CN109388280A - 具有输入感测单元的显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了显示装置，所述显示装置包括显示面板和定位在显示面板上的输入感测单元。输入感测单元包括多个传感器部分。传感器部分中的至少一个在面积或距离方面与其它传感器部分不同。

Description

具有输入感测单元的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年8月14日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0103237号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及显示装置，所述显示装置设置有能够感测来自用户的触摸事件的输入感测单元。
背景技术
正在开发用于诸如电视、移动电话、平板计算机、导航系统、游戏机等的多媒体装置中的各种显示装置。键盘或鼠标可用作为显示装置的输入装置。在某些实施方式中、输入感测单元可用作为显示装置的输入装置。
输入感测单元可配置成感测对象(例如，人的手指)是否接触或触摸显示装置的屏幕。在输入感测单元中，可通过各种方法(例如，电阻层法、光感测法、电容感测法以及超声波感测法)检测触摸事件。在电容感测法中，当对象触摸显示装置的屏幕时所导致的电容的变化被用来确定触摸事件是否发生。
发明内容
本发明构思的一些实施方式提供了包括输入感测单元的显示装置，在该输入感测单元中，传感器之间的电容是均匀的。
根据本发明构思的一些实施方式，显示装置可包括显示面板和位于显示面板上的输入感测单元。
在一些实施方式中，输入感测单元可包括多个第一电极和多个第二电极，其中，多个第一电极在第一方向上延伸，多个第二电极在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
在一些实施方式中，多个第一电极中的每个可包括多个第一传感器部分和将所述多个第一传感器部分彼此连接的多个第一连接部分，以及多个第二电极中的每个可包括多个第二传感器部分和将所述多个第二传感器部分彼此连接的多个第二连接部分。
在一些实施方式中，所述多个第一电极中的一个第一电极的多个第一传感器部分可包括第一正常传感器部分和第一切断的传感器部分，其中，第一正常传感器部分具有第一面积并且以第一距离与所述多个第二传感器部分中的与所述第一正常传感器部分相邻的一个第二传感器部分间隔开，第一切断的传感器部分具有比第一面积小的第二面积并且以比第一距离小的第二距离与所述多个第二传感器部分中的与所述第一切断的传感器部分相邻的一个第二传感器部分间隔开。
在一些实施方式中，第一切断的传感器部分可具有能够通过去除第一正常传感器部分的形状的一部分而产生的形状。
在一些实施方式中，第二面积可小于或大于第一面积的一半。
在一些实施方式中，多个第一电极中的所述一个第一电极的所述多个第一传感器部分可包括多个第一正常传感器部分，并且所述多个第一正常传感器部分可布置在第一方向上。第一切断的传感器部分可在第一方向上位于多个第一正常传感器部分的外侧。
在一些实施方式中，显示装置还可包括光学虚拟电极，所述光学虚拟电极定位在所述多个第一传感器部分与所述多个第二传感器部分之间，并且与所述多个第一传感器部分和所述多个第二传感器部分电分离。位于第一切断的传感器部分和与第一切断的传感器部分相邻的第二传感器部分之间的光学虚拟电极的宽度可小于位于第一正常传感器部分和与第一正常传感器部分相邻的第二传感器部分之间的光学虚拟电极的宽度。
在一些实施方式中，在第一方向上测量的从第一切断的传感器部分的一个端部到与所述第一切断的传感器部分相邻的第一传感器部分的另一端部的长度可小于在第一方向上测量的从第一正常传感器部分的端部到与所述第一正常传感器部分相邻的第一传感器部分的另一端部的长度，以及与第一切断的传感器部分相邻的第一传感器部分的面积可与第二面积基本上相同。
在一些实施方式中，多个第一电极可包括另一第一电极，所述另一第一电极在第一方向上具有与所述多个第一电极中的一个第一电极在第一方向上的长度不同的长度，并且所述另一第一电极包括多个第一传感器部分。所述另一第一电极的多个第一传感器部分可包括第二正常传感器部分和第二切断的传感器部分，其中，第二正常传感器部分具有第一面积，第二切断的传感器部分具有与第一面积和第二面积不同的第三面积。
在一些实施方式中，第一切断的传感器部分的一个端部可通过所述多个第一连接部分中对应的一个第一连接部分连接至所述多个第一电极中的所述一个第一电极的所述多个第一传感器部分中的与所述第一切断的传感器部分相邻的一个第一传感器部分的一个端部，以及第二切断的传感器部分的一个端部可通过所述多个第一连接部分中对应的一个第一连接部分连接至所述另一第一电极的所述多个第一传感器部分中的与所述第二切断的传感器部分相邻的一个第一传感器部分的一个端部。从第一切断的传感器部分的另一端部到所述多个第一电极中的一个第一电极的所述多个第一传感器部分中的与所述第一切断的传感器部分相邻的一个第一传感器部分的另一端部的长度可小于从第二切断的传感器部分的另一端部到所述另一第一电极的所述多个第一传感器部分中的与所述第二切断的传感器部分相邻的一个第一传感器部分的另一端部的长度。
在一些实施方式中，第三面积可以是第一面积的一半。
在一些实施方式中，显示装置还可包括连接至第一切断的传感器部分的辅助电极。辅助电极的侧边缘可面对与第一切断的传感器部分相邻的第二传感器部分的侧边缘。
在一些实施方式中，辅助电极可具有棒形状，并且辅助电极的长度可小于第一正常传感器部分的宽度。
在一些实施方式中，输入感测单元还可包括连接至多个第二电极的多个信号线和连接至第一切断的传感器部分的补偿电极，补偿电极位于与用于多个信号线的层不同的层上并且与所述多个信号线中的至少一个重叠。
在一些实施方式中，补偿电极和第一切断的传感器部分可整体地形成。
在一些实施方式中，当在平面图中观察时，第一切断的传感器部分的侧边缘可具有曲形形状，以及补偿电极可在第一切断的传感器部分的侧边缘处延伸。
在一些实施方式中，所述多个第一连接部分中的用于连接第一正常传感器部分中的相邻的第一正常传感器部分的一个第一连接部分可具有比所述多个第一连接部分中的用于将第一切断的传感器部分连接至与第一切断的传感器部分相邻的第一正常传感器部分的另一第一连接部分的宽度小的宽度。
在一些实施方式中，显示装置还可包括第一静电放电图案和第二静电放电图案，其中，第一静电放电图案连接至第一切断的传感器部分并且与所述多个第二电极中的至少一个重叠，第二静电放电图案连接至第一正常传感器部分并且与所述多个第二电极中的至少一个重叠。第一静电放电图案可具有第一宽度，以及第二静电放电图案可具有比第一宽度小的第二宽度。
在一些实施方式中，显示面板包括拐角，所述拐角具有圆化形状，输入感测单元包括具有与显示面板的拐角的圆化形状对应的圆化形状的拐角，以及第一切断的传感器部分与输入感测单元的拐角相邻。
在一些实施方式中，输入感测单元可包括感测区域和非感测区域，感测区域中定位有多个第一电极和多个第二电极，非感测区域中不定位有所述多个第一电极和所述多个第二电极。非感测区域和感测区域之间可限定有边界，以及第一切断的传感器部分的侧边缘可与所述边界对应。
根据本发明构思的一些实施方式，显示装置可包括多个第一传感器和多个第二传感器，其中，所述多个第一传感器包括正常传感器部分和切断的传感器部分，所述多个第二传感器与所述多个第一传感器交叉。正常传感器部分和切断的传感器部分可分别具有第一面积和第二面积，并且第二面积可以是第一面积的0.05-0.45倍。正常传感器部分和所述多个第二传感器中的与所述正常传感器部分相邻的一个第二传感器之间的电容可与切断的传感器部分和所述多个第二传感器中的与所述切断的传感器部分相邻的一个第二传感器之间的电容基本上相同。
附图说明
从以下结合附图的简要描述将更清楚地理解示例性实施方式。附图表示如本文中描述的非限制性的示例性实施方式。
图1是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示装置的立体图。
图2A至图2F是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示装置的剖视图。
图3是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示面板的剖视图。
图4A和图4B是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示面板的平面图。
图5是示出根据本发明构思的一些实施方式的像素的等效电路图。
图6是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示面板的放大剖视图。
图7A至图7D是示出根据本发明构思的一些实施方式的薄膜封装层的剖视图。
图8是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示装置的剖视图。
图9是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元ISU的平面图。
图10A是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元的第一传导层的平面图。
图10B是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元的第二传导层的平面图。
图10C是沿着图9的线I-I′截取的剖视图。
图10D和图10E是根据本发明构思的实施方式的沿图9的线II-II′截取的剖视图。
图11A是示出根据本发明构思的一些实施方式的图9的部分‘AA’的放大平面图。
图11B是示出根据本发明构思的一些实施方式的图9的部分‘BB’的放大平面图。
图12A是示出根据本发明构思的一些实施方式的图9的部分‘AA’的放大平面图。
图12B是示出根据本发明构思的一些实施方式的图9的部分‘BB’的放大平面图。
图13是示出根据本发明构思的一些实施方式的图9的部分‘BB’的放大平面图。
图14是示出根据本发明构思的一些实施方式的图9的部分‘BB’的放大平面图。
图15A是示出根据本发明构思的一些实施方式的图9的部分‘AA’的放大平面图。
图15B是示出图15A的部分‘CC’的放大平面图。
图15C是示出根据本发明构思的一些实施方式的图9的部分‘BB’的放大平面图。
图15D是示出图15C的部分‘DD’的放大平面图。
图16是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元的平面图。
图17是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元的平面图。
图18A是示出根据本发明构思的一些实施方式的图17的部分‘AA’的放大平面图。
图18B是示出根据本发明构思的一些实施方式的图17的部分‘BB’的放大平面图。
图19是示出根据本发明构思的一些实施方式的图17的部分‘BB’的放大平面图。
图20是示出根据本发明构思的一些实施方式的图17的部分‘BB’的放大平面图。
图21是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元的平面图。
图22A是示出根据本发明构思的一些实施方式的图21的部分‘AA’的放大平面图。
图22B是示出根据本发明构思的一些实施方式的图21的部分‘BB’的放大平面图。
图23是示出根据本发明构思的一些实施方式的图21的部分‘BB’的放大平面图。
图24是示出根据本发明构思的一些实施方式的图21的部分‘BB’的放大平面图。
图25是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元的平面图。
图26是沿着图25的线III-III′截取的剖视图。
图27示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测区域。
图28示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测区域和指纹感测区域。
图29A是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元的平面图。
图29B是沿着图29A的线IV-IV′截取的剖视图。
图30是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元的立体图。
图31和图32示出根据本发明构思的一些实施方式的显示装置。
应注意的是，这些附图旨在示出某些示例性实施方式中使用的方法、结构和/或材料的一般特性，以及补充以下提供的书面描述。然而，这些附图不是成比例的，并且可能不精确地反映任何给定实施方式的精确结构或性能特征，并且不应该被解释为限定或限制由示例性实施方式包含的值或特性的范围。例如，为了清楚，可能缩小或放大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。各附图中使用相似或相同的参考标记旨在表示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现在将参照附图更全面地描述本发明构思的示例性实施方式，附图中示出了示例性实施方式。然而，本发明构思的示例性实施方式可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式；相反地，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底的和完整的，以及将向本领域普通技术人员充分地传达示例性实施方式的构思。在附图中，为了清楚，层和区域的厚度被放大。在附图中相同的参考标记表示相同的元件，并且因此将省略对它们的描述。
将理解的是，虽然在本文中可使用“第一”、“第二”等术语来描述各种元件、组件、区域、层和/或区段，但是这些元件、组件、区域、层和/或区段不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或区段与另一元件、组件、区域、层或区段区分开。因此，在不背离示例性实施方式的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或区段可被称为第二元件、组件、区域、层或区段。
为了便于描述，本文中可使用诸如“在...下方”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在包括装置在使用或者操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“之下”或“下方”的元件将随后被定向为“在”所述其它元件或特征的“之上”。因此，示例性性术语“在...之下”可包括在...之上和在...之下两种方位。装置可被另外定向(例如，旋转90度或者处于其它方位)，并且应相应地解释本文中使用的空间相对描述语。
本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的，并不是旨在限制示例性实施方式。如本文中所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述”旨在也包括复数形式。还将理解的是，如果在本文中使用术语“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括有(including)”，则说明所阐述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或附加。
图1是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示装置DD的立体图。如图1中所示，显示装置DD可包括用于显示图像IM的显示表面DD-IS。显示表面DD-IS可限定成与第一方向DR1和第二方向DR2平行。显示表面DD-IS的法线方向(即，显示装置DD的厚度方向)将被称作为第三方向DR3。
下文中，第三方向DR3可用于将每个元件的前表面或顶表面与后表面或底表面区分开。然而，由第一方向DR1至第三方向DR3表示的方向可以是相对概念，并且可以不限于上述示例，以及在一些实施方式中，它们可变化为表示其它方向。下文中，第一方向至第三方向可以是分别由第一方向DR1至第三方向DR3表示的方向，并且将使用相同的参考标记进行标识。
在图1中，显示装置DD被示出为具有平坦的显示表面DD-IS，但是本发明构思不限于此。显示装置DD的显示表面可具有曲形形状或三维形状。在显示装置DD具有三维显示表面的情况下，所述显示表面可包括在不同方向上定向的多个显示区域。例如，显示装置DD可具有成形为类多边形柱的显示表面。
在本实施方式中，显示装置DD可以是刚性显示装置。然而，本发明构思不限于此，并且在一些实施方式中，显示装置DD可以是柔性显示装置。在本实施方式中，示例性地示出了可用于手机终端的显示装置DD。虽然未示出，但是安装有电子模块、相机模块、电源模块等的主板与显示装置DD一起可以设置在托架或机壳中，以构成手机终端。显示装置DD可用于大尺寸电子装置(例如，电视机和监控器)或者小尺寸或中尺寸电子装置(例如，平板、汽车导航系统、游戏机和智能手表)。
如图1中所示，显示表面DD-IS可包括用于显示图像IM的显示区域DD-DA和设置成与显示区域DD-DA相邻的非显示区域DD-NDA。在一些实施方式中，非显示区域DD-NDA不用于显示图像IM。作为图像IM的示例，图1中示出了图标图像。
如图1中所示，显示区域DD-DA可具有矩形形状。非显示区域DD-NDA可设置成围绕显示区域DD-DA。然而，本发明构思不限于此示例，并且在一些实施方式中，显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA的形状可以以互补的方式进行多种改变。
图2A至图2F是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示装置DD的剖视图。图2A至图2F示出各自在由第二方向DR2和第三方向DR3限定的平面上截取的垂直剖面。在图2A至图2F中，以简化的方式示出显示装置DD以描述其中的功能面板和/或功能单元的堆叠结构。
在一些实施方式中，显示装置DD可包括显示面板、输入感测单元、防反射单元和窗单元。显示面板、输入感测单元、防反射单元和窗单元中的至少两个可通过连续的过程连续地形成，或者可通过粘合构件彼此结合(例如，附接)。图2A至图2F示出其中将光学透明粘合剂OCA用作为粘合构件的示例。在以下将描述的各种实施方式中，粘合构件可以是粘合材料或胶粘剂。在某些实施方式中，防反射单元和窗单元可用其它单元替换或者可以被省略。
在图2A至图2F中，如果单元(例如，输入感测单元、防反射单元或窗单元)通过连续的过程形成在另一元件上，则将使用术语“层”来表示所述单元。如果单元(例如，输入感测单元、防反射单元或窗单元)通过粘合构件与另一元件结合(例如，附接至另一元件)，则将使用术语“面板”来表示所述单元。使用术语“面板”表示的单元可包括提供基底表面的基底层(例如，合成树脂膜、复合膜或玻璃基板)，但是使用术语“层”表示的单元可省略基底层。换言之，使用术语“面板”表示的单元可位于由另一元件或单元提供的基底表面上。
根据单元是通过连续的过程形成在另一元件上还是通过粘合构件与另一元件结合，和/或根据存在或不存在基底层，输入感测单元、防反射单元和窗单元可被称作为输入感测面板ISP、防反射面板RPP、窗面板WP，或者被称作为输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL。
如图2A中所示，显示装置DD可包括显示面板DP、输入感测层ISL、防反射面板RPP和窗面板WP。输入感测层ISL可直接设置在显示面板DP上。在本说明书中，“元件B可直接设置在元件A上”的表述可意指元件A与B之间未设置粘合层或粘合构件，或者元件B与元件A直接接触。在形成元件A之后，可通过连续的过程在由元件A提供的基底表面上形成元件B。
显示面板DP和直接设置在显示面板DP上的输入感测层ISL可称作为显示模块DM。显示模块DM与防反射面板RPP之间以及防反射面板RPP与窗面板WP之间可设置光学透明粘合剂OCA。
显示面板DP可配置成生成待向外部显示的图像IM(例如，显示图像IM)，以及输入感测层ISL可配置成获取与外部输入(例如，触摸事件)有关的坐标信息。虽然未示出，但是显示模块DM还可包括设置在显示面板DP的底表面上的保护构件。保护构件和显示面板DP可通过粘合构件彼此结合(例如，附接)。将参照图2B至图2F描述的显示装置DD还可包括保护构件。
根据本发明构思的一些实施方式，显示面板DP可以是光发射型显示面板，但是本发明构思不限于特定类型的显示面板DP。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可由有机发光材料形成或包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可包括量子点和/或量子棒。为了简化起见，随后的描述将涉及其中显示面板DP为有机发光显示面板的示例。
防反射面板RPP可配置成减少从外部空间(例如，从显示装置DD外部)向窗面板WP入射在防反射面板RPP上的外界光的反射。在一些实施方式中，防反射面板RPP可包括相位延迟器和偏振器。相位延迟器可以是膜类型或液晶涂层型，以及可包括λ/2和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜类型或液晶涂层类型。膜类型的偏振器可包括细长的合成树脂膜，而液晶涂层类型的偏振器可包括以特定方位排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可包括保护膜。相位延迟器、偏振器和它们的保护膜中的至少一个可用作为防反射面板RPP的基底层。
在一些实施方式中，防反射面板RPP可包括滤色器。滤色器可以以特定的方式布置。考虑到待从显示面板DP中的像素发出的光的颜色，可确定滤色器的布置(例如，滤色器的布置可确定成使得从显示面板DP中的像素发出的光与特定的颜色对应)。防反射面板RPP还可包括与滤色器相邻的黑矩阵。
在一些实施方式中，防反射面板RPP可包括相消干涉结构。例如，相消干涉结构可包括设置在不同层上的第一反射层和第二反射层。第一反射层和第二反射层可配置成允许由第一反射层反射的第一反射光和由第二反射层反射的第二反射光彼此相消干涉，这可减少外界光的反射。
在一些实施方式中，窗面板WP可包括基底膜WP-BS和挡光图案WP-BZ。基底膜WP-BS可包括玻璃基板和/或合成树脂膜。在一些实施方式中，基底膜WP-BS可以是单层结构。在其它实施方式中，基底膜WP-BS可具有多个层。例如，在一些实施方式中，基底膜WP-BS可包括通过粘合膜彼此结合(例如，附接)的两个或更多个膜。
挡光图案WP-BZ可与基底膜WP-BS部分地重叠。挡光图案WP-BZ可设置在基底膜WP-BS的背表面上，以限定显示装置DD的边框区域(例如，图1的非显示区域DD-NDA)。
挡光图案WP-BZ可以是着色的有机层，并且可通过例如涂敷法形成。虽然未示出，但是窗面板WP还可包括设置在基底膜WP-BS的前表面上的功能涂层。功能涂层可包括防指纹层、防反射层、硬涂层等。在图2B至图2F中，窗面板WP和窗层WL可以以简化的方式示出(例如，没有明显地示出基底膜WP-BS和挡光图案WP-BZ)。
如图2B和图2C中所示，显示装置DD可包括显示面板DP、输入感测面板ISP、防反射面板RPP和窗面板WP。输入感测面板ISP和防反射面板RPP的堆叠顺序可以变化(例如，如图2B中所示，输入感测面板ISP可位于防反射面板RPP之上，或者如图2C中所示，防反射面板RPP可位于输入感测面板ISP之上)。
如图2D中所示，显示装置DD可包括显示面板DP、输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL。可从显示装置DD省略粘合构件，以及输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL可通过连续的过程形成在由显示面板DP提供的基底表面上(例如，输入感测层ISL可形成在显示面板DP上，防反射层RPL可形成在输入感测层ISL上，以及窗层WL可形成在防反射层RPL上)。在其它实施方式中，输入感测层ISL和防反射层RPL的堆叠顺序可以变化(例如，防反射层RPL可形成在显示面板DP上，输入感测层ISL可形成在防反射层RPL上，以及窗层WL可形成在输入感测层ISL上)。
如图2E和图2F所示，在一些实施方式中，显示装置DD不包括防反射单元。
如图2E中所示，显示装置DD可包括显示面板DP、输入感测层ISL-1和窗面板WP。根据本实施方式的输入感测层ISL-1可配置成还具有防反射功能。
如图2F中所示，显示装置DD可包括显示面板DP-1、输入感测层ISL和窗面板WP。根据本实施方式的显示面板DP-1可配置成还具有防反射功能。
以下将详细描述具有防反射功能的输入感测层ISL-1和显示面板DP-1。在一些实施方式中，显示装置DD可包括可配置成还具有如针对输入感测层ISL-1描述的防反射功能的输入感测面板ISP，这也将在以下详细描述。
在图2A至图2F中，输入感测单元被示出为与显示面板完全地重叠。如图2A中所示，输入感测单元可与显示区域DD-DA完全地重叠。
然而，在一些实施方式中，输入感测单元可仅与显示区域DD-DA的一部分重叠，或者仅与非显示区域DD-NDA重叠。输入感测单元可以是触摸感测面板或指纹感测面板，其中，触摸感测面板配置成感测来自用户的触摸事件，指纹感测面板配置成读取用户手指的指纹。输入感测单元可包括多个感测电极(即，传感器)，以及感测电极的节距或宽度可根据输入感测单元的预期用途而变化。对于触摸感测面板，感测电极可具有从几毫米至几十毫米范围的宽度，而对于指纹感测面板，感测电极可具有从几十微米至几百微米范围的宽度。
图3是示出根据本发明构思的一些实施方式的的显示面板DP的剖视图。图4A和图4B是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示面板DP的平面图。图5是示出根据本发明构思的一些实施方式的像素PX的等效电路图。图6是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示面板DP的放大剖视图。以下将描述的显示面板DP的技术特征还可应用于参照图2A至图2F描述的显示装置DD。
如图3中所示，显示面板DP可包括基底层BL以及设置在基底层BL上的电路器件层DP-CL、显示器件层DP-OLED和薄膜封装层TFE。虽然未示出，但是显示面板DP还可包括功能层，诸如，防反射层和折射率控制层。
基底层BL可包括合成树脂层。合成树脂层可形成在用于制造显示面板DP的工作基板上。此后，合成树脂层上可形成有传导层、绝缘层等。如果工作基板被去除，则合成树脂层可用作为基底层BL。在一些实施方式中，合成树脂层可以是基于聚酰亚胺的树脂层，但是本发明构思不限于将用于基底层BL的特定材料。例如，在一些实施方式中，基底层BL可包括玻璃基板、金属基板和/或有机/无机复合基板。
电路器件层DP-CL可包括至少一个绝缘层和至少一个电路器件。下文中，电路器件层DP-CL中的绝缘层将被称作为中间绝缘层。中间绝缘层可包括至少一个中间无机层和/或至少一个中间有机层。电路器件可包括信号线、像素驱动电路等。电路器件层DP-CL的形成可包括形成绝缘层、半导体层和传导层(例如，使用涂敷过程或沉积过程)，并且然后使绝缘层、半导体层和传导层图案化(例如，使用光刻和蚀刻过程)。
显示器件层DP-OLED可包括发光器件。显示器件层DP-OLED可包括多个有机发光二极管。显示器件层DP-OLED还可包括有机层，诸如，像素限定层。
薄膜封装层TFE可设置成密封显示器件层DP-OLED。薄膜封装层TFE可包括至少一个绝缘层。在一些实施方式中，薄膜封装层TFE可包括至少一个无机层(下文中，称为无机封装层)。在一些实施方式中，薄膜封装层TFE可包括至少一个有机层(下文中，称为有机封装层)和至少一个无机封装层。
无机封装层可用于保护显示器件层DP-OLED免受水分或氧的影响，以及有机封装层可用于保护显示器件层DP-OLED免受诸如粉尘颗粒的污染物质的影响。无机封装层可包括硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层和铝氧化物层中的至少一种，但是本发明构思不限于此。有机封装层可包括丙烯酸有机层，但是本发明构思不限于此。
如图4A中所示，当在平面图中观察时，显示面板DP可包括显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA。在本实施方式中，非显示区域DP-NDA可沿着显示区域DP-DA的边缘或外周限定。显示面板DP的显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA可分别与图1和图2A中所示的显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA对应。
显示面板DP可包括驱动电路GDC、多个显示信号线SGL、多个信号焊盘DP-PD和多个像素PX。像素PX可位于显示区域DP-DA中。像素PX中的每个可包括连接至像素PX的有机发光二极管和像素驱动电路。驱动电路GDC、显示信号线SGL、信号焊盘DP-PD和像素驱动电路可包括在图3中所示的电路器件层DP-CL中。
驱动电路GDC可包括扫描驱动电路。扫描驱动电路可配置成生成多个扫描信号，并且将扫描信号顺序地输出至以下将描述的多个扫描线GL。另外，扫描驱动电路可配置成将其它控制信号输出至像素PX的驱动电路。
扫描驱动电路可包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管通过与用于像素PX的驱动电路的过程相同的过程形成(例如，通过低温多晶硅(LTPS)过程或低温多晶氧化(LTPO)过程)。
显示信号线SGL可包括扫描线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。扫描线GL中的每个可连接至像素PX中对应的像素PX，以及数据线DL中的每个可连接至像素PX中对应的像素PX。电力线PL可连接至像素PX。控制信号线CSL可用于向扫描驱动电路提供控制信号。
显示信号线SGL可与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA重叠。显示信号线SGL中的每个可包括焊盘部分和线部分。线部分可与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA重叠。焊盘部分可连接至线部分的端部。焊盘部分可设置在非显示区域DP-NDA上，并且可与信号焊盘DP-PD中的对应一个重叠。这将在以下进行更详细的描述。非显示区域DP-NDA的其上设置有信号焊盘DP-PD的部分将被称作为显示面板DP的焊盘区域NDA-PD。
可基本上连接至像素PX的线部分可构成显示信号线SGL中的每个的大部分。线部分可连接至像素PX的晶体管T1和T2(例如，见图5)中的一个。线部分可具有单层结构或多层结构，并且可以以单个主体的形式设置，或者可包括两个或更多个部分。在线部分包括两个或更多个部分的情况中，所述两个或更多个部分可设置在不同的层处，并且可通过形成为穿透所述不同的层之间的绝缘层的接触孔而彼此连接。
显示面板DP还可包括设置在焊盘区域NDA-PD上的虚拟焊盘IS-DPD。虚拟焊盘IS-DPD可通过与用于显示信号线SGL的过程相同的过程形成，并且在这种情况中，虚拟焊盘IS-DPD和显示信号线SGL可形成在相同的层上或者相同的水平处。虚拟焊盘IS-DPD可以选择性地设置在图2A和图2D至图2F中所示的包括输入感测层ISL或输入感测层ISL-1的显示装置DD中，以及图2B和图2C中所示的包括输入感测面板ISP的显示装置DD可省略虚拟焊盘IS-DPD。
虚拟焊盘IS-DPD可与信号线的焊盘部分重叠，其中，信号线的焊盘部分可设置在图2A和图2D至图2F中所示的输入感测层ISL或输入感测层ISL-1中。虚拟焊盘IS-DPD可以是浮动电极。例如，虚拟焊盘IS-DPD可与显示面板的显示信号线SGL电分离。
如图4A中所示，电路板PCB可电连接至显示面板DP。电路板PCB可以是刚性电路板或柔性电路板。电路板PCB可直接粘结至显示面板DP，或者可通过另一电路板连接至显示面板DP。
电路板PCB上可设置有用于控制显示面板DP的操作的时序控制电路TC。另外，电路板PCB上可设置有用于控制输入感测单元ISU(例如，输入感测面板ISP或输入感测层ISL)的输入感测电路IS-C。时序控制电路TC和输入感测电路IS-C中的每个可以以集成电路芯片的形式设置，并且可安装在电路板PCB上。在一些实施方式中，时序控制电路TC和输入感测电路IS-C可集成在单个芯片中，并且可安装在电路板PCB上。电路板PCB可包括电连接至显示面板DP的电路板焊盘PCB-P。虽然未示出，但是电路板PCB还可包括设置成将电路板焊盘PCB-P连接至时序控制电路TC和/或输入感测电路IS-C的信号线。
如图4B中所示，显示面板DP还可包括位于非显示区域DP-NDA上的芯片安装区域NDA-TC。以芯片形式设置并且被称作‘控制电路芯片’的时序控制电路TC(例如，见图4A)可安装在芯片安装区域NDA-TC上。
芯片安装区域NDA-TC中可设置有第一芯片焊盘TC-PD1和第二芯片焊盘TC-PD2。第一芯片焊盘TC-PD1可连接至数据线DL，以及第二芯片焊盘TC-PD2可连接至信号焊盘DP-PD(例如，通过信号线)。时序控制电路TC的终端可连接至第一芯片焊盘TC-PD1和第二芯片焊盘TC-PD2。因此，数据线DL可通过信号焊盘DP-PD电连接至时序控制电路TC。
在一些实施方式中，控制信号线CSL和电力线PL中的至少一个也可连接至时序控制电路TC。
图5示出其中设置有一个扫描线GL、一个数据线DL、一个电力线PL以及连接至它们的一个像素PX的示例。然而，像素PX的结构不限于图5中所示的结构，并且在一些实施方式中，它可进行多种改变。
有机发光二极管OLED可以是顶部发射型二极管或底部发射型二极管。像素PX可包括第一晶体管或开关晶体管T1、第二晶体管或驱动晶体管T2以及电容器Cst，它们可用作为用于驱动有机发光二极管OLED的像素驱动电路。第一电源电压ELVDD可提供至第二晶体管T2，以及第二电源电压ELVSS可提供至有机发光二极管OLED。第二电源电压ELVSS可低于第一电源电压ELVDD。
如果扫描信号被施加至扫描线GL，则第一晶体管T1可响应于扫描信号而输出施加至数据线DL的数据信号。电容器Cst可充电成具有与从第一晶体管T1传输的数据信号对应的电压。第二晶体管T2可连接至有机发光二极管OLED。第二晶体管T2可基于电容器Cst中存储的电荷量(例如，电容器Cst两端的电压)来控制流经有机发光二极管OLED的驱动电流。
图5中的等效电路仅仅是像素PX的电路的可能实施方式中的一个，但是本发明构思不限于此。像素PX可配置成包括至少一个晶体管或至少一个电容器。在某些实施方式中，有机发光二极管OLED可联接至电力线PL和第二晶体管T2。
图6的垂直剖面示出显示面板DP的与图5的等效电路图对应的部分。
电路器件层DP-CL、显示器件层DP-OLED和薄膜封装层TFE可顺序地位于基底层BL上。在本实施方式中，电路器件层DP-CL可包括缓冲层BFL、第一中间无机层10、第二中间无机层20和中间有机层30，其中，缓冲层BFL由无机材料制成，中间有机层30由有机材料制成。无机层和有机层可不限于特定的材料，并且在一些实施方式中，可以可选地设置或省略缓冲层BFL。
第一晶体管T1和第二晶体管T2可分别包括设置在缓冲层BFL上的半导体图案OSP1和半导体图案OSP2(下文中，称为第一半导体图案和第二半导体图案)。第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2可由非晶硅、多晶硅和金属氧化物半导体材料中的至少一种形成，或者包括非晶硅、多晶硅和金属氧化物半导体材料中的至少一种。
第一中间无机层10可设置在第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2上。第一晶体管T1和第二晶体管T2可分别包括设置在第一中间无机层10上的控制电极GE1和控制电极GE2(下文中，称为第一控制电极和第二控制电极)。第一控制电极GE1和第二控制电极GE2可使用与用于形成图5的扫描线GL的光刻过程相同的光刻过程形成。
第二中间无机层20可设置在第一中间无机层10上，覆盖第一控制电极GE1和第二控制电极GE2。第一晶体管T1可包括设置在第二中间无机层20上的输入电极DE1和输出电极SE1(下文中，称为第一输入电极和第一输出电极)，以及第二晶体管T2可包括设置在第二中间无机层20上的输入电极DE2和输出电极SE2(下文中，称为第二输入电极和第二输出电极)。
第一通孔CH1和第二通孔CH2可形成为穿透第一中间无机层10和第二中间无机层20两者，以及第一输入电极DE1和第一输出电极SE1可分别通过第一通孔CH1和第二通孔CH2连接至第一半导体图案OSP1的两个不同部分。第三通孔CH3和第四通孔CH4可形成为穿透第一中间无机层10和第二中间无机层20两者，以及第二输入电极DE2和第二输出电极SE2可分别通过第三通孔CH3和第四通孔CH4连接至第二半导体图案OSP2的两个不同部分。在一些实施方式中，第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个可修改为具有底栅结构。
中间有机层30可设置在第二中间无机层20上，以覆盖第一输入电极DE1、第二输入电极DE2、第一输出电极SE1和第二输出电极SE2。中间有机层30可设置成具有平坦的表面。
显示器件层DP-OLED可设置在中间有机层30上。显示器件层DP-OLED可包括像素限定层PDL和有机发光二极管OLED。像素限定层PDL可由有机材料形成或者包括有机材料。中间有机层30上可设置有第一电极AE。第一电极AE可通过穿透中间有机层30的第五通孔CH5连接至第二输出电极SE2。像素限定层PDL中可限定有开口OP。像素限定层PDL的开口OP可设置成暴露第一电极AE的至少一部分。在一些实施方式中，像素限定层PDL可被省略。
像素PX可位于显示区域DP-DA中。显示区域DP-DA可包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可设置成围绕发光区域PXA。在本实施方式中，发光区域PXA可限定成与第一电极AE的由开口OP暴露的区域对应。
在一些实施方式中，发光区域PXA可与第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个重叠。开口OP可被扩大，以及第一电极AE和/或以下将描述的发光层EML也可被扩大。
发光区域PXA和非发光区域NPXA上可公共地设置有空穴控制层HCL。虽然未示出，但是诸如空穴控制层HCL的公共层可公共地设置在多个像素PX(例如，见图4A)中。
发光层EML可设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可设置在与开口OP对应的区域上。换言之，发光层EML可具有针对像素PX中的每个而设置的孤立结构。发光层EML可包括有机材料和/或无机材料。发光层EML可配置成生成特定颜色的光。
在本实施方式中，发光层EML被示出为具有图案化结构，但是在一些实施方式中，发光层EML可公共地设置在多个像素PX上。此处，发光层EML可配置成生成白色光。此外，发光层EML可具有称为‘串联’的多层结构。
发光层EML上可设置有电子控制层ECL。虽然未示出，但是电子控制层ECL可公共地设置在多个像素PX(例如，见图4A)中。电子控制层ECL上可设置有第二电极CE。第二电极CE可公共地设置在多个像素PX上。
薄膜封装层TFE可设置在第二电极CE上。薄膜封装层TFE可公共地设置在多个像素PX上。在本实施方式中，薄膜封装层TFE可设置成直接覆盖第二电极CE。在一些实施方式中，薄膜封装层TFE与第二电极CE之间还可设置有盖层，从而覆盖第二电极CE。此处，薄膜封装层TFE可设置成直接覆盖所述盖层。
在一些实施方式中，有机发光二极管OLED还可包括用于控制从发光层EML发出的光的谐振距离的谐振结构。谐振结构可设置在第一电极AE与第二电极CE之间，以及谐振结构的厚度可根据待从发光层EML发出的光的波长而确定。
图7A至图7D是示出根据本发明构思的一些实施方式的薄膜封装层TFE的剖视图。图7A至图7D的薄膜封装层TFE可配置成具有与参照图3描述的薄膜封装层TFE的技术特征基本上相同的技术特征。
如图7A中所示，薄膜封装层TFE可包括无机封装层IOL1至IOLn，其中，n为大于2的自然数。此处，无机封装层中的第一个(即，无机封装层IOL1)可与第二电极CE(例如，见图6)接触。
薄膜封装层TFE还可包括(n-1)个有机封装层OL1，并且在一些实施方式中，(n-1)个有机封装层OL1和n个无机封装层(即，无机封装层IOL1至IOLn)可交替地设置。(n-1)个有机封装层OL1中的每个可具有大于n个无机封装层(即，无机封装层IOL1至IOLn)的平均厚度的厚度。
n个无机封装层(即，无机封装层IOL1至IOLn)中的每个可以是由单一材料制成的单个层，或者可以是多层结构，其中，所述多层结构中包括由不同材料制成的至少两个层。(n-1)个有机封装层OL1可通过沉积有机单体的过程形成。有机单体可包括例如基于丙烯酰基的单体中的至少一种，但是本发明构思不限于此。
在一些实施方式中，薄膜封装层TFE可包括顺序地堆叠在第二电极CE上的硅氮氧化物层、有机单体层和硅氮化物层。在某些实施方式中，硅氮化物层上可设置有另一无机层，以及硅氮化物层可以是双层结构(例如，包括在不同条件下通过沉积过程形成的两个层)。
如图7B中所示，薄膜封装层TFE可包括顺序地堆叠的第一无机封装层lOL1、第一有机封装层OL1、第二无机封装层IOL2、第二有机封装层OL2和第三无机封装层IOL3。
第一无机封装层lOL1可具有双层结构。第一子层S1可以是锂氟化物层，以及第二子层S2可以是铝氧化物层。第一有机封装层OL1可以是第一有机单体层，第二无机封装层IOL2可以是第一硅氮化物层，第二有机封装层OL2可以是第二有机单体层，以及第三无机封装层IOL3可以是第二硅氮化物层。
如图7C中所示，薄膜封装层TFE可包括顺序地堆叠的第一无机封装层IOL10、第一有机封装层OL1和第二无机封装层IOL20。第一无机封装层IOL10和第二无机封装层IOL20中的每个可具有双层结构。第一子层S10可以是锂氟化物层，以及第二子层S20可以是硅氧化物层。第二无机封装层IOL20可包括在不同沉积环境下沉积的第一子层S100和第二子层S200。第一子层S100可在低功率条件下沉积，以及第二子层S200可在高功率条件下沉积。第一子层S100和第二子层S200中的每个可以是硅氮化物层。
如图7D中所示，薄膜封装层TFE可包括顺序地堆叠的多个无机封装层。薄膜封装层TFE可包括第一无机封装层IOL1、第二无机封装层IOL2和第三无机封装层IOL3。无机封装层中的至少一个可以是或者包括硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或铝氧化物层。例如，第一无机封装层IOL1和第三无机封装层IOL3中的至少一个可包括硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或铝氧化物层。
无机封装层中的至少一个可以是或者可包括六甲基二硅醚(HMDSO)层。HMDSO层可具有应力吸收特性。第二无机封装层IOL2可以是HMDSO层。第二无机封装层IOL2可用于吸收第一无机封装层IOL1和第三无机封装层IOL3的应力。因此，薄膜封装层TFE可变得更有柔性。
在薄膜封装层TFE仅具有无机封装层的情况中，可通过连续的沉积过程在单个腔室内形成薄膜封装层TFE，并且因此来简化形成薄膜封装层TFE的过程。在薄膜封装层TFE具有至少一个有机封装层和至少一个无机封装层的情况中，必须至少改变一次处理腔室。在无机封装层中的一个为HMDSO层的情况中，薄膜封装层TFE可具有增加的柔性。
图8是示出根据本发明构思的一些实施方式的显示装置DD的剖视图。图9是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元ISU的平面图。图10A是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元ISU的第一传导层IS-CL1的平面图。图10B是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元ISU的第二传导层IS-CL2的平面图。图10C是沿图9的线I-I′截取的剖视图。图10D和图10E是沿图9的线II-II′截取的剖视图。
在图8中，以简化的方式示出显示面板DP以描述输入感测单元ISU的堆叠结构。例如，输入感测单元ISU上可设置有防反射单元和窗单元，但是图8中未示出它们。
在本实施方式中，将示例性地描述具有参照图2A描述的“层”形状的输入感测单元ISU。由于“层”形状的输入感测单元ISU直接设置在由显示面板DP提供的基底表面上，因此可省略基底层，并且因此，可减小显示模块DM的厚度。在本实施方式中，基底表面可以是薄膜封装层TFE的顶表面。
无论输入感测单元ISU的形状如何，输入感测单元ISU都可具有多层结构。例如，输入感测单元ISU可包括感测电极、信号线和至少一个绝缘层，其中，信号线连接至所述感测电极。输入感测单元ISU可配置成例如以电容感测的方式感测外部输入。本发明构思不限于输入感测单元ISU的特定感测方法，并且在一些实施方式中，输入感测单元ISU可配置成以电磁感应方式或压力感测方式感测外部输入。
如图8中所示，输入感测单元ISU可包括第一传导层IS-CL1、第一绝缘层IS-IL1、第二传导层IS-CL2和第二绝缘层IS-IL2。第一传导层IS-CL1和第二传导层IS-CL2中的每个可具有单层结构，或者可具有包括在第三方向DR3上堆叠的多个层的多层结构。单层结构的传导层可由金属层或透明传导层形成，或者包括金属层或透明传导层。金属层可包括钼、银、钛、铜、铝和它们的合金中的至少一种。透明传导层可包括透明传导氧化物，诸如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)或铟锡锌氧化物(ITZO)。在一些实施方式中，透明传导层可包括传导聚合物(例如，PEDOT)、金属纳米线或石墨烯。
在传导层具有多层结构的实施方式中，传导层可包括金属层的堆叠。金属层的堆叠可以是钛/铝/钛的三层结构。多层结构的传导层可包括至少一个金属层和至少一个透明传导层。
第一传导层IS-CL1和第二传导层IS-CL2中的每个可包括多个图案。以下描述将涉及其中第一传导层IS-CL1包括第一传导图案以及第二传导层IS-CL2包括第二传导图案的示例。第一传导图案和第二传导图案中的每个可包括至少一个感测电极和至少一个信号线。
考虑到对感测灵敏度的技术要求，可确定感测电极的堆叠结构和材料。感测灵敏度可受到电阻-电容(RC)延迟的影响，以及金属层可具有比透明传导层的电阻低的电阻。因此，由金属层形成的感测电极可具有减小的RC延迟值，并且为限定在感测电极之间的电容器充电所花费的充电时间可减少。在感测电极是由透明传导层形成的实施方式中，与由金属层形成的感测电极相比，感测电极可能不容易被用户识别，并且因此，可增大输入面积和有效电容。
为了防止金属层中的感测电极被用户识别，感测电极可以以网格的形状设置。薄膜封装层TFE的厚度可被调节(例如，配置或设计)以防止输入感测单元ISU受到由显示器件层DP-OLED的元件所引起的噪声的影响。第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的每个可具有单层结构或多层结构。第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的每个可包括无机材料、有机物质或复合材料。
第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的至少一个可包括无机层。无机层可包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。
第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的至少一个可包括有机层。有机层可包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯树脂、乙烯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和二萘嵌苯树脂中的至少一种。
如图9中所示，输入感测单元ISU可包括第一感测电极IE1-1至IE1-5、第一信号线SL1-1至SL1-5、第二感测电极IE2-1至IE2-4以及第二信号线SL2-1至SL2-4，其中，第一信号线SL1-1至SL1-5连接至第一感测电极IE1-1至IE1-5，第二信号线SL2-1至SL2-4连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4。虽然未示出，但是输入感测单元ISU还可包括设置在第一感测电极IE1-1至IE1-5与第二感测电极IE2-1至IE2-4之间的边界区域中的光学虚拟电极。
图8中所示的薄膜封装层TFE可包括至少一个无机封装层，并且因此，其可提供具有改善平坦度的基底表面。因此，即使当输入感测单元ISU的元件连续地形成时，也可降低形成输入感测单元ISU的元件的失败率。第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可设置在具有减小的高度差的非显示区域DD-NDA上，并且因此，它们中的每个可形成为具有均匀的厚度。可减少对与第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4的高度差重叠处的区域上施加的应力。
参照图9，输入感测单元ISU可包括输入感测区域ISA和非输入感测区域NISA。用于感测外部输入的第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可设置在输入感测区域ISA上。
第一感测电极IE1-1至IE1-5可设置成与第二感测电极IE2-1至IE2-4交叉。第一感测电极IE1-1至IE1-5可布置在第一方向DR1上，并且它们中的每个可在第二方向DR2上延伸。第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可配置成以互电容方式和/或自电容方式感测外部输入。在一些实施方式中，在第一周期期间，可以以互电容方式获取外部输入的坐标，以及在第二周期期间，可以以自电容方式获取外部输入的坐标。
第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每个可包括第一传感器部分SP1和第一连接部分CP1。第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个可包括第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。
在一些实施方式中，输入感测区域ISA不具有矩形形状。在图9中，输入感测区域ISA被示出为具有矩形形状，所述矩形形状的中央顶部部分被去除，但是本发明构思不限于此。例如，输入感测区域ISA的形状可根据需要进行多种改变。然而，在输入感测区域ISA的形状改变的情况中，第一传感器部分SP1中的一些或第二传感器部分SP2中的一些可能不具有感测外部输入所需要的最小面积。
在一些实施方式中，与第一传感器部分SP1中的中央的第一传感器部分SP1(例如，不与输入感测区域ISA的边缘相邻)相比，第一传感器部分SP1中的定位在第一感测电极的相对端部处(或与输入感测区域ISA的边缘相邻)的两个第一传感器部分SP1可具有小的面积或尺寸(例如，一半面积)。此外，第一传感器部分SP1中的至少一个可具有比第一传感器部分SP1中的中央的第一传感器部分SP1的一半面积小的面积。在图9中，定位在第一感测电极IE1-1的两个端部处(在输入感测单元ISU的最上区域处)的第一传感器部分SP1被示出为具有比第一传感器部分SP1中的中央的第一传感器部分SP1的一半面积小的面积。
与第二传感器部分SP2中的中央的第二传感器部分SP2(例如，不与输入感测区域ISA的边缘相邻)相比，第二传感器部分SP2中的定位在第二感测电极的相对端部处(或与输入感测区域ISA的边缘相邻)的两个第二传感器部分SP2可具有小的面积或尺寸(例如，一半面积)。此外，第二传感器部分SP2中的至少一个可具有比第二传感器部分SP2中的中央的第二传感器部分SP2的一半面积小的面积。在
图9中，定位在第二感测电极IE2-1和IE2-4的单侧端部(例如，一个端部)处(在输入感测单元ISU的左侧和右侧处)的第二传感器部分SP2被示出为具有比第二传感器部分SP2中的中央的第二传感器部分SP2的一半面积小的面积。
图9示出根据本发明构思的一些实施方式的第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4，但是本发明构思不限于它们的特定形状。在一些实施方式中，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可具有这样的形状(例如，杆形状)：在该形状中，传感器部分和连接部分彼此不区分开。第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2被示出为具有类金刚石形状，但是本发明构思不限于此。例如，第一传感器部分SP1和/或第二传感器部分SP2中的每个可设置成具有其它多边形形状。另外，在一些实施方式中，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的至少一个可包括具有曲形形状的部分。
在第一感测电极IE1-1至IE1-5中的一个或每个中，第一传感器部分SP1可布置在第二方向DR2上，以及在第二感测电极IE2-1至IE2-4中的一个或每个中，第二传感器部分SP2可布置在第一方向DR1上。第一连接部分CP1中的每个可设置成将第一传感器部分SP1中相邻的第一传感器部分SP1彼此连接(例如，连接第一传感器部分SP1中位于相同的第一感测电极中的相邻的第一传感器部分SP1)，以及第二连接部分CP2中的每个可设置成将第二传感器部分SP2中相邻的第二传感器部分SP2彼此连接(例如，连接第二传感器部分SP2中位于相同的第二感测电极中的相邻的第二传感器部分SP2)。在一些实施方式中，在第一感测电极IE1-1至IE1-5中的至少一个中，第一传感器部分SP1中的至少一个不连接至第一传感器部分SP1中位于相同的第一感测电极中的与其相邻的一个第一传感器部分SP1，和/或在第二感测电极IE2-1至IE2-4中的至少一个中，第二传感器部分SP2中的至少一个不连接至第二传感器部分SP2中位于相同的第二感测电极中的与其相邻的一个第二传感器部分SP2。
第一信号线SL1-1至SL1-5可分别连接至第一感测电极IE1-1至IE1-5的单侧端部(例如，一个端部)。第二信号线SL2-1至SL2-4可连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的两个端部。在一些实施方式中，第一信号线SL1-1至SL1-5可连接至第一感测电极IE1-1至IE1-5的两个端部。在一些实施方式中，第二信号线SL2-1至SL2-4可仅分别连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的单侧端部(例如，一个端部)。
根据本发明构思的一些实施方式，与其中第二信号线SL2-1至SL2-4分别连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的单侧端部(例如，一个端部)的输入感测单元ISU相比，对于其中第二信号线SL2-1至SL2-4分别连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的两个端部的输入感测单元ISU，可提高输入感测单元ISU的感测灵敏度。在一些实施方式中，由于连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的两个端部的第二信号线SL2-1至SL2-4用于传输检测信号或传输信号，因此，可防止检测信号或传输信号的电压降并且防止感测灵敏度的劣化。
第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4中的每个可包括线部分SL-L和焊盘部分SL-P。焊盘部分SL-P可设置在输入感测单元ISU的焊盘区域NDA-PD上，并且可彼此对齐。焊盘部分SL-P可与图4A中所示的虚拟焊盘IS-DPD重叠。
输入感测单元ISU可包括信号焊盘DP-PD。信号焊盘DP-PD可设置在焊盘区域NDA-PD上，并且可彼此对齐。
在一些实施方式中，第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可用单独地制造并且被与显示面板DP结合的电路板等替换。
在一些实施方式中，虽然未示出，但是第一信号线SL1-1至SL1-5的焊盘部分SL-P和第二信号线SL2-1至SL2-4的焊盘部分SL-P可设置在不同的区域处，以及信号焊盘DP-PD可插置在它们之间。由于焊盘部分SL-P的设置有第一信号线SL1-1至SL1-5的焊盘部分SL-P的组和设置有第二信号线SL2-1至SL2-4的焊盘部分SL-P的组可彼此间隔开，因此可容易地将电路板连接至它们以及简化电路板的结构。
在一些实施方式中，第一信号线SL1-1至SL1-5的位置可与第二信号线SL2-1至SL2-4的位置互换。第一信号线SL1-1至SL1-5可设置在左侧处，以及第二信号线SL2-1至SL2-4可设置在右侧处，或者反之亦然。
如图10A中所示，第一传导层IS-CL1可包括第一连接部分CP1。另外，第一传导层IS-CL1可包括第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51以及第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41。
在一些实施方式中，第一连接部分CP1、第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51以及第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41可通过相同的过程形成。第一连接部分CP1、第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51以及第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41可包括相同的材料并且可具有相同的堆叠结构。在一些实施方式中，第一连接部分CP1可通过与用于形成第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41的过程不同的过程形成。因此，第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51与第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41可具有相同的堆叠结构，但是第一连接部分CP1可具有与第一线部分SL1-11至SL1-51和第一线部分SL2-11至SL2-41的堆叠结构不同的堆叠结构。
在一些实施方式中，第一传导层IS-CL1可包括第二连接部分CP2(例如，见图9)。此处，第一连接部分CP1可自第一传导层IS-CL1形成。因此，第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每个可具有单个主体形状。
虽然图10A中未示出，但是第一绝缘层IS-IL1可设置成至少覆盖第一连接部分CP1。在本实施方式中，第一绝缘层IS-IL1可与显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA的至少一部分重叠。第一绝缘层IS-IL1可设置成覆盖第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51以及第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41。
在本实施方式中，第一绝缘层IS-IL1可与显示区域DD-DA和焊盘区域NDA-PD重叠。第一绝缘层IS-IL1可与显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA完全地重叠。
第一绝缘层IS-IL1中可限定有第一连接接触孔CNT-I和第二连接接触孔CNT-S。第一连接接触孔CNT-I可设置成使第一连接部分CP1部分地暴露，以及第二连接接触孔CNT-S可设置成使第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41部分地暴露。
如图10B中所示，第二传导层IS-CL2可包括第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个可具有单个主体形状(例如，可整体地形成)。第一传感器部分SP1可与第二感测电极IE2-1至IE2-4间隔开。
第二传导层IS-CL2可包括第一信号线SL1-1至SL1-5的第二线部分SL1-12至SL1-52、第一信号线SL1-1至SL1-5的焊盘部分SL-P、第二信号线SL2-1至SL2-4的第二线部分SL2-12至SL2-42以及第二信号线SL2-1至SL2-4的焊盘部分SL-P。另外，第二传导层IS-CL2可包括信号焊盘DP-PD。
第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2以及第二连接部分CP2可通过相同的过程形成。第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2以及第二连接部分CP2可包括相同的材料并且可具有相同的堆叠结构。第一信号线SL1-1至SL1-5的第二线部分SL1-12至SL1-52、第一信号线SL1-1至SL1-5的焊盘部分SL-P、第二信号线SL2-1至SL2-4的第二线部分SL2-12至SL2-42、第二信号线SL2-1至SL2-4的焊盘部分SL-P以及信号焊盘DP-PD可通过与用于形成第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2的过程相同的或不同的过程形成。
虽然图10B中未示出，但是第二绝缘层IS-IL2可与显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA的至少一部分重叠。在本实施方式中，第二绝缘层IS-IL2可设置成使焊盘区域NDA-PD暴露。
如图10C中所示，第一传感器部分SP1可通过第一连接接触孔CNT-I电连接至相应的第一连接部分CP1。第一连接部分CP1可由电阻比第一传感器部分SP1的电阻低的材料形成，或者包括电阻比第一传感器部分SP1的电阻低的材料。
第一连接部分CP1可设置成相对于第一方向DR1和第二方向DR2上的平面与第二连接部分CP2交叉，并且此处，为了抑制寄生电容的影响，第一连接部分CP1可配置成具有减小的宽度或平面面积。为了提高感测灵敏度，第一连接部分CP1可包括低电阻材料(例如，与第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51相同的金属材料)。
在本实施方式中，第一绝缘层IS-IL1可以是聚合物层(例如，丙烯酸聚合物层)。第二绝缘层IS-IL2也可以是聚合物层(例如，丙烯酸聚合物层)。即使当输入感测单元ISU如图8和图10D中所示直接设置在显示面板DP上时，聚合物层也可改善显示装置DD的柔性。为了改善柔性，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可具有网格形状并且可包括金属材料。第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可被称作为‘金属网格图案’。
图10D中示例性地示出了第一信号线SL1-1至SL1-5中的三个第一信号线(例如，第一信号线SL1-1至SL1-3)。参照第一信号线SL1-1，第一线部分SL1-11和第二线部分SL1-12可通过第二连接接触孔CNT-S彼此电连接。这可减小第一信号线SL1-1的电阻。第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41和第二线部分SL2-12至SL2-42可类似地通过第二连接接触孔CNT-S彼此电连接。
在一些实施方式中，可省略用于第一信号线SL1-1至SL1-5中的一个或多个的第一线部分(例如，第一线部分SL1-11)和第二线部分(例如，第二线部分SL1-12)中的一个。在一些实施方式中，可省略第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分和第二线部分中的一个。
如图10E中所示，在一些实施方式中，可省略第一线部分SL1-11。仅具有第二线部分SL1-12的第一信号线SL1-1可与图10D的结构基本上相同。第一信号线SL1-1可包括金属层SL1-12M和直接设置在金属层SL1-12M上的透明传导层SL1-12T。在一些实施方式中，传感器部分(例如，图10C的第一传感器部分SP1)可配置成包括金属层而不是透明传导层。
图11A是示出图9的部分‘AA’的放大平面图。图11B是示出图9的部分‘BB’的放大平面图。为了便于说明，图11A和图11B中未示出第一连接部分CP1。
图11A中所示的部分‘AA’可限定为第一单元区域AA，第一单元区域AA是输入感测单元ISU的一部分并且用于感测外部输入。在第一单元区域AA中，第一传感器部分SP1可包括左部第一传感器部分SP1-1和右部第一传感器部分SP1-2，以及第二传感器部分SP2可包括上部第二传感器部分SP2-1和下部第二传感器部分SP2-2。
第一传感器部分SP1-1和SP1-2与第二传感器部分SP2-1和SP2-2之间的距离可限定为第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4，其中，第一距离L1-1是左部第一传感器部分SP1-1与上部第二传感器部分SP2-1之间的距离，第一距离L1-2是上部第二传感器部分SP2-1与右部第一传感器部分SP1-2之间的距离，第一距离L1-3是左部第一传感器部分SP1-1与下部第二传感器部分SP2-2之间的距离，以及第一距离L1-4是下部第二传感器部分SP2-2与右部第一传感器部分SP1-2之间的距离。第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4可具有基本上相同的值，但是本发明构思不限于此。在一些实施方式中，第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4中的至少一个可根据需要而改变。
在第一单元区域AA中，第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2可构成具有第一电容的电容器。
例如，上部第二传感器部分SP2-1结合左部第一传感器部分SP1-1和右部第一传感器部分SP1-2可构成具有第一电容的一对电容器(例如，左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1是用于一个电容器的电极，以及右部第一传感器部分SP1-2和上部第二传感器部分SP2-1是用于另一电容器的电极)，以及下部第二传感器部分SP2-2结合左部第一传感器部分SP1-1和右部第一传感器部分SP1-2可构成具有第一电容的一对电容器(例如，左部第一传感器部分SP1-1和下部第二传感器部分SP2-2是用于一个电容器的电极，以及右部第一传感器部分SP1-2和下部第二传感器部分SP2-2是用于另一电容器的电极)。
第一电容可通过第一单元区域AA中的第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2中的每个的面积以及第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4而确定。详细地，第一单元区域AA中的第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2中的每个的面积越大，第一电容越大。此外，第一单元区域AA中第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4越小，第一电容越大。
在第一单元区域AA中，左部第一传感器部分SP1-1和右部第一传感器部分SP1-2可具有基本上相同的面积，以及上部第二传感器部分SP2-1和下部第二传感器部分SP2-2也可具有基本上相同的面积。
因此，在第一单元区域AA中，第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2可构成具有基本上相同电容的电容器。
图11B中所示的部分‘BB’可限定为第二单元区域BB，第二单元区域BB是输入感测单元ISU的一部分并且用于感测外部输入。
在第二单元区域BB中，左部第一传感器部分SP1-1和右部第一传感器部分SP1-2以及上部第二传感器部分SP2-1和下部第二传感器部分SP2-2可构成具有第二电容的电容器。
在图11B中，第一传感器部分SP1-1和SP1-2与第二传感器部分SP2-1和SP2-2之间的距离可限定为第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4，其中，第二距离L2-1是左部第一传感器部分SP1-1与上部第二传感器部分SP2-1之间的距离，第二距离L2-2是上部第二传感器部分SP2-1与右部第一传感器部分SP1-2之间的距离，第二距离L2-3是左部第一传感器部分SP1-1与下部第二传感器部分SP2-2之间的距离，以及第二距离L2-4是下部第二传感器部分SP2-2与右部第一传感器部分SP1-2之间的距离。
图11B中所示的左部第一传感器部分SP1-1和右部第一传感器部分SP1-2以及上部第二传感器部分SP2-1中的每个在与图11A中的对应一个相比时可具有顶部部分被去除的形状(例如，第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及上部第二传感器部分SP2-1具有比第一单元区域AA中它们的相应对应物小的面积)。
在本说明书中，将具有这样形状的传感器部分称作为正常传感器部分：其中，输入感测单元ISU的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的大部分具有基本上相同的形状(例如，图11A的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2)。此外，将作为输入感测单元ISU的一部分并且具有比正常传感器部分的面积小的面积的传感器部分(例如，图11B的传感器部分SP1-1、SP1-2和SP2-1)称作为切断的传感器部分。切断的传感器部分可具有通过切割或去除正常传感器部分的形状的一部分而产生的形状(例如，切断的传感器部分的形状可与正常传感器部分的第一区域的形状基本上相同，但是可省略正常传感器部分的第二区域)。
在一些实施方式中，正常传感器部分可具有第一面积，以及切断的传感器部分可具有第二面积。在一些实施方式中，第二面积与第一面积的比值可从0.05变化至0.45。如果第二面积与第一面积的比值小于0.05，则可能难以将这样的输入感测单元用作为传感器。如果第二面积与第一面积的比值大于0.45，则切断的传感器部分与正常传感器部分之间的输入感测能力可能没有差异。
图11B中所示的第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及上部第二传感器部分SP2-1中的每个的面积可小于图11A中的对应一个的面积。
因此，如果第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4与第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4相同，则图11B中的第二电容可小于图11A中的第一电容，并且电容的这种损失可通过调节图11B中第一传感器部分SP1-1和SP1-2与第二传感器部分SP2-1和SP2-2之间的距离来补偿。在一些实施方式中，第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4可小于第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4。通过减小第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4，可补偿在切断的传感器部分形成为具有比正常传感器部分的面积小的面积时可能出现的电容的损失中的一些或所有(例如，补偿或减小如果具有较小面积的切断的传感器部分以与第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4相等的距离分隔时将引起的电容的差异)。
第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4可具有基本上相同的值，但是本发明构思不限于此。在一些实施方式中，为了调节第二电容，第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4中的至少一个可与其它的不同。例如，由于上部第二传感器部分SP2-1具有比下部第二传感器部分SP2-2的面积小的面积，因此上部第二传感器部分SP2-1与第一传感器部分SP1-1和SP1-2之间的第二距离L2-1和L2-2可小于下部第二传感器部分SP2-2与第一传感器部分SP1-1和SP1-2之间的第二距离L2-3和L2-4。
另外，第一传感器部分SP1-1和SP1-2之间的距离也可影响感测灵敏度。例如，图11B中所示的第一传感器部分SP1-1和SP1-2之间的距离可小于图11A中所示的第一传感器部分SP1-1和SP1-2之间的距离，并且在这种情况中，感测灵敏度可根据第一传感器部分SP1-1和SP1-2之间的电容的这种变化而变化。
图12A是示出图9的部分‘AA’的放大平面图。图12B是示出图9的部分‘BB’的放大平面图。为了便于说明，图12A和图12B中未示出第一连接部分CP1。
图12A和图12B中示出了光学虚拟电极DMP-L。光学虚拟电极DMP-L可通过与用于第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的过程相同的过程形成，并且因此，光学虚拟电极DMP-L以及第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可包括相同的材料并且可具有相同的堆叠结构。光学虚拟电极DMP-L可以是浮动电极，并且可不电连接至第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2。由于设置有光学虚拟电极DMP-L，因此可减小第一传感器部分SP1与第二传感器部分SP2之间的边界区域的可见性。虽然未示出，但是以下将描述的其它实施方式的输入感测单元ISU可配置成具有光学虚拟电极DMP-L。
图12B的光学虚拟电极DMP-L可具有比图12A的光学虚拟电极DMP-L的厚度小的厚度。光学虚拟电极DMP-L之间的厚度的这种差异可能由参照图11A和图11B描述的第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4与第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4之间的差异引起。
图13是示出图9的部分‘BB’的可选实施方式的放大平面图。为了便于说明，图13中未示出第一连接部分CP1。
参照图11A，第一单元区域AA可具有第一方向DR1上的第一单元长度UL1和第二方向DR2上的第二单元长度UL2。
图13中所示的部分‘BB’可限定为第二单元区域BB，第二单元区域BB是输入感测单元ISU的一部分并且用于感测外部输入。第二单元区域BB可具有第一方向DR1上的第三单元长度UL3和第二方向DR2上的第四单元长度UL4。
比较图13与图11A，第二单元长度UL2可基本上等于第四单元长度UL4，但是本发明构思不限于此。例如，在一些实施方式中，第二单元长度UL2可不同于第四单元长度UL4。
比较图13与图11A，第一单元长度UL1可不同于第三单元长度UL3。例如，第三单元长度UL3可短于第一单元长度UL1。
比较图13与图11B，与图11B的第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2相比，图13的第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2可具有均匀的面积。例如，在图13的示例中，上部第二传感器部分SP2-1可具有与下部第二传感器部分SP2-2的面积基本上相同的面积，以及左部第一传感器部分SP1-1可具有与右部第一传感器部分SP1-2的面积基本上相同的面积。在设置于左侧、右侧、上侧和下侧处的所有传感器部分具有基本上相同面积的情况中，由第二单元区域BB中的传感器部分形成的电容器可具有基本上相同的电容。因此，即使如图13中所示的第二单元区域BB的第三单元长度UL3短于第一单元长度UL1，也可在第二单元区域BB中获得与如图11A中所示的具有第一单元长度UL1的第一单元区域AA的触摸灵敏度相似的触摸灵敏度。
在图13的示例中，虽然第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2被调节为具有基本上相同的面积，但是第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的电容可小于第一单元区域AA中(例如，图11A中)的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的电容。在这种情况中，第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4可按例如以上参照图11B所描述的那样进行调节。
模拟了通过调节第二单元区域BB中的第三单元长度UL3和第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4所引起的电容的变化，以及以下的表1和表2示出了模拟的结果。
表1
表2
在表1中，实验1的数据示出：当第一单元区域AA中的第一单元长度UL1设置为4.333mm以及第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4设置为200μm时，电容为1.003pF。
在表2中，实验2、实验3和实验4的数据示出：当第二单元区域BB中的第三单元长度UL3设置为2.667mm以及第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4变化为75μm、100μm和140μm的三个不同值时，电容分别具有1.066pF、1.035pF和0.998pF的值。
即，通过调节第二单元区域BB中电极的面积和电极之间的距离，即使当第三单元长度UL3小于第一单元长度UL1时，也可使电容维持在等于或类似于第一单元区域AA中的电容的水平。
图14是示出图9的部分‘BB’的可选实施方式的放大平面图。图14中所示的部分‘BB’可限定为第二单元区域BB，第二单元区域BB是输入感测单元ISU的一部分并且用于感测外部输入。
在一些实施方式中，第二单元区域BB还可包括辅助电极SP-S。辅助电极SP-S可具有棒形状或杆形状。
辅助电极SP-S可包括与上部第二传感器部分SP2-1相同的材料，但是本发明构思不限于此。
辅助电极SP-S可电连接至上部第二传感器部分SP2-1。在一些实施方式中，上部第二传感器部分SP2-1可与辅助电极SP-S重叠和/或接触。
辅助电极SP-S可与第一传感器部分SP1-1和SP1-2以距离LL间隔开。以距离LL彼此隔开的辅助电极SP-S与第一传感器部分SP1-1和SP1-2可构成电容器。因此，辅助电极SP-S可补偿或减小当上部第二传感器部分SP2-1的面积小于下部第二传感器部分SP2-2的面积时可能出现的电容的损失(例如，虽然上部第二传感器部分SP2-1的面积可小于下部第二传感器部分SP2-2的面积，但是在第一传感器部分SP1-1和SP1-2与上部第二传感器部分SP2-1之间形成的电容器的电容可与在第一传感器部分SP1-1和SP1-2与下部第二传感器部分SP2-2之间形成的电容器的电容相同)。
辅助电极SP-S的厚度WD可根据需要进行调节，厚度WD是在第一方向DR1上测量的。第二单元区域BB中的电容器的电容取决于厚度WD。
模拟了通过在第二单元区域BB中设置辅助电极SP-S以及调节厚度WD所引起的电容的变化，以及以下的表3示出了模拟的结果。
表3
在为获得表3的数据而执行的模拟中，第三单元长度UL3和第四单元长度UL4分别设置为2.667mm和4.333mm，距离LL设置为0.01mm，以及辅助电极SP-S在第二方向DR2上的长度LT设置为4.328mm。
在表3中，实验1的数据示出：具有未切断形状的下部第二传感器部分SP2-2和与其相邻的第一传感器部分SP1-1和SP1-2中的每个之间的电容为1.003pF。实验2的数据示出：具有切断形状的上部第二传感器部分SP2-1和与其相邻的第一传感器部分SP1-1和SP1-2中的每个之间的电容为0.779pF。
在表3中，实验3、实验4和实验5的数据示出：在辅助电极SP-S的厚度WD变化为13μm、100μm和150μm的三个不同值的情况中，电容分别具有1.052pF、1.089pF与1.106pF的值。
在辅助电极SP-S连接至切断的传感器部分的情况中，即使当切断的传感器部分具有比正常传感器部分的面积小的面积时，也可使电容维持在等于或类似于第一单元区域AA中的电容的水平。
在图14的示例中，虽然辅助电极SP-S设置在第二单元区域BB中，但是在一些实施方式中，第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的电容可能小于图11A中所示的第一单元区域AA中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的电容。在这种情况中，第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的距离可按例如以上参照图11B所描述的进行调节。
图15A是示出图9的部分‘AA’的可选实施方式的放大平面图。图15B是示出图15A的部分‘CC’的放大平面图。图15C是示出图9的部分‘BB’的可选实施方式的放大平面图。图15D是示出图15C的部分‘DD’的放大平面图。图15A至图15D示出了其中第一连接部分CP1-1是以桥的形式设置的示例。
左部第一传感器部分SP1-1和右部第一传感器部分SP1-2可通过第一连接部分CP1-1彼此电连接。第一连接部分CP1-1可包括多个图案P1、P2和P3。
第一图案P1和第二图案P2可自第一传导层IS-CL1(例如，见图10A)形成，以及第三图案P3可自第二传导层IS-CL2(例如，见图10B)形成。第一图案P1和第二图案P2中的每个可设置成通过第一连接接触孔CNT-I将第三图案P3连接至第一传感器部分SP1。
第二连接部分CP2中可限定有开口OP-CP2。第三图案P3可设置在开口OP-CP2中。第一图案P1和第二图案P2可由具有比第三图案P3的电阻低的电阻的材料形成，或者包括具有比第三图案P3的电阻低的电阻的材料。第三图案P3和第一传感器部分SP1以及第二传感器部分SP2可通过相同的过程形成，并且因此，它们可具有相同的堆叠结构并且可包括相同的材料。第三图案P3和第一传感器部分SP1以及第二传感器部分SP2可由透明传导材料形成，或者包括透明传导材料。第一图案P1和第二图案P2可由金属材料形成，或者包括金属材料。
第一图案P1和第二图案P2可在与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的对角方向上延伸。人类视觉特征可使得对角方向上的对象比第一方向DR1和第二方向DR2上的对象不能被察觉或不能被识别，并且因此，包括金属材料的第一图案P1和第二图案P2可以是最低可见的或者不能被用户察觉或识别。
在本实施方式中，开口OP-CP2已被描述为限定在第二连接部分CP2中，但是在一些实施方式中，开口OP-CP2可限定在第二传感器部分SP2-1或SP2-2中。此处，第三图案P3可设置在第二传感器部分SP2-1或SP2-2中限定的开口OP-CP2中。
静电放电(ESD)图案ESD-P可连接至左部第一传感器部分SP1-1和右部第一传感器部分SP1-2中的每个。
静电放电图案ESD-P可通过第一连接接触孔CNT-I连接至第一传感器部分SP1-1和SP1-2。
静电放电图案ESD-P的端部可与第二连接部分CP2重叠。在某些实施方式中，静电放电图案ESD-P的端部可与第二传感器部分SP2-1或SP2-2重叠。
在静电放电图案ESD-P的端部处可形成容易引起静电放电现象(例如，具有用于静电放电的下限阈值)的顶点。换言之，静电放电图案ESD-P可成形为类针状，并且静电放电图案ESD-P的尖锐部分可放置成与第二连接部分CP2或者第二传感器部分SP2-1或SP2-2重叠。在静电放电图案ESD-P中，顶点可诱发静电放电现象，并且这可防止第一连接部分CP1-1被断开或损坏。
参照图15B，第一图案P1或第二图案P2可具有第一图案宽度WD-PN1。参照图15D，第一图案P1或第二图案P2可具有第二图案宽度WD-PN2。在一些实施方式中，第二图案宽度WD-PN2可大于第一图案宽度WD-PN1。
具有第二图案宽度WD-PN2的第一图案P1和第二图案P2(例如，见图15D)与和其重叠的电极之间的电容可大于具有第一图案宽度WD-PN1的第一图案P1和第二图案P2(例如，见图15B)与和其重叠的电极之间的电容。因此，在图15C的示例中，当与正常传感器部分相比时，如果第二图案宽度WD-PN2大于第一图案宽度WD-PN1，则可补偿由切断的传感器部分(即，上部第二传感器部分SP2-1)所引起的电容的损失中的一些或所有。
参照图15B，静电放电图案ESD-P可具有第一防止图案宽度WD-EN1。参照图15D，静电放电图案ESD-P可具有第二防止图案宽度WD-EN2。在一些实施方式中，第二防止图案宽度WD-EN2可大于第一防止图案宽度WD-EN1。
具有第二防止图案宽度WD-EN2的静电放电图案ESD-P(例如，见图15D)与和其重叠的电极之间的电容可大于具有第一防止图案宽度WD-EN1的静电放电图案ESD-P(例如，见图15B)与和其重叠的电极之间的电容。因此，在图15C的示例中，当与正常传感器部分相比时，如果第二防止图案宽度WD-EN2大于第一防止图案宽度WD-EN1，则可补偿由切断的传感器部分(即，上部第二传感器部分SP2-1)所引起的电容的损失中的一些或所有。
图16是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元ISU的平面图。就第二单元区域BB的位置而言，图16的输入感测单元ISU可与图9的输入感测单元ISU不同。在图9的示例中，电极可参照在第一方向DR1上短的第二感测电极IE2-2和IE2-3进行布置，并且因此，切断的传感器部分可形成在长的第二感测电极IE2-1和IE2-4的端部部分处。相比之下，在图16的示例中，电极可参照在第一方向DR1上长的第二感测电极IE2-1和IE2-4进行布置，并且因此，切断的传感器部分可形成在短的第二感测电极IE2-2和IE2-3的端部部分处。
除了上述特征之外，图16的第一单元区域AA和第二单元区域BB可配置成与参照图9至图15D描述的先前实施方式的第一单元区域AA和第二单元区域BB基本上相同，并且可如以上参照那些实施方式所描述的那样起作用或配置。
图17是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元ISU的平面图。在以上描述的实施方式中，切断的传感器部分形成在第二单元区域BB的上部部分处(例如，一个或多个切断的传感器部分被认为是基于第二单元区域BB的上部部分处的缺失区域而切断的)，但是如图17中所示，切断的传感器部分可形成在第二单元区域BB的右部分处(例如，一个或多个切断的传感器部分被认为是基于第二单元区域BB的右部分处的缺失区域而切断的)。然而，本发明构思不限于此，并且在一些实施方式中，切断的传感器部分可形成在第二单元区域BB的左部分处。
图18A是示出图17的部分‘AA’的放大平面图。图18B是示出图17的部分‘BB’的放大平面图。为了便于说明，图18A和图18B中未示出第一连接部分CP1。
图18A中所示的部分‘AA’可限定为第一单元区域AA，第一单元区域AA是输入感测单元ISU的一部分并且用于感测外部输入。在第一单元区域AA中，第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2可构成具有第一电容的电容器。图18A的其余部分可与参照图11A描述的其余部分基本上相同，并且将省略对它们的详细描述。
参照图18B，在第二单元区域BB中，第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2可构成具有第二电容的电容器。
在图18B中，第一传感器部分SP1-1和SP1-2与第二传感器部分SP2-1和SP2-2之间的距离可限定为第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4，其中，第二距离L2-1是左部第一传感器部分SP1-1与上部第二传感器部分SP2-1之间的距离，第二距离L2-2是上部第二传感器部分SP2-1与右部第一传感器部分SP1-2之间的距离，第二距离L2-3是左部第一传感器部分SP1-1与下部第二传感器部分SP2-2之间的距离，以及第二距离L2-4是下部第二传感器部分SP2-2与右部第一传感器部分SP1-2之间的距离。
图18B中所示出的第二传感器部分SP2-1和SP2-2以及右部第一传感器部分SP1-2中的每个与图18A中所示的第二传感器部分SP2-1和SP2-2以及右部第一传感器部分SP1-2中的对应一个相比可具有部分切割或切断的形状(例如，具有减小的面积的形状)。即，在图18B中，第二传感器部分SP2-1和SP2-2以及右部第一传感器部分SP1-2可以是切断的传感器部分。
图18B中所示的第二传感器部分SP2-1和SP2-2以及右部第一传感器部分SP1-2中的每个的面积可小于图18A中的对应一个的面积。
因此，如果第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4与第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4相同，则图18B中的第二电容可小于图18A中的第一电容，并且电容的这种损失可通过调节图18B中第一传感器部分SP1-1和SP1-2与第二传感器部分SP2-1和SP2-2之间的距离来补偿。在一些实施方式中，第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4可小于第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4。通过减小第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4，可补偿当切断的传感器部分形成为具有比正常传感器部分的面积小的面积时可能出现的电容的损失中的一些或所有。
第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4可具有基本上相同的值，但是本发明构思不限于此。在一些实施方式中，为了调节第二电容，第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4中的至少一个可与其它的不同。例如，由于右部第一传感器部分SP1-2具有比左部第一传感器部分SP1-1的面积小的面积，因此右部第一传感器部分SP1-2与第二传感器部分SP2-1和SP2-2之间的第二距离L2-2和L2-4可小于左部第一传感器部分SP1-1与第二传感器部分SP2-1和SP2-2之间的第二距离L2-1和L2-3。
图17的第一单元区域AA和第二单元区域BB中的每个或两者可配置成包括如图12A和图12B中所示的光学虚拟电极DMP-L。
图19是示出图17的部分‘BB’的可选实施方式的放大平面图。为了便于说明，图19中未示出第一连接部分CP1。
参照图18A，第一单元区域AA可具有第一方向DR1上的第一单元长度UL1和第二方向DR2上的第二单元长度UL2。
参照图19，第二单元区域BB可具有第一方向DR1上的第三单元长度UL3和第二方向DR2上的第四单元长度UL4。
比较图19与图18A，第一单元长度UL1可基本上等于第三单元长度UL3。然而，本发明构思不限于此。在一些实施方式中，第一单元长度UL1可与第三单元长度UL3不同。
比较图19与图18A，第二单元长度UL2可与第四单元长度UL4不同。例如，第四单元长度UL4可短于第二单元长度UL2。
比较图19与图18B，与图18B的第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2相比，图19的第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2可具有均匀的面积。例如，在图19的示例中，上部第二传感器部分SP2-1可具有与下部第二传感器部分SP2-2的面积基本上相同的面积，以及左部第一传感器部分SP1-1可具有与右部第一传感器部分SP1-2的面积基本上相同的面积。在设置于左侧、右侧、上侧和下侧处的所有传感器部分具有基本上相同面积的情况中，由第二单元区域BB中的传感器部分形成的电容器可具有基本上相同的电容。因此，即使如图19中所示的那样第二单元区域BB的第四单元长度UL4短于第二单元长度UL2，但是在第二单元区域BB中可获得与如图18A中所示的具有第二单元长度UL2的第一单元区域AA的触摸灵敏度相似的触摸灵敏度。
在图19的示例中，虽然第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2被调节为具有基本上相同的面积，但是第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的电容可能小于图18A中所示的第一单元区域AA中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的电容。在这种情况中，第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4可例如通过减小第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4进行调节以减小或消除图19的第二电容与图18A的第一电容之间的电容的差异。
图20是示出图17的部分‘BB’的可选实施方式的放大平面图。
在一些实施方式中，第二单元区域BB还可包括辅助电极SP-S。辅助电极SP-S可电连接至右部第一传感器部分SP1-2。例如，右部第一传感器部分SP1-2可与辅助电极SP-S重叠和/或接触。
辅助电极SP-S可与第二传感器部分SP2-1和SP2-2以距离LL间隔开。因此、辅助电极SP-S结合第二传感器部分SP2-1和SP2-2可构成具有特定电容的电容器。因此，辅助电极SP-S可补偿或减小当右部第一传感器部分SP1-2的面积小于左部第一传感器部分SP1-1的面积时可能出现的电容的损失(例如，虽然右部第一传感器部分SP1-2的面积可小于左部第一传感器部分SP1-1的面积，但是在第二传感器部分SP2-1和SP2-2与右部第一传感器部分SP1-2之间形成的电容器的电容可与在第二传感器部分SP2-1和SP2-2与左部第一传感器部分SP1-1之间形成的电容器的电容相同)。
除了上述特征之外，图20的辅助电极SP-S可与参照图14描述的辅助电极SP-S基本上相同。
在一些实施方式中，图17的第一单元区域AA和第二单元区域BB可包括参照图15A至图15D描述的第一连接部分CP1-1和静电放电图案ESD-P。
图21是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元ISU的平面图。在一些实施方式中，第二单元区域BB可包括具有曲形形状的切断的传感器部分。
图22A是示出图21的部分‘AA’的放大平面图。图22B是示出图21的部分‘BB’的放大平面图。为了便于说明，图22A和图22B中未示出第一连接部分CP1。
图22A中所示的部分‘AA’可限定为第一单元区域AA，第一单元区域AA是输入感测单元ISU的一部分并且用于感测外部输入。在第一单元区域AA中，第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2可构成具有第一电容的电容器。除了上述特征之外，图22A的结构可与参照图11A描述的结构基本上相同。
参照图22B，在第二单元区域BB中，第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2可构成具有第二电容的电容器。
在图22B中，第一传感器部分SP1-1和SP1-2与第二传感器部分SP2-1和SP2-2之间的距离可限定为第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4，其中，第二距离L2-1是左部第一传感器部分SP1-1与上部第二传感器部分SP2-1之间的距离，第二距离L2-2是上部第二传感器部分SP2-1与右部第一传感器部分SP1-2之间的距离，第二距离L2-3是左部第一传感器部分SP1-1与下部第二传感器部分SP2-2之间的距离，以及第二距离L2-4是下部第二传感器部分SP2-2与右部第一传感器部分SP1-2之间的距离。
图22B中所示的左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1中的每个与图22A中所示的左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1中的对应一个相比可具有部分切割或切断的形状。即，在图22B中，左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1可以是切断的传感器部分。
图22B中所示的左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1中的每个的面积可小于图22A中的对应一个的面积。
因此，如果第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4与第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4相同，则图22B中的第二电容可小于图22A中的第一电容，并且电容的这种损失可通过调节图22B中第一传感器部分SP1-1和SP1-2与第二传感器部分SP2-1和SP2-2之间的距离来补偿。在一些实施方式中，第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4可小于第一距离L1-1、L1-2、L1-3和L1-4。通过减小第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4，可补偿当切断的传感器部分形成为具有比正常传感器部分的面积小的面积时可能出现的电容的损失中的一些或所有。
第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4可具有基本上相同的值，但是本发明构思不限于此。在一些实施方式中，为了调节第二电容，第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4中的至少一个可与其它的不同。例如，由于左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1具有比右部第一传感器部分SP1-2和下部第二传感器部分SP2-2的面积小的面积，因此左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1与相邻的传感器部分之间的第二距离L2-1、L2-2和L2-3可小于右部第一传感器部分SP1-2与下部第二传感器部分SP2-2之间的第二距离L2-4。
在一些实施方式中，图21的第一单元区域AA和第二单元区域BB中的每个或两者可配置成包括如图12A和图12B中所示的光学虚拟电极DMP-L。
图23是示出图21的部分‘BB’的可选实施方式的放大平面图。为了便于说明，图23中未示出第一连接部分CP1。
比较图23与图22A，设置在第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2的总面积可小于设置在第一单元区域AA中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2的总面积。
比较图23与图22B，与图22B的第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2相比，图23的第一传感器部分SP1-1和SP1-2以及第二传感器部分SP2-1和SP2-2可具有均匀的面积。例如，在图23的示例中，上部第二传感器部分SP2-1可具有与下部第二传感器部分SP2-2的面积基本上相同的面积，以及左部第一传感器部分SP1-1可具有与右部第一传感器部分SP1-2的面积基本上相同的面积。在设置于左侧、右侧、上侧和下侧处的所有传感器部分具有基本上相同面积的情况中，由第二单元区域BB中的传感器部分形成的电容器可具有基本上相同的电容。因此，虽然设置在第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2的总面积小于设置在第一单元区域AA中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2的总面积，但是第二单元区域BB可提供与第一单元区域AA的触摸灵敏度相似的触摸灵敏度。
在图23的示例中，虽然第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2被调节为具有基本上相同的面积，但是第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的电容可能小于图22A中所示的第一单元区域AA中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的电容。在这种情况中，第二单元区域BB中的传感器部分SP1-1、SP1-2、SP2-1和SP2-2之间的第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4可例如通过减小第二距离L2-1、L2-2、L2-3和L2-4进行调节以减小或消除图23的第二电容与图22A的第一电容之间的电容的差异。
图24是示出图21的部分‘BB’的可选实施方式的放大平面图。
在一些实施方式中，第二单元区域BB还可包括辅助电极SP-S。辅助电极SP-S可分别电连接至左部第一传感器部分SP1-1和/或上部第二传感器部分SP2-1。例如，左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1中的每个可与辅助电极SP-S中的对应一个重叠和/或接触。
辅助电极SP-S可与左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1以距离LL间隔开。因此，辅助电极SP-S结合左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1可构成具有特定电容的电容器。因此，辅助电极SP-S可补偿或减小当左部第一传感器部分SP1-1和上部第二传感器部分SP2-1的面积小于右部第一传感器部分SP1-2和下部第二传感器部分SP2-2的面积时可能出现的电容的损失。
除了上述特征之外，图24的辅助电极SP-S可与参照图14描述的辅助电极SP-S基本上相同。
在一些实施方式中，图21的第一单元区域AA和第二单元区域BB中的每个或两者可配置成包括参照图15A至图15D描述的第一连接部分CP1-1和静电放电图案ESD-P。
图25是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元ISU的平面图。图26是沿着图25的线III-III′截取的剖视图。
图25示出输入感测单元ISU的示例，在所述示例中，连接至信号线SL1-1至SL1-5以及SL2-1至SL2-4的传感器部分SP1和SP2中的一些设置成形成曲形形状。连接至形成曲形形状的第一传感器部分SP1的第一信号线SL1-1和SL1-2可具有与曲形形状对应的形状(例如，曲形形状)。
输入感测单元ISU可包括电连接至第二传感器部分SP2(例如，设置成形成曲形形状的第二传感器部分SP2中的一个)的延伸电极SP2-E。
在一些实施方式中，延伸电极SP2-E和第二传感器部分SP2可形成单个主体。换言之，延伸电极SP2-E可以是第二传感器部分SP2的延伸部分。然而，本发明构思不限于此，并且在一些实施方式中，延伸电极SP2-E和第二传感器部分SP2可以是单独的元件。在这种情况中，延伸电极SP2-E可通过单独的过程形成，并且然后，其可电连接至第二传感器部分SP2。
参照图26，延伸电极SP2-E可与第一信号线SL1-1重叠。延伸电极SP2-E与第一信号线SL1-1可以以距离LL-1彼此间隔开，从而形成电容器。
第二单元区域BB中的传感器部分SP1和SP2的面积可小于第一单元区域AA中的传感器部分SP1和SP2的面积，并且这可导致触摸灵敏度的差异。由延伸电极SP2-E和第一信号线SL1-1形成的电容器可用于(例如，配置成)补偿触摸灵敏度的这种差异中的一些或所有。
图25和图26示出其中延伸电极SP2-E电连接至第二传感器部分SP2并与信号线中的至少一个重叠的示例，但是本发明构思不限于此。在某些实施方式中，延伸电极可电连接至第一传感器部分并且可与信号线中的至少一个重叠。
图27示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测区域ISA。
参照图27，输入感测区域ISA的每个拐角可具有圆化边缘RD。
图27示出其中输入感测区域ISA的四个拐角中的全部具有圆化边缘RD的示例，但是本发明构思不限于此。在某些实施方式中，仅拐角中的至少一个可具有圆化边缘RD。
由于圆化边缘RD的存在，因此传感器部分SP1和SP2中的至少一个可具有比其它的小的面积。以上描述的实施方式中的方法可用于补偿可能由圆化边缘RD所引起的电容的减小中的一些或所有。
输入感测区域ISA中可限定有开口OP-ISA。开口OP-ISA的尺寸和位置可进行改变。
由于开口OP-ISA的存在，因此传感器部分SP1和SP2中的至少一个可具有比其它的小的面积。类似地，以上描述的实施方式中的方法可用于补偿可能由开口OP-ISA所引起的电容的减小中的一些或所有。
图28示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测区域ISA和指纹感测区域FPA。
在一些实施方式中，输入感测区域ISA中可限定有圆形部分、切割部分、开口等，以及指纹感测区域FPA可限定成与它们相邻(例如，设置在圆形部分、切割部分或开口内)。指纹感测区域FPA可配置成感测用户的指纹，以及可用于安全目的(例如，解锁显示装置DD或者解锁包括或使用显示装置DD的装置)。
图28中示出了指纹感测区域FPA，但是本发明构思不限于此。在某些实施方式中，与输入感测区域ISA的圆形部分、切割部分或开口相邻的区域可用于其它目的。
图29A是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元ISU的平面图。图29B是沿着图29A的线IV-IV′截取的剖视图。
在先前的实施方式中，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2被示出为位于相同的层上或相同的水平处，但是在一些实施方式中，如图29A和图29B中所示，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可位于不同的层上或不同的水平处。因此，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可构成电容器。
由于第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2位于彼此不同的层上，因此信号线SL1-1至SL1-5以及SL2-1至SL2-4的堆叠结构可进行改变。
图29B示出了其中第一绝缘层IS-IL1形成为具有平坦顶表面的示例，但是在一些实施方式中，第一绝缘层IS-IL1可形成为具有阶梯部分。在本实施方式中，第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2的折射率可被调节以减小位于彼此不同的层上的第一感测电极IE1-1至IE1-5与第二感测电极IE2-1至IE2-4之间的反射率的差异。
第一绝缘层IS-IL1可具有与第一感测电极IE1-1至IE1-5的折射率接近的折射率。第二绝缘层IS-IL2可具有比第一绝缘层IS-IL1的折射率小的折射率。例如，在第一感测电极IE1-1至IE1-5为ITO电极的情况中，第一绝缘层IS-IL1可具有从1.7变化至1.8的折射率(用于具有550nm的波长的光)，以及第二绝缘层IS-IL2可具有在空气和第一绝缘层IS-IL1的折射率之间的折射率(例如，1.5至1.65)。
在具有不同折射率的第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2设置在感测电极上的情况中，可减小外界光的反射，以及减小位于不同层上的第一感测电极IE1-1至IE1-5与第二感测电极IE2-1至IE2-4之间的反射率的差异。
图30是示出根据本发明构思的一些实施方式的输入感测单元ISU的立体图。为了便于说明，图30中仅示出了输入感测单元ISU的传感器部分SP1和SP2以及连接部分CP1和CP2。
输入感测单元ISU可包括平坦部分ISU-N和突出部分ISU-P。突出部分ISU-P中的至少一个可相对于平坦部分ISU-N成角度θc(下文中，称为弯曲角)。弯曲角θc可以是固定值或可变值。弯曲角θc可调节成使输入感测单元ISU以各种形状实现(例如，突出部分ISU-P可相对于平坦部分ISU-N能够移动)。
图31和图32示出根据本发明构思的一些实施方式的显示装置DD1、DD2和DD3。各种显示装置DD1和DD2可用于汽车中。
作为示例，图31示出了用作为嵌入式导航系统的一部分的显示装置DD1和位于变速杆附近的显示装置DD2。
显示装置DD1和DD2的形状可根据汽车设计而改变。例如，显示装置可配置成具有圆化拐角(例如，如在用于嵌入式导航系统的显示装置DD1中)或切断的顶部部分(例如，如在变速杆附近的显示装置DD2中)。
另外，虽然未示出，但是圆化的显示装置可用于汽车的仪表盘。
如果以上描述的输入感测单元ISU用于显示装置DD1和DD2，则可提高显示装置DD1和DD2的输入感测能力。
参照图32，显示装置DD3可以是能够穿戴在人身体上的可穿戴装置。在图32中，时钟型装置被作为显示装置DD3的示例示出，但是本发明构思不限于此。显示装置DD3的形状可进行多种改变以穿戴在人身体上。
为了允许可穿戴装置穿戴在人身体上，显示区域DD-DA的形状可根据需要而改变。如果以上描述的输入感测单元ISU用于显示装置DD3，则可提高显示装置DD3的输入感测能力。
根据本发明构思的一些实施方式，显示装置可包括输入感测单元，在所述输入感测单元中，传感器之间的电容被均匀地控制。
因此，可实现输入感测单元的传感器之间的感测灵敏度的高度均匀性。
另外，即使当传感器的形状发生变化时，也可保证均匀的感测灵敏度。因此，传感器的形状可进行多种改变。
虽然已具体示出和描述了本发明构思的示例性实施方式，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不背离所附权利要求及它们的等同的精神和范围的情况下，可对示例性实施方式在形式和细节上进行改变。

Claims (10)

1.显示装置，包括：
显示面板；以及
输入感测单元，位于所述显示面板上，
其中，所述输入感测单元包括：
多个第一电极，在第一方向上延伸；以及
多个第二电极，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，
所述多个第一电极中的每个包括多个第一传感器部分和将所述多个第一传感器部分彼此连接的多个第一连接部分，
所述多个第二电极中的每个包括多个第二传感器部分和将所述多个第二传感器部分彼此连接的多个第二连接部分，以及
所述多个第一电极中的一个第一电极的所述多个第一传感器部分包括：
第一正常传感器部分，具有第一面积，并且以第一距离与所述多个第二传感器部分中的与所述第一正常传感器部分相邻的一个第二传感器部分间隔开；以及
第一切断的传感器部分，具有比所述第一面积小的第二面积，并且以比所述第一距离小的第二距离与所述多个第二传感器部分中的与所述第一切断的传感器部分相邻的一个第二传感器部分间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一切断的传感器部分具有能够通过去除所述第一正常传感器部分的形状的一部分而产生的形状。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二面积小于或大于所述第一面积的一半。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个第一电极中的所述一个第一电极的所述多个第一传感器部分包括多个所述第一正常传感器部分，
所述多个所述第一正常传感器部分布置在所述第一方向上，以及
所述第一切断的传感器部分在所述第一方向上位于所述多个所述第一正常传感器部分的外侧。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括光学虚拟电极，所述光学虚拟电极定位在所述多个第一传感器部分与所述多个第二传感器部分之间，并且与所述多个第一传感器部分和所述多个第二传感器部分电分离，
其中，位于所述第一切断的传感器部分和与所述第一切断的传感器部分相邻的所述第二传感器部分之间的所述光学虚拟电极的宽度小于位于所述第一正常传感器部分和与所述第一正常传感器部分相邻的所述第二传感器部分之间的所述光学虚拟电极的宽度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一方向上测量的从所述第一切断的传感器部分的一个端部到与所述第一切断的传感器部分相邻的第一传感器部分的另一端部的长度小于在所述第一方向上测量的从所述第一正常传感器部分的一个端部到与所述第一正常传感器部分相邻的第一传感器部分的另一端部的长度，以及
与所述第一切断的传感器部分相邻的所述第一传感器部分的面积与所述第二面积相同。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个第一电极包括另一第一电极，所述另一第一电极在所述第一方向上具有与所述多个第一电极中的所述一个第一电极在所述第一方向上的长度不同的长度，并且所述另一第一电极包括多个第一传感器部分，以及
所述另一第一电极的所述多个第一传感器部分包括：
第二正常传感器部分，具有所述第一面积；以及
第二切断的传感器部分，具有与所述第一面积和所述第二面积不同的第三面积。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一切断的传感器部分的一个端部通过所述多个第一连接部分中对应的一个第一连接部分连接至所述多个第一电极中的所述一个第一电极的所述多个第一传感器部分中的与所述第一切断的传感器部分相邻的一个第一传感器部分的一个端部，
所述第二切断的传感器部分的一个端部通过所述多个第一连接部分中对应的一个第一连接部分连接至所述另一第一电极的所述多个第一传感器部分中的与所述第二切断的传感器部分相邻的一个第一传感器部分的一个端部，以及
从所述第一切断的传感器部分的另一端部到所述多个第一电极中的所述一个第一电极的所述多个第一传感器部分中的与所述第一切断的传感器部分相邻的所述一个第一传感器部分的另一端部的长度小于从所述第二切断的传感器部分的另一端部到所述另一第一电极的所述多个第一传感器部分中的与所述第二切断的传感器部分相邻的所述一个第一传感器部分的另一端部的长度。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第三面积是所述第一面积的一半。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括辅助电极，所述辅助电极连接至所述第一切断的传感器部分，
其中，所述辅助电极的侧边缘面对与所述第一切断的传感器部分相邻的所述第二传感器部分的侧边缘。
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