CN102323845A - 修调控制电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种修调控制电路，其包括至少两个第一器件单元和至少一个第一器件修调开关的第一器件，其中每个第一器件修调开关的导通和截止状态确定是否将对应的第一器件单元实际用于所述第一器件；至少两个第二器件单元和至少一个第二器件修调开关的第二器件，其中每个第二器件修调开关的导通和截止状态确定是否将对应的第二器件单元实际用于所述第二器件；具有断路和短路两种状态的一个或多个修调单元；一个或多个修调检测单元，每个修调检测单元的输出端与一个第一器件修调开关和一个第二器件修调开关的控制端相连，其检测对应修调单元是断路状态还是短路状态，并由此控制对应的第一器件修调开关和第二器件修调开关的导通和截止。

Description

修调控制电路

【技术领域】

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种修调控制电路。

【背景技术】

在一些电子系统中经常会涉及到修调电路，特别是对于某些性能和参数要求很高的芯片，在大批量集成电路生产中，很多物理量很难精确控制，无法实现芯片间某些参数的差异很小。一个设计参数的例子是某个电阻值需要设计满+/-3％的精度，而实际生产过程中通常芯片之间的差异高达+/-40％，这时就需要在芯片加工完后，在晶圆级测试或成品测试时进行修调(Trim)，把原本+/-40％误差的电阻校准至+/-3％的精度。其他设计参数的例子包括电容值、电感值、电流值、振荡器工作频率、环路补偿的零点或极点频率。

目前的修调技术可以针对电阻、电阻网络或电容、电容网络等器件进行修调，其一般可以采用电阻薄膜的激光修调、熔丝烧断修调、二极管短路修调以及内嵌非挥发性存储单元修调等方法，其中熔丝烧断修调对工艺的要求相对简单，目前被广泛采用。如图1，其示出了现有技术中采用熔丝烧断修调技术的修调控制电路在一个实施例中的示意图，其中电阻R10、R11、R12...R1n分别可以由具有长和宽均相同的电阻单元串联或/并联组成，元件F10、F11...F1n为可烧断的熔丝(如金属熔丝、多晶硅熔丝或齐纳二极管等)，该修调技术可以采用将并联到电阻两端的熔丝烧断达到修调的目的，如通过修调点TPAD1和TPAD2可以将熔丝F11烧断，以将电阻R11加入到线路AB之间，但这种修调技术仅可以将电阻调大。当然，也可以将图1中的电阻分别替换成电容，这样在烧断并联到电容两端的熔丝后也可以达到修调的目的。

现有技术中对芯片上的电路进行修调的做法是针对每个需要修调的物理量分别设定修调程序和步骤，分别进行测量和修调。在进行修调前，为了达到最佳精度，首先将需要修调的电路中的物理量进行匹配，通常，集成电路生产中的一个重要特征是，许多物理量的绝对值在芯片之间差异很大，但有些物理量在同一芯片上通过一些版图设计技巧可以实现较小的相对误差，这种版图设计技巧一般被称为匹配。例如可以将需要匹配的电阻设计成等长度等宽度的电阻单元，一个具体的例子是希望一个电阻R21(其电阻值典型值为10K欧姆)和另一个电阻R22(其电阻值典型值为20K欧姆)匹配，即希望其电阻值比例准确，假设工艺中电阻方块阻值为2K欧姆/方块，则可以设计R21为25微米长、5微米宽的电阻，设计R22为两个25微米长、5微米宽的电阻段串联，并在版图上将R21放在两段R22的中间，如图2所示，并满足电阻段间的间距相等。尽管设计电阻典型值为10K欧姆，但电阻值的绝对值偏差一般在+/-40％左右，即实际加工过程以及应用环境温度变化时，可能导致其绝对值最小变到6K欧姆，最大变到14K欧姆。但通过合理的版图匹配技术可以实现R21和R22的电阻值比例变化很小，如+/-0.1％。根据这一原理，很多电路器件(比如电容、电感、晶体管等)均可以通过布局实现匹配。

图3为电流限制电路的示意图，其中I31为采样到的电流，一般为被采样电流的1/K，当I31电流在电阻R31上电压达到比较器Com1负输入端参考电压VR的电压值时，过流保护端OCP输出为高电平，表示达到电流限制，否则如果过流保护端OCP端为低电平，表示未达到电流限制。其电流限制值满足：

$\frac{1}{K}.I_{\mathrm{LIM}}.R1=\mathrm{VR}$

由此可得： $I_{\mathrm{LIM}}=K.\frac{\mathrm{VR}}{R1}$

其中，R31为电阻R31的电阻值，VR为参考电压VR的电压值，可以看成一个常量。所以电流限制的精度直接受限于电阻R31的电阻值精度。

图4为振荡器电路的示意图，其振荡频率F_S满足：

$F_s=\frac{1}{R42\·C41}$

可见振荡器振荡频率精度也直接依赖于电阻R42的电阻值精度。

如图5所示，其示出了现有技术中在一个实施例中对具有电流限制电路和振荡器电路的芯片进行修调的示意图，其中的电阻R31为图3中的电阻R31，电阻R42为图4中的电阻R42，即电阻R31的A端连接图3中的比较器的正相输入端，B端连接地，电阻R42的C端连接图4中的晶体管MN2的源极，D端连接地。电阻R31和电阻R42采用上述布局方法进行匹配使得两者的相对误差很小，其中电阻R31包括四个串联的电阻单元R31a、R31b、R31c和R31d，电阻R42包括四个串联的电阻单元R42a、R42b、R42c和R42d，其中电阻单元R31a、R31b、R31c、R31d、R42a、R42b、R42c和R42d分别与熔丝F31、F32、F33、F41、F42和F43并联。当熔丝F31、F32或F33被烧断后则将对应的电阻串到线路AB中，当熔丝F41、F42或F43被烧断后则将对应的电阻串到线路CD中。这种修调方式分别对芯片上各个电路中的修调物理量进行修调，其有多少个需要修调的物理量就需要多少个修调单元，当需要修调的物理量越多，则需要的修调单元也就越多，这样占用的芯片面积会非常大。以金属熔丝为例，每个金属熔丝至少需要一个熔丝焊盘，用于在熔烧熔丝时连接探针加电流。一般至少大于70微米×70微米的芯片面积，加上熔丝至少需要70微米×100微米以上的芯片面积。

因此有必要提出一种改进的技术方案来解决上述问题。

【发明内容】

本部分的目的在于概述本发明的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。

本发明的目的在于提供一种修调控制电路，其可以同时对多个设计参数一起修调，既节省芯片面积，又可节省测试时间，进而降低芯片成本，提供芯片的竞争力。

根据本发明的发明目的，本发明提供一种修调控制电路，其包括：第一器件，其包括有至少两个第一器件单元和至少一个第一器件修调开关，其中每个第一器件修调开关对应一个第一器件单元，根据第一器件修调开关的导通和截止状态确定是否将对应的第一器件单元实际用于所述第一器件；

第二器件，其包括有至少两个第二器件单元和至少一个第二器件修调开关，其中每个第二器件修调开关对应一个第二器件单元，根据第二器件修调开关的导通和截止状态确定是否将对应的第二器件单元实际用于所述第二器件；

一个或多个修调单元，每个修调单元具有断路和短路两种状态；

一个或多个与所述修调单元对应的修调检测单元，每个修调检测单元的输出端与一个第一器件修调开关和一个第二器件修调开关的控制端相连，每个修调检测单元检测对应修调单元是断路状态还是短路状态，并由此控制对应的第一器件修调开关和第二器件修调开关的导通和截止。

进一步的，第一器件与第二器件匹配。

更进一步的，第一器件单元和第二器件单元的类型相同，为电阻、电感、电容、晶体管中的一个。

进一步的，第二器件的各个第二器件单元之间的比值与第一器件的各对应第二器件单元之间的比值相同。

进一步的，各个第一器件单元相互串联，第一器件修调开关与对应第一器件单元并联，第一器件修调开关为导通时，将对应的第一器件单元短路，第一器件修调开关为截止时，将对应的第一器件单元实际用于所述第一器件，各个第二器件单元相互串联，第二器件修调开关与对应第二器件单元并联，第二器件修调开关为导通时，将对应的第二器件单元短路，第二器件修调开关为截止时，将对应的第二器件单元实际用于所述第二器件；或各个第一器件单元相互并联，第一器件修调开关与对应第一器件单元串联，第一器件修调开关为导通时，将对应的第一器件单元实际用于所述第一器件，第一器件修调开关为截止时，将对应的第一器件单元断路，各个第二器件单元相互并联，第二器件修调开关与对应第二器件单元串联，第二器件修调开关为导通时，将对应的第二器件单元实际用于所述第二器件，第二器件修调开关为截止时，将对应的第二器件单元断路。

进一步的，所述修调单元为金属熔丝、多晶硅熔丝或齐纳二极管。

进一步的，所述修调检测单元包括第一电流源、第二电流源、第一晶体管、第二晶体管和反向器，其中所述第一晶体管的漏极与第一电流源连接，其源极接地，所述第二晶体管的漏极与第二电流源连接，其源极与所述修调单元连接，所述修调单元的另一端接地，所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极连接，所述反向器的输入端与第二晶体管的漏极连接，其输出端则作为所述修调检测单元的输出端。

更进一步的，所述第一电流源的电流大于第二电流源的电流。

更进一步的，所述第一晶体管和第二晶体管相同。

与现有技术相比，本发明提出了一种多参数的修调控制电路，可以同时对多个设计参数一起修调，这样不仅节省的修调单元的个数，即可节省芯片面积，也可以简化测试环节中修调程序和步骤，从而节省测试时间。节省芯片面积和节省测试时间都将减小芯片成本，提高芯片的竞争力。。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：

图1为现有技术中采用熔丝烧断修调技术的修调控制电路在一个实施例中的示意图；

图2为集成电路中进行电阻匹配在一个实施例中的示意图；

图3为电流限制电路的示意图；

图4为振荡器电路的示意图；

图5为现有技术中对位于同一芯片上的电流限制电路和振荡器电路进行修调的示意图；

图6为本发明中修调控制电路在一个实施例中的结构示意图；

图7为本发明中修调检测单元与对应的修调单元在一个实施例中的电路示意图；

图8为本发明中修调控制电路中第一器件和第二器件的一个示例图；和

图9为本发明中修调控制电路中的第一器件和第二器件的另一个示例图。

【具体实施方式】

本发明的详细描述主要通过程序、步骤、逻辑块、过程或其他象征性的描述来直接或间接地模拟本发明技术方案的运作。为透彻的理解本发明，在接下来的描述中陈述了很多特定细节。而在没有这些特定细节时，本发明则可能仍可实现。所属领域内的技术人员使用此处的这些描述和陈述向所属领域内的其他技术人员有效的介绍他们的工作本质。换句话说，为避免混淆本发明的目的，由于熟知的方法和程序已经容易理解，因此它们并未被详细描述。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。此外，表示一个或多个实施例的方法、流程图或功能框图中的模块顺序并非固定的指代任何特定顺序，也不构成对本发明的限制。本文中“多个”表示两个或两个以上。

本发明提供一种修调控制电路，其通过其中一个修调单元就可以同时对多个电路中对应的物理量进行修调，大大节省了修调单元所占的芯片面积。

图6为本发明中修调控制电路600在一个实施例中的结构示意图，所述修调控制电路600包括第一器件610、第二器件620、一个或多个修调单元630以及一个或多个与所述修调单元630对应的修调检测单元640。

所述第一器件610包括n+1个第一器件单元和n个第一器件修调开关，在图6中n+1个第一器件单元分别为第一器件单元1、第一器件单元2、......、第一器件单元n和第一器件单元n+1，n个第一器件修调开关分别为第一器件修调开关1、第一器件修调开关2、......、第一器件修调开关n。第一器件修调开关1对应第一器件单元1，第一器件修调开关2对应第一器件单元2，......，第一器件修调开关n对应第一器件单元n，根据第一器件修调开关的导通和截止状态确定是否将对应的第一器件单元实际用于所述第一器件610。

所述第二器件620包括n+1个第二器件单元和n个第二器件修调开关，在图6中n个第二器件单元分别为第二器件单元1、第二器件单元2、......、第二器件单元n和第二器件单元n+1，n个第二器件修调开关分别为第二器件修调开关1、第二器件修调开关2、......、第二器件修调开关n。第二器件修调开关1对应第二器件单元1，第二器件修调开关2对应第二器件单元2，......，第二器件修调开关n对应第二器件单元n，根据第二器件修调开关的导通和截止状态确定是否将对应的第二器件单元实际用于所述第二器件620。

所述n为大于等于1的自然数，比如为1、2、3或其它。

一般的，每个器件中的器件修调开关的个数比器件单元的个数少一个，其原因是：对需要进行修调的器件的物理量而言，通常会将该物理量设置成不同的器件单元的组合，其中有一个器件单元的值会设置的比较大，不对其进行修调，而其余进行修调的(也就是与修调开关对应的)器件单元的值都相对较小。

通常情况下，为了保证第一器件610和第二器件620的同步修调，通常所述第一器件610和第二器件620需要进行布局匹配设计，此外还需要：第一器件610的各个第一器件单元之间的比值与第二器件620的各个第二器件单元之间的比值相同；第一器件610的各个第一器件单元之间的串或/和并联关系与第二器件620的各个第一器件单元之间的串或/并联关系相同；第一器件单元和第二器件单元的类型要相同，如可以均为电阻、电感、电容、晶体管中一个。

下面针对上述第一器件610和第二器件620需要匹配的前两种情况分别进行说明。

第一器件610的各个第一器件单元之间的比值与第二器件620的各个第二器件单元之间的比值相同也可以理解为：每个器件单元通常是由一个对应的修调开关控制其是否实际用于器件中，而两个器件中连接同一个修调检测电路输出端的修调开关对应的器件单元为一组器件单元，两个器件中对应的每组器件单元的比值均是相同的。

第一器件610的各个第一器件单元之间串或/和并联关系与第二器件620的各个第一器件单元之间的串或/并联关系相同也可以理解为：所有第一器件单元形成的器件网中各个第一器件单元的位置与所有第二器件单元形成的器件网中对应的各个第二器件单元的位置一一对应。

在一个实施例中，各个第一器件单元相互串联，第一器件修调开关与对应第一器件单元并联，第一器件修调开关为导通时，将对应的第一器件单元短路，第一器件修调开关为截止时，将对应的第一器件单元实际用于所述第一器件；对应的，各个第二器件单元相互串联，第二器件修调开关与对应第二器件单元并联，第二器件修调开关为导通时，将对应的第二器件单元短路，第二器件修调开关为截止时，将对应的第二器件单元实际用于所述第二器件。

在另一个实施例中，各个第一器件单元相互并联，第一器件修调开关与对应第一器件单元串联，第一器件修调开关为导通时，将对应的第一器件单元实际用于所述第一器件，第一器件修调开关为截止时，将对应的第一器件单元断路；对应的，各个第二器件单元相互并联，第二器件修调开关与对应第二器件单元串联，第二器件修调开关为导通时，将对应的第二器件单元实际用于所述第二器件，第二器件修调开关为截止时，将对应的第二器件单元断路。

综上所述，所述第一器件单元或第二器件单元还可以通过串联和并联的形式形成一个混合的器件网，而控制串联的器件单元时，对应的修调开关与之并联，此时，修调开关短路则可以将对应的串联的器件单元短路，而修调开关断路则可以将对应的串联的器件单元实际用于对应的器件中；控制并联的器件单元时，对应的修调开关与之串联，此时，修调开关短路则可以将对应的串联的器件单元实际用于对应的器件中，而修调开关断路则对应的串联的器件单元断路。

所述每个修调单元630具有断路和短路两种状态，与每个修调单元630对应的修调检测单元640的输出端与一个第一器件修调开关和一个第二器件修调开关的控制端相连，每个修调检测单元640检测对应修调单元是断路状态还是短路状态，并由此控制对应的第一器件修调开关和第二器件修调开关的导通和截止。

通过上述的连接和控制关系，可以得知：所述每个修调单元同时控制第一器件和第二器件中对应的修调开关，从而实现共享调控。

其中的所述修调检测单元640可以有多种方式实现，较优的可参见图7所示，其为本发明中修调检测单元与对应的修调单元在一个实施例中的电路示意图。所述修调检测单元包括第一电流源I71、第二电流源I72、第一晶体管MN71、第二晶体管MN72和反向器INV71，其中所述修调检测单元中的各个元件之间以及与修调单元F71之间的连接关系为：所述第一晶体管MN71的漏极与第一电流源I71连接，其源极接地，所述第二晶体管MN72的漏极与第二电流源I72连接，其源极与所述修调单元F71连接，所述修调单元F71的另一端接地，所述第一晶体管MN71的栅极和第二晶体管MN72的栅极连接，所述反向器INV71的输入端与第二晶体管MN72的漏极连接，其输出端则作为所述修调检测单元的输出端T71；所述第一电流源I71的电流大于第二电流源I72的电流，第一晶体管MN71和第二晶体管MN72相同，即两个晶体管的长度和宽带相等，所述两个晶体管可以同为NMOS管。所述修调单元可以采用金属熔丝、多晶硅熔丝或齐纳二极管来实现。

由上述电路连接可知：当所述修调单元F71未烧断时，即所述修调单元F71短路，所述第一晶体管MN71和第二晶体管MN72构成电流镜，其电流相等，所述第二晶体管MN72的电流大于电流源I72的电流，A点为低电平，此时反向器INV71的输出端(即所述修调检测单元的输出端T71)输出的修调信号为高电平；而当所述修调单元F71熔断后，即所述修调单元F71断路，A点被电流源I72拉高，此时反向器INV71的输出端输出的修调信号为低电平。

这样，与所述修调检测单元的输出端T71连接的第一器件和第二器件中的修调开关就可以在上述输出端T71的修调信号的控制下进行导通或截止。在一个实施例中，在修调信号T71为高电平时，对应的第一器件修调开关和第二器件修调开关分别处于导通状态，而当修调信号T71变换为低电平时，所述第一器件修调开关和第二器件修调开关分别变为截止状态。在另一个实施例中，在修调信号T71为低电平时，对应的第一器件修调开关和第二器件修调开关分别处于导通状态，而当修调信号T71变换为高电平时，所述第一器件修调开关和第二器件修调开关分别变为截止状态。

图8为本发明中修调控制电路中的第一器件和第二器件的一个示例图，其包括三个修调检测单元的输出端T1、输出端T2和输出端T3，第一器件810以及第二器件820，其中所述第一器件810包括相互串联的第一器件单元R1a、第一器件单元R1b、第一器件单元R1c和第一器件单元R1d以及第一修调开关S1、第一修调开关S2和第一修调开关S3，所述第二器件820包括相互串联的第二器件单元R2a、第二器件单元R2b、第二器件单元R2c和第二器件单元R2d以及第二修调开关S21、第二修调开关S22和第二修调开关S23。此示例为所述n等于3，器件类型为电阻，器件单元之间为串联关系，器件单元和器件单元修调开关为并联关系的一个示例。图中各个输出端、器件单元和修调开关的具体连接为：所述输出端T1分别与所述第一修调开关S1的控制端和第二修调开关S21的控制端连接，所述第一修调开关S1与第一器件单元R1b并联，第二修调开关S21与第二器件单元R2b并联；所述输出端T2分别与所述第一修调开关S2的控制端和第二修调开关S22的控制端连接，所述第一修调开关S2与第一器件单元R1c并联，第二修调开关S22与第二器件单元R2c并联；所述输出端T3分别与所述第一修调开关S3的控制端和第二修调开关S23的控制端连接，所述第一修调开关S3与第一器件单元R1d并联，第二修调开关S23与第二器件单元R2d并联。

在实际应用中，为了实现最佳的修调效果，通常首先需要对同一芯片上需要进行修调的电路中的物理参数(即上述的器件)进行匹配设置，将每个物理参数设置成由基本单位的物理参数并联或/和串联形成的共心的物理量。由于对同一个芯片来讲，每个电路的同一个物理参数需要调节的方向相同，如需要将其调大或调小，为了保证调整的一致性以及调整后的精确度，通常可以将需要共享调整的物理参数匹配成比值相同的物理量的版图。然后针对布置后的电路，则可以通过上述修调控制电路对其进行共享修调。也就是说，各个器件单元可以通过基本器件单元进行串联或/和并联以得到上述的比值，如图8中对第一器件810和第二器件820中的器件单元进行匹配后可得到R1a∶R1b∶R1c∶R1d＝R2a∶R2b∶R2c∶R2d，其中R1a、R1b、R1c和R1d分别为器件单元R1a、R1b、R1c和R1d的值，R2a、R2b、R2c和R2d分别为器件单元R2a、R2b、R2c和R2d的值。

通过上述连接和匹配的设置即可以进行共享修调，如：输出端T1的修调信号为高电平时，第一修调开关S1和第二修调开关S21同时导通，将第一器件单元R1b和第二器件单元R2b均短路，从而第一器件810和第二器件820中的器件的值均减小；而当输出端T1的修调信号为低电平时，第一修调开关S1和第二修调开关S21同时截止，将第一器件单元R1b和第二器件单元R2b实际用于第一器件810和第二器件820中，依此类推。

在一个实施例中，可以对图3和图4中电阻R31和R42进行匹配，将电阻R31匹配成图8中串联的电阻R1a、R1b、R1c和R1d，将电阻R42匹配成图8中串联的电阻R2a、R2b、R2c和R2d，其匹配满足R1a∶R1b∶R1c∶R1d＝R2a∶R2b∶R2c∶R2d，其中R1a、R1b、R1c和R1d分别为电阻R1a、R1b、R1c和R1d的阻值，R2a、R2b、R2c和R2d分别为电阻R2a、R2b、R2c和R2d的阻值这样可以对电阻R31和R42同时进行调大或调小。修调时可以通过测量电流限制值，修调电流限制值来同时实现对振荡器频率精度的提高；也可以通过测量电流限制电路中R1电阻值来修调电流限制值，同时提高振荡器频率精度。反之，则可以通过测量振荡器中电阻R2的电阻值来实现对振荡频率的修调，同时提高电流限制值的精度。

比较图5和图8可知，本发明中提出的可共享修调的修调控制系统与现有技术相比，其仅使用了一半的修调单元就达到修调的目的。

易于思及的是，所述修调控制电路除了可以包括上述的第一器件和第二器件，还可以包括与之相匹配的更多器件，而需要共享修调的各个器件的各个器件单元之间的比值均匹配成相同，且各个器件中对应的每个器件单元的修调开关的控制端均连接同一个修调控制单元的输出端。显然，对于同一个芯片需要修调的n个器件来讲，采用本发明的技术需要的修调单元的个数仅为现有技术修调单元个数的1/n。也就是说，同一个芯片上需要修调的器件越多，与现有技术的相比，需要的修调单元则相对越少，在实际应用中，同一个芯片需要修调的电路可能会很庞大，而本发明提出的修调控制系统则能大大减少修调单元所占的芯片面积，很大程度上节省了成本。本发明中虽增加了少量控制电路，其消耗芯片面积很小，对于0.5微米工艺，每个修调数位一般小于20微米×10微米面积。另外进行修调的测试时间也减小一半。

在实际应用中，还可以将上述的器件单元换成其他物理量以进行修调，如通过修调电容来修调电路，可参见图9所示，其将电容C91匹配成电容相互串联的电容C1a、C1b、C1c和C1d，将电容C92匹配成电容相互串联的电容C2a、C2b、C2c和C2d，且匹配满足：C1a∶C1b∶C1c∶C1d＝C2a∶C2b∶C2c∶C2d。

值得注意的是，除了对上述提及的电阻和电容，还可以对很多其他物理量进行修调，只要共享修调的物理量中包含相同类型的物理参数即可，如可同时修调的物理量有：电阻(R)，基于V/R的电流，基于I·R的电压，基于R·C的振荡频率，基于R·C的用于环路相位补偿的零点频率，基于R·C的用于环路相位补偿的极点频率，基于R·C的滤波器截止频率，基于I²·R的功率等，这些物理量中都包含了相同类型的物理参数电阻。

上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式。需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述具体实施方式。

Claims (9)

1.一种修调控制电路，其特征在于，其包括：

第一器件，其包括有至少两个第一器件单元和至少一个第一器件修调开关，其中每个第一器件修调开关对应一个第一器件单元，根据第一器件修调开关的导通和截止状态确定是否将对应的第一器件单元实际用于所述第一器件；

第二器件，其包括有至少两个第二器件单元和至少一个第二器件修调开关，其中每个第二器件修调开关对应一个第二器件单元，根据第二器件修调开关的导通和截止状态确定是否将对应的第二器件单元实际用于所述第二器件；

一个或多个修调单元，每个修调单元具有断路和短路两种状态；

一个或多个与所述修调单元对应的修调检测单元，每个修调检测单元的输出端与一个第一器件修调开关和一个第二器件修调开关的控制端相连，每个修调检测单元检测对应修调单元是断路状态还是短路状态，并由此控制对应的第一器件修调开关和第二器件修调开关的导通和截止。

2.根据权利要求1所述的修调控制电路，其特征在于：第一器件与第二器件匹配。

3.根据权利要求2所述的修调控制电路，其特征在于：第一器件单元和第二器件单元的类型相同，为电阻、电感、电容、晶体管中的一个。

4.根据权利要求2所述的修调控制电路，其特征在于：第二器件的各个第二器件单元之间的比值与第一器件的各对应第二器件单元之间的比值相同。

5.根据权利要求4所述的修调控制电路，其特征在于：

各个第一器件单元相互串联，第一器件修调开关与对应第一器件单元并联，第一器件修调开关为导通时，将对应的第一器件单元短路，第一器件修调开关为截止时，将对应的第一器件单元实际用于所述第一器件，各个第二器件单元相互串联，第二器件修调开关与对应第二器件单元并联，第二器件修调开关为导通时，将对应的第二器件单元短路，第二器件修调开关为截止时，将对应的第二器件单元实际用于所述第二器件；或

各个第一器件单元相互并联，第一器件修调开关与对应第一器件单元串联，第一器件修调开关为导通时，将对应的第一器件单元实际用于所述第一器件，第一器件修调开关为截止时，将对应的第一器件单元断路，各个第二器件单元相互并联，第二器件修调开关与对应第二器件单元串联，第二器件修调开关为导通时，将对应的第二器件单元实际用于所述第二器件，第二器件修调开关为截止时，将对应的第二器件单元断路。

6.根据权利要求1所述的修调控制电路，其特征在于：所述修调单元为金属熔丝、多晶硅熔丝或齐纳二极管。

7.根据权利要求1所述的修调控制电路，其特征在于：所述修调检测单元包括第一电流源、第二电流源、第一晶体管、第二晶体管和反向器，其中所述第一晶体管的漏极与第一电流源连接，其源极接地，所述第二晶体管的漏极与第二电流源连接，其源极与所述修调单元连接，所述修调单元的另一端接地，所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极连接，所述反向器的输入端与第二晶体管的漏极连接，其输出端则作为所述修调检测单元的输出端。

8.根据权利要求7所述的修调控制电路，其特征在于：所述第一电流源的电流大于第二电流源的电流。

9.根据权利要求8所述的修调控制电路，其特征在于：所述第一晶体管和第二晶体管相同。

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