CN109390251A - 一种基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统 - Google Patents

一种基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统 Download PDF

Info

Publication number
CN109390251A
CN109390251A CN201810878720.6A CN201810878720A CN109390251A CN 109390251 A CN109390251 A CN 109390251A CN 201810878720 A CN201810878720 A CN 201810878720A CN 109390251 A CN109390251 A CN 109390251A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
chamber body
reflecting plate
board treatment
heating device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810878720.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109390251B (zh
Inventor
朴庸硕
徐奎元
朴康淳
赵才衍
金珉植
具宝拉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DMS Co Ltd
Original Assignee
Display Manufacturing Services Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Display Manufacturing Services Co Ltd filed Critical Display Manufacturing Services Co Ltd
Publication of CN109390251A publication Critical patent/CN109390251A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109390251B publication Critical patent/CN109390251B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

本发明涉及在一个流程空间中可清除基板上的雾并将基板表面改质的基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统,包括形成了用于处理基板的内部空间的腔室本体;传送基板的传送装置;在腔室本体内相邻于基板的传出口侧的第一区域,和设置在传送装置的上方的对所传送基板照射紫外线的紫外线照射装置;在腔室本体内相邻于基板的传入口侧的第二区域,和设置在传送装置的下方加热腔室本体内部空间的红外线加热装置;设置在紫外线照射装置的相反方向,用于反射紫外线照射装置所生成的热量、至少包含一个第一反射板的第一反射装置;及设置在红外线加热装置的相反方向,用于反射红外线加热装置所生成的热量、至少包含一个第二反射板的第二反射装置。

Description

一种基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统,具体涉及在一个流程空间中,可以在清除基板上的雾的同时也能将基板表面改质的基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统。
背景技术
通常,使用于制造平版显示屏的大面积玻璃基板在基板的移送过程中是用洗涤用水进行洗净处理。利用洗涤用水的洗净处理是为了清除在模型形成过程等情况中所产生的异物。
但是,基板上存在的有机物颗粒很难用洗涤水来清除。因此,为了清除有机物颗粒,需要进行其他的有机物洗净处理。
而且,在洗净基板后,必须进行干燥基板的工序。一直以来,为干燥基板要进行反复喷射干燥空气的风刀处理,为清除基板上存在的雾而额外使用红外线灯。
但是,为清除雾用红外线灯直接加热基板表面时,存在基板表面产生水纹的问题。
此外,使用红外线灯时,因使基板过度干燥,会发生基板的表面变成疏水性表面的情况。
发明内容
本发明要解决的课题是通过在基板处理装置腔室本体的内部设置紫外线照射装置和红外线加热装置,在一个空间中干燥基板的同时提供可以使基板表面改质的工序的基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统。
为解决上述课题,本发明的基板处理装置可以包括:形成了用于处理基板的内部空间的腔室本体;设置在所述腔室本体的传送所述基板的传送装置;在所述腔室本体的内部空间中,设置在相邻于传出所述基板的传出口侧的第一区域,且与所述传送装置的上方相隔一定距离,对所传送的基板照射紫外线的紫外线照射装置;在所述腔室本体的内部空间中,设置在相邻于传入所述基板的传入口侧的第二区域,且与所述传送装置的下方相隔一定距离,加热所述腔室本体内部空间的红外线加热装置;以所述基板为基准,设置在所述紫外线照射装置的相反方向,用于反射所述紫外线照射装置的辐射、至少包含一个第一反射板的第一反射装置;及以所述基板为基准,设置在所述红外线加热装置的相反方向,用于反射所述红外线加热装置所生成的热量、至少包含一个第二反射板的第二反射装置。
所述紫外线照射装置对所述传送的基板照射紫外线,使所述基板表面改质为具有亲水性,所述红外线加热装置对所述腔室本体的内部空间形成气氛温度的同时可以加热所述传送的基板。
所述第一反射装置还可以包括第一角度调整装置,设置为与第一反射板相连,用于旋转第一反射板以调整所述第一反射板的角度。
而且,所述第一反射装置还可以包括第一上下移动装置,设置为与第一反射板相连,对所述基板进行上下方向移动。
所述第一上下移动装置可以包括设置在所述红外线加热装置中的设置有红外线灯的红外线灯外罩一侧面的导轨;设置在设置有所述第一反射板的设置框架的一侧的随所述导轨传送的引导件;和设置为与所述引导件相连,使所述引导件上下移动的驱动电机。
所述第一反射板可以包括以水平状态设置在面对所述加热装置的第一水平反射板;和在所述第一水平反射板的一端以垂直状态设置的第一垂直反射板。
另外,所述基板处理装置还可以包括设置在所述腔室本体,检测通过所述红外线加热装置和所述紫外线照射装置的基板的雾是否已清除的雾检测装置。
所述雾检测装置可以包括用于检测所述基板上存在的雾和所述基板的热辐射系数的热成像摄像机。
此外,所述基板处理装置还可以包括温度传感器,设置在所述腔室本体,测定所述腔室本体内部温度。
此外,所述基板处理装置还可以包括排气装置,当所述温度传感器测定的所述腔室本体的内部温度超过设定温度时,将所述腔室本体内部空间中已加热的空气排出到外部以使所述腔室本体的内部温度低于设定温度。
根据本发明的其他实施形态,本发明还提供直列式基板处理系统,包括具备干燥喷嘴以用于对所传送的基板喷射干燥空气来干燥所述基板的基板干燥装置;用于使通过所述基板干燥装置的已干燥的所述基板表面改质为亲水性的基板处理装置;和具备涂覆药液喷嘴以用于对通过所述基板处理装置的清除了雾的基板上涂覆药液的药液涂覆装置,所述基板干燥装置、所述基板处理装置及所述药液涂覆装置以直列式形态设置。
附图说明
图1示出了本发明实施例提供的基板处理装置构造的示意图。
图2示出了本发明实施例提供的各反射装置构造的示意图。
图3示出了本发明实施例提供的各反射板呈现旋转状态的示意图。
图4示出了本发明实施例提供的第一反射板由第一垂直反射板和第一水平反射板所构成的构造的示意图。
图5示出了本发明实施例提供的基板处理系统的构成图。
具体实施方式
以下,参照所述要解决的课题可以具体实现的本发明可选的实施例附图进行说明。在说明实施例时,对相同构成使用相同名称和相同符号,下文中将省略其重复的说明。
参照图1,本发明实施例提供的基板处理装置100包括腔室本体110、紫外线照射装置120、红外加热装置130、第一反射装置140及第二反射装置160。
所述腔室本体110的内部形成有处理基板G的内部空间,所述腔室本体110的一侧设置有传入所述基板G的传入口111,另一侧设置有传出所述基板G的传出口113。
此时,腔体主体110的内部空间包括设置后述紫外线照射装置120的第一区域115和设置红外线加热装置130的第二区域117。
另外,所述腔体主体110设置有传送所述基板G的传送装置。这时,所述传送装置可以包括多个传送滚筒R和用于驱动传送滚筒R的驱动电机(未图示)。
在所述基板G通过所述腔室本体110的区间中可以设置多个传送滚筒R。
所述驱动电机可以设置在所述多个传送滚筒R的一侧。此时,所述驱动电机向一侧方向同时旋转所述传送滚筒R。
另一方面,虽然未图示,所述驱动电机和所述传送滚筒R之间可以设置动力传送构件,所述动力传送构件可以与所述传送滚筒的轴结合,使用传达所述驱动电机的驱动力的链轮/链条,皮带轮/传送带等。
在上述实施例中,虽然说明了为传送所述基板G连续设置多个传送滚筒R的构造,但不限于此方法,所述基板可以用传送带等多种传送方法进行传送。
紫外线照射装置120设置在所述腔室本体110的内部空间中与用于将基板G传出的传出口113侧相邻的第一区域115,并设置在所述传送装置的上方且相隔一定距离,对传送的基板G照射紫外线。
即,紫外线照射装置120通过对基板G照射紫外线来将基板G的表面改质为具有亲水性的作用。
在腔体主体110的内部空间温度维持在70至80度的状态下,紫外线照射装置120中生成的紫外线具有亲水化基板表面的波长带。
紫外线照射装置120可以包括向所述基板G照射紫外线的紫外线灯121和设置所述紫外线灯121的紫外线灯外罩122。所述紫外线灯外罩122中形成有用于容纳紫外线灯121的收容空间122a。
此时,紫外线灯外罩122可以形成为遮掩所述紫外线灯121的上部和两侧部的构造。
即,紫外线灯外罩122构成为用来设置所述紫外线灯121,并且能够将所述紫外线灯121生成的紫外线反射到所述基板G,来提高紫外线灯121的照射效率的作用。
因此,紫外线照射装置120如上所述,对传送基板G照射紫外线,可以将所述基板G的表面改质为具有亲水性。
一般情况下,基板G被过度干燥时,其表面可能会变为具有疏水性的表面。
此时,通过用紫外线灯121对基板G照射紫外线,可以将具有疏水性的基板G的表面改质为具有亲水性。
即,后述基板处理装置的药液涂覆装置(图5的300)中,药液涂覆到基板G的表面时,因基板G的表面具有亲水性,液态的药液会很好地涂覆在基板G上而不会流到基板G的外侧。
红外线加热装置130设置在腔室本体110的内部空间中相邻于用于传入所述基板G的传入口111侧的第二区域117,并且设置在传送装置下方且相隔一定距离,对腔室本体110的内部空间进行加热。
红外线加热装置130可以包括向基板G照射红外线的红外线灯131和设置所述红外线灯131的红外线灯外罩132。所述红外线灯外罩132形成收容空间132a以容纳红外线灯131。
此时,红外线灯外罩132可以形成为遮掩红外线灯131的下部和两侧部的构造。
即,红外线灯外罩132构成为用于设置红外线灯131,并且能够起到通过将红外线灯131生成的热量反射到基板G来提高红外线灯131的照射效率的作用。
红外线加热装置130加热腔室本体110的内部空间,对所述腔室本体110的内部空间形成气氛温度以改质基板G的表面。
即,红外线加热装置130在基板G表面,提高对所述腔室本体110内部空间的气氛温度,以激活因紫外线而产生的反应。
更具体地,红外线灯131在基板G传入到腔室本体110的内部之前,帮助紫外线灯121加热腔室本体110的内部空间,使腔室本体110的内部温度达到设定温度,例如70至80度。
由此,当基板G传入到腔室本体110的内部空间,因腔室本体110的内部空间温度变成可以进行对基板G的干燥及表面改质工序的状态,所以可以对基板G迅速进行干燥和表面改质。
一方面,红外线加热装置130设置在传送装置下方并相隔一段距离是为了防止红外线加热装置130的辐射热直接加热基板的表面。
红外线加热装置130直接加热基板G的表面时,存在于基板G表面的雾被气化并产生水印。
结果,由于红外加热单元130设置在传送装置的下方,通过红外线加热装置130,可以防止基板的表面上产生水印的现象。
而且,设置在传送装置下部的红外线加热装置130所生成的热量通过对流来干燥基板G的上面,同时帮助紫外线照射装置120形成腔室本体110内部空间的气氛温度,减少紫外线照射装置120所消耗的能量。
第一反射装置140设置在以基板G为基准且与紫外线照射装置120相反的方向,包含至少一用于反射紫外线照射装置120所生成的热量的第一反射板141。
此时,第一反射板141可以制作成直四角板形状,且第一反射板141可以由能够反射热量的例如铝、金等材料镀金制成。这样制成的第一反射板141可以以多列的形式设置在对应于紫外线照射装置120的位置。
一方面,如图2中(a)所示,第一反射装置140还可以包括第一角度调整装置146,设置为与第一反射板141相连接且可以旋转第一反射板141以调整第一反射板141的角度。
即,由第一角度调整装置146调整角度的第一反射板141反射由紫外线灯121的辐射向基板G的方向放出。
图2中(b)是显示第一反射板141维持水平状态的示意图。第一反射板141设置成平板形状时,通过第一反射板141反射到各个方向。
另一方面,第一角度调整装置146可以构成为每个第一反射板141的角度范围调整为彼此不同。
虽然未图示,第一角度调整装置146可以包含用于改变第一反射板141旋转角度的减速装置(未图示)。
即,驱动电机147与各个减速装置相连,当驱动电机147旋转时,第一反射板141通过各个减速装置旋转为相互具有不同的角度。
例如,虽未图示,在第一反射板141中,以设置在相邻红外线灯外罩132的第一反射板为基准,随着传送方向所设置的其他第一反射板的旋转角度调整为逐渐增大时,第一反射板在基板G移动的方向上向上方布置为圆弧形形态。
因第一反射板141向着基板G布置为圆弧形形态,从紫外线灯121生成的紫外线集中反射到基板G,所以可以提高基板G的表面改质效率。
作为其他例,如图3(a)所示,利用第一角度调整装置146,以第一反射板141布置的区域中心为基准,使两侧各个布置的第一反射板旋转成对称时,第一反射板紫外线照射装置可以大致布置成“V”形向着紫外线照射装置120。
这种第一反射板141的布置构造可以将紫外线集中反射到基板G的下部。
即,基板G的上部是被紫外线照射装置120照射紫外线,基板G的下部是被第一反射板141反射的紫外线照射,从而提高基板G的表面改质效率。
而且,虽未图示,第一反射装置140设置为与第一反射板141相连,还可以包括将第一反射板141向基板G方向上下移动的第一上下移动装置。
第一上下移动装置可以包括:设置在紫外线灯外罩132的一侧壁的导轨;引导件,其设置在用于设置第一反射板141的设置框架的一侧,沿导轨引导第一反射板141移动;以及与引导件相连,用于移动引导件的驱动电机。
例如,在腔室本体110的处理期间,从基板干燥装置200流入空气、或传出完成处理的基板G时,空气流入到腔室本体110内部,腔室本体110的内部空间温度会降低。
此时,通过第一上下移动装置升高第一反射板141到与基板G相邻时,使紫外线照射装置120和第一反射板141之间的空间变窄,处理基板G的空间温度会变高。
相反,当腔室本体110的内部空间温度超过已设定温度成过热状态时,通过第一上下移动装置下降第一反射板141,使紫外线照射装置120和第一反射板141之间的空间变宽,处理基板G的空间温度会下降。
另一方面,本发明实施例所提供的基板处理装置100设置在腔室本体110的内部,还可以包括检测通过红外线加热装置130和紫外线照射装置120的基板G上的雾是否已清除的雾检测装置180。
此时,雾检测装置180为检测基板G上存在的雾和基板G的热辐射系数可以使用热成像摄像机。
即,用热成像摄像机拍摄基板G上存在的雾和基板G,可以测定雾所生成的远红外线的热辐射系数和基板G所生成的远红外线的热辐射系数。此时,因雾的热辐射系数和基板G的热辐射系数各不相同,所以可以准确地检测基板G上是否存在雾。
特别是,当红外线加热装置130加热基板G时,在用热成像摄像机检测雾的过程中,因基板G的温度越高越容易区分基板G和雾,可以更准确地检测出基板G上是否存在雾。
本发明实施例所提供的其他基板处理装置100设置在腔室本体110的内部,还可以包括测量腔室本体110内部温度的温度传感器(未图示)。
当然,基板处理装置可以分别设置与红外线加热装置130相对应的温度传感器和与紫外线照射装置120相对应的温度传感器。
并且,当通过温度传感器所测量的腔室本体110的内部温度超过已设定温度时,还可以包括用于降低腔室本体110的内部温度为已设定温度,排出腔室本体110内部加热空气的排气装置190。
即,温度传感器在腔室本体110内部进行基板G的干燥和表面改质工艺期间,测量腔室本体110的内部温度。
此时,红外线加热装置130使腔室本体110的内部温度超过已设定温度时,通过排气装置190排出腔室本体110内部的加热空气,维持所处腔室本体110的内部温度为设定温度,从而可以进行稳定的工艺。
即,排气装置190可以是调整腔室本体110内部温度的温度调整装置的结构。
图4示出了本发明实施例提供的第一反射板由第一垂直反射板和第一水平反射板构成的构造的示意图。
参照图4,作为本发明实施例提供的第一反射板141的其他例,第一反射板141可以包括第一水平反射板142和第一垂直反射板143。
此时,第一反射板142可以设置为以水平状态面对于紫外线照射装置120的位置,第一垂直反射板143可以设置为置于第一水平反射板142的一端并以垂直状态朝向基板G。
本发明的实施例提示了第一垂直反射板143在所示第一反射板142的两侧端部中位置于远离红外线灯外罩132的一端,并以垂直状态朝向基板G。
此时,腔室本体110内部的第二区域117中,用于反射紫外线灯121的紫外线的反射板的构造为,根据红外线灯外罩132、第一水平反射板142和第一垂直反射板143,只有朝向基板G的部分成为开放状态,其余部分大致为封闭状态,所以可以提高紫外线灯121所生成的紫外线的反射效率。
第二反射装置160设置在以基板G为基准,与红外线加热装置130相反的方向,至少包含一个用于反射红外线加热装置130所生成的热量的第二反射板161。
此时,第二反射板161与第一反射板141相同,可以制作成直四角板形状,且第二反射板161可以由能够反射热量的例如铝、金等材料镀金制成。这样制成的第二反射板161可以以多列的形式设置在对应于红外线加热装置130的位置。
红外线加热装置130不设置在与紫外线照射装置120相同的第一区域115而设置在第二区域117,且第一反射装置140设置在紫外线照射装置120相对的方向,第二反射装置160设置在红外线加热装置130相对的方向是为了更有效地加热腔室本体110的内部空间。因此,可以最小化加热腔室本体110的内部空间所消耗的能量。
另一方面,第二反射装置160还可以包括第二角度调整装置,设置为与第二反射板161相连,可以旋转第二反射板161以调整第二反射板161的角度。
即,由第二角度调整装置进行调整角度的第二反射板161反射由红外线灯131放出的热量,使热量向基板G的方向放出。
由于第二角度调整装置具有与第一角度调整装置146相同的结构,因此省略其详细说明。
作为调整第二反射板的实施例,如图3(b)所示,利用第二角度调整装置,以第二反射板161布置的区域中心为基准,使两侧各个布置的第二反射板旋转成对称时,第二反射板161可以大致布置成“∧”形向着红外线加热装置130。
并且,第二反射装置160设置为与第二反射板161相连,还可以包括将第二反射板161朝向基板G上下移动的第二上下移动装置。
第二上下移动装置可以包括:设置在红外线灯外罩132的一侧壁的导轨;设置在用于设置第二反射板161的设置结构的一侧并沿导轨引导第二反射板161移动的引导件;以及与引导件相连,用于移动引导件的驱动电机。
由于第二上下移动装置的详细构成和动作与第一上下移动装置相同,省略其详细说明。
再参照图4,作为本发明实施例提供的第二反射板161的其他例,第二反射板161可以包括第二反射板162和第二垂直反射板163。
此时,第二反射板162可以设置为以水平状态面对红外线加热装置130的位置,第二垂直反射板163可以设置为置于第二水平反射板162的一端并以垂直状态朝向基板G。
本发明的实施例提出了第二垂直反射板163在第二反射板162的两端中位于远离紫外线照射装置120中紫外线灯外罩122的一端,并以垂直状态朝向基板G。
现在对本发明的实施例提供的基板处理系统进行说明。
图5示出了本发明实的施例提供的基板处理系统的构成图。
参照图5,基板处理系统包括基板干燥装置200、基板处理装置100和药液涂覆装置300。
即,本发明实的实施例提供的基板处理系统中,基板干燥装置200、基板处理装置100和药液涂覆装置300可以以直列式形态布置。
即,直列式形态的布置构造是可以连续进行用于干燥通过洗净工艺所清洗的基板G的干燥过程、清除已干燥的基板G中存在的雾和改质基板G表面的过程和对表面已改质的基板G涂覆药液来形成涂层的涂覆过程的构造。
此时,基板干燥装置200可以包括传入基板G,具备了用于干燥基板G的空间的干燥腔体210和设置在干燥腔室210的内部,用于向基板G喷射空气的空气喷嘴220。
空气喷嘴220可以通过别的空气供给装置(未图示)得到压缩空气,对沾有清洗液的基板G上喷射压缩空气来干燥基板G。
空气喷嘴220可以使用气刀,对着基板G传送的方向以倾斜的角度进行设置。
当通过基板干燥装置200的已干燥的基板G根据传送滚筒R传送到基板处理装置100时,基板处理装置100对通过紫外线照射装置120清除基板G中的雾的同时改质基板G的表面为具有亲水性。
此时,红外线加热装置130被运转,形成为改质基板G表面的腔室本体110内部的空气温度。
药液涂覆装置300可以包括,具有用于对通过基板处理装置100后以基板G的表面已改质的状态传入的基板G涂覆药液的空间的药液腔体310,和设置在药液腔体310的内部、用于对基板G上涂覆药液的药液涂覆喷嘴320。
药液喷嘴320可以使用涂料器。
药液喷嘴320是以固定的状态设置在药液腔室310,通过传送滚筒R进行移动,且利用药液喷嘴320所喷射的药液形成涂层。
另一方面,传送滚筒R,为了对基板干燥装置200、基板处理装置100和药液涂覆装置300连续供给基板G,设置为与各个腔体进行连接的直列式形态为宜。
基板处理系统具有为了向基板干燥装置200、基板处理装置100和药液涂覆装置300连续传送而具有连续布置的多个传送滚筒R的构造。但不限于此,基板可以用传送带等多样的传送方法进行传送。
如上,本发明实施例提供的基板处理装置,因腔室本体的内部空间中同时具备了紫外线照射装置和红外线加热装置,在一个工序空间中同时进行干燥基板和改质基板表面的工艺,可以减小基板处理系统的大小的同时具有减少基板处理时间、增加产量、削减制造费用的效果。
此外,本发明具备了第一反射装置和第二反射装置,通过紫外线照射装置和红外线加热装置分别反射所生成的热量,可以提高为清除基板中存在的雾和改质基板表面的加热效率的效果。
此外,因本发明具备了角度调整装置,可以调整各反射板的角度,具有提高各反射的反射效率的效果。
此外,因本发明具备了上下移动装置,可以选择性的移动各反射板,具有可以调整腔室本体的内部温度的效果。
此外,因本发明在雾检测装置中使用了热成像摄像机,具有可以精确地检测雾是否已被清除的效果。
此外,因本发明具备了排气装置,具有维持腔室本体的内部温度为已设定温度的效果。即,排气装置向腔室本体的外部排出紫外线照射装置中生成的臭氧和热量,从而可以在没有其他恒温装置的情况下,能保持腔室本体内部空间的温度。
此外,根据本发明的直列式基板处理系统,随着连续移动基板并对基板进行处理,具有缩短处理时间、提高生产性能的效果。
如上,本发明不限定于上述特定的可选的实施例,对于权利要求范围,在不脱离本发明的要旨的情况下,在该发明所属的技术范围中,可以由本领域技术人员进行多样的改变,这样的改变属于本发明的范围。

Claims (10)

1.基板处理装置,包括:
腔室本体,形成了用于处理基板的内部空间;
传送装置,设置在所述腔室本体,传送所述基板;
紫外线照射装置,设置在所述腔室本体内部空间中与所述基板所传出的传出口相邻的第一区域,且设置在与所述传送装置的上方相隔一定距离,对所传送的基板照射紫外线紫外线照射装置;
红外线加热装置,设置在所述腔室本体内部空间中与所述基板所传入的传入口相邻的第二区域,并设置在所述传送装置的下方且相隔一定距离,加热所述腔室本体内部空间;
第一反射装置,其装置以所述基板为基准、设置在所述紫外线照射装置的相反方向,用于反射所述紫外线照射装置所生成的热量,至少包含一个第一反射板;及
第二反射装置,以所述基板为基准、设置在所述红外线加热装置的相反方向,用于反射所述红外线加热装置所生成的热量,至少包含一个第二反射板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述紫外线照射装置通过对所述传送的基板照射紫外线,将所述基板表面改变为具有亲水性,所述红外线加热装置对所述腔室本体的内部空间形成气氛温度的同时加热所述传送的基板以改质所述基板表面。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一反射装置还包括第一角度调整装置,设置为与第一反射板相连,用于旋转第一反射板以调整所述第一反射板的角度。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一反射装置还包括第一上下移动装置,设置为与第一反射板相连,将所述第一反射板向所述基板方向上下移动。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一上下移动装置包括:
设置在所述红外线加热装置中的设置红外线灯的红外线灯外罩一侧面的导轨;
在设置所述第一反射板的设置结构的一侧,随所述导轨传送的引导件;及
设置为与所述引导件相连,用于上下移动所述引导件的驱动电机。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一反射板包括:
以水平状态设置的面对所述加热装置的第一水平反射板;及
在所述第一水平反射板的一端以垂直状态设置的第一垂直反射板。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
设置在所述腔室本体中的检测通过所述红外线加热装置和所述紫外线照射装置的基板的雾是否已清除的雾检测装置。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,所述雾检测装置包括用于检测所述基板上存在的雾和所述基板的热辐射系数的热成像摄像机。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
设置在所述腔室本体,测定所述腔室本体内部温度的温度传感器;
排气装置,当所述温度传感器测定的所述腔室本体的内部温度超过已设定温度时,为使所述腔室本体的内部温度降低为设定温度,把所述腔室本体内部空间的被加热的空气排出到外部。
10.一种直列式基板处理系统,其特征在于,包括;
基板干燥装置,具有干燥喷嘴,将干燥空气喷射到所传送的基板来干燥所述基板;
权利要求1到权利要求9中任一项所述的基板处理装置,将通过所述基板干燥装置的已干燥的所述基板表面改变为亲水性的;和
具有涂覆药液喷嘴的药液涂覆装置,对通过所述基板处理装置的已清除雾的基板上涂覆药液,
所述基板干燥装置、所述基板处理装置和所述药液涂覆装置设置为直列式的形态。
CN201810878720.6A 2017-08-04 2018-08-03 一种基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统 Active CN109390251B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0098805 2017-08-04
KR1020170098805A KR102010329B1 (ko) 2017-08-04 2017-08-04 기판처리장치 및 이를 이용한 인라인 기판처리시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109390251A true CN109390251A (zh) 2019-02-26
CN109390251B CN109390251B (zh) 2021-12-03

Family

ID=65366115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810878720.6A Active CN109390251B (zh) 2017-08-04 2018-08-03 一种基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102010329B1 (zh)
CN (1) CN109390251B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN208654483U (zh) 2018-11-05 2019-03-26 威海电美世光机电有限公司 剥离设备
KR102345031B1 (ko) 2018-11-05 2021-12-28 웨이하이 디엠에스 주식회사 기판 처리장치
KR102179851B1 (ko) * 2019-04-09 2020-11-17 주식회사 디엠에스 기판처리장치 및 이를 이용한 인라인 기판처리시스템

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1396007A (zh) * 2001-07-05 2003-02-12 日本电气株式会社 药液涂敷方法及其涂敷装置
CN1405851A (zh) * 2001-09-17 2003-03-26 阿尔卑斯电气株式会社 湿式处理装置
CN1447980A (zh) * 2000-07-06 2003-10-08 应用材料有限公司 对基体进行热处理
JP2008041998A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Ushio Inc 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
CN101372001A (zh) * 2007-08-23 2009-02-25 K.C.科技股份有限公司 基板清洗用双流体喷嘴
KR20100046537A (ko) * 2008-10-27 2010-05-07 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
CN101919236A (zh) * 2008-01-19 2010-12-15 特斯托股份公司 热成像摄像机
CN106206352A (zh) * 2016-08-24 2016-12-07 北京信息科技大学 一种微纳级半导体光电特性三维检测系统
CN208444810U (zh) * 2018-02-14 2019-01-29 特铨股份有限公司 光学检测设备及其光源寻边机构

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090011605A (ko) 2007-07-27 2009-02-02 주식회사 케이씨텍 기판 처리장치
KR101644063B1 (ko) * 2015-03-11 2016-07-29 주식회사 사파이어테크놀로지 반사판을 갖는 단결정 성장장치 및 성장방법
JP2017073338A (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 東京エレクトロン株式会社 検査装置、減圧乾燥装置および減圧乾燥装置の制御方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447980A (zh) * 2000-07-06 2003-10-08 应用材料有限公司 对基体进行热处理
CN1396007A (zh) * 2001-07-05 2003-02-12 日本电气株式会社 药液涂敷方法及其涂敷装置
CN1405851A (zh) * 2001-09-17 2003-03-26 阿尔卑斯电气株式会社 湿式处理装置
JP2008041998A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Ushio Inc 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
CN101372001A (zh) * 2007-08-23 2009-02-25 K.C.科技股份有限公司 基板清洗用双流体喷嘴
CN101919236A (zh) * 2008-01-19 2010-12-15 特斯托股份公司 热成像摄像机
KR20100046537A (ko) * 2008-10-27 2010-05-07 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
CN106206352A (zh) * 2016-08-24 2016-12-07 北京信息科技大学 一种微纳级半导体光电特性三维检测系统
CN208444810U (zh) * 2018-02-14 2019-01-29 特铨股份有限公司 光学检测设备及其光源寻边机构

Also Published As

Publication number Publication date
KR102010329B1 (ko) 2019-10-15
CN109390251B (zh) 2021-12-03
KR20190015667A (ko) 2019-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109390251A (zh) 一种基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统
TWI479590B (zh) 用於絲網印刷之短熱力曲線爐
JP5632087B2 (ja) 近赤外線を用いた缶またはパイプの乾燥システム及びその制御方法
JP2011526734A5 (zh)
AU2012220431B2 (en) Heat treatment of a laser coating
JP6337556B2 (ja) 容器に対する殺菌処理システム
KR101691336B1 (ko) 원적외선을 이용한 도장 제품의 열처리 시스템
KR20180137730A (ko) 해조류 건조장치
KR102179851B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 인라인 기판처리시스템
ES2415368T3 (es) Dispositivo de revestimiento para el revestimiento de piezas pequeñas
KR20190037917A (ko) 에너지 효율이 개선된 uv경화장치
US11798822B2 (en) Support unit, substrate treating apparatus including the same, and substrate treating method
KR101691335B1 (ko) 원적외선을 이용한 도장 제품의 열처리 시스템
KR20140139695A (ko) Uv-led 건조장치
JP2010186815A (ja) 紫外線照射装置および紫外線照射方法
CN106029339B (zh) 设置有具有汇聚的壁的光学包围区段的毛坯处理单元
KR101866962B1 (ko) 원적외선을 이용한 도장 제품의 열처리 방법
US9068763B2 (en) Solar energy receiver
JP2002043268A (ja) 基板処理装置
KR20140043863A (ko) 액자 발생 억제 방법 및 액자 발생 억제 장치
KR20020035844A (ko) 캡슐 밀봉용 장치 및 방법과 그 장치 및 방법에사용하기에 적합한 캡슐
US11765793B2 (en) Substrate treating apparatus
JP4355182B2 (ja) 乾燥装置
JPH10312943A (ja) 温度制御装置
KR101180609B1 (ko) 신발의 중창 자외선 전처리 라인챔버

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant