CN101442042A - 显示器件、制备方法及制备其用的掩膜板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示器件、制备方法及制备其用的掩膜板，显示器件包括基板及其上设置的封装盖板，两板间通过封胶粘合，基板上顺次形成第一电极，有机功能层，第二电极；第一、第二电极通过引线延伸到基板或封装盖板边缘处，电极引线上还形成有至少两层绝缘性防护层，防护层延伸至第一、第二电极引线与芯片绑定边缘，封胶跨涂于防护层上。本发明防护层设于不与芯片绑定的引线区域，直至芯片边缘，更可以保护该部分引线不被水氧腐蚀；优选方案是与显示器件内网状绝缘层、阴极隔壁同时制备，并不增加工艺步骤；且防护层精度要求并不很高，易于制备，使该引线区域在涂覆密封胶之前保持最大可能的洁净程度，降低导线烧毁或短路的可能性，延长使用寿命。

Description

显示器件、制备方法及制备其用的掩膜板
技术领域
本发明涉及一种显示器件、制备方法及制备其用的掩膜板，尤其涉及一种设有防护层的显示器件、制备方法及制备其用的掩膜板。
背景技术
有机电致发光显示器(OLED)具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，具有广阔的应用前景。其基本结构是：一刚性或柔性基板，其上发光区位置依次形成阳极、有机发光层、阴极等各层，阳极、阴极在非发光区位置依靠引线引出，集中到一边或几边，与驱动芯片进行邦定。另外，由于OLED随着使用时间增加，环境中的水气与氧气很容易渗入显示器件中，使得金属电极与有机发光层之间剥离、材料裂解和电极氧化，进而产生暗点，这会大幅降低显示器件的发光强度和发光均匀度等发光品质。一般而言，于OLED显示器件的玻璃基板上完成金属电极与有机发光体薄膜的蒸镀制程之后，会以封装基板封装玻璃基板表面的元件。
参照图1所示，为传统OLED显示器件的封装结构的剖面示意图。OLED显示器件包含有一玻璃基板1，以及一封装基板2是通过封胶层7的粘接性与玻璃基板接合，进而封装成一个密闭空间。玻璃基板1表面上发光区包含有一积层物，是经由一阳极导电层、一有机发光材料层(图中未示出)以及一阴极金属层(图中未示出)所构成，非发光区为电极引线4走线区。其中，封装基板2是采用比玻璃基板1面积稍小的金属或玻璃材质所制成，可封装住积层物，只外露预备用以与驱动芯片8邦定的电极引线4。
封装完成后至绑定过程中，封装胶外沿至绑定区域之间裸露的那部分金属引线以及ITO引线不可避免的受到水汽、氧气、金属离子或其余杂质离子的污染，而现有清洁手段很难达到一个理想的效果，即使后期使用密封胶全部覆盖起来，也会在后期导致引线烧毁或短路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能有效保护电极引线的显示器件。
本发明的另一目的在于提供一种所述显示器件的制备方法。
本发明的再一目的在于提供一种采用所述方法制备所述显示器件所用的掩膜板。
本发明的目的是通过以下技术方案予以实现的：本发明之显示器件包括基板及其上设置的封装盖板，两板间通过封胶粘合，基板上顺次形成第一电极，有机功能层，第二电极；第一、第二电极通过引线延伸到基板或封装盖板边缘处，其特征在于，所述电极引线上还形成有至少两层绝缘性防护层，所述防护层延伸至第一、第二电极引线与芯片绑定边缘，所述封胶跨涂于防护层上。
所述封胶部分涂布于基板上，部分涂布于防护层上。
所述防护层为两层。
所述双层防护层的第一层为与显示器件网状绝缘层相同材料，第二层为与显示器件阴极隔壁相同材料。
所述封胶为光固化胶或热固化胶。
本发明的另一目的是通过以下技术方案予以实现的：该方法包括以下步骤：
①形成第一电极及引线图形；
②形成后续各层图形及防护层图形，其中形成防护层图形在形成电极引线图形后任一步骤形成。
所述步骤②形成防护层图形与显示器件绝缘层同层制备。
本发明的另一目的还可以通过以下技术方案予以实现：该方法包括以下步骤：
①形成第一电极及引线图形；
②形成防护层第一层图形，形成防护层第二层图形；
③形成后续各层图形。
所述步骤②中防护层第一层图形与显示器件网状绝缘层同层制备，防护层第二层图形与显示器件阴极隔壁同层制备。
本发明的再一目的是通过以下技术方案予以实现的：制备本发明之显示器件防护层图形过程中，掩膜板整体镂空图形至少包括与防护层图形对应的镂空图形。
所述掩膜板为制备防护层第一层的第一掩膜板，以及制备防护层第二层的第二掩膜板。
所述第一掩膜板整体镂空图形包括与网状绝缘层图形及防护层第一层图形对应的镂空图形，所述第二掩膜板整体镂空图形包括与阴极隔壁图形及防护层第二层图形对应的镂空图形。
本发明通过在显示器件两基板贴合处，设于电极引线上的防护层，能够在两基板贴合处空隙有效阻隔水氧，与涂布其上的封胶共同配合，实现贴合间隙的有效密封，防止水氧渗透；同时，该防护层还布设于不与芯片绑定的引线区域，直至芯片边缘，更可以保护该部分引线被水氧腐蚀；本发明优选方案是与显示器件内网状绝缘层、阴极隔壁同时制备，并不增加工艺步骤；且防护层精度要求并不很高，易于制备，使该引线区域在涂覆密封胶之前保持最大可能的洁净程度，降低导线烧毁或短路的可能性，延长使用寿命。
附图说明
图1为现有OLED器件基板及封装盖板贴合处结构剖面图(阴极引线位置剖切)；
图2为本发明实施例1电极引线及防护层图形结构剖面图；
图3为本发明实施例1有机电致发光器件屏体走线图；
图4为制备本发明实施例1防护层第一层图形使用的掩膜板；
图5为制备本发明实施例1防护层第二层图形使用的掩膜板；
图6为本发明实施例2有机电致发光器件屏体走线图；
图7为制备本发明实施例2防护层第一层图形使用的掩膜板；
图8为制备本发明实施例2防护层第二层图形使用的掩膜板。
图中：
1—玻璃基板，2—封装基板，3—阳极导电层，4—电极引线，5a—掩膜板对应网状绝缘层图形不透光部分，5a—掩膜板对应阴极隔壁图形透光部分，6-1—防护层第一层图形，6-2—防护层第一层图形，6a—掩膜板对应防护层第一层图形的不透光部分，6b—掩膜板对应防护层第二层图形的透光部分，7—贴合胶，8—芯片。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明做进一步说明，为方便说明，实施例以有机电致发光显示器件为例。
实施例1
参照图2、3、4。本实施例器件结构为玻璃基板1/阳极3(ITO)/电极引线4(Gr)/绝缘层(包括网状绝缘层(图中未示出)及阴极隔壁)与防护层6-1、6-2/有机发光层/阴极(A1)，之后为与玻璃基板1贴合的封装基板2。本实施例电极引线4为单边引出，即所有阳极引线4-1及所有阴极引线4-2的绑定区均在玻璃基板1的同一边；制备防护层6-1、6-2所用掩膜板为图4、5所示，图4所示掩膜板用以在光刻段，同时刻蚀出网状绝缘层图形、阴极隔壁图形(图中未示出)及防护层第一层、第二层图形6-1、6-2，图4中，由于采用正性光刻胶，因此，掩膜板不透光部分5a、6a为最后形成于玻璃基板1上网状绝缘层图形(图中未示出)及防护层第一层图形6-1的图样，其余为透光部分；图5中，由于采用负性光刻胶，因此，掩膜板不透光部分5b、6b为最后形成于玻璃基板1上阴极隔壁图形(图中未示出)及防护层第二层图形6-2的图样，其余为透光部分；本实施例采用大片基板制备，即一片基板同时制备数个器件，待封装完成后，进行切割为分立器件。
本实施例有机电致发光显示器件制作过程为：
将已制备完成完整ITO及铬引线图形的玻璃基板1清洗，经过UV清洗和超声波清洗、烘干；将烘干后的玻璃基板1，放在甩胶机的转台上，滴上适量光刻胶(正性)，以低速800转/分匀胶20秒后，立即加速至1600转/分，甩胶20秒，在90℃下前烘20分钟后，将其放至图4所示的掩膜板下，用高压汞灯曝光20秒。曝光后，把玻璃基板1浸入0.8％KOH溶液中显影1分钟，吹干，120℃下后烘20分钟。最后在200℃下加热1小时，高温坚膜得到网状绝缘层图形(图中未示出)及防护层第一层图形6-1的制备。清洗、烘干后，采用类似方法制备阴极隔壁图形(图中未示出)及防护层第二层图形6-2，由于阴极隔壁最终形状为倒梯形，因此，制备过程中，光刻胶采用负性光刻胶。清洗、烘干后；将已制备好图形的基板1送到蒸镀车间。将基板1放入到基片腔室内的分层篮筐内的hoder上，腔室关闭后开始抽真空至1×10-3Pa，之后传到预处理腔室，经过臭氧处理，去除基片上的杂质，传入A腔进行蒸镀空穴传输层NPB，蒸镀速率为0.5nm/s，该层膜厚为50nm，之后蒸镀发光材料R/G/B，蒸镀阴极A1，膜厚15nm。如此器件制作完成。
之后将制作完成的基板1传入封装腔室，等待与封装基板2贴合封装。
将玻璃基板1与已涂布贴合胶7的封装基板2定位，待两片贴合时，基板1上还设有掩模板，在对应的发光区设有阻挡层，防止紫外光损坏发光区，之后照射UV光，进行贴合胶7固化。
对已完成封装贴合的器件进行切割工序。将粘合后的双层玻璃1、2按照单元尺寸从单元之间进行刀具划痕，经辗压打力后掰断分离为单独单元。
之后进行屏体与驱动芯片8的绑定，首先将各向异性导电胶条贴于屏体绑定区，将驱动芯片8或印刷电路板的引线与屏体引线4对位、加热压接，实现屏体与芯片8的绑定。由于防护层6-1、6-2的制备，其边缘与驱动芯片8或印刷电路板边缘对接，使得屏体引线4无外露部分，有效增强了引线的保护作用。
实施例2
参照图2、6、7、8。本实施例器件结构为玻璃基板1/阳极3(ITO)/电极引线4(Gr)/绝缘层(包括网状绝缘层(图中未示出)及阴极隔壁)与防护层6-1、6-2/有机发光层/阴极(A1)，之后为与玻璃基板1贴合的封装基板2。本实施例电极引线4为三边引出，防护层6为双层6-1、6-2；制备防护层第一层6-1所用掩膜板为图10所示，该掩膜板用以在光刻段，同时刻蚀出网状绝缘层图形(图中未示出)及防护层第一层图形6-1，图7中，由于采用正性光刻胶，因此，掩膜板不透光部分5a、6a为最后形成于玻璃基板1上网状绝缘层图形(图中未示出)及防护层第一层图形6-1的图样，其余为透光部分；制备防护层第二层图形6-2所用掩膜板为图8所示，该掩膜板用以在光刻段，同时刻蚀出阴极隔壁图形(图中未示出)及防护层第二层图形6-2，图8中，由于采用负性光刻胶，因此，掩膜板透光部分5b、6b为最后形成于玻璃基板1上阴极隔壁图形及防护层图形6-2的图样，其余为不透光部分。本实施例采用大片基板制备，即一片基板同时制备数个器件，待封装完成后，进行切割为分立器件。
本实施例有机电致发光显示器件制作过程为：
将已制备完成完整ITO及铬引线图形的玻璃基板1清洗，经过UV清洗和超声波清洗、烘干；将烘干后的玻璃基板1，放在甩胶机的转台上，滴上适量光刻胶(正性)，以低速800转/分匀胶20秒后，立即加速至1600转/分，甩胶20秒，在90℃下前烘20分钟后，将其放至图4所示的掩膜板下，用高压汞灯曝光20秒。曝光后，把玻璃基板1浸入0.8％KOH溶液中显影1分钟，吹干，120℃下后烘20分钟。最后在200℃下加热1小时，高温坚膜得到网状绝缘层图形(图中未示出)及防护层第一层图形6-1的制备。清洗、烘干后，采用类似方法制备阴极隔壁图形，由于阴极隔壁最终形状为倒梯形，因此，制备过程中，光刻胶采用负性光刻胶。该过程中采用如图8所示掩膜板同时制备阴极隔壁图形及防护层第二层图形6-2。清洗、烘干后；将已制备好图形的基板1送到蒸镀车间。将基板1放入到基片腔室内的分层篮筐内的hoder上，腔室关闭后开始抽真空至1×10-3Pa，之后传到预处理腔室，经过臭氧处理，去除基片上的杂质，传入A腔进行蒸镀空穴传输层NPB，蒸镀速率为0.5nm/s，该层膜厚为50nm，之后蒸镀发光材料R/G/B，蒸镀阴极A1，膜厚15nm。如此器件制作完成。
之后将制作完成的基板1传入封装腔室，等待与封装基板2贴合封装。
将基板1与已涂布贴合胶7的封装基板2定位，待两片贴合时，基板上1还设有掩模板，在对应的发光区设有阻挡层，防止紫外光损坏发光区，之后照射UV光，进行贴合胶7固化。
对已完成封装贴合的器件进行切割工序。将粘合后的双层玻璃1、2按照单元尺寸从单元之间进行刀具划痕，经辗压打力后掰断分离为单独单元。
之后进行屏体与驱动芯片8的绑定，首先将各向异性导电胶条贴于屏体绑定区，将驱动芯片8或印刷电路板的引线与屏体引线4对位、加热压接，实现屏体与芯片8的绑定。由于防护层6-1、6-2的制备，其边缘与驱动芯片8或印刷电路板边缘对接，使得屏体引线4无外露部分，有效增强了引线的保护作用。
虽然以上描述了本发明的最佳实施例，但本发明的技术范围并不局限于上述讨论的范围。上述提供的实施例只是仅仅用于进一步在发明内容的基础上解释本发明。应该理解的是，本领域的技术人员可以对上述过程做出多种改进，但是所有的这类改进也都属于本发明的范围内。

Claims (12)

1.一种显示器件，包括基板及其上设置的封装盖板，两板间通过封胶粘合，基板上顺次形成第一电极，有机功能层，第二电极；第一、第二电极通过引线延伸到基板或封装盖板边缘处，与芯片绑定，其特征在于，所述电极引线上还形成有至少两层绝缘性防护层，所述防护层延伸至第一、第二电极引线与芯片绑定边缘，所述封胶跨涂于防护层上。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述封胶部分涂布于基板上，部分涂布于防护层上。
3.根据权利要求1或2所述的显示器件，其特征在于，所述防护层为两层。
4.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述双层防护层的第一层为与显示器件网状绝缘层相同材料，第二层为与显示器件阴极隔壁相同材料。
5.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述封胶为光固化胶或热固化胶。
6.一种制备如权利要求1所述的显示器件的方法，包括以下步骤：
①形成第一电极及引线图形；
②形成后续各层图形及防护层图形，其中形成防护层图形在形成电极引线图形后任一步骤形成。
7.根据权利要求6所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤②形成防护层图形与显示器件绝缘层同层制备。
8.一种制备如权利要求1所述的显示器件的方法，包括以下步骤：
①形成第一电极及引线图形；
②形成防护层第一层图形，形成防护层第二层图形；
③形成后续各层图形。
9.根据权利要求6所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤②中防护层第一层图形与显示器件网状绝缘层同层制备，防护层第二层图形与显示器件阴极隔壁同层制备。
10.一种采用权利要求6或8的方法制备如权利要求1所述的显示器件所用的掩膜板，其特征在于，掩膜板整体镂空图形至少包括与防护层图形对应的镂空图形。
11.根据权利要求10所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板为制备防护层第一层的第一掩膜板，以及制备防护层第二层的第二掩膜板。
12.根据权利要求11所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜板整体镂空图形包括与网状绝缘层图形及防护层第一层图形对应的镂空图形，所述第二掩膜板整体镂空图形包括与阴极隔壁图形及防护层第二层图形对应的镂空图形。
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