CN109324452A - 一种抗ito腐蚀的lcd走线结构及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构及方法,其中走线结构,为在IC Bonding的区域中,相交的两条ITO线的夹角α为180±30度;相交的两条ITO线夹角为圆弧夹角,该圆弧夹角的半径R大于1mm;相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10‑6V/m。应用上述的走线结构实现了降低ITO腐蚀几率的ITO走线方法。本发明能够降低ITO腐蚀的比例,降低成本;提高产品可靠性,极大的降低了客户使用过程中发生失效的几率。
Description
技术领域
本发明涉及LCD制造技术领域,特别是一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构及方法。
背景技术
ITO腐蚀是在存储条件或外加电场促进的条件下,发生电化学反应,导致的ITO电极走线腐蚀。周期有的只有数小时,有的达数月之久,主要取决于腐蚀产生的条件的强弱。
腐蚀产生的主要条件有:
1、杂质、水汽或污染;---提供电解质;
2、电荷移动;---产生电流;
为了保护LCD电极,很多厂家采用涂TOP层对产品进行主动防护,该方法有一定的效果,但相对来说成本也增高了。而实际生产中发生ITO腐蚀的区域都是集中在IC Bonding的区域,但是,因为IC与LCD之间导通的需要,该区域又不能用TOP覆盖,所以针对此种ITO腐蚀无法用TOP层覆盖ITO走线的方法来解决。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构及方法。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:一种LCD显示屏的ITO走线结构,其在IC Bonding的区域中,相交的两条ITO线的夹角α为180±30度。
上述技术方案中,所述相交的两条ITO线夹角为圆弧夹角,该圆弧夹角的半径R大于1mm。
上述技术方案中,相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10-6V/m。
一种抗ITO腐蚀的LCD走线方法,其在IC Bonding的区域中,对ITO走线按照如下规则:1)降低两条ITO线相交的角度,保证两条ITO线的夹角α为180±30度,如果两条ITO线的夹角超过前述的范围则采用分次弯折的方式。
在上述技术方案的基础上,还包括规则:2)相交的两条ITO线的夹角为圆弧夹角,并且该圆弧夹角的半径R大于1mm。
在上述技术方案的基础上,还包括规则:3)相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10-6V/m。
本发明的有益效果是:
1)降低ITO腐蚀的比例,降低成本。
2)提高产品可靠性,极大的降低了客户使用过程中发生失效的几率。
附图说明
图1是本发明的LCD的走线结构示意图;
图2是图1中A处夹角的放大示意图(尖角);
图3是图1中A处圆弧夹角的放大示意图;
图4是图1中A处线间的放大示意图;
图5是本发明分次弯折的示意图。
图中,1、ITO线;2、圆弧夹角;3、第一支线;4、第二支线;5、第三支线;6、IC Bonding的区域。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。
如图1-5所示,一种LCD显示屏的ITO走线结构的最佳实施例,其在IC Bonding的区域6中,相交的两条ITO线1的夹角α为180±30度。
其中,所述相交的两条ITO线1夹角为圆弧夹角2,该圆弧夹角2的半径R大于1mm。
其中,相邻的两条ITO线1之间的电场强度E小于0.25×10-6V/m。
根据上述走线结构而实现了一种抗ITO腐蚀的LCD走线方法,其在IC Bonding的区域6中,对ITO走线按照如下规则:
1)降低两条ITO线1相交的角度,保证两条ITO线1的夹角α为180±30度,如果两条ITO线1的夹角超过前述的范围则采用分次弯折的方式。ITO走线拐弯处,用平滑的走线比走折线更易清洗,不易残留污染物。该分次弯折的方式具体为,如图5所示,两ITO线1的直接相交会出现小于150度的角,在两ITO线1之间支线的接驳,如第一支线3、第二支线4和第三支线5,第一支线3与ITO线1的夹角α大于150度,第二支线4与第一支线3的夹角为大于150度,第三支线5与第二支线4的夹角为大于150度,第三支线5与ITO线1的夹角为大于150度。
2)相交的两条ITO线1的夹角为圆弧夹角2,并且该圆弧夹角2的半径R大于1mm。有利于清洗过程中脏污漂洗出来,同时也能减少脏污藏在折线处的机会。尖角容易残留脏污,所以需要避免。半径较小的圆弧相当于接近尖角的效果,所以必须要对半径进行限定。
3)相邻的两条ITO线1之间的电场强度E小于0.25×10-6V/m。具体为根据产品的电压确定走线的间隙,以降低走线间的电场,减弱电化学作用。根据产品的电压,增大走线间的距离(与限定电场强度之前对比)。因为一个产品的电压是固定的,如果增大走线间距,能有效降低走线间的电场,减少电荷移动和电流,只需要控制电场强度E≤0.25×10-6V/m,即可以降低ITO腐蚀发生的几率。
相交两条ITO线1的夹角α、圆弧半径R与ITO腐蚀几率三者的对比测试参数。从数据可以看出,在未倒圆弧的情况下,随着夹角α的越大,ITO腐蚀几率越小;在相同夹角α的情况下,圆弧半径R越大,ITO腐蚀几率越小。夹角α一列数据中,括号外的为正角角度,括号内的为负角角度绝对值。
相邻两条ITO线1的间距d、电压U、电场强度E与ITO腐蚀几率四者的对比测试参数。从数据可以看出,在相同的电压条件下,间距越大,电场强度越小,而ITO腐蚀几率也越小,并且在电场强度E小于等于0.25×10-6V/m的时候,ITO腐蚀几率降低得更快;在相同间距的条件下,面对高压和低压的产品,其低压的产品的线间电场强度越小,ITO腐蚀几率也越小。ITO线1的间距d、电压U与电场强度E之间的关系公式为:U=Ed。
以上的实施例只是在于说明而不是限制本发明,故凡依本发明专利申请范围所述的方法所做的等效变化或修饰,均包括于本发明专利申请范围内。
Claims (6)
1.一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:在IC Bonding的区域中,相交的两条ITO线的夹角α为180±30度。
2.根据权利要求1所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:所述相交的两条ITO线夹角为圆弧夹角,该圆弧夹角的半径R大于1mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10-6V/m。
4.一种抗ITO腐蚀的LCD走线方法,其特征在于:在IC Bonding的区域中,对ITO走线按照如下规则:
1)降低两条ITO线相交的角度,保证两条ITO线的夹角α为180±30度,如果两条ITO线的夹角超过前述的范围则采用分次弯折的方式。
5.根据权利要求4所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线方法,其特征在于,还包括规则:2)相交的两条ITO线的夹角为圆弧夹角,并且该圆弧夹角的半径R大于1mm。
6.根据权利要求5所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线方法,其特征在于,还包括规则:3)相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10-6V/m。
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