CN109411446A - 1kω高精度电阻网络电路及其修调方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种1KΩ高精度电阻网络电路及其修调方法，修调方法包括以下步骤：S1、通过标准工艺制备高精度电阻网络电路，测量引脚PADA和引脚PADB之间的电阻值，得出测量电阻值；S2、若测量电阻值大于目标1KΩ，则烧通第一量子化霍尔器件至第八量子化霍尔器件上串联的反熔丝中的一个或一个以上；若测量电阻值小于目标1KΩ，则先烧断金属熔丝，再烧通第九量子化霍尔器件至第十六量子化霍尔器件上串联的反熔丝中的一个或一个以上。本发明采用栅氧电容作为反熔丝，并结合金属熔丝，可以同时完成电阻增大和减小两个方向的调节，并通过新颖的电阻网络电路结构，使得电阻精度在±0.5％以内，从而制备非常精准的电阻。

Description

1KΩ高精度电阻网络电路及其修调方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种工艺简单、成本低廉的1KΩ高精度电阻网络电路及其修调方法，广泛应用于电源管理、数模转换、放大器等芯片系统中。
背景技术
高精度电阻网络广泛应用于电源管理、数模转换等模拟电路中，通常在带隙基准、频率调制等模块都会用到电阻网络，为了达到准确的基准电压、频率等，需要设计可修调电阻网络。
传统的电阻网络一般由多晶电阻、熔丝组成，只能将电阻往一个方向进行修正，因此，该方法存在一定的缺陷。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种工艺简单、成本低廉的1KΩ高精度电阻网络电路及其修调方法，可用于电源管理、数模转换、放大器等芯片设计中，实现准确的基准电压、时钟频率等关键电参数。
为了达到上述目的，本发明的技术方案如下：
本发明提供一种1KΩ高精度电阻网络电路，包括串联的第一电路和第二电路，第一电路由第零量子化霍尔器件R、串联的第一量子化霍尔器件4R和反熔丝、串联的第二量子化霍尔器件8R和反熔丝、串联的第三量子化霍尔器件16R和反熔丝、串联的第四量子化霍尔器件32R和反熔丝、串联的第五量子化霍尔器件64R和反熔丝、串联的第六量子化霍尔器件128R和反熔丝、串联的第七量子化霍尔器件256R和反熔丝、以及串联的第八量子化霍尔器件512R和反熔丝并联而成，第二电路由金属熔丝、串联的第九量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十一量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十二量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十三量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十四量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十五量子化霍尔器件R/4和反熔丝、以及串联的第十六量子化霍尔器件R/4和反熔丝并联而成，第一电路的两端设有引脚PADA和引脚PADB，第二电路未与第一电路连接的一端设有引脚PADC。
其中，R为1个量子化霍尔器件，4R为4个量子化霍尔器件的串联，8R为8个量子化霍尔器件的串联，16R为16个量子化霍尔器件的串联，32R为32个量子化霍尔器件的串联，64R为64个量子化霍尔器件的串联，128R为128个量子化霍尔器件的串联，256R为256个量子化霍尔器件的串联，512R为512个量子化霍尔器件的串联，R/4为4个量子化霍尔器件的并联。
本发明还提供1KΩ高精度电阻网络电路的修调方法，包括以下步骤：
S1、通过标准工艺制备1KΩ高精度电阻网络电路，测量引脚PADA和引脚PADB之间的电阻值，得出测量电阻值；
S2、相对目标1KΩ判断测量电阻值，若测量电阻值大于目标1KΩ，则烧通第一量子化霍尔器件4R至第八量子化霍尔器件512R上串联的反熔丝中的一个或一个以上用于减小电阻；
若测量电阻值小于目标1KΩ，则先烧断金属熔丝，再烧通第九量子化霍尔器件R/4至第十六量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝中的一个或一个以上用于增大电阻。
作为优选的方案，烧断金属熔丝的电应力条件为：电压值为3v,时间为5ms；烧通反熔丝的电应力条件为：电压值为4.5v,时间为5ms。
作为优选的方案，量子化霍尔器件为采用微加工技术制备的霍尔棒结构且霍尔棒结构两侧制备有欧姆接触电极。
本发明具有以下有益效果：本发明采用栅氧电容作为反熔丝，并结合金属熔丝，可以同时完成电阻增大和减小两个方向的调节，并通过新颖的电阻网络电路结构，使得电阻精度在±0.5％以内，从而制备非常精准的电阻。
附图说明
图1为本发明的整体结构框图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的优选实施方式。
为了达到本发明的目的，如图1所示，在本发明的其中一种实施方式中提供一种1KΩ高精度电阻网络电路，包括串联的第一电路和第二电路，第一电路由第零量子化霍尔器件R、串联的第一量子化霍尔器件4R和反熔丝、串联的第二量子化霍尔器件8R和反熔丝、串联的第三量子化霍尔器件16R和反熔丝、串联的第四量子化霍尔器件32R和反熔丝、串联的第五量子化霍尔器件64R和反熔丝、串联的第六量子化霍尔器件128R和反熔丝、串联的第七量子化霍尔器件256R和反熔丝、以及串联的第八量子化霍尔器件512R和反熔丝并联而成，第二电路由金属熔丝、串联的第九量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十一量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十二量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十三量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十四量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十五量子化霍尔器件R/4和反熔丝、以及串联的第十六量子化霍尔器件R/4和反熔丝并联而成，第一电路的两端设有引脚PADA和引脚PADB，第二电路未与第一电路连接的一端设有引脚PADC。
其中，R为1个量子化霍尔器件，4R为4个量子化霍尔器件的串联，8R为8个量子化霍尔器件的串联，16R为16个量子化霍尔器件的串联，32R为32个量子化霍尔器件的串联，64R为64个量子化霍尔器件的串联，128R为128个量子化霍尔器件的串联，256R为256个量子化霍尔器件的串联，512R为512个量子化霍尔器件的串联，R/4为4个量子化霍尔器件的并联。
为了进一步地优化本发明的实施效果，在本发明的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，本实施方式还提供1KΩ高精度电阻网络电路的修调方法，包括以下步骤：
S1、通过标准工艺制备1KΩ高精度电阻网络电路，测量引脚PADA和引脚PADB之间的电阻值，得出测量电阻值；
S2、相对目标1KΩ判断测量电阻值，若测量电阻值大于目标1KΩ，则烧通第一量子化霍尔器件4R至第八量子化霍尔器件512R上串联的反熔丝中的一个或一个以上用于减小电阻；
若测量电阻值小于目标1KΩ，则先烧断金属熔丝，再烧通第九量子化霍尔器件R/4至第十六量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝中的一个或一个以上用于增大电阻。
具体地，烧断金属熔丝的电应力条件为：电压值为3v,时间为5ms；烧通反熔丝的电应力条件为：电压值为4.5v,时间为5ms。
具体地，量子化霍尔器件为采用微加工技术制备的霍尔棒结构且霍尔棒结构两侧制备有欧姆接触电极。
其中，具体烧反熔丝选择如表A1～A2所示。
表A1电阻调节表(减小电阻)
其中，eFUSE2(1)为第一量子化霍尔器件4R上串联的反熔丝，eFUSE2(2)为第二量子化霍尔器件8R上串联的反熔丝，eFUSE2(3)为第三量子化霍尔器件16R上串联的反熔丝，eFUSE2(4)为第四量子化霍尔器件32R上串联的反熔丝，eFUSE2(5)为第五量子化霍尔器件64R上串联的反熔丝，eFUSE2(6)为第六量子化霍尔器件128R上串联的反熔丝，eFUSE2(7)为第七量子化霍尔器件256R上串联的反熔丝，eFUSE2(8)为第八量子化霍尔器件512R上串联的反熔丝。
表A2电阻调节表(增加电阻)
其中，eFUSE2(9)为第九量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝，eFUSE2(10)为第十量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝，eFUSE2(11)为第十一量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝，eFUSE2(12)为第十二量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝，eFUSE2(13)为第十三量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝，eFUSE2(14)为第十四量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝，eFUSE2(15)为第十五量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝，eFUSE2(16)为第十六量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝。
本发明采用栅氧电容作为反熔丝，并结合金属熔丝，可以同时完成电阻增大和减小两个方向的调节，并通过新颖的电阻网络电路结构，使得电阻精度在±0.5％以内，从而制备非常精准的电阻。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.1KΩ高精度电阻网络电路，其特征在于，包括串联的第一电路和第二电路，第一电路由第零量子化霍尔器件R、串联的第一量子化霍尔器件4R和反熔丝、串联的第二量子化霍尔器件8R和反熔丝、串联的第三量子化霍尔器件16R和反熔丝、串联的第四量子化霍尔器件32R和反熔丝、串联的第五量子化霍尔器件64R和反熔丝、串联的第六量子化霍尔器件128R和反熔丝、串联的第七量子化霍尔器件256R和反熔丝、以及串联的第八量子化霍尔器件512R和反熔丝并联而成，第二电路由金属熔丝、串联的第九量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十一量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十二量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十三量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十四量子化霍尔器件R/4和反熔丝、串联的第十五量子化霍尔器件R/4和反熔丝、以及串联的第十六量子化霍尔器件R/4和反熔丝并联而成，第一电路的两端设有引脚PADA和引脚PADB，第二电路未与第一电路连接的一端设有引脚PADC。
2.根据权利要求1所述的1KΩ高精度电阻网络电路，其特征在于，R为1个量子化霍尔器件，4R为4个量子化霍尔器件的串联，8R为8个量子化霍尔器件的串联，16R为16个量子化霍尔器件的串联，32R为32个量子化霍尔器件的串联，64R为64个量子化霍尔器件的串联，128R为128个量子化霍尔器件的串联，256R为256个量子化霍尔器件的串联，512R为512个量子化霍尔器件的串联，R/4为4个量子化霍尔器件的并联。
3.1KΩ高精度电阻网络电路的修调方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、通过标准工艺制备如权利要求1或2所述的1KΩ高精度电阻网络电路，测量引脚PADA和引脚PADB之间的电阻值，得出测量电阻值；
S2、相对目标1KΩ判断测量电阻值，若测量电阻值大于目标1KΩ，则烧通第一量子化霍尔器件4R至第八量子化霍尔器件512R上串联的反熔丝中的一个或一个以上用于减小电阻；
若测量电阻值小于目标1KΩ，则先烧断金属熔丝，再烧通第九量子化霍尔器件R/4至第十六量子化霍尔器件R/4上串联的反熔丝中的一个或一个以上用于增大电阻。
4.根据权利要求3所述的1KΩ高精度电阻网络电路的修调方法，其特征在于，烧断金属熔丝的电应力条件为：电压值为3v,时间为5ms；烧通反熔丝的电应力条件为：电压值为4.5v,时间为5ms。
5.根据权利要求3所述的1KΩ高精度电阻网络电路的修调方法，其特征在于，量子化霍尔器件为采用微加工技术制备的霍尔棒结构且霍尔棒结构两侧制备有欧姆接触电极。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6188092B1 (en) * 1999-01-06 2001-02-13 Nec Corporation Solid imaging device having an antifuse element and method of making the same
US20020003447A1 (en) * 2000-07-04 2002-01-10 Fujitsu Limited Trimming circuit of semiconductor integrated device
US7301436B1 (en) * 2005-11-14 2007-11-27 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for precision trimming of integrated circuits using anti-fuse bond pads
CN102323845A (zh) * 2011-06-07 2012-01-18 无锡中星微电子有限公司 修调控制电路
CN105916551A (zh) * 2014-01-16 2016-08-31 波士顿科学神经调制公司 用于根据影响电池容量的历史参数对植入式医疗设备中的电池进行充电的电路
CN107895618A (zh) * 2012-02-03 2018-04-10 罗姆股份有限公司 贴片电阻器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6188092B1 (en) * 1999-01-06 2001-02-13 Nec Corporation Solid imaging device having an antifuse element and method of making the same
US20020003447A1 (en) * 2000-07-04 2002-01-10 Fujitsu Limited Trimming circuit of semiconductor integrated device
US7301436B1 (en) * 2005-11-14 2007-11-27 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for precision trimming of integrated circuits using anti-fuse bond pads
CN102323845A (zh) * 2011-06-07 2012-01-18 无锡中星微电子有限公司 修调控制电路
CN107895618A (zh) * 2012-02-03 2018-04-10 罗姆股份有限公司 贴片电阻器
CN105916551A (zh) * 2014-01-16 2016-08-31 波士顿科学神经调制公司 用于根据影响电池容量的历史参数对植入式医疗设备中的电池进行充电的电路

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