CN109346573A - 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 - Google Patents
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- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 69
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 16
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- -1 indium aluminum nitrogen Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
- H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
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Abstract
本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，所述接触层包括依次层叠的N型欧姆接触层和P型欧姆接触层。本发明通过依次层叠N型欧姆接触层和P型欧姆接触层，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层形成PN结，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层变成空间电荷区。空间电荷区内存在可以横向移动的自由电荷，有利于通过电极注入接触层的电流在接触层内进行横向铺展，避免电流集中在电极与器件接触的地方而产生电流拥堵。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。氮化镓(GaN)具有良好的热导性能，同时具有耐高温、耐酸碱、高硬度等优良特性，使氮化镓(GaN)基LED受到越来越多的关注和研究。
外延片是LED制备过程中的初级成品。现有的氮化镓基LED外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上。P型半导体层用于提供进行复合发光的空穴，N型半导体层用于提供进行复合发光的电子，有源层用于进行电子和空穴的辐射复合发光，衬底用于为外延材料提供生长表面。
为了与电极形成良好的欧姆接触，P型半导体层上还设有接触层。接触层一般为P型或N型的高掺杂层，通过半导体表面重掺杂获得超薄势垒。超薄势垒对载流子无阻挡能力，载流子可以自由穿过势垒，形成很大的隧道电流，从而获得欧姆接触(不产生明显的附加阻挡，电流在接触层上产生的压降小于在器件本身上所产生的压降)。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
衬底的材料通常选择蓝宝石、碳化硅或者硅等，N型半导体层、有源层和P型半导体层的材料选择氮化镓基材料(包括氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓等)。蓝宝石等衬底材料和氮化镓为异质材料，晶格常数差异较大，两者之间存在较大的晶格失配。晶格失配产生的应力和缺陷会较多引入氮化镓中，并在外延生长过程中不断积累。缺陷会降低外延垒晶的长晶质量，进而影响载流子的迁移；同时应力的积累会进一步降低载流子的迁移。
由于接触层是外延生长的最后一层，因此接触层中累积的应力和缺陷最多，极大地影响了接触层内载流子的迁移，进而降低了接触层内的电流扩展。由于电极一般设置在接触层的部分区域上，以尽量避免电极材料吸收有源层发出的光线，因此当电流通过电极注入接触层时，虽然接触层内电流的纵向扩展较强，但是接触层内电流的横向扩展受到局限，大部分电流会集中在电极与器件接触的地方，使得在电极与器件接触的地方容易产生电流拥堵，导致LED在高静电电压下的抗击穿能力较弱，同时也降低了LED的发光效率。
发明内容
本发明实施例提供了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，能够解决现有技术接触层内电流的横向扩展受到局限，使得在电极与器件接触的地方容易产生电流拥堵的问题。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，所述接触层包括依次层叠的N型欧姆接触层和P型欧姆接触层。
可选地，所述N型欧姆接触层的材料采用掺杂锗的氮化镓，所述P型欧姆接触层采用掺杂镁的氮化镓。
优选地，所述P型欧姆接触层中镁元素的掺杂浓度为所述N型欧姆接触层中锗元素的掺杂浓度的20倍～100倍。
更优选地，所述N型欧姆接触层中锗元素的掺杂浓度为5*1018cm-3～1019cm-3。
可选地，所述接触层的厚度为5nm～50nm。
可选地，所述N型欧姆接触层的厚度小于所述P型欧姆接触层的厚度。
优选地，所述P型欧姆接触层的厚度为所述N型欧姆接触层的厚度的1.2倍～1.8倍。
另一方面，本发明实施例提供了一种氮化镓基发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；
其中，所述接触层包括依次层叠的N型欧姆接触层和P型欧姆接触层。
可选地，所述N型欧姆接触层的生长条件与所述P型欧姆接触层的生长条件相同，所述生长条件包括生长温度和生长压力。
优选地，所述接触层的生长温度为850℃～1050℃，所述接触层的生长压力为100torr～300torr。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过依次层叠N型欧姆接触层和P型欧姆接触层，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层形成PN结，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层变成空间电荷区。空间电荷区内存在可以横向移动的自由电荷，有利于通过电极注入接触层的电流在接触层内进行横向铺展，避免电流集中在电极与器件接触的地方而产生电流拥堵，增强LED在高静电电压下的抗击穿能力，提升LED的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的接触层的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种氮化镓基发光二极管外延片。图1为本发明实施例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的结构示意图。参见图1，该氮化镓基发光二极管外延片包括衬底10、N型半导体层20、有源层30、P型半导体层40和接触层50，N型半导体层20、有源层30、P型半导体层40和接触层50依次层叠在衬底10上。
图2为本发明实施例提供的接触层的结构示意图。参见图2，在本实施例中，接触层50可以包括依次层叠的N型欧姆接触层51和P型欧姆接触层52。
本发明实施例通过依次层叠N型欧姆接触层和P型欧姆接触层，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层形成PN结，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层变成空间电荷区。空间电荷区内存在可以横向移动的自由电荷，有利于通过电极注入接触层的电流在接触层内进行横向铺展，避免电流集中在电极与器件接触的地方而产生电流拥堵，增强LED在高静电电压下的抗击穿能力，提升LED的发光效率。
而且本发明实施例通过依次层叠N型欧姆接触层和P型欧姆接触层，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层的接触面可以加强电流的纵向遂穿，进一步缓解电流的拥堵，增强LED在高静电电压下的抗击穿能力，提升LED的发光效率。
另外，P型掺杂在实现上比N型掺杂困难，因此P型欧姆接触层中P型掺杂浓度会远大于N型欧姆接触层中N型掺杂浓度。如果先层叠P型欧姆接触层再层叠N型欧姆接触层，那么在P型欧姆接触层上生长N型欧姆接触层时，由于P型欧姆接触层中P型掺杂浓度很高，因此P型欧姆接触层中P型掺杂的原子数量较多，很容易沿外延生长的方向扩散到随后生长的N型欧姆接触层中。本发明实施例通过先层叠N型欧姆接触层再层叠P型欧姆接触层，可以有效避免P型欧姆接触层中P型掺杂的原子扩散到N型欧姆接触层中。
可选地，N型欧姆接触层51的材料可以采用掺杂锗(Ge)的氮化镓，P型欧姆接触层52可以采用掺杂镁(Mg)的氮化镓。
本发明实施例采用锗代替硅进行N型掺杂，对晶格畸变的影响较小，电子迁移率较高。
优选地，P型欧姆接触层52中镁元素的掺杂浓度可以为N型欧姆接触层51中锗元素的掺杂浓度的20倍～100倍，优选为60倍。
由于镁的激活效率远低于锗，因此如果P型欧姆接触层中镁元素的掺杂浓度小于N型欧姆接触层中锗元素的掺杂浓度的20倍，则可能由于P型欧姆接触层中镁元素的掺杂浓度与N型欧姆接触层中锗元素的掺杂浓度相差较小，导致P型欧姆接触层提供的空穴数量低于N型欧姆接触层提供的电子数量，影响到P型欧姆接触层和N型欧姆接触层形成的PN结，最终无法有效提高接触层内的电流铺展；如果P型欧姆接触层中镁元素的掺杂浓度大于N型欧姆接触层中锗元素的掺杂浓度的100倍，则可能由于P型欧姆接触层中镁元素的掺杂浓度与N型欧姆接触层中锗元素的掺杂浓度相差较大，导致P型欧姆接触层提供的空穴数量又高于N型欧姆接触层提供的电子数量，同样影响到P型欧姆接触层和N型欧姆接触层形成的PN结，最终无法有效提高接触层内的电流铺展。
更优选地，N型欧姆接触层51中锗元素的掺杂浓度为5*1018cm-3～1019cm-3，优选为7.5*1018cm-3。
如果N型欧姆接触层中锗元素的掺杂浓度小于5*1018cm-3，则可能由于N型欧姆接触层中N型掺杂剂的掺杂浓度较小而无法提供较多数量的自由电荷，进而影响电流在接触层内的横向扩展；如果N型欧姆接触层中锗元素的掺杂浓度大于1019cm-3，则可能由于N型欧姆接触层中N型掺杂剂的掺杂浓度较大而影响外延片整体的晶体质量，最终影响LED的发光效率。
相应地，P型欧姆接触层52中镁元素的掺杂浓度可以为1019cm-3～1021cm-3，优选为1020cm-3。
如果P型欧姆接触层中镁元素的掺杂浓度小于1019cm-3，则可能由于P型欧姆接触层中镁元素的掺杂浓度较小而无法提供较多数量的自由电荷，进而影响电流在接触层内的横向扩展；如果P型欧姆接触层中镁元素的掺杂浓度大于1021cm-3，则可能由于P型欧姆接触层中镁元素的掺杂浓度较大而影响外延片整体的晶体质量，最终影响LED的发光效率。
可选地，接触层50的厚度可以为5nm～50nm，优选为25nm。
如果接触层的厚度小于5nm，则可能由于接触层较薄而无法实现电流的有效铺展；如果接触层的厚度大于50nm，则可能由于接触层较厚而影响与电极形成良好的欧姆接触。
可选地，N型欧姆接触层52的厚度可以小于P型欧姆接触层51的厚度。
P型掺杂剂的激活效率远低于N型掺杂剂，本发明实施例中P型欧姆接触，可以利用N型欧姆接触层和P型欧姆接触层之间厚度的差异弥补N型掺杂剂和P型掺杂剂之间激活效率的差异，使N型欧姆接触层提供的电子数量与P型欧姆接触层提供的空穴数量差不多，保证载流子分布的均匀性和一致性，从而有利于N型欧姆接触层和P型欧姆接触层形成PN结。
优选地，P型欧姆接触层51的厚度可以为N型欧姆接触层52的厚度的1.2倍～1.8倍，优选为1.5倍。
如果P型欧姆接触层的厚度小于N型欧姆接触层的厚度的1.2倍，则可能由于P型欧姆接触层的厚度与N型欧姆接触层的厚度相差较小，导致P型欧姆接触层提供的空穴数量低于N型欧姆接触层提供的电子数量，影响到P型欧姆接触层和N型欧姆接触层形成的PN结，最终无法有效提高接触层内的电流铺展；如果P型欧姆接触层的厚度大于N型欧姆接触层的厚度的1.8倍，则可能由于P型欧姆接触层的厚度与N型欧姆接触层的厚度相差较大，导致P型欧姆接触层提供的空穴数量又高于N型欧姆接触层提供的电子数量，同样影响到P型欧姆接触层和N型欧姆接触层形成的PN结，最终无法有效提高接触层内的电流铺展。
进一步地，N型欧姆接触层52的厚度可以2nm～20nm，优选为10nm。
如果N型欧姆接触层的厚度小于2nm，则可能由于N型欧姆接触层较薄而无法与P型欧姆接触层配合形成PN结；如果N型欧姆接触层的厚度大于20nm，则可能由于N型欧姆接触层较厚而无法与电极形成良好的欧姆接触。
相应地，P型欧姆接触层51的厚度可以为3nm～40nm，优选为20nm。
如果P型欧姆接触层的厚度小于3nm，则可能由于P型欧姆接触层较薄而无法与N型欧姆接触层配合形成PN结；如果P型欧姆接触层的厚度大于30nm，则可能由于P型欧姆接触层较厚而无法与电极形成良好的欧姆接触。
具体地，衬底10的材料可以采用蓝宝石(主要材料为三氧化二铝)，如晶向为[0001]的蓝宝石。N型半导体层20的材料可以采用N型掺杂(如硅)的氮化镓。有源层30可以包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置；量子阱的材料可以采用氮化铟镓(InGaN)，如InxGa1-xN，0＜x＜1，量子垒的材料可以采用氮化镓。P型半导体层40的材料可以采用P型掺杂(如镁)的氮化镓。
进一步地，N型半导体层20的厚度可以为1μm～5μm，优选为3μm；N型半导体层20中N型掺杂剂的掺杂浓度可以为1018cm-3～1019cm-3，优选为5*1018cm-3。量子阱的厚度可以为2.5nm～3.5nm，优选为3nm；量子垒的厚度可以为9nm～20nm，优选为15nm；量子阱的数量与量子垒的数量相同，量子垒的数量可以为5个～15个，优选为10个。P型半导体层40的厚度可以为100nm～800nm，优选为450nm；P型半导体层40中P型掺杂剂的掺杂浓度可以为1018/cm3～1020/cm3，优选为1019/cm3。
在实际应用中，衬底10上可以设有图形化二氧化硅层，一方面减少GaN外延材料的位错密度，另一方面改变光线的出射角度，提高光的提取效率。具体地，可以先在蓝宝石衬底上铺设一层二氧化硅材料；再采用光刻技术在二氧化硅材料上形成一定图形的光刻胶；然后采用干法刻蚀技术去除没有光刻胶覆盖的二氧化硅材料，留下的二氧化硅材料形成图形化二氧化硅层；最后去除光刻胶即可。
可选地，如图1所示，该氮化镓基发光二极管外延片还可以包括缓冲层61，缓冲层61设置在衬底10和N型半导体层20之间，以缓解衬底材料与氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，并为氮化镓材料外延生长提供成核中心。
具体地，缓冲层61的材料可以采用氮化镓。
进一步地，缓冲层61的厚度可以为15nm～35nm，优选为25nm。
优选地，如图1所示，该氮化镓基发光二极管外延片还可以包括未掺杂氮化镓层62，未掺杂氮化镓层62设置在缓冲层61和N型半导体层20之间，以进一步缓解衬底材料与氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，为外延片主体结构提供晶体质量较好的生长表面。
在具体实现时，缓冲层为首先在图形化衬底上低温生长的一层较薄的氮化镓，因此也称为低温缓冲层。再在低温缓冲层进行氮化镓的纵向生长，会形成多个相互独立的三维岛状结构，称为三维成核层；然后在所有三维岛状结构上和各个三维岛状结构之间进行氮化镓的横向生长，形成二维平面结构，称为二维恢复层；最后在二维生长层上高温生长一层较厚的氮化镓，称为本征氮化镓层。本实施例中将三维成核层、二维恢复层和本征氮化镓层统称为未掺杂氮化镓层。
进一步地，未掺杂氮化镓层的厚度可以为1μm～5μm，优选为3μm。
可选地，如图1所示，该氮化镓基发光二极管外延片还可以包括应力释放层70，应力释放层70设置在N型半导体层20和有源层30之间，以对蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力进行释放，提高有源层的晶体质量，有利于电子和空穴在有源层进行辐射复合发光，提高LED的内量子效率，进而提高LED的发光效率。
具体地，应力释放层70的材料可以采用镓铟铝氮(AlInGaN)，可以有效释放蓝宝石和氮化镓晶格失配产生的应力，改善外延片的晶体质量，提高LED的发光效率。
优选地，应力释放层70中铝组分的摩尔含量可以小于或等于0.2，应力释放层70中铟组分的摩尔含量可以小于或等于0.05，以避免造成不良影响。
进一步地，应力释放层70的厚度可以为50nm～500nm，优选为300nm。
可选地，如图1所示，该氮化镓基发光二极管外延片还可以包括电子阻挡层81，电子阻挡层81设置在有源层30和P型半导体层40之间，以避免电子跃迁到P型半导体层中与空穴进行非辐射复合，降低LED的发光效率。
具体地，电子阻挡层81的材料可以采用P型掺杂的氮化铝镓(AlGaN)，如AlyGa1-yN，0.1＜y＜0.5。
进一步地，电子阻挡层81的厚度可以为50nm～150nm，优选为100nm。
优选地，如图1所示，该氮化镓基发光二极管外延片还可以包括低温P型层82，低温P型层82设置在有源层30和电子阻挡层81之间，以避免电子阻挡层较高的生长温度造成有源层中的铟原子析出，影响发光二极管的发光效率。
具体地，低温P型层82的材料可以为与P型半导体层40的材料相同。在本实施例中，低温P型层82的材料可以为P型掺杂的氮化镓。
进一步地，低温P型层82的厚度可以为10nm～50nm，优选为30nm；低温P型层82中P型掺杂剂的掺杂浓度可以为1018/cm3～1020/cm3，优选为1019/cm3。
本发明实施例提供了一种氮化镓基发光二极管外延片的制备方法，适用于制备图1所示的氮化镓基发光二极管外延片。图3为本发明实施例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制备方法的流程图。参见图3，该制备方法包括：
步骤201：提供一衬底。
可选地，该步骤201可以包括：
控制温度为1000℃～1200℃(优选为1100℃)，在氢气气氛中对衬底进行6分钟～10分钟(优选为8分钟)退火处理；
对衬底进行氮化处理。
通过上述步骤清洁衬底的表面，避免杂质掺入外延片中，有利于提高外延片的生长质量。
步骤202：在衬底上依次生长N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层。
在本实施例中，接触层包括依次层叠的N型欧姆接触层和P型欧姆接触层。
可选地，N型欧姆接触层的生长条件可以与P型欧姆接触层的生长条件相同，生长条件包括生长温度和生长压力。采用相同的生长条件，方便实现。
优选地，接触层的生长温度可以为850℃～1050℃，接触层的生长压力可以为100torr～300torr，此时得到的接触层的晶体质量较好。
具体地，该步骤202可以包括：
第一步，控制温度为1000℃～1200℃(优选为1100℃)，压力为100torr～500torr(优选为300torr)，在衬底上生长N型半导体层；
第二步，在N型半导体层上生长有源层；其中，量子阱的生长温度为720℃～829℃(优选为760℃)，压力为100torr～500torr(优选为300torr)；量子垒的生长温度为850℃～959℃(优选为900℃)，压力为100torr～500torr(优选为300torr)；
第三步，控制温度为850℃～1080℃(优选为960℃)，压力为100torr～300torr(优选为200torr)，在有源层上生长P型半导体层；
第四步，在P型半导体层上依次生长N型欧姆接触层和P型欧姆接触层。
可选地，在第一步之前，该制备方法还可以包括：
在衬底上生长缓冲层。
相应地，N型半导体层生长在缓冲层上。
具体地，在衬底上生长缓冲层，可以包括：
控制温度为400℃～600℃(优选为500℃)，压力为400torr～600torr(优选为500torr)，在衬底上生长缓冲层；
控制温度为1000℃～1200℃(优选为1100℃)，压力为400torr～600torr(优选为500torr)，对缓冲层进行5分钟～10分钟(优选为8分钟)的原位退火处理。
优选地，在衬底上生长缓冲层之后，该制备方法还可以包括：
在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层。
相应地，N型半导体层生长在未掺杂氮化镓层上。
具体地，在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层，可以包括：
控制温度为1000℃～1100℃(优选为1050℃)，压力为100torr～500torr(优选为300torr)，在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层。
可选地，在第二步之前，该制备方法还可以包括：
在N型半导体层上生长应力释放层。
相应地，有源层生长在应力释放层上。
具体地，在N型半导体层上生长应力释放层，可以包括：
控制温度为800℃～1100℃(优选为950℃)，压力为100torr～500torr(优选为300torr)，在N型半导体层上生长应力释放层。
可选地，在第三步之前，该制备方法还可以包括：
在有源层上生长电子阻挡层。
相应地，P型半导体层生长在电子阻挡层上。
具体地，在有源层上生长电子阻挡层，可以包括：
控制温度为850℃～1080℃(优选为960℃)，压力为200torr～500torr(优选为350torr)，在有源层上生长电子阻挡层。
优选地，在有源层上生长电子阻挡层之前，该制备方法还可以包括：
在有源层上生长低温P型层。
相应地，电子阻挡层生长在低温P型层上。
具体地，在有源层上生长低温P型层，可以包括：
控制温度为600℃～850℃(优选为750℃)，压力为100torr～600torr(优选为300torr)，在有源层上生长低温P型层。
需要说明的是，在上述外延生长结束之后，会先将温度降低至650℃～850℃(优选为750℃)，在氮气气氛中对外延片进行5分钟～15分钟(优选为10分钟)的退火处理，然后再将外延片的温度降低至室温。
控制温度、压力均是指控制生长外延片的反应腔中的温度、压力，具体为金属有机化合物化学气相沉淀(英文：Metal-organic Chemical Vapor Deposition，简称：MOCVD)设备的反应腔。实现时以三甲基镓或三乙基镓作为镓源，高纯氨气作为氮源，三甲基铟作为铟源，三甲基铝作为铝源，N型掺杂剂选用硅烷，P型掺杂剂选用二茂镁。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述接触层包括依次层叠的N型欧姆接触层和P型欧姆接触层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述N型欧姆接触层的材料采用掺杂锗的氮化镓，所述P型欧姆接触层采用掺杂镁的氮化镓。
3.根据权利要求2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述P型欧姆接触层中镁元素的掺杂浓度为所述N型欧姆接触层中锗元素的掺杂浓度的20倍～100倍。
4.根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述N型欧姆接触层中锗元素的掺杂浓度为5*1018cm-3～1019cm-3。
5.根据权利要求1～4任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述接触层的厚度为5nm～50nm。
6.根据权利要求1～4任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述N型欧姆接触层的厚度小于所述P型欧姆接触层的厚度。
7.根据权利要求6所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述P型欧姆接触层的厚度为所述N型欧姆接触层的厚度的1.2倍～1.8倍。
8.一种氮化镓基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；
其中，所述接触层包括依次层叠的N型欧姆接触层和P型欧姆接触层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述N型欧姆接触层的生长条件与所述P型欧姆接触层的生长条件相同，所述生长条件包括生长温度和生长压力。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述接触层的生长温度为850℃～1050℃，所述接触层的生长压力为100torr～300torr。
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