CN109285926A - 印刷用薄膜led衬底、印刷型薄膜led器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种印刷用薄膜LED衬底，所述印刷用LED衬底为凹槽衬底，包括基板，以及在所述基板上设置的图案化复合层，所述图案化复合层形成印刷型薄膜LED的像素阵列，其中，所述图案化复合层包括依次设置在所述基板上的第一石墨烯层和第二图案化石墨烯层，且所述第二图案化石墨烯层在背对所述基板的表面修饰有活性官能团。
Description
技术领域
本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种印刷用薄膜LED衬底、印刷型薄膜LED器件及其制备方法。
背景技术
目前，在薄膜LED的制备技术中，最有希望实现大规模产业化的生产工艺是墨水打印法。传统的印刷型薄膜LED器件，一般是将发光层墨水或其他功能层墨水打印到带有阵列的条形凹槽衬底上，溶剂挥发后沉积成薄膜。然而，在打印过程中，发光层墨水或功能层墨水的配方、印刷用衬底的质量、打印设备的精确度等都对膜层的均匀性有至关重要的影响，极易造成“咖啡环”等成膜不均匀等现象。除此之外，目前印刷薄膜LED器件所用的衬底结构复杂、制作工艺复杂、对环境污染大、且其结构形状并不完全利于膜层的沉积，同时，衬底材料、衬底厚度和凹槽边缘的高度等因素会使产品厚度较大，且不利于做成柔性器件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种印刷用薄膜LED衬底及其制备方法，旨在解决现有印刷用凹槽衬底结构复杂、制备工艺繁琐、且不利于LED功能层墨水打印的问题。
本发明的另一目的在于提供一种含有上述印刷用薄膜LED衬底的印刷型薄膜LED器件及其制备方法。
本发明是这样实现的，一种印刷用薄膜LED衬底，所述印刷用LED衬底为凹槽衬底，包括基板，以及在所述基板上设置的图案化复合层，所述图案化复合层形成印刷型薄膜LED的像素阵列，其中，所述图案化复合层包括依次设置在所述基板上的第一石墨烯层和第二图案化石墨烯层，且所述第二图案化石墨烯层在背对所述基板的表面修饰有活性官能团。
相应的，一种印刷用薄膜LED衬底的制备方法，包括以下步骤：
提供第一基板和第二基板，分别在所述第一基板、第二基板上沉积第一石墨烯层、第二石墨烯层；
将所述第二石墨烯层进行表面修饰处理后，转印到所述第一石墨烯层表面，形成复合石墨烯层；
根据印刷型薄膜LED器件的预设像素阵列，将所述复合石墨烯层进行图案化处理，形成图案化复合层，得到印刷用薄膜LED衬底；或
提供第一基板和第二基板，分别在所述第一基板、第二基板上沉积第一石墨烯层、第二石墨烯层；
将所述第二石墨烯层依次进行图案化处理、表面修饰处理后，转印到所述第一石墨烯层表面，形成图案化复合层，得到印刷用薄膜LED衬底。
以及，一种印刷型薄膜LED器件，包括衬底，依次层叠在所述衬底上的发光层、电子注入/传输层和阴极，其中，所述衬底为上述的印刷用薄膜LED衬底，且所述发光层、电子注入/传输层和阴极依次层叠结合在所述印刷用薄膜LED衬底的第二图案化石墨烯层上。
相应的，一种印刷型薄膜LED器件的制备方法，包括以下步骤：
根据薄膜LED器件的预设像素阵列，提供上述印刷用薄膜LED衬底；
所述印刷用LED衬底中的图案化复合层上依次沉积发光层、电子注入/传输层和阴极，得到印刷型薄膜LED器件。
以及，一种包括上述的印刷用薄膜LED衬底显示面板的显示面板。
一种包括上述的印刷用薄膜LED衬底显示面板的显示装置。
本发明提供的印刷用薄膜LED衬底，包括由两层石墨烯图案化处理形成的图案化复合层，且在所述第二图案化石墨烯层在背对所述基板的表面修饰有活性官能团。本发明提供的印刷用薄膜LED衬底，一方面，所述图案化复合层、特别是所述第二图案化石墨烯层能够为印刷型薄膜LED器件提供打印位点，有利于各功能层的沉积。另一方面，所述第一石墨烯层可以直接作为印刷型薄膜LED器件的导电电极，而在此基础上，形成所述第二图案化石墨烯层可以作为空穴传输层。由于所述第二图案化石墨烯层含有丰富的活性官能团，所述活性官能团可以有效锚定进一步沉积的发光材料，从而形成均匀的发光层。而未覆盖所述第二图案化石墨烯层的区域由于不能发光材料，在后续功能层的沉积过程中，可以通过溶剂清洗等途径能够轻松除去，最终有利于得到高分辨、高效率和高均匀性的印刷型薄膜LED器件。
本发明提供的印刷用薄膜LED衬底的制备方法，在不对传统基板进行处理的前提下，通过转印在基板上形成两层石墨烯，经过图案化处理形成图案化复合层，由此得到凹槽衬底。该方法不仅简化了工艺复杂程度，而且设计灵活度高，可以根据像素阵列的设计需要进行灵活调整。此外，由该方法制备获得的印刷用薄膜LED衬底，在印刷功能层的过程中，能够提高印刷效果，提高器件的发光均匀性、发光效率、器件稳定性。
本发明提供的印刷型LED器件，采用上述印刷用LED衬底，所述印刷用LED衬底为凹槽衬底，有利于后续功能层的沉积。其中，所述印刷用LED衬底中的第一石墨烯层作为印刷型LED器件的阳极，第二图案化石墨烯层作为印刷型LED器件的空穴注入层，在保证沉积效果的前提下，简化了印刷型LED器件的结构。进一步的，由于所述第二图案化石墨烯层含有丰富的活性官能团，所述活性官能团可以有效锚定进一步沉积的发光材料，防止发光层材料在后续溶液沉积过程中流失，从而形成均匀的发光层。而未覆盖所述第二图案化石墨烯层的区域由于不能发光材料，在后续功能层的沉积过程中，可以通过溶剂清洗等途径能够轻松除去，最终有利于得到高分辨、高效率和高均匀性的印刷型薄膜LED器件。
本发明提供的印刷型薄膜LED器件的制备方法，所述印刷用薄膜LED衬底采用上述方法制备，不仅简化了工艺流程，而且有利于提高器件的发光均匀性、发光效率、器件稳定性和设计灵活性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的印刷用薄膜LED衬底的制备流程示意图；
图2是本发明实施例提供的印刷型薄膜LED器件的制备流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种印刷用薄膜LED衬底，所述印刷用LED衬底为凹槽衬底，包括基板，以及在所述基板上设置的图案化复合层，所述图案化复合层形成印刷型薄膜LED的像素阵列，其中，所述图案化复合层包括依次设置在所述基板上的第一石墨烯层和第二图案化石墨烯层，且所述第二图案化石墨烯层在背对所述基板的表面修饰有活性官能团。
本发明实施例中，在基板上设置的图案化复合层，形成印刷型薄膜LED的像素阵列。其中，所述第一石墨烯层可以作为导电电极，所述第二图案化石墨烯层作为空穴传输层，在此基础上沉积发光层时，由于所述第二图案化石墨烯层在背对所述基板的表面修饰有活性官能团，因此，可以有效锚定发光层材料(未覆盖所述第二图案化石墨烯层的区域由于不能发光材料，在后续功能层的沉积过程中，可以通过溶剂清洗等途径能够轻松除去)，有利于提高发光层的成膜均匀性，进而提高印刷型薄膜LED的性能。
本发明实施例中，所述第一石墨烯层可以为整层石墨烯层，也可以形成图案化。当所述第一石墨烯层为图案化的第一石墨烯层时，所述第一石墨烯层的图案与所述第二图案化石墨烯层的图案对应。
本发明实施例中，所述第一石墨烯层为单层石墨烯或多层石墨烯，优选为单层石墨烯。本发明实施例中，所述第二图案化石墨烯层为单层石墨烯或多层石墨烯。
优选的，所述活性官能团为-OH、-COOH、-NH2、-NH-、-NHCONH-、-SH、-CN、-SO3H、-SOOH、-NO2、-CONH2、-CONH-、-COCl、-CO-、-O-、-COS-、-CH＝N-、O＝P(R)2、-CHO、-Cl、-Br中的至少一种，但不限于此。优选的所述官能团，具有较好的反应活性，有利于与发光层材料键合连接，从而有效形成印刷型薄膜LED器件的打印位点。
优选的，所述第二图案化石墨烯层的功函数范围为4.8eV～5.2eV，可匹配不同量子点发光材料，以更好实现能带匹配，赋予所述第二图案化石墨烯层优良的空穴传输性能，更有利于其作为印刷型薄膜LED器件的空穴传输层，进而简化印刷型薄膜LED器件的结构，提高其性能。本发明实施例可以通过调节石墨烯的氧化程度、表面官能团种类、掺杂离子类型等途径，调节其禁带宽度，从而调节其空穴传输能力。
用于本发明实施例的基板可以为刚性基板或柔性基板。具体的，所述基板为刚性基板或柔性基板，其中，所述刚性基板包括玻璃、金属箔片；所述柔性衬底包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、纺织纤维。
本发明实施例提供的印刷用薄膜LED衬底，包括由两层石墨烯图案化处理形成的图案化复合层，且在所述第二图案化石墨烯层在背对所述基板的表面修饰有活性官能团。本发明实施例提供的印刷用薄膜LED衬底，一方面，所述图案化复合层、特别是所述第二图案化石墨烯层能够为印刷型薄膜LED器件提供打印位点，有利于各功能层的沉积。另一方面，所述第一石墨烯层可以直接作为印刷型薄膜LED器件的导电电极，而在此基础上，形成所述第二图案化石墨烯层可以作为空穴传输层。由于所述第二图案化石墨烯层含有丰富的活性官能团，所述活性官能团可以有效锚定进一步沉积的发光材料，从而形成均匀的发光层。而未覆盖所述第二图案化石墨烯层的区域由于不能发光材料，在后续功能层的沉积过程中，可以通过溶剂清洗等途径能够轻松除去，最终有利于得到高分辨、高效率和高均匀性的印刷型薄膜LED器件。本发明实施例所述印刷用薄膜LED衬底可以通过下述方法制备获得。
相应的，结合图1，作为一种实施情形，本发明实施例提供了一种印刷用薄膜LED衬底的制备方法，包括以下步骤：
S01.提供第一基板1和第二基板1’，分别在所述第一基板1、第二基板1’上沉积第一石墨烯层2’、第二石墨烯层3”；
S02.将所述第二石墨烯层3”进行表面修饰处理后，转印到所述第一石墨烯层2’表面，形成复合石墨烯层；
S03.根据印刷型薄膜LED器件的预设像素阵列，将所述复合石墨烯层进行图案化处理，形成图案化复合层，得到印刷用薄膜LED衬底。
具体的，上述步骤S01中，所述第一基板1、第二基板1’的选择没有严格的选择，具体参见上述印刷用薄膜LED衬底。在所述第一基板1沉积第一石墨烯层2’、在所述第二基板1’上沉积第二石墨烯层3”的方法，没有严格的限定。
上述步骤S02中，将所述第二石墨烯层3”进行表面修饰处理，在所述第二石墨烯层表面形成氧化石墨烯，得到表面修饰后的第二石墨烯层3’。具体的，可以采用化学处理和/或物理处理对所述第二石墨烯层3”进行表面修饰处理，使所述第二石墨烯层3”表面修饰有活性官能团。其中，所述化学处理为酸处理、碱处理、电化学处理、光化学处理中的至少一种；所述物理处理为等离子体处理、紫外臭氧处理、激光处理、热处理中的至少一种。作为一个具体优选实施例，采用强酸将所述第二石墨烯层进行表面活化，引入丰富的官能团。进行修饰处理形成的所述活性官能团，其选择如前文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。
进一步的，通过转印方法将表面修饰后的第二石墨烯层3’转印到所述第一石墨烯层2’表面，形成复合石墨烯层。
上述步骤S03中，根据印刷型薄膜LED器件的预设像素阵列，将所述复合石墨烯层进行图案化处理，得到图案化第一石墨烯层2和图案化第二石墨烯层3，构成图案化复合层。具体的，所述图案化处理可以采用物理方法实现，优选采用刻蚀方法实现。具体的，可以采用等离子体刻蚀或光刻蚀途径将所述复合石墨烯层刻蚀出具有印刷型薄膜LED器件的预设像素阵列的样式。所述样式没有限制，可以是具有任意大小、任意形状的图案；所述预设像素阵列可以具有任意像素点大小、任意像素点形状、任意像素点间隔、任意像素点组合。
作为另一种实施情形，本发明实施例提供了一种印刷用薄膜LED衬底的制备方法，包括以下步骤：
Q01.提供第一基板和第二基板，分别在所述第一基板、第二基板上沉积第一石墨烯层、第二石墨烯层；
Q02.将所述第二石墨烯层依次进行图案化处理、表面修饰处理后，转印到所述第一石墨烯层表面，形成图案化复合层，得到印刷用薄膜LED衬底。
上述步骤Q01的具体操作及其选择与步骤S01相同。
上述步骤Q02中，对第二石墨烯层进行图案化处理的方法、表面修饰处理方法与修饰基团，均如上文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。
本发明实施例提供的印刷用薄膜LED衬底的制备方法，在不对传统基板进行处理的前提下，通过转印在基板上形成两层石墨烯，经过图案化处理形成图案化复合层，由此得到凹槽衬底。该方法不仅简化了工艺复杂程度，而且设计灵活度高，可以根据像素阵列的设计需要进行灵活调整。此外，由该方法制备获得的印刷用薄膜LED衬底，在印刷功能层的过程中，能够提高印刷效果，提高器件的发光均匀性、发光效率、器件稳定性。
以及，本发明实施例还提供了一种印刷型薄膜LED器件，包括衬底，依次层叠在所述衬底上的发光层、电子注入/传输层和阴极，其中，所述衬底为上述的印刷用薄膜LED衬底，且所述发光层、电子注入/传输层和阴极依次层叠结合在所述印刷用薄膜LED衬底的第二图案化石墨烯层上。
具体的，所述印刷型薄膜LED器件中，含有上述的印刷用薄膜LED衬底。所述印刷用LED衬底为凹槽衬底，包括基板，以及在所述基板上设置的图案化复合层，所述图案化复合层形成印刷型薄膜LED的像素阵列，其中，所述图案化复合层包括依次设置在所述基板上的第一石墨烯层和第二图案化石墨烯层，且所述第二图案化石墨烯层在背对所述基板的表面修饰有活性官能团。所述印刷用薄膜LED衬底的图案化复合层作为打印位点，同时所述第一石墨烯层、所述第二图案化石墨烯层分别作为阳极和空穴注入层，简化了印刷型薄膜LED器件的结构。本发明实施例中，所述第二图案化石墨烯层作为印刷型薄膜LED器件的打印位点，即有图案化石墨烯层的位置方可打印成膜，而没有图案化石墨烯层的位置则不进行打印成膜和/或不能有效打印成膜。在此前提下，一方面，由于在所述第二图案化石墨烯层在背对所述基板的表面修饰有大量的活性官能团，能够在后续打印发光层时紧密地锚定发光材料，特别是量子点发光材料(未覆盖所述第二图案化石墨烯层的区域由于不能发光材料，在后续功能层的沉积过程中，可以通过溶剂清洗等途径能够轻松除去)，得到成膜均匀、膜层牢固的发光层，这使得后续成膜过程中不会被其他溶剂重新溶解或冲走，进而在提高器件的发光均匀性、发光效率及器件稳定性的前提下，简化印刷型薄膜LED器件的结构。另一方面，所述第二图案化石墨烯层由于具有一定禁带宽度，且具有空穴传输能力，能够作为QLED器件的空穴传输层。优选的，所述第二图案化石墨烯层的功函数范围为4.8eV～5.2eV，从而赋予所述第二图案化石墨烯层优良的空穴传输性能，更有利于其作为印刷型薄膜LED器件的空穴传输层，进而简化印刷型薄膜LED器件的结构，提高其性能。本发明实施例可以通过调节石墨烯的氧化程度、表面官能团种类、掺杂离子类型等途径，调节其禁带宽度，从而调节其空穴传输能力。
本发明实施例中，所述第一石墨烯层可以为整层石墨烯层，也可以形成图案化。当所述第一石墨烯层为图案化的第一石墨烯层时，所述第一石墨烯层的图案与所述第二图案化石墨烯层的图案对应。
优选的，所述第二图案化石墨烯层的厚度为1-100nm，从而有效实现空穴传输和锚定发光层材料的作用。若所述第二图案化石墨烯层的厚度过厚，则会降低材料的导电性，不利于空穴传输。进一步优选的，所述第二图案化石墨烯层的厚度为1-40nm。
优选的，在所述图案化复合层形成的像素阵列之间，设置疏水疏氧隔绝层。所述疏水疏氧绝缘层一方面能够在沉积发光层及其他功能层时，发挥隔板的作用，将各像素点隔离，有利于提高各功能层的沉积质量。且与传统的隔板相比，所述疏水疏氧隔绝层的厚度可以非常薄，从而能够制备出超薄的印刷型薄膜LED器件。另一方面，所述疏水疏氧隔绝层具有疏水疏氧特点，从而有效防止由于沉积偏离在非像素点区域残留量子点，同时提高印刷型薄膜LED器件的防水防氧性能，提高印刷型薄膜LED器件的分辨率及使用寿命。
具体的，所述疏水疏氧隔绝层由疏水疏氧有机物和/或疏水疏氧无机物制成。优选的，所述疏水疏氧有机物为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、丁腈橡胶、氯苯橡胶、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醚砜、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚四氟乙烯、有机硅及其衍生物中的至少一种，但不限于此；所述疏水疏氧无机物为二氧化硅、三氧化二铝、氧化锆、氧化镁中的至少一种，但不限于此。优选的疏水疏氧隔绝层材料，可以更好地实现上述性能。
本发明实施例中，所述发光层根据LED器件的类型而异，可以为量子点发光层，也可以为有机发光层。即所述印刷型薄膜LED器件为印刷型QLED器件或印刷型OLED器件。
当所述发光层为量子点发光层时，所述量子点发光层可由常规的量子点制成。所述量子点可以为II-VI族纳米晶、III-V族纳米晶、II-V族纳米晶、III-VI族纳米晶、IV-VI族纳米晶、I-III-VI族纳米晶、II-IV-VI族纳米晶或IV族单质中的一种或多种。具体的，所述II-VI纳米晶包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe，但不限于此，还可以为其他二元、三元、四元的II-VI纳米晶；所述III-V族纳米晶包括GaP、GaAs、InP、InAs，但不限于此，还可以为其他二元、三元、四元的III-V化合物。
作为一种优选实施情形，所述量子点为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体。具体地，所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中，A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-。所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中，B为有机胺阳离子，包括但不限于CH3(CH2)n-2NH3 +(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体MX6 4-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX6 4-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-。
当所述光层为有机发光层时，所述有机发光层可以采用OLED器件领域常规的有机发光材料制成。
本发明实施例中，所述电子注入/传输层选自具有电子传输性能的材料，优选为具有电子传输性能的金属氧化物，所述金属氧化物包括但不限于n型ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的至少一种。
本发明实施例中，所述阴极为各种导电碳材料、导电金属氧化物材料、金属材料中的一种或多种。其中，所述导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C60、石墨、碳纤维、多空碳、或它们的混合物；所述导电金属氧化物材料包括但不限于ITO、FTO、ATO、AZO、或它们的混合物；所述金属材料包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金。其中，所述金属材料中，其形态包括但不限于纳米球、纳米线、纳米棒、纳米锥、纳米空心球、或它们的混合物。具体优选地，所述的阴极为Ag、Al。
进一步优选的，本发明实施例所述LED器件还包括界面修饰层，所述界面修饰层为电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的至少一层。
所述LED器件的封装方式可以为部分封装、全封装、或不封装，本发明实施例没有严格限制。
本发明实施例提供的印刷型LED器件，采用上述印刷用LED衬底，所述印刷用LED衬底为凹槽衬底，有利于后续功能层的沉积。其中，所述印刷用LED衬底中的第一石墨烯层作为印刷型LED器件的阳极，第二图案化石墨烯层作为印刷型LED器件的空穴注入层，在保证沉积效果的前提下，简化了印刷型LED器件的结构。进一步的，由于所述第二图案化石墨烯层含有丰富的活性官能团，所述活性官能团可以有效锚定进一步沉积的发光材料，防止发光层材料在后续溶液沉积过程中流失，从而形成均匀的发光层。而未覆盖所述第二图案化石墨烯层的区域由于不能发光材料，在后续功能层的沉积过程中，可以通过溶剂清洗等途径能够轻松除去，最终有利于得到高分辨、高效率和高均匀性的印刷型薄膜LED器件。
本发明实施例所述印刷型薄膜LED器件可以通过下述方法制备获得。
相应的，结合图2，本发明实施例提供了一种印刷型薄膜LED器件的制备方法，包括以下步骤：
E01.根据薄膜LED器件的预设像素阵列，提供上述印刷用薄膜LED衬底；
E02.在所述印刷用LED衬底中的图案化复合层上依次沉积发光层4、电子注入/传输层5和阴极6，得到印刷型薄膜LED器件。
上述步骤E01中，本发明实施例中所述印刷用LED衬底为凹槽衬底，包括基板1，以及在所述基板1上设置的图案化复合层，所述图案化复合层形成印刷型薄膜LED的像素阵列，其中，所述图案化复合层包括依次设置在所述基板1上的第一石墨烯层2和第二图案化石墨烯层3，且所述第二图案化石墨烯层3在背对所述基板1的表面修饰有活性官能团。具体的，所述印刷用LED衬底的结构、各层材料及其优选情形如上文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。本发明实施例可以按照上述印刷用薄膜LED衬底的制备方法自行制备获得印刷用LED衬底。所述印刷用薄膜LED衬底中，图案化复合层形成薄膜LED器件的像素阵列。
上述步骤E02中，在所述图案化复合层上依次沉积发光层4、电子注入/传输层5和阴极6，均可以通过本领域常规方法实现。具体的，所述的发光层、电子注入/传输层的沉积方法优选为印刷法，具体包括但不限于喷墨打印法、滚涂法、转印法、刮涂法、狭缝式涂布法、条状涂布法，进一步优选的，所述沉积方法为喷墨打印法。所述阴极的沉积可以采用化学法或物理法实现，其中，所述化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；所述物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液加工法，其中，溶液加工法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
本发明实施例提供的印刷型薄膜LED器件的制备方法，所述印刷用薄膜LED衬底采用上述方法制备，不仅简化了工艺流程，而且有利于提高器件的发光均匀性、发光效率、器件稳定性和设计灵活性。
此外，本发明实施例还提供了一种包括上述的印刷用薄膜LED衬底显示面板的显示面板，和一种包括上述的印刷用薄膜LED衬底显示面板的显示装置。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种印刷型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
E11.制备印刷用QLED衬底，包括
E111.采用CVD法在第一基板上沉积一层第一石墨烯层，在第二基板上沉积第二石墨烯层；
E112.利用浓硫酸对所述第二石墨烯层进行表面修饰处理，引入活性官能团；将表面修饰处理后的所述第二石墨烯层转印到所述第一石墨烯层表面，形成复合石墨烯层；
E113.等离子体刻蚀所述复合石墨烯层，形成图案化复合层，得到印刷用QLED衬底。
E12.在所述印刷用QLED衬底中的图案化复合层上依次打印CdSe/ZnS量子点发光层、ZnO电子传输层，并沉积Al阴极，得到印刷型QLED器件。
实施例2
一种印刷型OLED器件的制备方法，包括以下步骤：
E21.制备印刷用OLED衬底，包括
E211.采用CVD法在第一基板上沉积一层第一石墨烯层，在第二基板上沉积第二石墨烯层；
E212.利用浓硫酸对所述第二石墨烯层进行表面修饰处理，引入活性官能团；将表面修饰处理后的所述第二石墨烯层转印到所述第一石墨烯层表面，形成复合石墨烯层；
E213.等离子体刻蚀所述复合石墨烯层，形成图案化复合层，得到印刷用OLED衬底。
E22.在所述印刷用OLED衬底中的凹槽区域依次打印发光层/电子传输层，并沉积Al阴极，得到印刷型OLED器件。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种印刷用薄膜LED衬底，其特征在于，所述印刷用LED衬底为凹槽衬底，包括基板，以及在所述基板上设置的图案化复合层，所述图案化复合层形成印刷型薄膜LED的像素阵列，其中，所述图案化复合层包括依次设置在所述基板上的第一石墨烯层和第二图案化石墨烯层，且所述第二图案化石墨烯层在背对所述基板的表面修饰有活性官能团。
2.如权利要求1所述的印刷用薄膜LED衬底，其特征在于，所述活性官能团为-OH、-COOH、-NH2、-NH-、-NHCONH-、-SH、-CN、-SO3H、-SOOH、-NO2、-CONH2、-CONH-、-COCl、-CO-、-O-、-COS-、-CH＝N-、O＝P(R)2、-CHO、-Cl、-Br中的至少一种。
3.如权利要求1所述的印刷用薄膜LED衬底，其特征在于，所述第一石墨烯层为图案化的第一石墨烯层，且所述第一石墨烯层的图案与所述第二图案化石墨烯层的图案对应。
4.如权利要求1-3任一项所述的印刷用薄膜LED衬底，其特征在于，所述第一石墨烯层为单层石墨烯或多层石墨烯；和/或
所述第二图案化石墨烯层为单层石墨烯或多层石墨烯。
5.如权利要求1-3任一项所述的印刷用薄膜LED衬底，其特征在于，所述第二图案化石墨烯层的功函数范围为4.8eV～5.2eV。
6.一种印刷用薄膜LED衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一基板和第二基板，分别在所述第一基板、第二基板上沉积第一石墨烯层、第二石墨烯层；
将所述第二石墨烯层进行表面修饰处理后，转印到所述第一石墨烯层表面，形成复合石墨烯层；
根据印刷型薄膜LED器件的预设像素阵列，将所述复合石墨烯层进行图案化处理，形成图案化复合层，得到印刷用薄膜LED衬底；或
提供第一基板和第二基板，分别在所述第一基板、第二基板上沉积第一石墨烯层、第二石墨烯层；
将所述第二石墨烯层依次进行图案化处理、表面修饰处理后，转印到所述第一石墨烯层表面，形成图案化复合层，得到印刷用薄膜LED衬底。
7.如权利要求6所述的印刷用薄膜LED衬底的制备方法，其特征在于，采用化学处理和/或物理处理对所述第二石墨烯层进行表面修饰处理，使所述第二石墨烯层表面修饰有活性官能团。
8.如权利要求7所述的印刷用薄膜LED衬底的制备方法，其特征在于，所述化学处理为酸处理、碱处理、电化学处理、光化学处理中的至少一种；和/或
所述物理处理为等离子体处理、紫外臭氧处理、激光处理、热处理中的至少一种。
9.一种印刷型薄膜LED器件，其特征在于，包括衬底，依次层叠在所述衬底上的发光层、电子注入/传输层和阴极，其中，所述衬底为权利要求1-5任一项所述的印刷用薄膜LED衬底，且所述发光层、电子注入/传输层和阴极依次层叠结合在所述印刷用薄膜LED衬底的第二图案化石墨烯层上。
10.如权利要求9所述的印刷型薄膜LED器件，其特征在于，在所述图案化复合层形成的像素阵列之间，设置疏水疏氧隔绝层。
11.如权利要求10所述的印刷型薄膜LED器件，其特征在于，所述疏水疏氧隔绝层由疏水疏氧有机物和/或疏水疏氧无机物制成，其中，所述疏水疏氧有机物为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、丁腈橡胶、氯苯橡胶、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醚砜、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚四氟乙烯、有机硅及其衍生物中的至少一种；所述疏水疏氧无机物为二氧化硅、三氧化二铝、氧化锆、氧化镁中的至少一种。
12.如权利要求9-11任一项所述的印刷型薄膜LED器件，其特征在于，所述第二图案化石墨烯层的厚度为1-100nm。
13.如权利要求9-11任一项所述的印刷型薄膜LED器件，其特征在于，所述印刷型薄膜LED器件为印刷型QLED器件或印刷型OLED器件。
14.一种印刷型薄膜LED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
根据薄膜LED器件的预设像素阵列，提供如权利要求1-5任一项所述印刷用薄膜LED衬底；
在所述印刷用LED衬底中的图案化复合层上依次沉积发光层、电子注入/传输层和阴极，得到印刷型薄膜LED器件。
15.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-5任一项所述的印刷用薄膜LED衬底。
16.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-5任一项所述的印刷用薄膜LED衬底。
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