CN104750162B - 参考电压产生电路及一种参考电压校准方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种参考电压产生电路及一种参考电压校准方法。所述参考电压产生电路包括至少一个电阻单元、开关单元及选通单元；所述电阻单元包括若干串联的电阻元件，适于根据输入电流和所述电阻单元的输出电阻提供所述电阻单元的匹配电压；所述开关单元包括开关元件，所述开关元件与对应电阻元件并联并形成开关阵列，当所述开关元件闭合，其所对应电阻元件被短接以输出对应电阻单元的输出电阻；所述选通单元对应所述开关元件，适于根据输入的选址信号被选通，所述选址信号与所述开关阵列中开关元件的地址信息相关；所述开关元件适于在对应选通单元被选通时改变初始状态。本发明能够调节电阻单元的输出电压，提供更为准确的参考电压。

Description

参考电压产生电路及一种参考电压校准方法

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种参考电压产生电路及一种参考电压校准方法。

背景技术

参考电压在集成电路领域是必不可少的一种参数，参考电压产生电路是否能够提供精确的参考电压是极为重要的。

通常，集成电路领域中利用参考电压的机制系统，如图1所示，包括：

参考电压产生电路1，为一带隙基准源，适于产生至少一个基本的且对电源电压、生产工艺和工作温度都不敏感的参考电压vr；

低通滤波电路2，适于对参考电压进行滤波；

电压电流转换电路3，适于根据经滤波的参考电压输出器件电流It；

电平移位电路4，适于根据所述经滤波的参考电压产生所需的器件电压Vt。

上述参考电压的机制系统中，参考电压vr被适于转换为器件电流It和器件电压Vt。

图2所示的是一种现有技术的参考电压产生电路(也为一带隙基准源)，包括：运算放大器op、第一双极性晶体管q1、第二双极性晶体管q2、第一电阻r1、第二电阻r2和第三电阻r3。该参考电压产生电路基于双极性晶体管基极(B)、发射极(E)的负温度系数和热电压(kT/q)的正温度系数进行工作，整个电路的工作原理是：由于运算放大器op具有很高的直流电压增益，使通过第一电阻r1和第二电阻r2的电压相同，通过的电流(i1、i2)反比于电阻值的大小，设第一双极性晶体管q1和第二双极性晶体管q2尺寸相同，双极性晶体管的EB结的电压差ΔV_BE就是：

$\mathrm{\Δ}{V}_{\mathrm{BE}}=V_T\·\mathrm{In}\left(\frac{i1}{i2}\right)=V_T\·\mathrm{In}\left(\frac{r2}{r1}\right)--------\left(1\right)$

由于第一电阻r1上的电压V_r1和第二电阻r2上的电压V_r2相同，因此：

$V_{r1}=V_{r2}=\frac{\text{r2}}{r3}\·\mathrm{\Δ}{V}_{\mathrm{BE}}=\frac{r2}{r3}\·V_T\·\mathrm{In}\left(\frac{r2}{r1}\right)----\left(2\right)$

此时，可得：

$\mathrm{vr}=\mathrm{\Δ}{V}_{\mathrm{BE}}+V_{r2}={\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{BE}}+\frac{r2}{r3}\·V_T\·\mathrm{In}\left(\frac{r2}{r1}\right)--\left(3\right)$

式(1)至(3)中，V_T为热电压(kT/q，～26mV at300K)。从上面的推导可以看出，参考电压vr(输出电压)是由负温度系数的基极集电极电压ΔV_BE和正温度系数的热电压决定的。如果选定合适的第一电阻r1和第二电阻r2的大小，就可以得到零温漂的参考电压。

但是，现有技术参考电压产生电路所产生的参考电压不可调，无法保证输出参考电压的精确度，会影响基于所述参考电压的各种应用电路的稳定性。

发明内容

本发明技术方案所解决的技术问题为：提供一种可调节参考电压的参考电压产生电路，为基于所述参考电压的应用电路提供更为准确的参考电压。

为了解决上述技术问题，本发明技术方案提供了一种参考电压产生电路，包括：至少一个电阻单元、开关单元及选通单元；

所述电阻单元包括若干串联的电阻元件，适于根据输入电流和所述电阻单元的输出电阻提供所述电阻单元的匹配电压；

所述开关单元包括开关元件，所述开关元件与对应电阻元件并联并形成开关阵列，当所述开关元件闭合，其所对应电阻元件被短接以输出对应电阻单元的输出电阻；

所述选通单元对应所述开关元件，适于根据输入的选址信号被选通，所述选址信号与所述开关阵列中开关元件的地址信息相关；所述开关元件适于在对应选通单元被选通时改变初始状态。

可选的，所述电阻单元有N个，其中，第一个电阻单元的一端接地，另一端连接至后一个电阻单元；所述第二至第(N-1)个电阻单元的一端连接至前一个电阻单元，另一端连接至后一个电阻单元；所述第N个电阻单元的一端连接至所述输入电流，另一端连接至前一个电阻单元；N为大于或等于2的自然数。

可选的，第n个电阻单元的输出电阻为第一至第n个电阻单元的等效电阻之和，n为小于或等于N的自然数。

可选的，所述电阻元件包括第一类电阻元件和第二类电阻元件，所述开关元件的对应电阻元件为第二类电阻元件；所述电阻单元的等效电阻为所述第一类电阻元件和未被短接的第二类电阻元件的电阻之和。

可选的，所述电阻单元内：所述第二类电阻元件有多个，所述第一类电阻元件的电阻权重大于第二类电阻元件的电阻权重，所述第二类电阻元件之间的电阻权重依次减小。

可选的，所述开关阵列的数目与所述电阻单元的数目相同，所述电阻元件所对应的开关元件形成对应所述电阻单元的开关阵列；

一个开关阵列的开关元件所对应选通单元连接至对应选址信号，所述对应选址信号与该开关阵列中开关元件的地址信息相关。

可选的，所述电阻单元内：所述第二类电阻元件的数目为M，M=2^m，其中，m为大于或等于1的自然数；

所述对应选址信号为m位二进制代码信号，一种二进制代码的组合控制对应选通单元的选通情况。

可选的，所述参考电压产生电路还包括：与开关阵列配对译码单元；

所述译码单元包括对应每一位二进制代码的输入端和若干输出端，所述输出端根据所述二进制代码的组合输出选通信号至对应该开关阵列选通单元，以控制选通单元的选通情况；

一个开关阵列的开关元件所对应选通单元和该开关阵列的译码单元集成为功能模块。

可选的，仅设置有一开关阵列，所述电阻元件所对应的开关元件形成所述开关阵列。

可选的，所述第二类电阻元件的数目为K，K=2^k，其中，k为大于或等于1的自然数；

所述对应选址信号为k位二进制代码，一种二进制代码的组合控制对应选通单元的选通情况。

可选的，所述参考电压产生电路还包括：与开关阵列配对的译码单元；

所述译码单元包括对应每一位二进制代码的输入端和若干输出端，所述输出端根据所述二进制代码的组合输出选通信号至对应选通单元，以控制选通单元的选通情况；

所述选通单元和译码单元集成为功能模块。

可选的，所述选通单元为熔丝单元，所述熔丝单元由熔丝元件和熔丝状态读写电路组成。

可选的，所述开关元件包括控制端；所述选通单元适于在被选通时对所述熔丝元件进行熔丝操作并输出有效电平至对应开关元件的控制端；所述有效电平是所述熔丝状态读电路读取烧断的熔丝元件得到的，对应所述开关元件的初始状态，所述有效电平为高电平或低电平。

为了解决上述技术问题，本发明技术方案还提供了一种参考电压校准方法，基于上述参考电压产生电路，该方法包括：

检测所述电阻单元的输出电压；

当所述电阻单元的输出电压与所述电阻单元的匹配电压具有电压差时，输入所述选址信号以调整所述电阻单元的输出电阻；

基于调整后的电阻单元的输出电阻，提供所述电阻单元的输出电压。

可选的，所述输入所述选址信号以调整所述电阻单元的输出电阻包括：

根据所述电阻单元内电阻元件所占电阻权重和所述电压差，获得待被调整的电阻元件所对应开关元件的开关阵列地址；

基于所述待被调整的电阻元件所对应开关元件的开关阵列地址形成所述选址信号；

输入所形成的选址信号。

本发明技术方案的有益效果至少包括：

本发明技术方案不同于现有技术，设置至少一个电阻单元以实现电阻元件的串联及选择接入，从而通过调节电阻单元的输出电阻，获取与电阻单元对应的匹配电压。电阻单元中电阻元件的选择接入是通过与电阻元件对应的开关元件控制实现的，开关元件的闭合与选通单元的选通与否相关，选通单元的选通基于输入的选址信号。本发明技术方案建立了输入的选址信号与电阻单元电阻接入的调节关系，从而可调整电阻单元的输出电压，也即参考电压。基于上述，本发明技术方案能够提供更为精确的参考电压，有利于应用电路的稳定性。

在可选方案中，本发明技术方案还提供了多输出的一种参考电压产生电路的类型。该方案能够基于不同应用电路所需，同时输出多个不同数值的参考电压，满足各类应用电路的基准需求并可同时进行多输出中各参考电压的调节。

另外，基于多输出的参考电压产生电路，本发明技术方案还能够通过设置电阻元件中电阻元件的类别及电阻权重，并基于对应所述电阻单元的开关阵列，对相邻输出的参考电压进行调整；这种调整方式能够依附相邻输出参考电压的调整参数，实现多个参考电压的精确度的提高，并有利于集成化，减小芯片面积和电路复杂度。

特别是，基于多输出的参考电压产生电路，对电阻单元设置各类电阻元件的权重比，以及第二类电阻元件之间递减的权重比，可以避免调整对应电阻单元输出电压时叠加的舍入误差，有利于进一步提高输出参考电压的精准性和稳定性。

在可选方案中，所述开关阵列可以对应一个电阻单元，此时所述选址信号有多个，分别对开关阵列进行控制；所述开关阵列还可以对应多个电阻单元，此时所述选址信号仅为一个，有利于简化开关的控制关系，进一步减小芯片面积。可以将选址信号中的一位代码对应一个开关元件的开关动作，有利于控制电路的集成化管理。

本发明技术方案还将对应开关元件的选通单元集成于模块中，并对该模块输入选址信号；此时，对应仅一个开关阵列的电路设置，该模块引入选址信号的引脚数目可以大大减少，便于电路设计的紧密性和安全性。

附图说明

图1为现有技术的一种引用参考电压的机制系统结构示意图；

图2为现有技术的一种参考电压产生电路的结构示意图；

图3为本发明技术方案实施例1提供的一种参考电压产生电路的结构示意图；

图4为本发明技术方案实施例2提供的一种参考电压产生电路的结构示意图；

图5为本发明技术方案实施例3提供的一种参考电压产生电路的结构示意图；

图6为本发明技术方案实施例4提供的一种参考电压产生电路的结构示意图；

图7为本发明技术方案实施例5提供的一种参考电压产生电路的结构示意图；

图8为本发明技术方案实施例6提供的一种参考电压产生电路的结构示意图；

图9为本发明技术方案实施例7提供的一种参考电压产生电路的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、特征和效果能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

实施例1

如图3所示的一种参考电压产生电路10，包括电阻单元100、开关单元101及选通单元(102至105)。本实施例的参考电压产生电路10仅包括一个电阻单元100。

电阻单元100内包括有多个串联的电阻元件(R01至R05)，电阻单元100适于根据输入电流I1和输出电阻输出参考电压V1。参考电压V1是所述输出电阻和输入电流I1的乘积，当输出电阻和输入电流I1匹配，此时获得的参考电压V1为所述电阻单元的匹配电压。

上述输入电流I1由正温度系数的第一分电流和负温度系数的第二分电流构成，可以认为所述输入电流I1是第一分电流和第二分电流之和。输入电流I1可以由参考电压产生电路的内部设备提供，也可以由外部设备提供，本实施例并未限定上述输入电流I1的来源。本实施例的输出电阻为接入的电阻元件之和。当所述电阻单元的输出电阻与所述输入电流在温度系数上匹配且输出电阻的阻值适宜，可认为所述输出电阻和输入电流I1匹配。

继续参考图3，开关单元101包括开关元件(K01至K04)，其中，开关元件K01与电阻元件R01对应且并联于电阻元件R01两端，开关元件K02与电阻元件R02对应且并联于电阻元件R02两端，开关元件K03与电阻元件R03对应且并联于电阻元件R03两端，开关元件K04与电阻元件R04对应且并联于电阻元件R04两端。开关元件K01、开关元件K02、开关元件K03及开关元件K04形成开关阵列s0。

从上述结构可知，当开关元件(K01至K04)闭合，其所对应的电阻元件(R01至R04)被短接，这时，电阻单元100的输出电阻会被改变。比如，开关阵列s0中，开关元件K01闭合，此时，电阻元件R01被短接，电阻单元100的输出电阻为电阻R02至R05之和。

上述开关元件可以用传输门实现，也可以用晶体管实现，本实施例并未限定开关元件的具体实现方式，而在本发明技术方案的其他实施例中，则采用MOS场效应晶体管实现所述开关元件。

基于上述电阻元件及开关元件的对应关系，继续参考图3：

选通单元102与开关元件K01对应，选通单元102的一端连接至控制信号Vs、另一端连接至所述开关元件K01的控制端；

选通单元103与开关元件K02对应，选通单元103的一端连接至控制信号Vs、另一端连接至所述开关元件K02的控制端；

选通单元104与开关元件K03对应，选通单元104的一端连接至控制信号Vs、另一端连接至所述开关元件K03的控制端；

选通单元105与开关元件K04对应，选通单元105的一端连接至控制信号Vs、另一端连接至所述开关元件K04的控制端。

选通单元102至105适于根据输入的选址信号F0被选通并进行熔丝操作，当选通单元(102至105)被选通，选通单元输出开关信号，对应开关元件(K01至K04)的控制端接收到所述开关信号便闭合或断开，开关元件所对应的电阻元件(R01至R04)被短接或被接入电路，其中，可以对开关元件(K01至K04)设置默认的开闭状态：当开关元件的默认状态为闭合时，其所对应选通单元被选通时输出为低电平的开关信号，此时该开关元件断开；当开关元件的默认状态为断开时，其所对应选通单元被选通时输出为高电平的开关信号，此时该开关元件闭合。

选通单元102至105可以被集成，并统一由输入的选址信号F0被选通，所述选址信号F0可以由多个位的信号形成，每一位的信号对应控制一个选通单元的选通情况。由于选通单元的地址信息是和开关元件的地址信息对应的，且选通单元的选通目的是为了控制开关阵列中开关元件的开闭情况，因此，可认为所述选址信号与所述开关阵列中开关元件的地址信息相关。比如，在本实施例中，选通单元有四个，因此，选址信号F0为四位信号，即：

F0=“f4f3f2f1”；

可以对信号位f4、f3、f2及f1进行二进制码赋值，以输入所述选址信号，比如用“0000”二进制码的选址信号表示开关元件K01至K04的全部断开，用“0010”二进制码的选址信号表示开关元件K01、K03和K04的断开、开关元件K02的闭合。

选址信号F0的赋值输入控制，能够实现电阻单元100输出电阻的调制，从而调节输出的参考电压V1，从而达到电阻单元100的匹配电压。

选通单元还可以通过控制信号R/W，进行熔丝操作，以便于选通控制：其中，当控制信号为写操作信号W时，选通单元根据所述选址信号定位到对应熔丝元件，进行熔丝操作以进行开关选通，控制信号为写操作信号W的过程为参考电压调制的过程，以输出准确、匹配的参考电压V1；当控制信号为读操作信号R时，选通单元保持读取所述熔丝状态，此时，参考电压V1持续输出状态。

对应开关元件的不同默认及选中的动作状态，其选通单元具体可以是熔丝单元(比如电子熔丝单元)，所述熔丝单元由熔丝元件和熔丝状态读写电路组成。在控制信号为写操作信号W时，选通单元接收到选址信号，对所定位熔丝元件进行熔丝操作、使之熔断，当所述控制信号R/W为读操作信号R时，所述熔丝单元输出有效电平至对应开关元件的控制端从而连通或关断对应开关元件：

其中，若开关元件默认状态为导通、而被选中且熔丝操作后为关断，则所述熔丝单元输出的有效电平为低电平，所述低电平使该开关元件从初始状态的导通变为关断；

若开关元件默认状态为关断、而被选中且熔丝操作后为导通，则所述熔丝单元输出的有效电平为高电平，所述高电平使该开关元件从初始状态的关断变为导通。在本实施例中可认为，所述选通单元被选通则该选通单元进行所述熔丝操作。

所述有效电平是所述熔丝状态读电路读取烧断的熔丝元件得到的，可以认为，当所述熔丝状态读电路读取到的烧断的熔丝元件的电平为高电平，该熔丝状态读电路仅包括输出节点或至少一对反相器，而当所述熔丝状态读电路读取到的烧断的熔丝元件的电平为低电平，该熔丝状态读电路包括奇数个的反相器。

实施例2

本实施例基于实施例1，提供了一种如图4所示的参考电压产生电路20，与实施例1的不同之处在于：

所述开关元件利用开关晶体管实现；

参考电压产生电路20还包括电流单元106，电流单元106适于提供所述输入电流I1。参考图4，电流单元106包括：电流镜单元61、运算放大器单元62、第一电阻63、第二电阻64、第三电阻65、第一双极性晶体管T1及第二双极性晶体管T2；

电流镜单元61包括第一节点610、第二节点611、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2及第三PMOS管P3，所述第一PMOS管P1、第二PMOS管P2及第三PMOS管P3的栅极相连至第一节点610、源极相连至第二节点611，第二节点611连接至电源电压VDD，所述第三PMOS管P3的漏极输出所述输入电流I1；

运算放大器单元62包括正向输入端620、负向输入端621及运放输出端622，正向输入端620连接至所述第一PMOS管P1的漏极，负向输入端621连接至所述第二PMOS管P2的漏极，运放输出端622连接至第一节点610；

第一双极性晶体管T1的基极和集电极相连以形成二极管连接，第二双极性晶体管T2的基极和集电极相连以形成二极管连接，第一双极性晶体管T1的发射极通过第一电阻63连接至负向输入端621、集电极接地，第二双极性晶体管T2的发射极连接至正向输入端620、集电极接地；

第二电阻64的一端连接至负向输入端621、另一端接地；

第三电阻65的一端连接至正向输入端620、另一端接地。

所述电流单元106能够为参考电压产生电路20提供所述输入电流I1。

除此以外，本实施例的参考电压产生电路20对选通单元102至105进行了集成，选通单元102至105通过译码单元107获取所述选址信号，选址信号输入过程得到了简化。

所述译码单元107主要连接了选址信号F1和选通单元102至105。选址信号F1不同于实施例1，其实现了对应选通单元102至105的译码过程。选通单元102至105基于经译码后的选址信号F1被选通。本实施例中，基于译码单元107，选址信号F1的位数相较于选址信号F0被大大减少了：

选址信号F1为两位信号，即：

F1=“f2f1”；

其中，信号f1和信号f2分别输入至译码单元107的两个输入端，对选址信号F1进行译码，并基于译码信息反馈至对应选通单元(102至105)，以控制对应选通单元的选通情况。

例如，设对于电阻元件R01至R04之间的权重配比，后一个电阻的权重是前一个电阻的两倍，并令开关元件K01至K03的默认开关状态为断开，开关元件K04的默认开关状态为闭合，则当选通单元102至105接收到控制信号R/W为写操作信号W：

若接收到的选址信号F1为“00”，则对选通单元102的熔丝元件进行熔丝操作，当所述控制信号R/W为读操作信号R时，熔丝状态读电路读取烧断的熔丝元件为高电平，此时选通单元102输出高电平，开关元件K01闭合；

若接收到的选址信号F1为“01”，则对选通单元103的熔丝元件进行熔丝操作，当所述控制信号R/W为读操作信号R时，熔丝状态读电路读取烧断的熔丝元件为高电平，此时选通单元103输出高电平，开关元件K02闭合；

若接收到的选址信号F1为“10”，则对选通单元104的熔丝元件进行熔丝操作，当所述控制信号R/W为读操作信号R时，熔丝状态读电路读取烧断的熔丝元件为高电平，此时选通单元104输出高电平，开关元件K03闭合；

若接收到的选址信号F1为“11”，则对选通单元105的熔丝元件进行熔丝操作，当所述控制信号R/W为读操作信号R时，熔丝状态读电路读取烧断的熔丝元件为低电平，此时选通单元105输出低电平，开关元件K04断开。

实施例3

本实施例提供了一种如图5所示的参考电压产生电路30，基于实施例1所述的参考电压产生电路，还包括实施例2所述的电流单元106。

实施例4

本实施例提供了一种如图6所述的参考电压产生电路40，基于实施例1所述的参考电压产生电路，还包括第一模块，所述第一模块是由选通单元102至105及实施例2所述的译码单元107集成的。

其中，所述开关元件利用MOS场效应晶体管实现。

实施例5

本实施例提供了一种如图7所述的参考电压产生电路50，包括电阻单元11、电阻单元12、电阻单元13、开关单元21、开关单元22、开关单元23、选通单元311至314、选通单元321至324、选通单元331至334、译码单元41至43。

本实施例的参考电压产生电路50包括多个电阻单元(11至13)及多个开关单元(21至23)，开关单元与电阻单元对应。

开关单元21与电阻单元11对应设置，电阻单元11适于根据输入电流I1和电阻单元11的输出电阻，提供参考电压V1。电阻单元11包括串联的电阻元件R11至R15，开关单元21包括开关元件K11至K14；一个电阻单元内的电阻元件可分为两类，即第一类电阻元件和第二类电阻元件，其中，第一类电阻元件始终被接入电路，而为电阻单元的输出电阻做贡献，而第二类电阻元件是用以调整输出电阻的，其对开关元件对应，并通过对应的开关元件被控制接入电路或被短接。对应图7，电阻元件R11至R14为第二类电阻元件，其中，开关元件K11并联于电阻元件R11两端，开关元件K12并联于电阻元件R12两端，开关元件K13并联于电阻元件R13两端，开关元件K14并联于电阻元件R14两端。

参考电压V1是电阻单元11输出电阻和输入电流I1的乘积，当电阻单元11的输出电阻和输入电流I1匹配，此时获得的参考电压V1为电阻单元11的匹配电压。类似实施例1，本实施例的输入电流I1也是由正温度系数的第一分电流和负温度系数的第二分电流构成，可以认为所述输入电流I1是第一分电流和第二分电流之和。输入电流I1可以由参考电压产生电路的内部设备提供，也可以由外部设备提供，本实施例也不限定上述输入电流I1的来源。

本实施例中电阻单元11的输出电阻为电阻单元11的等效电阻，电阻单元11的等效电阻为电阻单元11内第一类电阻元件(R15)和被接入电路的第二类电阻元件的阻值之和。第二类电阻元件是否被接入由第二类电阻元件对应的开关元件是否闭合决定。当电阻单元11的输出电阻与输入电流I1在温度系数上匹配且输出电阻的阻值适宜，可认为电阻单元11输出电阻和输入电流I1匹配。

从上述分析可知，当开关元件(K11至K14)选择闭合，其所对应的第二类电阻元件(R11至R14)被短接，这时，电阻单元11的输出电阻被改变，可以基于上述这种关系，利用实施例1所述的方式，利用选通单元311至314对开关元件K11至K14进行控制，以获取能匹配的电阻单元11的输出电阻。

开关元件K11至K14形成开关阵列s1。选通单元311至314适于根据输入的选址信号F1被选通，选址信号F1控制对应选通单元的选通情况，由于选通单元的地址信息是和开关元件的地址信息对应的，且选通单元的选通目的是为了控制开关阵列中开关元件的开闭情况，因此，可认为选址信号F1与开关阵列s1中开关元件的地址信息相关。类似实施例2，信号F1在本实施例为2位的二进制编码信号，译码单元41连接了选址信号F1和选通单元311至314，译码单元41实现了选址信号F1相应地控制选通单元311至314选通的译码过程。选通单元311至314基于经译码后的选址信号F1改变选通状态。具体的，选址信号F1为两位信号，即：

F1=“f2f1”；

其中，信号f1和信号f2分别输入至译码单元41的两个输入端，译码单元41对选址信号F1进行译码，并基于译码信息反馈至对应选通单元(311至314)，以控制对应选通单元的选通情况。比如，基于电阻元件R11至R14之间的权重配比关系，设开关元件K11至K13的默认开关状态为断开，开关元件K14的默认状态为导通，而选通单元仍如实施例1所述为熔丝单元，所述熔丝单元由熔丝元件和熔丝状态读写电路组成:

当控制信号R/W为写操作信号W且译码单元41接收到的选址信号F1为“01”时，选通单元312被选通，此时，选通单元312对其熔丝元件进行熔丝操作；当所述控制信号R/W为读操作信号R时，熔丝状态读电路读取烧断的熔丝元件为高电平，此时选通单元312输出高电平至开关元件K12的控制端，开关元件K12导通，电阻元件R12被短接。此时，电阻单元11的等效电阻为电阻元件R11、R13至R15之和。

类似的，开关单元22与电阻单元12对应设置，电阻单元12适于根据输入电流I1和电阻单元12的输出电阻，提供参考电压V2。电阻单元12包括串联的电阻元件R21至R25，开关单元22包括开关元件K21至K24；电阻单元12内的电阻元件也分为第一类电阻元件和第二类电阻元件，对应图7，电阻元件R21至R24为第二类电阻元件，其中，开关元件K21并联于电阻元件R21两端，开关元件K22并联于电阻元件R22两端，开关元件K23并联于电阻元件R23两端，开关元件K24并联于电阻元件R24两端。

参考电压V2是电阻单元12输出电阻和输入电流I1的乘积，当电阻单元12的输出电阻和输入电流I1匹配，此时获得的参考电压V2为电阻单元12的匹配电压。

本实施例中电阻单元12的输出电阻为电阻单元11的等效电阻和电阻单元12的等效电阻之和。电阻单元12的等效电阻为电阻单元12内第一类电阻元件(R25)和被接入电路的第二类电阻元件(R21至R24)的阻值之和。第二类电阻元件是否被接入由第二类电阻元件对应的开关元件是否闭合决定。当电阻单元12的输出电阻与输入电流I1在温度系数上匹配且输出电阻的阻值适宜，可认为电阻单元12输出电阻和输入电流I1匹配。

同样的，当开关元件K21至K24中至少一个开关元件被选择闭合，其所对应的第二类电阻元件(R21至R24)被短接，这时，电阻单元12的输出电阻被改变(对电阻单元12输出电阻的改变一般是对电阻单元12的等效电阻进行改变，而电阻单元11的等效电阻则保持不变，以控制参考电压V1输出的稳定性）。利用选通单元321至324对开关元件K21至K24进行控制，以获取能匹配的电阻单元12的输出电阻。

开关元件K21至K24形成开关阵列s2。选通单元321至324适于根据输入的选址信号F2被选通，选址信号F2控制对应选通单元的选通情况，选址信号F2与开关阵列s2中开关元件的地址信息相关。信号F2在本实施例也为2位的二进制编码信号，译码单元42连接了选址信号F2和选通单元321至324，译码单元42实现了选址信号F2相应地控制选通单元321至324选通的译码过程。选通单元321至324基于经译码后的选址信号F2改变选通状态。具体的，选址信号F2为两位信号，即：

F2=“f4f3”；

其中，信号f3和信号f4分别输入至译码单元42的两个输入端，译码单元42对选址信号F2进行译码，并基于译码信息反馈至对应选通单元(321至324)，以控制对应选通单元的选通情况。比如，基于电阻元件R21至R24之间的权重配比关系，设开关元件K22至K24的默认开关状态均为断开，而开关元件K21的默认开关状态为导通，而选通单元仍如实施例1所述为熔丝单元：

当控制信号R/W为写操作信号W且译码单元42接收到的选址信号F2为“10”时，选通单元323被选通，此时，选通单元323对其熔丝元件进行熔丝操作；当所述控制信号R/W为读操作信号R时，熔丝状态读电路读取烧断的熔丝元件为高电平，此时选通单元323输出高电平至开关元件K23的控制端，开关元件K23导通，电阻元件R23被短接。此时，电阻单元12的等效电阻为电阻元件R22、R24及R25之和，假使电阻单元11的等效电阻为电阻元件R11及R15之和，电阻单元12的输出电阻为电阻元件R11、R15、R22、R24及R25之和。

继续参考图7，开关单元23与电阻单元13对应设置，电阻单元13适于根据输入电流I1和电阻单元13的输出电阻，提供参考电压V3。电阻单元13包括串联的电阻元件R31至R35，开关单元23包括开关元件K31至K34；电阻单元13内的电阻元件也分为第一类电阻元件和第二类电阻元件，对应图7，电阻元件R31至R34为第二类电阻元件，其中，开关元件K31并联于电阻元件R31两端，开关元件K32并联于电阻元件R32两端，开关元件K33并联于电阻元件R33两端，开关元件K34并联于电阻元件R34两端。

参考电压V3是电阻单元13输出电阻和输入电流I1的乘积，当电阻单元13的输出电阻和输入电流I1匹配，此时获得的参考电压V3为电阻单元13的匹配电压。

电阻单元13的输出电阻是电阻单元11的等效电阻、电阻单元12的等效电阻和电阻单元13的等效电阻之和。电阻单元13的等效电阻为电阻单元13内第一类电阻元件(R35)和被接入电路的第二类电阻元件(R31至R34)的阻值之和。电阻单元13内的第二类电阻元件是否被接入由该第二类电阻元件对应的开关元件决定。当电阻单元13的输出电阻与输入电流I1在温度系数上匹配且输出电阻的阻值适宜，可认为电阻单元13输出电阻和输入电流I1匹配。当开关元件K31至K34中至少一个开关元件被选择闭合，其所对应的第二类电阻元件(R31至R34)被短接，这时，电阻单元13的输出电阻被改变(对电阻单元13输出电阻的改变一般是对电阻单元13的等效电阻进行改变，而电阻单元11的等效电阻和电阻单元12的等效电阻则保持不变，以控制输出参考电压V1和参考电压V2的稳定性)。利用选通单元331至334对开关元件K31至K34进行控制，以获取能匹配的电阻单元13的输出电阻。

开关元件K31至K34形成开关阵列s3。选通单元331至334适于根据输入的选址信号F3被选通，选址信号F3控制对应选通单元的选通情况，选址信号F3与开关阵列s3中开关元件的地址信息相关。信号F3在本实施例也为2位的二进制编码信号，译码单元43连接了选址信号F3和选通单元331至334，译码单元43实现了选址信号F3相应地控制选通单元331至334选通的译码过程。选通单元331至334基于经译码后的选址信号F3改变选通状态。具体的，选址信号F3为两位信号，即：

F3=“f6f5”；

其中，信号f5和信号f6分别输入至译码单元43的两个输入端，译码单元43对选址信号F3进行译码，并基于译码信息反馈至对应选通单元(331至334)，以控制对应选通单元的选通情况。比如，基于电阻元件R31至R34之间的权重配比关系，设开关元件K34的默认开关状态为导通，而开关元件K31至开关元件K33的默认开关状态均为断开，而选通单元仍如实施例1所述为熔丝单元：

当控制信号R/W为写读操作信号W且译码单元43接收到的选址信号F3为“11”时，选通单元334被选通，此时选通单元334对其熔丝元件进行熔丝操作；当所述控制信号R/W为读操作信号R时，熔丝状态读电路读取烧断的熔丝元件为低电平，此时选通单元334输出低电平至开关元件K34的控制端，开关元件K34被关断。在这种情况下，电阻单元13的等效电阻为电阻元件R31至R35之和，假使电阻单元11此时的等效电阻为电阻元件R11及R15之和，电阻单元12此时的等效电阻为电阻元件R21、R22及R25之和，电阻单元13的输出电阻为电阻元件R11、R15、R21、R22、R25、及R31至R35之和。

需要说明的是：

选通单元(也即熔丝单元)在时间上是先后被选通并对熔丝元件进行熔丝操组作的，选通单元之间的选通情况是独立的，可根据开关单元中开关元件的初始开闭状态，多次输入相应选址信号对选通单元进行选通控制，每次选择一个选通单元并对其熔丝元件进行熔丝操作：比如，电阻单元22中，开关元件K21至K24的初始状态分别为闭合、闭合、闭合及断开，根据匹配需求，需要将电阻元件R23接入电路，电阻元件R24短接，此时，可连续输入两次选址信号F2以完成选址、依次选择选通单元323及选通单元324并对其熔丝元件进行熔丝操作以调整电阻单元12输出电阻的过程：

当控制信号R/W为写操作信号W，第一次输入的选址信号F2为“10”，选通单元323被选通以对其熔丝元件进行熔丝操作，第二次输入的选址信号F2为“11”，选通单元324被选通以对其熔丝元件进行熔丝操作；

完成两次熔丝操作后，当所述控制信号R/W为读操作信号R时，选通单元321输出初始的高电平、选通单元322输出初始的高电平、选通单元323输出熔丝状态读电路读取的熔断熔丝元件的低电平、选通单元324输出熔丝状态读电路读取的熔断熔丝元件的高电平，此时，电阻元件R23被接入电路、电阻元件R24被短接，从而实现电阻单元12输出电阻的调整。

此外，在各电阻单元内，为了便于输入选址信号的电阻元件的接入选择，以更好地调节电阻元件的输出阻值，所述第一类电阻元件的电阻权重大于第二类电阻元件的电阻权重，所述第二类电阻元件之间的电阻权重则依次减小。比较优选的方案是，对第一类电阻元件的阻值可选择占电阻元件等效阻值中50%以上的权重值，而一个第二类电阻元件的阻值权重与其他第二类电阻元件阻值权重总和相同，所述其他第二类电阻元件阻值权重则依次递减(所述其他第二类电阻元件中的权重赋予也可以参照该第二类电阻元件的阻值权重赋予方式)。比如在本实施例中，可以对电阻单元11中的电阻元件R15设置79%的阻值权重，对电阻元件R11设置10.5%的阻值权重，对电阻元件R12设置6%的阻值权重，对电阻元件R13设置3%的阻值权重，对电阻R14设置1.5%的阻值权重，这一实施例的分配方式对于其他电阻单元也是可适用的。

在本实施例的应用例中，可以用本实施例的参考电压产生电路50，提供参考电压，其中一种参考电压的输出为：参考电压V1=0.3V，参考电压V2=0.5V，参考电压V3=1V。

本实施例的其他内容还可以参考实施例1的相关论述，本实施例为实施例1单个电阻单元的扩展。

在其他实施例中，基于本实施例的参考电压产生电路50，还可以有其他变化例：

一种参考电压产生电路，基于本实施例所述的参考电压产生电路50，还包括实施例2所述的电流单元106。

另一种参考电压产生电路，基于本实施例所述参考电压产生电路50，还包括第一模块、第二模块和第三模块，所述第一模块是由选通单元311至314及译码单元41集成的，所述第二模块是由选通单元321至324及译码单元42集成的，所述第三模块是由选通单元331至334及译码单元43集成的。

基于本实施例的参考电压产生电路50，本实施例还提供一种参考电压校准方法，包括：

步骤，检测电阻单元11的输出电压V1、电阻单元12的输出电压V2及电阻单元13的输出电压V3。

步骤，当各电阻单元的输出电压与该电阻单元的匹配电压具有电压差时，输入对应所述电阻单元的选址信号以调整所述电阻单元的输出电阻。

需注意的是，当仅有一个电阻单元的输出电压具有出入时，仅需对该电阻单元的输出电阻进行调整即可，且这种调整限于该电阻单元的等效电阻调整，而不涉及其他电阻单元。但是，当同时有两个以上的电阻单元输出电压具有出入时，此时的调整是有先后的，一般是对接近于地端的电阻单元进行电阻元件的接入或短接进行调整，当该电阻单元的输出电压符合匹配要求时，再进行其下一个的电阻调制。比如，当如图7所述的参考电压产生电路50中，输出电压V1至V3均与匹配值有出入，此时，先对电阻单元11进行电阻调制、以输出匹配的参考电压V1，再对电阻单元12进行电阻调制、以输出匹配的参考电压V2，最后对电阻单元13进行电阻调制、以输出匹配的参考电压V3。

另外，在对电阻单元进行电阻调制时，是基于输入的、对应该电阻单元的选址信号的，基于本实施例电阻单元内电阻元件的阻值权重，电阻调制是由于根据所述电阻单元内电阻元件所占电阻权重和所述电压差进行选址信号的输入的。在实现选址信号的输入时，可先获取待被调整的电阻元件所对应开关元件的开关阵列地址，基于所述待被调整的电阻元件所对应开关元件的开关阵列地址形成所述选址信号的信号串，由外部控制设备串行输入选址信号至对应的译码单元内进行控制。所述选址信号的信号串指一次输入控制一个选通单元的选址信号。本实施例电阻单元内电阻元件所占电阻权重设置有利于对应电压差进行阻值选配，以尽可能地接近匹配电阻，以获得电阻单元的匹配电压。

基于开关单元内开关元件的初始开闭状态，所述待被调整的电阻元件包括待被短接或待被接入的电阻元件。

本实施例的参考电压校准方法还包括：

步骤，基于调整后的电阻单元的输出电阻，提供所述电阻单元的输出电压。

实施例6

本实施例基于实施例5，提供了一种如图8所示的参考电压产生电路60，不同于实施例5之处在于，其包括：

电阻单元11至1N；

开关单元21至2N；

第一组选通单元至第N组选通单元；以及，

译码单元41至4N，其中，N为大于3的自然数。

其中，电阻单元11的一端接地，另一端连接至后一个电阻单元(图8未示出，根据推导可为电阻单元12）；所述电阻单元12至电阻单元(N-1)中任意电阻单元的一端连接至前一个电阻单元，另一端连接至后一个电阻单元；所述第N个电阻单元的一端连接至输入电流I1，另一端连接至电阻单元(N-1)。

设n可为1至N中的任意数值：

开关单元2n与电阻单元1n对应设置，电阻单元1n适于根据输入电流I1和电阻单元1n的输出电阻，提供参考电压Vn。电阻单元1n包括串联的电阻元件Rn1至Rn5，开关单元2n包括开关元件Kn1至Kn4。对应图8，电阻元件Rn1至Rn4为第二类电阻元件，其中，开关元件Kn1并联于电阻元件Rn1两端，开关元件Kn2并联于电阻元件Rn2两端，开关元件Kn3并联于电阻元件Rn3两端，开关元件Kn4并联于电阻元件Rn4两端。

参考电压Vn是电阻单元1n输出电阻和输入电流I1的乘积，当电阻单元1n的输出电阻和输入电流I1匹配，此时获得的参考电压Vn为电阻单元1n的匹配电压。

本实施例中电阻单元1n的输出电阻为电阻单元11至电阻单元1n的等效电阻之和，电阻单元1n的等效电阻为电阻单元1n内第一类电阻元件(Rn5)和被接入电路的第二类电阻元件的阻值之和。第二类电阻元件是否被接入由第二类电阻元件对应的开关元件是否闭合决定。当电阻单元1n的输出电阻与输入电流I1在温度系数上匹配且输出电阻的阻值适宜，可认为电阻单元1n输出电阻和输入电流I1匹配。

从上述分析可知，当开关元件(Kn1至Kn4)被选择闭合，其所对应的第二类电阻元件(Rn1至Rn4)被短接，这时，电阻单元1n的输出电阻可被改变，可以基于上述这种关系，利用选通单元组对与选通单元组对应的开关单元进行控制，以获取能匹配的电阻单元输出电阻。继续参考图8，第n组选通单元包括选通单元3n1至3n4，其中，选通单元3n1对开关元件Kn1进行控制，选通单元3n2对开关元件Kn2进行控制，选通单元3n3对开关元件Kn3进行控制，选通单元3n4对开关元件Kn4进行控制。

开关元件Kn1至Kn4形成开关阵列sn。选通单元3n1至3n4适于根据输入的选址信号Fn被选通，选址信号Fn控制对应选通单元的选通情况，由于选通单元的地址信息是和开关元件的地址信息对应的，且选通单元的选通目的是为了控制开关阵列sn中开关元件的开闭情况，因此，可认为选址信号Fn与开关阵列sn中开关元件的地址信息相关。信号Fn在本实施例也为2位的二进制编码信号，译码单元4n连接了选址信号Fn和选通单元3n1至3n4，译码单元4n实现了选址信号Fn相应地控制选通单元3n1至3n4选通的译码过程。选通单元3n1至3n4基于经译码后的选址信号Fn改变选通状态。

具体的，选址信号Fn为两位信号，即：

Fn=“f2nf(2n-1)”；

其中，信号f2n和信号f(2n-1)分别输入至译码单元4n的两个输入端，译码单元4n对选址信号Fn进行译码，并基于译码信息反馈至对应选通单元3n1至3n4，以控制对应选通单元的选通情况。

需要说明的是，在其他实施例中，基于本实施例，还可以提供另一种参考电压产生电路：所述第二类电阻元件的数目可以为M，此时，电阻单元1n包括电阻元件Rn1至Rn(M+1)，开关单元2n包括对应的开关元件Kn1至KnM，第一类电阻元件为电阻元件Rn(M+1)，第二类电阻元件为电阻元件Rn1至RnM，其中，M为大于4的正整数且满足M=2^m。在这种扩展方式下，该开关单元2n对应的选通单元组包括选通单元3n1至3nM，译码单元4n可包括m个输入端和对应M个选通单元的M个输出端。译码单元4n的输入端接收选址信号Fn，选址信号Fn为m位信号的二进制代码，一种二进制代码的组合控制一个对应选通单元的导通情况。

实施例7

本实施例基于实施例6，提供了一种如图9所示的参考电压产生电路70，参考电压产生电路70中，N=8；与实施例6的不同之处在于，其仅包括一个译码单元40。

在本实施例中，开关元件K11至K14、K21至K24、…、K81至K84形成一个开关阵列s。选通单元311至314、321至324、…、381至384适于根据输入的选址信号F被选通，选址信号F控制对应选通单元的选通情况。由于选通单元的地址信息是和开关元件的地址信息对应，且选通单元的选通目的是为了控制开关阵列s中开关元件的开闭情况，因此，可认为选址信号F与开关阵列s中各开关元件的地址信息相关。在本实施例中，信号F在本实施例为4位二进制编码信号，译码单元40连接了选址信号F和各选通单元，译码单元40不同于实施例6，其实现了一个选址信号F可控制全部选通单元选通情况的译码过程。设选址信号F=“f4f3f2f1”，译码单元40包括四个输入端，分别输入“f1”、“f2”、“f3”及“f4”信号，译码单元40还包括32个输出端，适于输出选通信号b0至b31至对应选通单元311至314、321至324、…、381至384，各选通单元基于经译码后的选址信号F改变选通状态。

译码单元40对选址信号F进行译码，并基于译码信息改变对应选通信号的数值，当控制信号R/W为写操作信号W，选通单元基于有效的选通信号对其熔丝元件进行熔丝操作，由此被选通。在本实施例的应用例中，可以用本实施例的参考电压产生电路70，提供参考电压，其中一种参考电压的输出为：参考电压V1=0.125V，参考电压V2=0.25V，参考电压V3=0.375V，参考电压V4=0.5V，参考电压V5=0.625V，参考电压V6=0.75V，参考电压V7=0.875V，参考电压V8=1V。

需要说明的是，在其他实施例中，基于本实施例，还可以提供另一种参考电压产生电路：该电路中所有第二类电阻元件之和为K且K=2^k，译码单元40包括k个输入端及K个输出端，所述k个输入端用于接入选址信号F’，F’=“FkFk-1…F1”，第1个输入端至第k个输入端分别接入“F1“至“Fk”，第1个至第K个输出端分别输出选通信号至对应选通单元。选址信号F’为二进制代码，一种二进制代码的组合能够改变第1个至第K个输出端中的一个输出端输出选通信号的数值，以控制对应选通单元的选通情况。

此外，基于本实施例，在其他实施例中，各选通单元和译码单元40也可参考实施例4所示的集成方案进行集成，以形成功能模块，对本实施例的各选通单元和译码单元40进行集成，仅形成一块功能模块。

本实施例的其他内容可参考实施例1至6。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (17)

1.一种参考电压产生电路，其特征在于，包括：至少一个电阻单元、开关单元及选通单元；

所述电阻单元包括若干串联的电阻元件，适于根据输入电流和所述电阻单元的输出电阻提供所述电阻单元的匹配电压；

所述开关单元包括开关元件，所述开关元件与对应电阻元件并联并形成开关阵列，当所述开关元件闭合，其所对应电阻元件被短接以输出对应电阻单元的输出电阻；

所述选通单元对应所述开关元件，适于根据输入的选址信号被选通，所述选址信号与所述开关阵列中开关元件的地址信息相关；所述开关元件适于在对应选通单元被选通时改变初始状态；

其中，所述电阻单元有N个，其中，第一个电阻单元的一端接地，另一端连接至后一个电阻单元；所述第二至第(N-1)个电阻单元的一端连接至前一个电阻单元，另一端连接至后一个电阻单元；所述第N个电阻单元的一端连接至所述输入电流，另一端连接至前一个电阻单元；N为大于或等于2的自然数。

2.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，第n个电阻单元的输出电阻为第一至第n个电阻单元的等效电阻之和，n为小于或等于N的自然数。

3.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电阻元件包括第一类电阻元件和第二类电阻元件，所述开关元件的对应电阻元件为第二类电阻元件；所述电阻单元的等效电阻为所述第一类电阻元件和未被短接的第二类电阻元件的电阻之和。

4.如权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电阻单元内：所述第二类电阻元件有多个，所述第一类电阻元件的电阻权重大于第二类电阻元件的电阻权重，所述第二类电阻元件之间的电阻权重依次减小。

5.如权利要求2至4任一项所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述开关阵列的数目与所述电阻单元的数目相同，所述电阻元件所对应的开关元件形成对应所述电阻单元的开关阵列；

一个开关阵列的开关元件所对应选通单元连接至对应选址信号，所述对应选址信号与该开关阵列中开关元件的地址信息相关。

6.如权利要求5所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电阻单元内：第二类电阻元件的数目为M，M＝2^m，其中，m为大于或等于1的自然数；

所述对应选址信号为m位二进制代码信号，一种二进制代码的组合控制对应选通单元的选通情况。

7.如权利要求6所述的参考电压产生电路，其特征在于，还包括：与开关阵列配对译码单元；

所述译码单元包括对应每一位二进制代码的输入端和若干输出端，所述输出端根据所述二进制代码的组合输出选通信号至对应该开关阵列选通单元，以控制选通单元的选通情况；

一个开关阵列的开关元件所对应选通单元和该开关阵列的译码单元集成为功能模块。

8.如权利要求2至4任一项所述的参考电压产生电路，其特征在于，仅设置有一开关阵列，所述电阻元件所对应的开关元件形成所述开关阵列。

9.如权利要求8所述的参考电压产生电路，其特征在于，第二类电阻元件的数目为K，K＝2^k，其中，k为大于或等于1的自然数；

所述对应选址信号为k位二进制代码，一种二进制代码的组合控制对应选通单元的选通情况。

10.如权利要求9所述的参考电压产生电路，其特征在于，还包括：与开关阵列配对的译码单元；

所述译码单元包括对应每一位二进制代码的输入端和若干输出端，所述输出端根据所述二进制代码的组合输出选通信号至对应选通单元，以控制选通单元的选通情况；

所述选通单元和译码单元集成为功能模块。

11.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述选通单元为熔丝单元，所述熔丝单元由熔丝元件和熔丝状态读写电路组成。

12.如权利要求11所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述开关元件包括控制端；所述选通单元适于在被选通时对所述熔丝元件进行熔丝操作并输出有效电平至对应开关元件的控制端；所述有效电平是所述熔丝状态读电路读取烧断的熔丝元件得到的，对应所述开关元件的初始状态，所述有效电平为高电平或低电平。

13.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述输入电流由正温度系数的第一分电流和负温度系数的第二分电流构成，所述电阻单元的输出电阻与所述输入电流在温度系数上匹配，以使所述电阻单元提供零温漂的匹配电压。

14.如权利要求13所述的参考电压产生电路，其特征在于，还包括：电流单元；所述电流单元包括：电流镜单元、运算放大器单元、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一双极性晶体管及第二双极性晶体管；

所述电流镜单元包括第一节点、第二节点、第一PMOS管、第二PMOS管及第三PMOS管，所述第一PMOS管、第二PMOS管及第三PMOS管的栅极相连至第一节点、源极相连至第二节点，所述第二节点连接至电源电压，所述第三PMOS管的漏极输出所述输入电流；

所述运算放大器单元包括正向输入端、负向输入端及运放输出端，所述正向输入端连接至所述第一PMOS管的漏极，所述负向输入端连接至所述第二PMOS管的漏极，所述运放输出端连接至所述第一节点；

所述第一双极性晶体管及第二双极性晶体管分别为二极管连接，所述第一双极性晶体管的发射极通过所述第一电阻连接至所述负向输入端、集电极接地，所述第二双极性晶体管的发射极连接至所述正向输入端、集电极接地；

所述第二电阻的一端连接至所述负向输入端、另一端接地；

所述第三电阻的一端连接至正向输入端、另一端接地。

15.一种参考电压校准方法，基于如权利要求1至14任一项所述的参考电压产生电路，其特征在于，包括：

检测所述电阻单元的输出电压；

当所述电阻单元的输出电压与所述电阻单元的匹配电压具有电压差时，输入所述选址信号以调整所述电阻单元的输出电阻；

基于调整后的电阻单元的输出电阻，提供所述电阻单元的输出电压。

16.如权利要求15所述的参考电压校准方法，其特征在于，所述输入所述选址信号以调整所述电阻单元的输出电阻包括：

根据所述电阻单元内电阻元件所占电阻权重和所述电压差，获得待被调整的电阻元件所对应开关元件的开关阵列地址；

基于所述待被调整的电阻元件所对应开关元件的开关阵列地址形成所述选址信号；

输入所形成的选址信号。

17.如权利要求16所述的参考电压校准方法，其特征在于，所述待被调整的电阻元件包括待被短接或待被接入的电阻元件。