CN109935719A - 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法。所述量子点薄膜中的量子点表面结合有无机配体，所述无机配体包括Cl^‑、Br^‑、I^‑、CN^‑、SCN^‑、HS^‑、NH₄ ⁺、S^2‑、S₂O₃ ^2‑、NO₃ ^‑、NO₂ ^‑、SO₄ ^2‑、SO₃ ^2‑、PO₄ ^3‑中的至少一种。本发明提供的量子点薄膜，其量子点表面连接有无机配体，无机配体使量子点薄膜的膜层更加均匀，这样提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高发光效率，提高其整体性能。

Description

量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点(Quantum dot)是一种准零维纳米材料，类似超晶格和量子阱，其颗粒大小约为1～100nm，具有量子限域效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等性能，同时具有单色性好、色纯度高、发光光谱窄等突出优点，是一种非常有前景的纳米材料。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dots light-emitting diode,QLED)，是一种新型的显示技器件。量子点显示的优势在于色域覆盖广、色彩容易控制以及色纯度高等优点，被认为是显示技术的新星，同时也被认为是显示技术的革命性代表。

目前，在QLED的制备技术中，最常用且最有希望实现大规模产业化的生产加工方法是溶液成膜法，特别是器件中的除电极外的量子点发光层以及各种功能层。例如，对于量子点发光层的沉积方法，目前大多数溶液相成膜工艺是将表面配体功能化的量子点溶于有机溶剂中，配置成量子点溶液或量子点墨水，接着通过旋涂或印刷方式沉积衬底或底功能层上，然后采用同样的成膜方法在量子点发光层上沉积电子传输层(如ZnO)，最后蒸镀电极，得到QLED器件。但是，量子点的颗粒尺寸与普通离子或有机小分子相比较大，并且量子点表面含有丰富的有机配体，成膜后量子点颗粒之间的连接并不紧密，膜层相对松散，同时与其下方的空穴传输层之间紧密度低，沉积后的量子点仍有很大机会在后续其他功能层的溶液法成膜过程中重新溶解带走或直接冲走，导致量子点膜层不均匀，以及器件发光不均匀；即使采用难溶解量子点的溶剂，也难以避免该过程的发生，而且也因为这样，后续功能层材料的选择也会受到其可选溶剂的限制。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点薄膜及其制备方法，旨在解决现有量子点薄膜制备过程中量子点成膜后量子点颗粒之间的连接不紧密，膜层相对松散、不均匀，致使发光不均匀的技术问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述量子点薄膜的QLED器件及其制备方法、显示屏。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点薄膜，所述量子点薄膜中的量子点表面结合有无机配体，所述无机配体包括Cl^-、Br^-、I^-、CN^-、SCN^-、HS^-、NH₄ ⁺、S^2-、S₂O₃ ^2-、NO₃ ^-、NO₂ ^-、SO₄ ^2-、SO₃ ^2-、PO₄ ^3-中的至少一种。

相应地，上述量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：

提供气态的无机原料，以及量子点预制薄膜；

将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入所述无机原料进行气相配体置换，使所述量子点预制薄膜中的量子点表面初始配体置换为无机配体，得到所述量子点薄膜。

本发明另一方面提供一种QLED器件，包括层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，所述量子点发光层为上述量子点薄膜。

相应地，上述QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照上述所述量子点薄膜的制备方法，将量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

以及，一种显示屏，包括上述QLED器件。

本发明提供的量子点薄膜，其量子点表面连接有无机配体，一方面，由于无机配体体积远远小于有机配体，能够钝化量子点表面有机配体不能钝化的地方，从而更有效地钝化量子点的表面缺陷；另一方面，同样由于无机配体的体积和空间位阻远远小于有机配体，这使量子点之间(特别是形成量子点薄膜之后)的间隔更小，即量子点之间的距离更短，从而降低载流子的传输距离，进而提高载流子的传输，而且无机配体使量子点薄膜的膜层更加均匀，这样提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高发光效率，最终实现提高器件整体性能的效果。

本发明提供的量子点薄膜的制备方法，采用气相法对量子点预制薄膜的表面原位配体交换为无机配体，相对于采用溶液法进行配体置换，气相原位配体交换具有无溶剂损伤(提高得到的量子点薄膜的整体性能)、成本低廉、工艺简单等突出优点，采用原位配体交换将量子点预制薄膜中量子点表面的初始配体置换为置换配体，从而改变量子点成膜之后的表面极性及表面张力，进而通过控制量子点表面的极性，避免量子点发光层免受上层电子功能材料溶液溶剂的影响，当量子点溶液通过成膜工艺形成量子点预制薄膜后，量子点的排布和位置基本固定，此时再用气态的无机配体进行配体置换就不会出现溶液沉降的问题，且量子点成膜过程不受交换后的配体结构的影响。此外，采用气相法进行配体置换，气相氛围内配体置换程度更充分，且置换配体的选择不受溶液环境的局限，具有较好的选择灵活性，可以实现规模化和工业化生产；而且采用无机配体置换，使制备的量子点薄膜的膜层更加均匀，这样提高了量子点膜中的载流子传输，可相应地提高发光效率。

本发明提供的QLED器件、显示屏，包含由上述量子点薄膜。由于该量子点薄膜中量子点表面连接有无机配体，无机配体使量子点薄膜的膜层更加均匀，这样提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高器件效率，进一步提高QLED器件、显示屏的光电性能。

本发明提供的QLED器件的制备方法，在QLED器件常规制备方法的基础上，采用气相法对量子点预制薄膜进行表面配体置换，置换为无机配体，不仅工艺简单，且采用气相法进行无机配体置换得到的量子点发光层更加均匀，这样提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高器件效率。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种量子点薄膜，该量子点薄膜中的量子点表面结合有无机配体，所述无机配体包括Cl^-、Br^-、I^-、CN^-、SCN^-、HS^-、NH₄ ⁺、S^2-、S₂O₃ ^2-、NO₃ ^-、NO₂ ^-、SO₄ ^2-、SO₃ ^2-、PO₄ ^3-中的至少一种。

本发明实施例提供的量子点薄膜，其量子点表面连接有无机配体，一方面，由于无机配体体积远远小于有机配体，能够钝化量子点表面有机配体不能钝化的地方，从而更有效地钝化量子点的表面缺陷；另一方面，同样由于无机配体的体积和空间位阻远远小于有机配体，这使量子点之间(特别是形成量子点薄膜之后)的间隔更小，即量子点之间的距离更短，从而降低载流子的传输距离，进而提高载流子的传输，而且无机配体使量子点薄膜的膜层更加均匀，这样提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高发光效率，最终实现提高器件整体性能的效果。

本发明实施例提供的量子点薄膜，可以适用于量子点发光二极管，也可以适用于含量子点层的其他电子器件，包括但不限于量子点探测器、量子点传感器、量子点太阳电池、量子点激光器等。

相应地，本发明实施例提供一种上述量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：

S01：提供气态的无机原料，以及量子点预制薄膜；

S02：将上述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入上述无机原料进行气相配体置换，使所述量子点预制薄膜中的量子点表面初始配体置换为无机配体，得到所述量子点薄膜。

本发明实施例提供的量子点薄膜的制备方法，采用气相法对量子点预制薄膜的表面原位配体交换为无机配体，相对于采用溶液法进行配体置换，气相原位配体交换具有无溶剂损伤(提高得到的量子点薄膜的整体性能)、成本低廉、工艺简单等突出优点，采用原位配体交换将量子点预制薄膜中量子点表面的初始配体置换为置换配体，从而改变量子点成膜之后的表面极性及表面张力，进而通过控制量子点表面的极性，避免量子点发光层免受上层电子功能材料溶液溶剂的影响，当量子点溶液通过成膜工艺形成量子点预制薄膜后，量子点的排布和位置基本固定，此时再用气态的无机配体进行配体置换就不会出现溶液沉降的问题，且量子点成膜过程不受交换后的配体结构的影响。此外，采用气相法进行配体置换，气相氛围内配体置换程度更充分，且置换配体的选择不受溶液环境的局限，具有较好的选择灵活性，可以实现规模化和工业化生产；而且采用无机配体置换，使制备的量子点薄膜的膜层更加均匀，这样提高了量子点膜中的载流子传输，可相应地提高发光效率。

具体的，上述步骤S01中，所述量子点预制薄膜可以为合成量子点后引入表面配体的量子点预制薄膜，也可以是通过溶液法进行配体交换后得到的量子点预制薄膜。所述量子点预制薄膜中的量子点表面含有初始配体，所述初始配体为合成量子点结束后引入的表面配体，或通过溶液法进行配体交换引入的表面配体，本发明实施例没有严格限定，一般为有机配体，包括但不限于十四烯、十六烯、十八烯、十八烷基胺、十八烯酸、三辛胺、三辛基氧膦、三辛基膦、十八烷基膦酸、9-十八烯胺、巯基十一酸中的至少一种。

所述量子点预制薄膜中的量子点为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。具体地，所述II-VI族化合物(半导体材料)包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe，但不限于此，还可以为其他二元、三元、四元的II-VI族化合物；III-V族化合物(半导体材料)的纳米晶包括但不限于GaP、GaAs、InP、InAss，但不限于此，还可以为其他二元、三元、四元的III-V化合物。

作为一种优选实施情形，所述量子点为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体。具体地，所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX₃，其中，A为Cs⁺离子，M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl^-、Br^-、I^-。所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX₃，其中，B为有机胺阳离子，包括但不限于CH₃(CH₂)_n-2NH₃ ⁺(n≥2)或NH₃(CH₂)_nNH₃ ²⁺(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体MX₆ ^4-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX₆ ^4-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl^-、Br^-、I^-。

上述步骤S02中，将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，所述可密闭装置作为反应装置，一方面，能够防止水、氧进入，对配体置换造成影响；更重要的是，所述可密闭装置的密闭环境，可以形成加压或真空环境，从而促进配体置换反应的进行。理论上，只要能实现一定真空度的密闭腔室均能用于本发明实施例，可以是低真空密闭腔室，也可以是高真空密闭腔室，本发明实施例没有严格限制。

本发明实施例通过通入气态的无机原料，为配体交换提供物质基础，所述无机原料包括氨气、氯气、溴气、碘气、硫化氢、硫化铵、氯化氢、溴化氢、锑化氢、氯化铵、硫氰酸、硝酸、亚硝酸、硫酸、亚硫酸、硫代硫酸、磷酸、醋酸中的至少一种。

进一步地，所述提供气态的无机原料的过程包括：将液态无机原料经蒸发或沸腾处理后得到气态的无机原料；如硫氰酸、硝酸、亚硝酸、硫酸、亚硫酸、硫代硫酸、磷酸和醋酸，常温为液体，可对其进行蒸发处理，形成气态的硫氰酸、硝酸、亚硝酸、硫酸、亚硫酸、硫代硫酸、磷酸和醋酸，再将其通入可密闭装置中，进行气相配体置换。所述提供气态的无机原料的过程还可以包括：将固态无机原料经升华处理或依次经液化处理、蒸发处理后得到气态的无机原料，如硫化铵和氯化铵常温为固态，可对其进行升华处理或依次经液化处理、蒸发处理后得到气态的硫化铵和氯化铵，再将其通入可密闭装置中，进行气相配体置换。

进一步的，通过调节所述可密闭装置中的压力、温度、无机配体的分压，实现气相配体置换，使所述量子点预制薄膜中量子点表面的初始配体与所述无机原料发生配体交换，最终得到量子点表面结合所述无机原料的量子点薄膜。

优选的，本发明实施例采用在真空环境下进行气相配体置换。具体的，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部压力为10^-5-10³Pa，所述无机原料的分压为10^-4-10²Pa。通过控制所述可密闭装置的内部压力，有效降低正方向产物的含量；而通过调节所述无机原料的分压，保证所述无机原料在反应环境中的合适含量，从而从产物源头和原料源头双层促使置换反应向正方向(量子点与所述无机原料结合的方向)进行。进一步优选的，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部压力为10^-4-10²Pa，所述无机原料的分压为0.01-10Pa，从而更有利于置换反应朝正方向进行。

本发明实施例中，所述气相配体置换可以在常温下进行，优选的，为了提高反应速率，可以对其进行加热处理。综上，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部温度为5～200℃，优选5～60℃。

本发明实施例中，所述气相配体置换的时间根据初始配体和无机配体的种类，以及所述可密闭装置的内部压力、无机配体的分压而异，在0.5-360min之间。

以及，本发明实施例还提供了一种QLED器件，包括层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，其中，所述量子点发光层为上述本发明实施例的量子点薄膜。

本发明实施例提供的QLED器件，包含由上述量子点薄膜。由于该量子点薄膜中量子点表面连接有无机配体，无机配体使量子点薄膜的膜层更加均匀，这样提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高器件效率，进一步提高QLED器件、显示屏的光电性能。

本发明实施例中，所述QLED器件可以为正型QLED器件，也可以为反型QLED器件。作为一种实施情形，所述QLED器件可以为正型QLED器件，即所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极。作为另一种实施情形，所述QLED器件可以为反型QLED器件，即所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

在上述实施例的基础上，进一步优选的，所述QLED器件还包括功能修饰层，所述功能修饰层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的至少一种。所述空穴注入层、空穴传输层设置在阳极和量子点发光层之间，所述电子注入层、电子传输层设置在量子点发光层和阴极之间。

其中，所述量子点薄膜如上文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。

所述衬底为刚性衬底或柔性衬底，所述刚性衬底包括但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；所述柔性衬底包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯乙烯(PS)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚芳基酸酯(PAT)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PV)、聚乙烯(PE)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、纺织纤维中的一种或多种。

所述底电极、所述顶电极单独选自金属材料、碳材料、金属氧化物中的至少一种。其中，所述金属材料包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金；所述碳材料包括但不限于石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种。所述金属氧化物为掺杂或非掺杂的金属氧化物，具体的，作为一种实施情形，所述掺杂金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)、铝掺杂氧化镁(AMO)中的一种或多种。作为另一种实施情形，所述底电极、所述顶电极可以单独选自透明金属氧化物中含有金属夹层的复合电极，其中，所述透明金属氧化物可以为掺杂透明金属氧化物，也可以为非掺杂的透明金属氧化物。所述复合电极包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂中的一种或多种。本发明实施例中，可以根据不同量子点发光二极管的发光特点，包括顶发射器件、底发射器件、全透明器件，选用不同材料的底电极和顶电极，搭配构建具有不同器件结构的量子点发光二极管。

所述空穴注入层选自具有空穴注入能力的有机材料。制备所述空穴注入层的空穴注入材料包括但不限于聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、酞菁铜(CuPc)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。其中，所述过渡金属氧化物包括但不限于MoO₃、VO₂、WO₃、CrO₃、CuO中的至少一种；所述金属硫系化合物包括但不限于MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂、CuS中的至少一种。

所述空穴传输层选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60中的至少一种。作为另一个实施例，所述空穴传输层4选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于掺杂或非掺杂的MoO₃、VO₂、WO₃、CrO₃、CuO、MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂、CuS中的至少一种。

所述电子传输层选自具有电子传输性能的材料，优选为具有电子传输性能的无机材料或有机材料，所述无机材料包括但不限于n型ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Ca、Ba、CsF、LiF、Cs₂CO₃中的至少一种；所述有机材料包括不限于Alq₃、TPBi、BCP、BPhen、PBD、TAZ、OXD-7、3TPYMB、BP4mPy、TmPyPB、BmPyPhB、TQB中的至少一种。

进一步优选的，本发明实施例所述QLED器件还包括界面修饰层，所述界面修饰层为电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的至少一层。

所述QLED器件的封装方式可以为部分封装、全封装、或不封装，本发明实施例没有严格限制。

相应的，本发明实施例提供了一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

E01.提供底电极；

E02.在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

E03.按照上述量子点薄膜的制备方法，将量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

E04.在所述量子点发光层上制备顶电极，

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

本发明提供的QLED器件的制备方法，在QLED器件常规制备方法的基础上，采用气相法对量子点预制薄膜进行表面配体置换，置换为无机配体，不仅工艺简单，且采用气相法进行无机配体置换得到的量子点发光层更加均匀，这样提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高器件效率。

具体地，在QLED器件中量子点成膜之后，通过气相反应方法对量子点层进行配体交换，将量子点合成中包覆的表面配体(如油酸等)替换为无机配体。其中一个例子为：将油胺配体包覆的CdSe/CdS核壳结构量子点层置于真空腔室内，通入一定比例的卤素气体(如氯气、溴蒸汽、碘蒸汽等)，此时卤素气体会与量子点表面的组分发生气相化学反应，将量子点表面的油胺配体替换成卤素原子，使其以CdX₂的形式在量子点外表面存在。无机表面配体会提高量子点薄膜中的载流子传输，提高器件效率。通过气相反应的方法，将量子点膜中的量子点表面配体通过气相化学反应替换为无机配体，可以提高器件中载流子的传输能力，提高器件效率。

具体的，上述步骤E02中，在所述底电极上沉积量子点薄膜，制备量子点发光层，参照所述量子点薄膜的制备方法进行，为了节约篇幅，此处不再赘述。

优选的，还包括在量子点发光层和电极之间设置功能修饰层，如，当底电极为阳极、顶电极为阴极时，在制备量子点发光层之前，还包括沉积空穴注入层和空穴传输层中的至少一层；在制备顶电极之前，还包括在量子点发光层上沉积电子传输层、电子注入层中的至少一层。当底电极为阴极、顶电极为阳极时，在制备量子点发光层之前，还包括沉积电子传输层、电子注入层中的至少一层；在制备顶电极之前，还包括在量子点发光层上沉积空穴注入层和空穴传输层中的至少一层。

所述顶电极、底电极、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、以及量子点预制薄膜的沉积方法，可以化学法或物理法实现，其中，所述化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；所述物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液加工法，其中，溶液加工法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。

以及，本发明实施例还提供了一种显示屏，包括上述的QLED器件。

本发明实施例提供的显示屏，由于含有上述量子点薄膜，因此，提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高器件效率。

本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。

实施例1

一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供CdSe量子点预制薄膜，将所述量子点预制薄膜转移到真空腔室内，通入1,2-乙二硫醇气体，其中，真空腔室内部压力为5Pa、1,2-乙二硫醇气体的分压为1Pa，腔室内部温度为25℃，处理时间为30min，处理结束后取出，得到配体置换为1,2-乙二硫醇的CdSe量子点薄膜。

实施例2

一种正型结构量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

在ITO阳极上依次打印PEDOT空穴注入层、TFB空穴传输层、表面包覆有巯基乙酸配体的CdSe量子点预制薄膜层；

将上述制备的量子点预制薄膜层转移到真空腔室内，通入溴化氢气体，其中腔室内部压力为5Pa、溴化氢气体的分压为1Pa，腔室内部温度为25℃，处理时间为30min，处理结束后取出，得到表面配体置换为Br^-的CdSe量子点发光层；

将配体交换后的量子点发光层上打印ZnO电子传输层，最后蒸镀Al阴极，得到正型结构量子点发光二极管。

实施例3

一种反型结构量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

在ITO阴极上依次打印ZnO电子传输层、表面包覆有巯基乙酸的CdSe量子点预制薄膜层；

将上述制备的量子点预制薄膜层转移到真空腔室内，通入溴化氢气体，其中腔室内部压力为5Pa、溴化氢气体的分压为1Pa，腔室内部温度为25℃，处理时间为30min，处理结束后取出，得到表面配体置换为Br^-的CdSe量子点发光层；

将配体交换后的量子点发光层上依次打印TFB空穴传输层和PEDOT空穴注入层，最后蒸镀Al阳极，得到反型结构量子点发光二极管。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种量子点薄膜，其特征在于，所述量子点薄膜中的量子点表面结合有无机配体，所述无机配体包括Cl^-、Br^-、I^-、CN^-、SCN^-、HS^-、NH₄ ⁺、S^2-、S₂O₃ ^2-、NO₃ ^-、NO₂ ^-、SO₄ ^2-、SO₃ ^2-、PO₄ ^3-中的至少一种。

2.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供气态的无机原料，以及量子点预制薄膜；

将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入所述无机原料进行气相配体置换，使所述量子点预制薄膜中的量子点表面初始配体置换为无机配体，得到所述量子点薄膜。

3.如权利要求2所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述无机原料包括氨气、氯气、溴气、碘气、硫化氢、硫化铵、氯化氢、溴化氢、锑化氢、氯化铵、硫氰酸、硝酸、亚硝酸、硫酸、亚硫酸、硫代硫酸、磷酸、醋酸中的至少一种。

4.如权利要求2所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述提供气态的无机原料的过程包括：将液态无机原料经蒸发或沸腾处理后得到气态的无机原料；或

将固态无机原料经升华处理或依次经液化处理、蒸发处理后得到气态的无机原料。

5.如权利要求2所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述可密闭装置内的总压为10^-5-10³Pa，所述无机原料的分压为10^-4-10²Pa。

6.如权利要求2所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述气相配体置换的温度为5-200℃；和/或

所述气相配体置换的时间为0.5-360min。

7.一种QLED器件，包括层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，其特征在于，所述量子点发光层为权利要求1所述的量子点薄膜或权利要求2-6任一项所述的制备方法获得的量子点薄膜。

8.如权利要求7所述的QLED器件，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或

所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照权利要求2-6任一项所述的制备方法，将量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

10.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求7或8所述的QLED器件。