CN109365411A - 等离子体发生器及等离子体清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一等离子体发生器和应用该等离子体发生器的等离子体清洗装置,用于处理一待处理表面。所述等离子体发生器包括至少一等离子体喷管组件,所述等离子体喷管组件包括复数个等离子体喷管和一公共流道。每一等离子体喷管具有一进气端和一出口端;其中,每一所述等离子体喷管通过所述进气端与所述公共流道流体连接,且每一所述等离子体喷管在所述公共流道上均匀排列;并且,每一所述等离子体喷管的所述出口端面朝所述待处理表面,并且,每一述等离子体发生器的所述出口端与所述待处理表面之间的距离相等。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,尤其涉及用于显示面板的基板或盖板清洗的等离子体发生器及等离子体清洗装置。
背景技术
等离子体具有宏观温度低,电子温度高的特点,其富含高活性激发态离子和高能带电粒子,因而适用于对材料表面的改性和玻璃等物体表面的清洗。
图1所示的是现有技术中一常见的等离子体发生装置1。如图1所示,所述等立体自发生装置1包括:气体源11,高压射频发生器12和喷头13。所述喷头13具有一内腔131,所述内腔131为绝缘体。所述气体源11内的气体通过一气路111在所述喷头13的所述内腔131内形成气流112。所述高压射频发生器12则通过在所述喷头13内的一阴极及一中枢电极121施加射频电压,以形成高频交变电场。进而,使得所述内腔131内的气流112在电弧122激荡下形成等离子体束2。
在半导体行业和显示面板行业中,需要经常使用到上述等离子体束2对产品进行清洗以增加其表面附着力,例如,对玻璃基板的清洁,绑定前对端子部的清洁,以及贴合前对玻璃盖板的清洁等。通过等离子体束2对被清洗物进行物理轰击,使被清洗物表面物质变成粒子和气态物质,随后经过抽真空排出,从而达到清洗目的。
图2所示的是现有技术中一常见的等离子体清洗装置3。如图2所示,所述等离子体清洗装置3包括一等离子体发生筒31。所述等离子体发生筒31的一端为进气口311,一端为出气口312。所述进气口311与出气口312分别设有环形电极32,并进而与一激励电源33导电连接。使得所述等离子体发生筒31内的气体形成等离子体。此外,通过在所述等离子体发生筒31上等距间隔的喷管311,对一待清洁表面S射出等离子体束进行清洗。
然而,在图2所示的等离子体清洗装置3中,由于等离子体为在所述等离子体发生筒31内产生后通过喷管311射出,存在等离子体射出不均匀现象,从而导致清洗效果不均匀。此外,在面临曲面待清洁表面时,所述等离子体清洗装置3还存在清洗死角的问题。
有鉴于此,需要提供一种新的等离子体发生器,以克服上述缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种等离子体发生器,所述等离子体发生器通过模组化的结构设计,可以应用于等离子体清洗装置。此外,本发明所述的等离子体发生器及应用该等离子体发生器的等离子体清洗装置,尤其适合于清洗曲面盖板,通过合理设置等离子体喷管以达到最佳的清洗均匀性。
为了达到上述目的,本发明提供一种等离子体发生器,用于处理一待处理表面。所述等离子体发生器包括至少一等离子体喷管组件,所述等离子体喷管组件包括复数个等离子体喷管和一公共流道;其中,每一等离子体喷管具有一进气端和一出口端;
每一所述等离子体喷管通过所述进气端与所述公共流道流体连接,且每一所述等离子体喷管在所述公共流道上均匀排列;并且,
每一所述等离子体喷管的所述出口端面朝所述待处理表面,并且,每一述等离子体发生器的所述出口端与所述待处理表面之间的距离相等。
在本发明一实施例中,所述离子体发生器还包括一气体源,所述气体源与所述公共流道流体连接,用于向每一所述等离子体喷管组件提供气体。
在本发明一实施例中,所述离子体发生器还包括一激励电源,所述激励电源与每一所述等离子体喷管导电连接,用以将由所述进气端进入所述等离子体喷管内的气体激发为等离子体。
在本发明一实施例中,所述激励电源为高压射频发生器。
在本发明一实施例中,所述进气端的直径大于所述出口端的直径。
在本发明一实施例中,所述等离子体发生器包括复数个等离子体喷管组件,所述等离子体喷管组件的所述公共流道相互平行设置。
在本发明一实施例中,所述等离子体喷管的所述出口端交错设置。
本发明还提供一种等离子体清洗装置,包括至少一如上所述的等离子体发生器和一平台,所述平台设置于所述等离子体发生器下方,用于放置一待处理表面。
在本发明一实施例中,所述等离子体清洗装置还包括一处理室,所述待处理表面在所述处理室内进行等离子体清洗处理。
在本发明一实施例中,所述处理室通过至少一排气管与一真空排气装置连接,用以在所述处理室内形成真空环境。
在本发明的所述等离子体发生器及等离子体清洗装置中,通过所述等离子体发生器的模组化结构,使得应用该等离子体发生器的等离子体清洗装置尤其适合于清洗曲面盖板,通过合理设置等离子体喷管以达到最佳的清洗均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术一等离子体发生器的结构示意图;
图2是现有技术一等离子体清洗装置的结构示意图;
图3是根据本发明一实施例的等离子体发生器的结构示意图;
图4是根据本发明一实施例的等离子体清洗装置的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
为了避免因不必要的细节而无法清晰地展现本发明所述的等离子体发生器及等离子体清洗装置,在附图中仅示出了与本发明相关的主要部件。本领域技术人员可以理解的是,即使附图中省略了,但本发明所述的等离子体发生器及等离子体清洗装置还包括其他诸如机架、驱动机架的结构等常规结构。
请参见图3,在本实施例中,首先提供一等离子体发生器100,用于处理一待处理表面S。如图3所示的,所述等离子体发生器100包括:至少一等离子体喷管组件110,一气体源120和一激励电源130。其中,所述等离子体喷管组件110包括:复数个等离子体喷管111和一公共流道112。
如图3所示的,每一所述等离子体喷管111具有一进气端1111和一出口端1112。优选地,所述进气端1111的直径大于所述出口端1112的直径。每一所述等离子体喷管111通过所述进气端1111与所述公共流道112流体连接,且每一所述等离子体喷管111在所述公共流道112上均匀排列。并且,每一所述等离子体喷管111的所述出口端1112面朝所述待处理表面S,且每一述等离子体发生器111的所述出口端1112与所述待处理表面S之间的距离相等。例如,如图3所示的,第一等离子体喷管111a与第二等离子体喷管111b之间的间距D1等于第二等离子体喷管111b与第三等离子体喷管111c之间的间距D2。并且,所述第一等离子体喷管111a与所述待处理表面S之间的距离L1等于所述第二等离子体喷管111b与所述待处理表面S之间的距离L2,也等于所述第三等离子体喷管111c与所述待处理表面S之间的距离L3。
此外,如图3所示的,所述气体源120与所述公共流112道流体连接,用于向每一所述等离子体喷管组件110提供气体。所述激励电源130通过内部导线,与每一所述等离子体喷管111导电连接。也就是说,在本实施例的所述等离子体发生器100中,通过一公共流道112向每一所述等离子体喷管111均匀地输送气体,并通过所述激励电源130向每一所述等离子体喷管111施加射频电压,以在每一等离子体喷管111内形成高频交变电场。从而,使得每一等离子体喷管111内的气体被激发为等离子体。
当然,为了更均匀地对所述待处理表面S进行清洗,所述等离子体发生器100可以包括复数个等离子体喷管组件110。所述等离子体喷管组件110的所述公共流道112可以相互平行设置,且所述等离子体喷管111的所述出口端1112交错设置。当然,每一所述等离子体喷管组件110可以共享同一个所述气体源120和所述激励电源130。
用于形成等离子体的气体可以是本领域用于形成等离子体的常规气体,例如Plasma气体可以为Ar、O2、N2、CDA等。
请参见图4,在本实施例中还提供一等离子体清洗装置200,包括所述等离子体发生器100和一平台210,所述平台210设置于所述等离子体发生器100的下方,用于放置所述待处理表面。如图4所示的,所述等离子体清洗装置200还包括一处理室220,所述处理室220通过至少一排气管221与一真空排气装置222连接,用以在所述处理室220内形成真空环境,以使所述待处理表面S在所述处理室内进行等离子体清洗处理。所述处理室220、排气管221与真空排气装置222均可以使用本领域已知的具有相同功能的部件或结构。所述处理室220、排气管221与真空排气装置222可以使得所述待处理表面S及所述等离子体发生器100的所述等离子体喷管111周围形成真空环境,通过负压抽气可以将清洗过程中产生的废气和颗粒物排出。
在本发明的所述等离子体发生器100及所述等离子体清洗装置200中,通过所述等离子体发生器100的模组化结构,使得应用该等离子体发生器100的等离子体清洗装置尤其适合于清洗曲面盖板。如图3或图4所示的,由于在待清洗表面S的水平段内的所述等离子体喷管111垂直于所述待清洗表面S,使得清洗位置处的所述出口端1112射出的等离子体束与所述待清洗表面S呈90度。而在所述清洗表面S的弯曲段内,由于所述等离子体喷管111倾斜设置,使得清洗位置处的所述出口端1112射出的等离子体束与所述待清洗表面S亦呈近90度。从而,使得本发明所述的所述等离子体发生器100及所述等离子体清洗装置200可以达到最佳的清洗均匀性。
本发明已由上述相关实施例加以描述,然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是,已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地,包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
Claims (10)
1.一种等离子体发生器,用于处理一待处理表面,其特征在于,所述等离子体发生器包括至少一等离子体喷管组件,所述等离子体喷管组件包括复数个等离子体喷管和一公共流道;其中,每一等离子体喷管具有一进气端和一出口端;
每一所述等离子体喷管通过所述进气端与所述公共流道流体连接,且每一所述等离子体喷管在所述公共流道上均匀排列;并且,
每一所述等离子体喷管的所述出口端面朝所述待处理表面,并且,每一述等离子体发生器的所述出口端与所述待处理表面之间的距离相等。
2.如权利要求1所述的等离子体发生器,其特征在于,所述离子体发生器还包括一气体源,所述气体源与所述公共流道流体连接,用于向每一所述等离子体喷管组件提供气体。
3.如权利要求2所述的等离子体发生器,其特征在于,所述离子体发生器还包括一激励电源,所述激励电源与每一所述等离子体喷管导电连接,用以将由所述进气端进入所述等离子体喷管内的气体激发为等离子体。
4.如权利要求3所述的等离子体发生器,其特征在于,所述激励电源为高压射频发生器。
5.如权利要求1所述的等离子体发生器,其特征在于,所述进气端的直径大于所述出口端的直径。
6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体发生器,其特征在于,所述等离子体发生器包括复数个等离子体喷管组件,所述等离子体喷管组件的所述公共流道相互平行设置。
7.如权利要求6所述的等离子体发生器,其特征在于,所述等离子体喷管的所述出口端交错设置。
8.一种等离子体清洗装置,包括至少一如权利要求1所述的等离子体发生器和一平台,所述平台设置于所述等离子体发生器下方,用于放置一待处理表面。
9.如权利要求7所述的等离子体清洗装置,其特征在于,所述等离子体清洗装置还包括一处理室,所述待处理表面在所述处理室内进行等离子体清洗处理。
10.如权利要求8所述的等离子体清洗装置,其特征在于,所述处理室通过至少一排气管与一真空排气装置连接,用以在所述处理室内形成真空环境。
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