verschluss

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109422241A true CN109422241A (zh) 2019-03-05

Family

ID=65364043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811030172.8A Pending CN109422241A (zh) 2017-09-05 2018-09-05 用于以激光熔化封闭微机械装置的方法和微机械装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10836631B2 (zh)
CN (1) CN109422241A (zh)
DE (1) DE102017215531A1 (zh)
TW (1) TWI772507B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019218926A1 (de) * 2019-12-05 2021-06-10 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Vorrichtung mit einer Kaverne mit einem Zugang und Herstellungsverfahren
JP7552177B2 (ja) 2020-09-15 2024-09-18 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー及び慣性計測ユニット
DE102020214831A1 (de) 2020-11-25 2022-05-25 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung mit einem Kappensubstrat und einem MEMS-Substrat, welche eine Kaverne umschließen

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110114840A1 (en) * 2008-07-25 2011-05-19 Takao Yamazaki Encapsulating package, printed circuit board, electronic device and method for manufacturing encapsulating package
JP2011108862A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Seiko Epson Corp パッケージおよびその封止方法
JP2013038674A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Seiko Epson Corp 貫通孔形成方法及び電子デバイス
CN103241702A (zh) * 2012-02-09 2013-08-14 精工爱普生株式会社 电子器件及其制造方法、以及电子设备
CN105044389A (zh) * 2014-04-23 2015-11-11 精工爱普生株式会社 封装件、电子装置及其制造方法、电子设备以及移动体
JP2017036940A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体
US20170113920A1 (en) * 2015-10-26 2017-04-27 Robert Bosch Gmbh Structures and process for preventing a projection of the laser resealing structure beyond the wafer surface
TW201730092A (zh) * 2015-12-08 2017-09-01 羅伯特博斯奇股份有限公司 具有局部定界的雷射再封閉

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8394679B2 (en) * 2004-05-28 2013-03-12 Stellarray, Inc. Nano-structured gasket for cold weld hermetic MEMS package and method of manufacture
JP5209075B2 (ja) * 2010-05-21 2013-06-12 有限会社 ナプラ 電子デバイス及びその製造方法
US9625342B2 (en) * 2014-01-31 2017-04-18 DunAn Sensing, LLC Sensor housing apparatus providing a hermetic seal
DE102014202801B4 (de) 2014-02-17 2023-08-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements
JP2016095236A (ja) * 2014-11-14 2016-05-26 セイコーエプソン株式会社 慣性センサーの製造方法および慣性センサー
DE102016200497A1 (de) * 2016-01-15 2017-07-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110114840A1 (en) * 2008-07-25 2011-05-19 Takao Yamazaki Encapsulating package, printed circuit board, electronic device and method for manufacturing encapsulating package
JP2011108862A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Seiko Epson Corp パッケージおよびその封止方法
JP2013038674A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Seiko Epson Corp 貫通孔形成方法及び電子デバイス
CN103241702A (zh) * 2012-02-09 2013-08-14 精工爱普生株式会社 电子器件及其制造方法、以及电子设备
CN105044389A (zh) * 2014-04-23 2015-11-11 精工爱普生株式会社 封装件、电子装置及其制造方法、电子设备以及移动体
JP2017036940A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体
US20170113920A1 (en) * 2015-10-26 2017-04-27 Robert Bosch Gmbh Structures and process for preventing a projection of the laser resealing structure beyond the wafer surface
CN107032293A (zh) * 2015-10-26 2017-08-11 罗伯特·博世有限公司 用于避免激光再封装结构突出晶片表面的结构和工艺
TW201730092A (zh) * 2015-12-08 2017-09-01 羅伯特博斯奇股份有限公司 具有局部定界的雷射再封閉

Also Published As

Publication number Publication date
TW201919986A (zh) 2019-06-01
DE102017215531A1 (de) 2019-03-07
US10836631B2 (en) 2020-11-17
US20190071307A1 (en) 2019-03-07
TWI772507B (zh) 2022-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109422241A (zh) 用于以激光熔化封闭微机械装置的方法和微机械装置
US6521477B1 (en) Vacuum package fabrication of integrated circuit components
US8679975B2 (en) Method for forming trenches in a semiconductor component
CN101119924B (zh) 带有双膜片的微机械膜片传感器
US9796586B2 (en) Three dimensional microstructures and fabrication process
EP1272422A2 (en) Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components
US20080041607A1 (en) Microcomponent Comprising a Hermetically-Sealed Microcavity and Method for Production of Such a Microcomponent
EP1760039A2 (en) Electrical contact for a mems device and method of making
CN108367350A (zh) 用于增材制造的方法、构件和用于增材制造的装置
CN109422239A (zh) 用于制造mems传感器的方法和mems传感器
CN105174201A (zh) 一种mems集成复合传感器及其加工方法
IT201800005778A1 (it) Dispositivo microfluidico per l'espulsione di fluidi, in particolare per la stampa con inchiostri, e relativo procedimento di fabbricazione
WO2016119417A1 (zh) 一种加速度计的z轴结构及其生产方法
JP5553575B2 (ja) 構成エレメント及び該構成エレメントを製造するための方法
CN104993804A (zh) 一种mems谐振结构的加工方法
CN103575431A (zh) 用于测量力的装置和制作其的方法
TW202031586A (zh) 感測器裝置以及製造感測器裝置的方法
US20030085438A1 (en) Micro-mechanical device and method for producing the same
TWI688542B (zh) 具有局部定界的雷射再封閉
JP6305647B2 (ja) 電気機械デバイスを製造するための方法及び対応するデバイス
US9804045B2 (en) Method of manufacturing a pressure sensor
JP7223853B2 (ja) Ｍｅｍｓ素子内の通路の封鎖方法
IT202000003862A1 (it) Dispositivo a semiconduttore per il rilevamento ambientale includente una cavita' accoppiabile al mondo esterno e una struttura di filtraggio meccanico e corrispondente procedimento di fabbricazione
EP4328545A1 (en) Method for manufacturing curved surface support structure, and hemispherical resonator gyroscope
EP4406914A1 (en) Systems and methods for wafer die assembly bonding

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20190305

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication