CN109390458A - 发光半导体芯片和光电子组件 - Google Patents

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Abstract

一种发光半导体芯片，所述发光半导体芯片具有：‑辐射可穿透的衬底(101)，‑在衬底(101)的主面(104)上的外延生长的半导体层序列(102)，‑在半导体层序列(102)的背离衬底(101)的接触侧(114)上的第一接触部(105)和第二接触部(106)，所述第一和第二接触部用于电接触和机械接触半导体芯片(100)，‑透明导电层(107)，所述透明导电层设置在接触侧(114)上并且与第一接触部(105)电连接。

Description

发光半导体芯片和光电子组件
本专利申请要求德国专利申请10 2017 117 504.0的优先权，其公开内容在此通过参引并入本文。
技术领域
本申请涉及一种发光半导体芯片以及一种具有这种半导体芯片的光电子组件。
背景技术
期望的是，提出半导体芯片以及光电子器件，使得能够实现有效率的运行。
发明内容
根据一个实施方式，发光半导体芯片具有辐射可穿透的衬底。衬底例如是蓝宝石衬底。根据另一实施方式，衬底由其他材料构成。衬底例如是生长衬底。衬底根据另外的实施方式是承载衬底。辐射可穿透的衬底尤其由一定材料和以一定的层厚度构成，使得衬底关于在半导体芯片运行时产生的电磁辐射的波长具有至少60％、70％、80％或至少90％的透射率。尤其地，在可见范围中、以及在邻接的紫外范围和红外范围中的光尽可能少地由衬底吸收。衬底对于所述波长范围尤其具有至少60％、70％或80％或至少90％的透射率。
根据至少一个另外的实施方式，发光半导体芯片在衬底的主面上具有外延生长的半导体层序列。半导体层序列例如具有p型传导的半导体层和n型传导的半导体层。在也称作为生长方向的竖直方向上，在p型传导的半导体层和n型传导的半导体层之间例如设置有有源层。有源层例如是pn结。
例如，半导体层序列基于氮化镓、氮化铟或其他材料，如砷化镓。在半导体芯片运行时，半导体层序列尤其设计用于，发射在可见的、紫外的或红外的光谱范围中的电磁辐射。例如，半导体芯片是发光二极管(LED)。
半导体层序列根据至少一个实施方式在该衬底上生长。该衬底因此是半导体层序列的生长衬底。根据至少一个另外的实施方式，半导体层序列首先在另一衬底上生长，并且随后施加到该衬底上。该衬底因此不是生长衬底，而是承载衬底。
根据至少一个实施方式，发光半导体芯片在半导体层序列的背离衬底的接触侧上具有第一和第二接触部，所述第一和第二接触部用于电接触和机械接触半导体芯片。第一接触部例如与半导体层序列的n型传导层导电地连接。第二接触部例如与半导体层序列的p型传导层导电地连接。第一和第二接触部用于，在运行时能够将外部的电流/电压源连接到发光半导体芯片上。例如，第一和第二接触部设计用于，与载体的印制导线导电地连接，其也称作为导体框。第一和/或第二接触部根据至少一个实施方式具有由介电材料和导电金属、如银构成的多个层。尤其地，第一和/或第二接触部分别至少在朝向衬底的一侧上反射性地构成，尤其对于由半导体层序列发射的辐射反射性地构成。
根据至少一个实施方式，发光半导体芯片具有透明导电层。透明导电层尤其设置在接触侧上。透明导电层与第一接触部电连接。
透明导电层例如是透明导电氧化物(也称作为TCO)。例如是由氧化铟构成的层。导电层例如用于将第一接触部与半导体层序列连接。借助于导电层，此外在下述面上用电流或电压供应半导体层序列，所述面大于接触部的面。
透明导电层尤其对于在可见的、红外的和/或紫外的范围中的电磁辐射是透明的。导电层关于在半导体层序列运行时产生的电磁辐射的峰值波长具有至少60％、70％、80％或至少90％的透射率。
透明导电层也能够称作为电流扩展层。
根据至少一个实施方式，发光半导体芯片具有辐射可穿透的衬底。半导体芯片具有在衬底的主面上的外延生长的半导体层序列。半导体芯片在半导体层序列的背离衬底的接触侧上具有第一和第二接触部。第一和第二接触部分别用于电接触和机械接触半导体芯片。半导体芯片具有透明导电层。透明导电层设置在接触侧上并且与第一接触部电连接。
根据至少一个实施方式，半导体芯片构成为体积发射器。在半导体芯片运行时产生的电磁辐射能够经由半导体芯片的前侧、后侧和侧面耦合输出。后侧例如是衬底的背离半导体层序列的一侧。半导体芯片的侧面例如能够通过衬底的侧面形成。
在运行时在半导体层序列中产生的辐射能够通过透明导线层在半导体芯片的后侧上耦合输出。辐射能够通过辐射可穿透的衬底在半导体芯片的前侧和侧面上耦合输出。
根据至少一个实施方式，第一和第二接触部在接触侧上设置在导电层之间。导电层比第一和第二接触部更靠近相应的侧面设置。第一和第二接触部例如设置在接触侧的中间区域中。透明导电层尤其从接触部起延伸至半导体芯片的侧面。例如，接触侧的在30％和90％之间的面积份额由透明导电层覆盖。尤其地，接触部的面积份额与透明导电层的面积份额相比尽可能小地选择。然而，第一和第二接触部至少选择得大至，使得能够保持足够的机械接触和/或电接触。尤其地，这通过在制造期间的公差限制。例如，透明导电层的面积份额在接触侧的30％和50％之间。
根据至少一个实施方式，光电子组件根据至少一个实施方式具有半导体芯片。
光电子组件根据至少一个实施方式具有载体，所述载体具有第一和第二电印制导线。载体也称作为导体框。载体设计成，机械地承载半导体芯片。载体此外提供用于电接触半导体芯片的接口。例如，第一和第二电印制导线能够与外部的电流/电压源耦联。
根据至少一个实施方式，第一接触部与第一印制导线电耦联和机械耦联。第二接触部与第二印制导线电耦联和机械耦联。半导体芯片因此尤其借助于两个接触部由载体机械地保持和支撑。此外，半导体芯片借助于印制导线电接触，从而能够用电流/电压进行供应。
根据至少一个实施方式，透明导电层沿着半导体层序列的堆叠方向与载体具有间距。堆叠方向尤其沿着竖直线定向并且也能够称作为生长方向。透明导电层不与载体接触，尤其不与载体的印制导线接触。
根据至少一个实施方式，光电子组件具有根据至少一个根据本申请的实施方式的半导体芯片。光电子组件具有载体，所述载体具有第一和第二电印制导线。第一接触部与第一印制导线机械耦联和电耦联。第二接触部与第二印制导线机械耦联和电耦联。透明导电层沿着半导体层序列的堆叠方向具有到载体的间距。
在此描述的半导体芯片和在此描述的光电子器件在此还基于如下考虑。半导体芯片的例如由银构成的金属接触部和光电子器件的典型的印制导线具有尤其对于蓝色范围中辐射的相对差的反射率。低的反射率引起光学损失从而降低组件的效率。
在此描述的半导体芯片和在此描述的光电子器件现在分别利用如下构思，金属的接触部更小地构成，并且尤其设置在半导体芯片的中间区域中，而不是整面地设置在半导体芯片上。半导体芯片固定在印制导线上，例如借助于焊接，使得在半导体芯片和导体框之间构成间距，尤其在半导体芯片的接触部之外构成间距。半导体芯片的一部分因此保持露出并且能够将辐射也在该部位处从半导体芯片中耦合输出，替代由整面的金属化部反射。因此能够避免损失，所述损失在辐射直接在芯片上反射时出现。所述辐射在离开半导体芯片之前能够再次在半导体芯片中吸收。
根据至少一个实施方式，在透明导电层和载体之间设置有用于波长转换的转换器。例如，半导体芯片构成为用于，发射在蓝色的波长范围中的辐射。转换器将蓝色范围中的辐射转换成其他波长范围中的辐射，例如绿色和/或红色波长范围中的辐射。转换器例如具有磷光体。由于设置在透明导电层和印制导线之间的转换器，尤其将半导体芯片的辐射在其射到印制导线上之前转换。因此，尽可能少的蓝色范围中的辐射射到印制导线上，而是尤其在蓝色和/或红色波长范围中的辐射射到印制导线上。射到印制导线上的辐射由印制导线反射。印制导线的反射特性在红色和/或绿色波长范围中比在蓝色波长范围中更好。在绿色和/或红色波长范围中，与在蓝色波长范围中相比更少辐射由印制导线吸收。因此，在运行中整体上更多辐射由印制导线反射并且更少辐射被吸收。因此，提高组件的效率。
整体上，更少份额的蓝色辐射必须由印制导线反射和在半导体芯片中反射。更大份额的辐射在辐射射到反射表面上之前被转换。转换的辐射在金属的印制导线和接触部上具有更少的反射损失，所述印制导线和接触部例如由银构成。
根据至少一个实施方式，用于转换波长的另一转换器设置在衬底的与接触侧相对置的一侧上。例如，转换器和另一转换器具有彼此不同浓度的转换材料。尤其地，在透明导电层和印制导线之间的转换器中的转换材料的浓度高于在另一转换器中的浓度。朝向印制导线的方向发射的辐射因此以更高的概率转换。因此，必须再次反射蓝色范围中的更少的辐射。不朝向印制导线的方向发射、而是例如朝向相反的方向发射的辐射由另一转换器转换，使得略为更多的蓝色辐射能够不反射地发射。因此，在另一转换器中必须发生更少的转换，由此另一转换器更小程度地变热。
例如，转换器和另一转换器在不同的组合中却具有相同的材料。根据至少一个另外的实施方式，转换器和另一转换器具有彼此不同的材料，例如彼此不同的硅树脂和/或彼此不同的磷光体。因此可行的是，接受不同的前提条件，并且尤其实现不同的转换程度。
根据至少一个实施方式，第一和第二电印制导线分别具有回缩区域，在所述回缩区域中设置有转换器。因此，将转换器置于透明导电层和印制导线之间是相对简单的。
根据至少一个另外的实施方式，第一和第二接触部分别具有突出区域，所述突出区域与相应的印制导线耦联，以便构成到载体的间距。例如，接触部的突出区域借助于电镀构成。于是，根据一个实施方式能够放弃电印制导线中的回缩区域。
根据至少一个另外的实施方式，第一和第二印制导线替选地或附加地能够分别具有突出区域，所述突出区域与相应的接触部耦联，以便构成到载体的间距。两个印制导线具有一种类型的插座，使得半导体芯片尤其在透明导电层的区域中具有到印制导线的间距。
根据至少一个实施方式，沿着半导体层序列的堆叠方向，第一接触部和第二接触部设置在衬底和两个电印制导线之间。半导体层序列、第一接触部和第二接触部因此朝向载体。衬底朝向组件的主出射面。
半导体芯片和具有半导体芯片的组件因此具有更高的效率，因为将辐射的更大的份额在其反射之前转换。此外，与蓝色范围中的辐射相比，将更高份额的转换辐射反射。在半导体芯片和载体之间的转换器能够有效地冷却，尤其因为印制导线是导热的。由于与常规的半导体芯片相比在半导体芯片和印制导线之间的接触面更小，在运行时降低机械应力。机械应力也能够由于突出区域和/或回缩区域降低。
附图说明
其他优点、特征和改进方案从下面结合附图阐述的实施例中得出。
相同的、同类的或起相同作用的元件能够在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中示出的元件相互间的大小关系不可视作为是按照比例的。
附图示出：
图1示出根据一个实施例的发光半导体芯片的示意图，
图2示出根据一个实施例的半导体芯片的前侧的示意图，
图3示出根据一个实施例的光电子组件的示意图，
图4示出根据一个实施例的光电子组件的示意图，
图5示出根据一个实施例的光电子组件的示意图，
图6示出根据一个实施例的透明导电层的透射特性的示意图。
具体实施方式
图1示出根据一个实施例的发光半导体芯片100的示意图。发光半导体芯片100具有面状地扩展的衬底101。衬底101例如是蓝宝石衬底。衬底101尤其对于电磁辐射109是辐射可穿透的，所述电磁辐射在发光半导体芯片100运行时产生。衬底101在主面104上具有半导体层序列102。半导体层序列尤其是由氮化铟镓构成的外延生长的半导体层序列。用于衬底101和半导体层序列102的其他材料也是可行的。
半导体层序列102具有有源层103，例如pn结。半导体层序列102构成为，发射尤其在蓝色光谱范围中的电磁辐射109。
在半导体层序列102的背离衬底101的一侧114上构成有第一接触部105和第二接触部106。第一和第二接触部105、106尤其用于电接触和机械接触半导体芯片100。借助于第一和第二接触部105、106可行的是，将电压施加到半导体层序列102上，使得发射辐射109。例如，第一接触部105具有接触层115。接触层115具有一个或多个介电层和金属层。尤其，接触层115具有由银构成的层。接触层115尤其反射性地构成。
接触部105、106分别设置在半导体芯片100的中间区域113中。接触部105、106分别在横向方向上沿着接触侧114不延伸直至半导体芯片100的侧面112。侧面112尤其分别沿着堆叠方向204延伸，所述堆叠方向尤其竖直地伸展。侧面112沿着堆叠方向204在半导体芯片100的后侧111之间延伸，所述后侧背离半导体层序列102。半导体芯片的前侧110与后侧111相对置。
接触部105和106不完全地覆盖接触侧114。接触部105和106仅部分地覆盖半导体层序列102，尤其接触侧114。半导体层序列102、尤其接触侧114的区域不具有反射的接触部105、106。
接触侧114的不由接触部105、106覆盖的区域由透明导电层107覆盖。透明导电层107与第一接触部105电连接。第二接触部106尤其与半导体层序列102的背离的一侧电连接，例如借助于过孔(未详细示出)电连接，其也称作为Vias。相应地，第二接触部106相对于第一接触部105和导电层107电绝缘。在运行中流到接触部105、106的电流至少部分地继续流动到层107中并且从那里流动至半导体层序列102。层107因此用作为电流扩展层，以便尽可能整面地电接触半导体层序列102。
透明导电层107尤其对于电磁辐射109是可穿透的，所述电磁辐射在半导体层序列102中产生。例如，层107分别由氧化铟锡形成。
半导体芯片100因此构成为体积发射器。辐射109既在前侧110上通过层107离开半导体芯片100、在后侧111上离开半导体芯片100，也在侧面112上离开半导体芯片100。仅在其中设置有金属接触部105、106的中间区域113中，辐射不在前侧110上耦合输出。
图2示出根据一个实施例的半导体芯片100的前侧110的俯视图。接触部105、106设置在中间区域113中。接触部105、106仅构成前侧110的一部分。在接触部105、106之外构成有层107。层107包围前侧110上的接触部105、106。尤其地，接触部105、106覆盖前侧110的20％和50％之间的区域。金属接触部105和106因此尽可能小地构成，使得然而还保留足够的导热性和机械可操作性。例如，接触部105、106在1×1mm2大的半导体芯片100中大致为150μm至200μm宽和200μm至300μm长。
图3示出根据一个实施例的光电子组件200的示意图。组件200具有根据至少一个实施例的发光半导体芯片100。
半导体芯片100借助于接触部105、106与载体201的印制导线202、203电地和机械地连接，例如借助于焊接。
载体201用于承载半导体芯片100和提供用于电接触半导体芯片100的电接口。第一电印制导线202尤其与第一接触部105连接。第二电印制导线203尤其与第二接触部106连接。印制导线202、203例如是铜印制导线，所述铜印制导线由银包覆。印制导线202和203尤其反射性地构成，如下面更详细阐述。
在示出的实施例中，印制导线202、203分别具有突出区域215。关于印制导线202、203的横向主扩展方向，区域215分别与堆叠方向204反向地竖直突出。与接触部105、106的电的和机械的接触部在突出区域215上构成。因此半导体芯片在突出区域215之外以到印制导线202、203的间距205设置。尤其是，层107的背离半导体层序列的外侧与印制导线202、203间隔开地设置。因此，辐射109也能够在芯片100的前侧110上在其由印制导线202、203反射之前射出。
组件200具有主出射面216，在运行中辐射应主要从所述辐射出射面中离开组件200。主出射面216背离载体201和印制导线202、203。由于间距205和透明层107，辐射109能够首先朝载体201的方向离开半导体芯片100，并且随后才朝主出射面216的方向反射。与接触侧114完全金属化以便将辐射直接朝辐射出射面的方向反射的半导体芯片相比，因此在半导体芯片100本身中出现更少量的吸收，因为辐射109能够在前侧110上未反射地离开半导体芯片100。
组件200具有转换器206，所述转换器包围半导体芯片100。尤其地，转换器206也设置在透明导电层107上。转换器206尤其沿着堆叠方向204设置在半导体芯片100和印制导线202、203之间。转换器206尤其具有转换材料，所述转换材料将辐射109转换成具有与辐射109不同波长的辐射210、211。例如，转换器具有磷光体，所述磷光体处于硅树脂209中。
例如，转换辐射210具有在红色范围中的波长。转换辐射211例如具有在绿色范围中的波长。
如以转换辐射210为例示出，辐射109的至少一部分在其由印制导线202或印制导线203朝向主出射面216的方向反射之前转换。以转换辐射211为例示出，辐射109的一部分已经通过转换沿朝主出射面216的方向定向。
金属、例如银、铝或金具有波长相关的反射特性。在蓝色范围301中，反射能力尤其在银中比在绿色范围302中和在红色范围303中更小(图6)。
由于使用透明导电层107和将半导体芯片100以到进行反射的印制导线202、203的间距205设置，大份额的蓝色辐射109离开半导体芯片100。在半导体芯片100本身中出现少量的吸收损失，因为芯片中的吸收对于在绿色和红色范围中的辐射210和211小于对于在蓝色区域中的辐射109。
整体上，仅更小份额的发射的辐射109由金属面或金属镜反射。如以转换辐射210和211为例示出，将辐射109在其到达反射表面之前转换的概率大。此外，印制导线202、203对于转换辐射210和211的反射特性比对于辐射109的更好。因此可行的是，在前侧110上离开芯片100的辐射根本不必反射，如这以辐射211为例示出。在前侧110处离开芯片100的辐射此外在其在印制导线202、203上反射之前以高的概率转换，如这以辐射210为例示出。
由于在芯片100和印制导线202之间的间距205，转换器206在芯片100和载体201之间充分冷却，尤其由于印制导线202、203的导热性而充分冷却。这有助于组件200的长的使用寿命。
突出区域215此外降低组件200和半导体芯片100之内的机械应力。尤其与常规的整面的接触部105、106相比，在印制导线202、203和接触部105和106之间的接触面减小。
组件200因此能够实现更高的效率，因为在金属反射器(也称作为镜)处的反射损失或吸收降低。
图4示出根据另一实施例的光电子组件200。组件200基本上对应于结合图3阐述的组件200。不同的是，除了转换器206之外设有另一转换器207。另一转换器207尤其设置在衬底101的背离印制导线202、203的一侧208上。另一转换器207例如覆盖芯片100的后侧111和侧面112。另一转换器207例如具有比转换器206更低的磷光体浓度。根据另外的实施例，转换器206和另一转换器207具有彼此不同的材料，例如不同的硅树脂209和/或不同的磷光体。
转换器206在图4的实施例中沿着堆叠方向204设置在半导体芯片100和印制导线202、203之间。朝印制导线202、203的方向离开半导体芯片100的辐射109因此以更高的概率转换。在侧面112和后侧111处离开半导体芯片100的辐射以更小的概率转换。因此，能够加强效果，即必须由印制导线202、203反射至主出射面216的辐射优选被转换。在前侧110处离开芯片的辐射因此优选被转换，而代替仅被反射。例如可行的是，另一转换器207主要转换到绿色范围中。转换器206优选转换到红色范围中。因此利用，印制导线202、203在红色范围303中的反射特性(图6)更好于在绿色范围302中。因为此外根据实施例的用于转换到红色范围中的磷光体变得更热，所以同样加强地利用由于借助于印制导线202、203进行冷却而得出的热学优点。此外，辐射能够由设置在下部的转换器206在不通过另一转换器207吸收或通过另一转换器仅少量吸收的情况下转换到绿色范围中。因此，转换到红色范围中的发光材料吸收绿色范围中的辐射的概率降低。
为了设置转换器206，印制导线202、203分别具有回缩区域213。回缩区域213尤其竖直地回缩。因此，借助于回缩区域215和回缩区域213可行的是，构成间距205，使得转换器206能够设置在半导体芯片100和印制导线202、203之间。间距205尤其在50μm和100μm之间。尤其地，间距205的大小与使用的粒度相关。间距205至少大至，使得转换器206的颗粒、即尤其磷光体颗粒足够好地到达半导体芯片100和印制导线202、203之间。例如，转换器206和另一转换器207构成为单独的囊封件。首先，为转换器206施加囊封件，使得所述囊封件流动到半导体芯片100和印制导线202、203之间。随后，为另一转换器207施加囊封件。
突出区域215例如分别为大致100μm高，尤其在50μm和200μm之间高的范围中，使得构成相应的间距205。突出区域215例如具有在200μm和300μm之间的宽度217。
图5示出根据另一实施方式的光电子组件200。图5的实施例基本上对应于图3和4的实施例。不同地，印制导线202、203不具有突出区域215和回缩区域213。替代于此，接触部105和106分别构成有突出区域214，以便在半导体芯片100和印制导线202、203之间实现间距205。突出区域214以100μm或更高的竖直高度例如电镀地施加到接触层115上。
根据另外的实施例，接触部105、106的突出区域214和印制导线202、203的突出区域215的组合是可行的。
图6以氧化铟锡为例示出透明导电层107与波长相关的透射307或辐射可穿透性。在蓝色范围301中，与在绿色范围302中和在红色范围303中相比更少的辐射透射，并且更多的辐射吸收。因此，吸收损失对于由载体201必须再次通过芯片100到达主出射面216的辐射更小，如这在图3中以转换辐射210为例示出。在辐射第二次通过透明导电层107透射之前，所述辐射转换到绿色或红色范围中，在所述绿色或红色范围中透射更高，并且吸收更低。
整体上，因此降低蓝色范围中的辐射109反射的必要性。尤其可行的是，将辐射朝主出射面216的方向偏转，而不必反射所述辐射。必须反射的辐射尤其在转换之后才反射。因为转换的辐射比未转换的辐射109更好地反射，所以整体上出现更少的吸收损失。因此，整体上能够实现有效率的和长期稳定的半导体芯片100或相应的光电子组件200。
本发明并不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，这尤其包含权利要求中的特征的任意组合，即使这些特征或这些组合本身没有明确地在权利要求或实施例中说明的情况下也同样如此。
附图标记列表：
100 发光半导体芯片
101 衬底
102 半导体层序列
103 有源层
104 主面
105 第一接触部
106 第二接触部
107 透明导电层
109 电磁辐射
110 前侧
111 后侧
112 侧面
113 中间区域
114 接触侧
115 接触层
200 光电子组件
201 载体
202 第一电印制导线
203 第二电印制导线
204 堆叠方向
205 间距
206 转换器
207 另一转换器
208 相对置的侧
209 硅树脂
210，211 经转换的辐射
213 回缩区域
214 突出区域
215 突出区域
216 主出射面
217 宽度
301 蓝色区域
302 绿色区域
303 红色区域
307 透射

Claims (15)

1.一种发光半导体芯片，所述发光半导体芯片具有：
-辐射可穿透的衬底(101)，
-在所述衬底(101)的主面(104)上的外延生长的半导体层序列(102)，
-在所述半导体层序列(102)的背离所述衬底(101)的接触侧(114)上的第一接触部(105)和第二接触部(106)，所述第一接触部和所述第二接触部用于电接触和机械接触所述半导体芯片(100)，
-透明导电层(107)，所述透明导电层设置在所述接触侧(114)上并且与所述第一接触部(105)电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，
所述半导体芯片构成为体积发射器，使得在所述半导体芯片(100)运行时产生的电磁辐射(109)能够经由所述半导体芯片(100)的前侧(110)、后侧(111)和经由侧面(112)耦合输出。
3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，
其中所述第一接触部(105)和所述第二接触部(106)在所述接触侧(114)上设置在所述透明导电层(107)之间。
4.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，
其中所述第一接触部(105)和所述第二接触部(106)分别设置在所述接触侧(114)的中间区域(113)中。
5.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，
其中所述接触侧(114)的30％和90％之间的面积份额由所述透明导电层(107)覆盖。
6.一种光电子组件，所述光电子组件具有：
-根据权利要求1所述的半导体芯片(100)，
-具有第一电印制导线(202)和第二电印制导线(203)的载体(201)，其中
-所述第一接触部(105)与所述第一印制导线(202)电耦联和机械耦联，并且第二接触部(106)与所述第二印制导线(203)电耦联和机械耦联，和
-所述透明导电层(107)沿着所述半导体层序列(102)的堆叠方向(204)具有到所述载体(201)的间距(205)。
7.根据权利要求6所述的组件，其中在所述透明导电层(107)和所述载体(201)之间设置有用于波长转换的转换器(206)。
8.根据权利要求6所述的组件，
所述组件具有用于波长转换的另一转换器(207)，所述另一转换器设置在所述衬底(101)的与所述接触侧(114)相对置的一侧(208)上。
9.根据权利要求7所述的组件，
其中所述转换器(206)和所述另一转换器(207)具有彼此浓度不同的转换材料。
10.根据权利要求7和8所述的组件，
其中所述转换器(206)和所述另一转换器(207)具有彼此不同的材料。
11.根据权利要求7所述的组件，
其中所述第一电印制导线(202)和所述第二电印制导线(203)分别构成为对于转换的辐射(210，211)是反射性的。
12.根据权利要求7所述的组件，
其中所述第一电印制导线(202)和所述第二电印制导线(203)分别具有回缩区域(213)，在所述回缩区域中设置有所述转换器(206)。
13.根据权利要求6所述的组件，
其中所述第一接触部(105)和所述第二接触部(106)分别具有突出区域(214)，所述突出区域与相应的印制导线(202，203)耦联，以便构成到所述载体(201)的所述间距(205)。
14.根据权利要求6所述的组件，
其中所述第一印制导线(202)和所述第二印制导线(203)分别具有突出区域(215)，所述突出区域与相应的接触部(105，106)耦联，以便构成到所述载体(201)的间距(205)。
15.根据权利要求6所述的组件，
其中沿着所述堆叠方向(204)，所述半导体层序列(102)、所述第一接触部(105)和所述第二接触部(106)设置在所述衬底(101)和两个电印制导线(202，203)之间。
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