CN109390483A - 一种显示设备及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于显示器件领域，提供了显示设备及其制备方法。该显示设备包括基板、发光器件、第一封装层以及第二封装层，第一封装层包括碳材料层和第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层。其中，碳材料层透光性强、导热性好，能有效吸收器件发热散出的热量；第一金属颗粒和第二金属纳米线具有良好的导电性，且第一金属颗粒分散附着在第二金属纳米线表面，使第二金属纳米线层表面粗糙，阻碍光的折射，因而第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层有较高的透光性和热稳定性，能够保证第一封装层透光导热性的持续稳定；结合前两者的优点，因而第一封装层能及时将器件发出的热量散发同时保证其透光导热性的持续稳定，提高器件的寿命。

Description

一种显示设备及其制备方法
技术领域
本发明属于显示器件领域，尤其涉及一种显示设备及其制备方法。
背景技术
量子点(Quantum dot，QD)由于具有尺寸可调谐的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，因此以量子点作为发光层的量子点发光二极管(QLED)是极具潜力的下一代显示和固态照明光源。
量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。然而，现有的QLED器件由于本身防水性能和氧性能较差，空气中的水和氧气很容易渗入QLED器件内部，影响器件性能。因此，QLED的封装技术成为提高QLED防水性能和氧性能的关键制程。但是，封装过程中的密闭环境容易导致QLED散发的热量无法及时散出，使得整个显示器温度升高，影响其效率及寿命。
因此，现有的发光器件由于封装的密闭环境而存在无法及时将器件的热量及时散出以使器件存在发光效率低和使用寿命短的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示设备及其制备方法，旨在解决现有的发光器件由于封装的密闭环境而存在无法及时将器件的热量及时散出以使器件存在发光效率低和使用寿命短的问题。
本发明提供了一种显示设备，包括：
基板；
设置在所述基板上的发光器件；
在所述基板和所述发光器件上形成的封装结构，所述封装结构覆盖在所述发光器件上，所述封装结构包括第一封装层和第二封装层，且所述第一封装层设置在所述发光器件和所述第二封装层之间，其中所述第一封装层包括碳材料层和第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，且所述第一封装层从所述基板往所述发光器件方向的结构顺序为所述碳材料层、所述第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层。
本发明还提供了一种显示设备的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成发光器件；
在第二封装层底上设置第一封装层，形成封装结构；
将所述封装结构封装在所述基板和所述发光器件上以覆盖所述发光器件，其中所述第一封装层设置在所述发光器件和所述第二封装层之间；
其中，所述在第二封装层底上设置第一封装层的步骤包括：
在所述第二封装层上设置第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，在所述第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层上设置碳材料层。
本发明还提供了另一种显示设备的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成发光器件；
在所述基板和所述发光器件上形成第一封装层，以覆盖所述发光器件；
在所述基板和被第一封装层覆盖的发光器件上设置第二封装层，以覆盖所述被第一封装层覆盖的发光器件；
其中，所述在基板和所述发光器件上形成第一封装层的步骤包括：
在所述基板和所述发光器件上形成碳材料层以覆盖所述发光器件，在所述碳材料层上设置第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，以覆盖被碳材料层覆盖的发光器件。
本发明提供的显示设备，包括基板、发光器件以及封装结构，封装结构覆盖在发光器件上，封装结构包括第一封装层和第二封装层，且第一封装层设置在发光器件和第二封装层之间，其中第一封装层包括碳材料层和第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，且第一封装层从基板往发光器件方向的结构顺序为碳材料层、第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层。一方面，由于碳材料层透光性强、导电性和导热性好，因而第一封装层具有较高的导热性和透光性，能够有效吸收器件发热散出的热量；另一方面，由于第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层中，第一金属颗粒和第二金属纳米线具有良好的导电性，且第一金属颗粒分散附着在第二金属纳米线表面，使得第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层表面粗糙，阻碍光的折射，因而第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层同时具备较高的透光性和热稳定性，从而能够保证第一封装层透光导热性的持续稳定；因而，结合碳材料层和第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的第一封装层同时兼具有前两者具备的优点，不仅能够及时的将器件发出的热量散发，而且能够保证其透光导热性的持续稳定，有利于提高器件的寿命。
附图说明
图1是本发明的实施例提供的显示设备的结构示意图；
图2是本发明的另一实施例提供的显示设备的结构示意图；
图3是本发明的实施例提供的发光器件的结构示意图；
图4是本发明的实施例提供的对应图1的显示设备的结构示意图；
图5是本发明的另一实施例提供的对应图2的显示设备的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
请结合图1和图2，图1和图2为本发明实施例提供的显示设备的结构示意图。该显示设备包括基板1、设置在基板上的发光器件2、在基板1和发光器件2上形成的封装结构，封装结构覆盖在发光器件2上，封装结构包括第一封装层(在图1中，第一封装层对应31；在图2中，第一封装层对应32)和第二封装层4，且第一封装层设置在发光器件2和第二封装层4之间，其中第一封装层包括碳材料层和第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，且第一封装层从基板1往发光器件2方向的结构顺序为碳材料层、第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层。
其中，第一封装层设置在发光器件2和第二封装层4之间至少包括第一封装层31设置在发光器件2的上表面与第二封装层4之间(如图1所示)。在其中一种实施例中，第一封装层32也可以是设置在发光器件2的上表面与第二封装层4之间同时覆盖发光器件2(如图2所示)。其中，发光器件2的底面连接于基板1，与该底面相对的一面是发光器件2的上表面。
在本发明实施例中，基板1的选用不受限制，可以采用刚性基板，也可以采用柔性基板。其中，刚性基板包括但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；柔性基板包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯乙烯(PS)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚芳基酸酯(PAT)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PV)、聚乙烯(PE)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、纺织纤维中的一种或多种。
在本发明实施例中，发光器件2具有常规结构(请参阅图3)，包括设置在基板上的底电极201和依次设置在底电极201上的第一功能层202、发光层203、第二功能层204以及顶电极205。发光器件2不受器件结构的限制，可以是正型结构的器件，也可以反型结构的器件。当发光器件2的结构为正型结构时，则底电极201为阳极，第一功能层202为空穴功能层，第二功能层204为电子功能层，顶电极205为阴极；当发光器件2为反型结构时，则底电极201为阴极，第一功能层202为电子功能层，第二功能层204为空穴功能层，顶电极205为阳极。
在其中一个实施例中，以发光器件2的结构为正型结构对器件进行解释说明，需要说明的是，本实施例对阳极、空穴功能层、电子功能层以及阴极的描述并不只限于对正型结构的描述，同样适用于对反型结构的器件的阳极、空穴功能层、电子功能层以及阴极的描述。
进一步地，底电极201为阳极，沉积在衬底1上，底电极201材料的选用不受限制，可选自掺杂金属氧化物，包括但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)、铝掺杂氧化镁(AMO)中的一种或多种，也可以选自掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
进一步地，第一功能层202为空穴功能层，用于注入和传输空穴，包括但不限于设置在底电极上的至少一层空穴传输层。在本实施例中，空穴传输层的厚度对膜层的导电性和空穴的注入效率影响较大，太薄则导电性较弱，且导致空穴电子不平衡，发光区可能在电子传输层而不在发光层；太厚则不利于注入。为了使膜层具有较强的导电性和较高的空穴注入效率，优选地，空穴传输层的厚度为0nm-100nm，更优先地，为40nm-50nm。具体地，空穴传输层可选自具有空穴传输能力的有机材料和/或具有空穴传输能力的无机材料。其中，具有空穴传输能力的有机材料包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)中的一种或多种；具有空穴传输能力的无机材料包括但不限于掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60、掺杂或非掺杂的MoO3、VO2、WO3、CrO3、CuO、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的一种或多种。
进一步地，发光层203设置在第一功能层202上，优选地，发光层203的膜层厚度为10nm-100nm。具体地，发光层203的材料包括无机半导体纳米晶、无机钙钛矿型半导体、有机-无机杂化钙钛矿型半导体纳米晶、有机发光材料中的至少一种。其中，无机半导体纳米晶包括掺杂或非掺杂的II-V族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV-VI族化合物半导体及其核壳结构半导体中的一种或多种。无机钙钛矿型半导体可以是掺杂或非掺杂的，具体地，无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-。有机-无机杂化钙钛矿型纳米晶的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于CH3(CH2)n-2NH3 +(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)，当n＝2时，无机金属卤化物八面体MX6 4-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX6 4-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+；X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-。有机发光材料为本领域常规的有机发光材料，包括Alq、Balq、DPVBi等不限于此。根据发光层203的材料的选用，发光层203的发光形式可以以有机材料发光为主，对应于有机发光(OLED)器件；也可以以量子点材料发光为主，对应于量子点发光(QLED)器件。
进一步地，第二功能层204为电子功能层，用于传输电子，包括但不限于设置在发光层上的电子传输层和电子注入层。其中，电子传输层较佳的厚度为30nm-60nm，电子传输层的材料不受限制，可以为氧化物电子传输材料，例如n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种，优选为具有高的电子传输性能的n型氧化锌；电子传输层的材料还可以为硫化物电子传输材料、有机电子传输材料。电子注入层材料可以选择低功函数的Ca，Ba等金属，也可以选择CsF，LiF，CsCO3等化合物，还可以是其它电解质型电子传输层材料。
进一步地，顶电极205为阴极，其厚度优选为50nm-150nm，其材料为各种导电碳材料、导电金属氧化物材料、金属材料中的一种或多种；其中导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C60、石墨、碳纤维、多空碳、或它们的混合物；导电金属氧化物材料包括但不限于ITO、FTO、ATO、AZO、或它们的混合物；金属材料包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金；其中所述的金属材料中，其形态包括但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球、或它们的混合物；优选地，所述的阴极为Ag、Al。
在本发明实施例中，封装结构在基板1和发光器件2上形成，封装结构覆盖在发光器件2上，封装结构包括第一封装层和第二封装层4。其中，第二封装层4为阻挡水氧的功能层，形成在基板1和发光器件2上，以覆盖发光器件2，以便于防止由于渗透进入发光器件2中水或者氧气引起的发光缺陷；在发光器件2和第二封装层4之间设置有第一封装层。第二封装层4可以由具有较好密封性的材料制成，为了保证发光器件2的性能，第二封装层4所选用的材料还不能与本发明实施例所述发光器件2各层的材料发生反应。
结合图1和图4，在其中一种实施例中，如图4所示，第二封装层4包括：与发光器件2间隔开预设距离的封装盖板401，以及在发光器件2的边缘且布置在基板1与封装盖401之间的熔块层402；此时第一封装层31可以是指设置在封装盖板401内侧面中与发光器件2的上表面相对的一面。其中，预设距离可以等于第一封装层31的厚度，也可以大于第一封装层31的厚度；封装盖板401优选地可以是封装玻璃盖片。
结合图2和图5，在其中一种实施例中，如图5所示，第一封装层32可以形成在基板1和发光器件2上以完全的覆盖发光器件2，第二封装层4可以是粘合在第一封装层32上的封装板403。其中，粘合方式具体可以是封装胶粘合。
在本发明实施例中，第一封装层设置在发光器件2和第二封装层4之间，第一封装层包括碳材料层和第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，且第一封装层从基板往发光器件方向的结构顺序为碳材料层、第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层。第一封装层具有与第二封装层折射率匹配、透光性好、导热性好、方便制作等特性。
进一步地，碳材料层的材料为透明导电材料，包括但不限于石墨烯、氧化石墨烯、碳纳米管中的至少一种，由于石墨烯、氧化石墨烯、碳纳米管等透明碳材料的透光性好、导热导电性高，因而由碳材料层组成的第一封装层也具备了透明碳材料透光性好、导热导电性高的优异特点；其厚度优选为50nm-100nm。
在第二封装层上或在碳材料层上设置第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层中，是通过溶液法将包含第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线的混合溶液沉积在第二封装层或所述碳材料层上，形成第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层。混合溶液中的第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线由第二金属纳米线和具有酸根离子的第一金属化合物通过氧化还原反应制备获得，且反应后具有较大的比表面积和导热性的第一金属纳米颗粒附着在第二金属纳米线表面。
具体地，包括第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线的混合溶液是通过如下方法制备得到的：将第二金属纳米线进行pH值为2-4的酸性处理后置于具有酸根离子的第一金属化合物的溶液中，通过氧化还原反应，第二金属纳米线表面的第二金属元素被第一金属元素替换，并且第一金属元素在第二金属纳米线表面聚集，生长得到第一金属纳米颗粒，得到第一金属纳米颗粒附着在第二金属纳米线表面的第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线。由于第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层中，第一金属颗粒和第二金属纳米线具有良好的导电性，且第一金属颗粒分散附着在第二金属纳米线表面，使得第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层表面粗糙，阻碍光的折射，因而第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层同时具备较高的透光性和热稳定性，从而能够保证第一封装层透光导热性的持续稳定。具体地，第二金属为还原性强且稳定的金属，包括但不限于Zn、Fe、Cu、Ag、Pt、Au的一种，第一金属为氧化性强于第二金属的金属，也可以选自Zn、Fe、Cu、Ag、Pt、Au的一种，但两者反应时，选取的金属元素必当符合：第二金属的还原性强于第一金属的还原性。
作为优选举例，第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线可以是Ag-CuNWs，Ag-CuNWs为Ag纳米颗粒附着在CuNWs，CuNWs表面粗糙度较大，有利于光线投射，阻碍反射现象。具体地，Cu-AgNWs可以通过将CuNWs进行弱酸性处理后，加入到AgNO3溶液中反应获得：将1Mm-10Mm的CuNWs在乙酸溶液中处理后，加入到0.01Mm-0.5Mm，1ml-15ml的AgNO3溶液中，反应生成Ag-CuNWs。其中，AgNO3的量小于0.01Mm时，Ag-CuNWs中表面Cu含量太高，Ag-CuNWs稳定性和导热性提高，但是透光性下降；AgNO3的量大于0.5Mm时，Ag-CuNWs表面中Cu含量太少，Cu-AgNWs透光性好，但是不够稳定。在pH值为2-4酸性条件下，可以增加离子电解，形成Ag+，促进反应进行。
进一步地，第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的折射率大于第二封装层4的折射率，且第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的折射率小于碳材料层的折射率，其中，第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的折射率为1.5-2，碳材料层的折射率为2-4。因此，可以有效规避全反射现象，增加器件与第二封装层4界面的出光率。具体地，由于第二封装层4的折射率通常约为1.45而碳材料层的折射率约为2-4，若是第二封装层4和碳材料层直接接触则可能出现由于两者折射率相差较大，使得大部分光线反射掉；而第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的折射率大于第二封装层4的折射率且小于碳材料层的折射率，因而当引入第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层时，能够避免或者减少碳材料层率与第二封装层4直接接触而产生全反射现象，折射率匹配，有利于透光。
本发明实施例中，第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的厚度对器件的发光效率影响较大，优选地，第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层为厚度10nm-50nm的薄膜层。当小于10nm时，第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的稳定性差，另一方面，当大于50nm时，整个器件厚度增加，透光性减弱。
本发明实施例提供的显示设备，包括基板1、发光器件2以及封装结构，封装结构覆盖在发光器件2上，封装结构包括第一封装层和第二封装层4，且第一封装层设置在发光器件2和第二封装层4之间，其中第一封装层包括碳材料层和第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，且第一封装层从基板1往发光器件2方向的结构顺序为碳材料层、第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层。一方面，由于碳材料层透光性强、导电性和导热性好，因而第一封装层具有较高的导热性和透光性，能够有效吸收器件发热散出的热量；另一方面，由于第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层中，第一金属颗粒和第二金属纳米线具有良好的导电性，且第一金属颗粒分散附着在第二金属纳米线表面，使得第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层表面粗糙，阻碍光的折射，因而第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层同时具备较高的透光性和热稳定性，从而能够保证第一封装层透光导热性的持续稳定；因而，结合碳材料层和第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的第一封装层同时兼具有前两者具备的优点，不仅能够及时的将器件发出的热量散发，而且能够保证其透光导热性的持续稳定，有利于提高器件的寿命。
本发明实施例提供的显示设备可由以下实施例提供的显示设备的制备方法制备获得。
本发明实施例提供了一种显示设备的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
步骤S101：提供基板。
步骤S102：在基板上形成发光器件。
步骤S103：在第二封装层底上设置第一封装层，形成封装结构。其中第一封装层的形成步骤包括：在第二封装层上设置第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，在第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层上设置碳材料层。
步骤S104：将封装结构封装在基板和发光器件上以覆盖发光器件，其中第一封装层设置在发光器件和第二封装层之间。
在本发明实施例中，步骤S101、步骤S102、步骤S103以及步骤S104中涉及的基板、发光器件、第一封装层以及第二封装层的相关描述与前述实施例中对应涉及的基板1、发光器件2、第一封装层以及第二封装层4的描述一致，在此不再描述。其中，步骤S101、步骤S102、步骤S103以及步骤S104的步骤顺序不做限定。
在本发明实施例中，步骤S101、步骤S102、步骤S103以及步骤S104中涉及的“形成”和“设置”的方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法，其中溶液法包括但不限于旋涂法、转印法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
进一步地，以正型结构的发光器件且第一功能层包括设置在阳极上的空穴传输层、第二功能层包括设置在发光层上的电子传输层为例，则步骤S102具体包括：
步骤S11：在衬底上沉积阳极并进行超声清洗10min-20min，干燥。
作为优选的实施例，步骤S11具体可以是：将沉积有阳极的衬底按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续10min-20min，以清除衬底上的杂质，待超声清洗完成后将沉积有阳极的衬底放置于洁净烘箱内烘干。
步骤S12：在阳极上沉积空穴传输层且于100℃-200℃的温度下进行退火处理10min-30min。
步骤S13：在空穴传输层上沉积所述发光层。
步骤S14：在发光层上沉积电子传输层，并于60℃-100℃的温度下加热20min-40min。
作为优选的实施例，加热过程可以在加热台上进行，通过在60℃-100℃的温度下加热20min-40min，可以有效地去除发光层上残留的溶剂。
步骤S15：在电子传输层上沉积阴极。
作为优选的实施例，步骤S15具体可以是：将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层50nm-150nm的金属银或者铝作为阴极。
进一步地，以反型结构的发光器件且第一功能层包括设置在阴极上的电子传输层、第二功能层包括设置在发光层上的空穴传输层为例，则步骤S102具体包括：
步骤S21：在衬底上沉积阴极并进行超声清洗10min-20min，干燥。
步骤S22：在阴极上沉积电子传输层，并于60℃-100℃的温度下加热20min-40min。
步骤S23：在电子传输层上沉积所述发光层。
步骤S24：在发光层上沉积空穴传输层且于100℃-200℃的温度下进行退火处理10min-30min。
步骤S25：在空穴传输层上沉积阳极。
进一步地，步骤S103具体包括：
步骤S1031：在第二封装层上表面沉积第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层。
步骤S1032：在第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层上沉积碳材料层并进行退火处理。
作为优选的实施例，在步骤S1031中，第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层可以通过溶液法成膜制备获得。
作为优选的实施例，在步骤S1031中，第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层中的第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线的制备的相关描述与上一实施例中第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层制备的相关描述一致，在此不再描述。
作为优选的实施例，在步骤S1032中，碳材料层可以通过溶液法成膜制备获得。其中，退火处理的温度为50℃-100℃，退火处理的时间为20min-30min。通过退火处理可以增强第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线表面活性，使得碳材料层的碳导电材料可以缠绕在第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线表面。
进一步地，作为优选的实施例，在步骤S103之前，还包括对第二封装层进行清洗干燥后再加热处理。具体地，可以是对第二封装层进行臭氧-紫外烘烤15min-30min。
以下举例性地说明制备方法：
(1)将ITO基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15min。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。
(2)待ITO基板干燥后，在其上沉积一层空穴传输层TFB，厚度为80nm，并将此置于150℃的加热台上加热15min。
(3)待步骤(2)冷却后，在空穴传输层TFB上沉积量子点，此层的厚度为40nm，不需加热。
(4)之后，沉积电子传输层ZnO，其厚度为40nm。将沉积完电子传输层ZnO的片子放置在80℃的加热台上加热30分钟，除去残留的溶剂。
(5)将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的金属银，器件制备完成。
(6)将封装玻璃盖片清洗干净后烘烤，干燥后，进行紫外臭氧处理30min。
(7)将Ag-CuNWs沉积在封装玻璃盖片表面，可以通过溶液法成膜得到，并在80℃进行退火30min。
(8)待冷却后，溶液法沉积一层氧化石墨烯，并于80℃退火30min。
(9)将已沉积过GO/Ag-CuNWs的封装玻璃盖片通过封装胶进行封装。
本发明实施例提供的显示设备的制备方法，能够制备出散热效率高、透光性好、热稳定性强、发光效率高以及使用寿命长的显示设备，且工艺难度低，操作简易，成本低，可实现大规模生产。
上述实施例提供的显示设备还可由以下实施例提供的显示设备的制备方法制备获得。
本发明实施例提供了另一种显示设备的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
步骤S201：提供基板。
步骤S202：在基板上形成发光器件。
步骤S203：在基板和发光器件上形成第一封装层，以覆盖发光器件。其中第一封装层的形成步骤包括：在基板和发光器件上形成碳材料层以覆盖发光器件，在碳材料层上设置第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，以覆盖被碳材料层覆盖的发光器件。
步骤S204：在基板和被第一封装层覆盖的发光器件上设置第二封装层，以覆盖被第一封装层覆盖的发光器件。
在本发明实施例中，步骤S201、步骤S202与前述实施例步骤S101、步骤S102的描述一致，在此不再描述；步骤S201、步骤S202、步骤S203以及步骤S204中涉及的基板、发光器件、第一封装层以及第二封装层的相关描述与前述实施例中对应涉及的基板1、发光器件2、第一封装层以及第二封装层4的描述一致，在此不再描述。
在本发明实施例中，步骤S201、步骤S202、步骤S203以及步骤S204中涉及的“设置”、“形成”的方法与前述实施例中涉及的“设置”、“形成”的方法的描述一致，在此不再描述。
进一步地，步骤S203具体包括：
步骤S2031：在基板和发光器件上形成碳材料层以覆盖发光器件。
步骤S2032：在碳材料层上沉积第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层并进行50℃-100℃退火处理20min-30min。通过退火处理可以增加第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线表面活性，使得碳材料层的碳导电材料可以缠绕在第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线表面。
作为优选的实施例，碳材料层和第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层均可以通过溶液法成膜制备获得。其中，第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线的制备步骤与前述实施例的描述一致，在此不再描述。
本发明实施例提供的显示设备的制备方法，能够制备出散热效率高、透光性好、热稳定性强、发光效率高以及使用寿命长的显示设备，且工艺难度低，操作简易，成本低，可实现大规模生产。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示设备，其特征在于，包括：
基板；
设置在所述基板上的发光器件；
在所述基板和所述发光器件上形成的封装结构，所述封装结构覆盖在所述发光器件上，所述封装结构包括第一封装层和第二封装层，且所述第一封装层设置在所述发光器件和所述第二封装层之间，其中所述第一封装层包括碳材料层和第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，且所述第一封装层从所述基板往所述发光器件方向的结构顺序为所述碳材料层、所述第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层。
2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层中第二金属元素的还原性强于第一金属元素的还原性。
3.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的折射率大于所述第二封装层的折射率，且所述第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的折射率小于所述碳材料层的折射率。
4.如权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的折射率为1.5-2，所述碳材料层的折射率为2-4。
5.如权利要求1-4任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的厚度为10nm-50nm。
6.如权利要求1-4任一项所述的显示设备，其特征在于，所述碳材料层的材料包括石墨烯、氧化石墨烯和碳纳米管中的至少一种。
7.如权利要求1-4任一项所述的显示设备，其特征在于，所述碳材料层的厚度为50nm-100nm。
8.一种显示设备的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成发光器件；
在第二封装层底上设置第一封装层，形成封装结构；
将所述封装结构封装在所述基板和所述发光器件上以覆盖所述发光器件，其中所述第一封装层设置在所述发光器件和所述第二封装层之间；
其中，所述在第二封装层底上设置第一封装层的步骤包括：
在所述第二封装层上设置第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，在所述第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层上设置碳材料层。
9.一种显示设备的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成发光器件；
在所述基板和所述发光器件上形成第一封装层，以覆盖所述发光器件；
在所述基板和被所述第一封装层覆盖的发光器件上设置第二封装层，以覆盖所述被第一封装层覆盖的发光器件；
其中，所述在基板和所述发光器件上形成第一封装层的步骤包括：
在所述基板和所述发光器件上形成碳材料层以覆盖所述发光器件，在所述碳材料层上设置第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层，以覆盖被碳材料层覆盖的发光器件。
10.如权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，在所述第二封装层上设置第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层或在所述碳材料层上设置第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层的步骤中，为通过溶液法将包含第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线的混合溶液沉积在所述第二封装层或所述碳材料层上，形成所述第一金属纳米颗粒/第二金属纳米线层。
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