CN109308161A - 用于闪存的参数调整装置、方法及设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种用于闪存的参数调整装置、方法及设备。所述参数调整装置包括：数据统计模块，用于获取闪存的用户历史操作数据并对所述用户历史操作数据进行数据统计；参数调整模块，用于根据所述数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应所述用户历史操作数据对应的使用环境。通过本发明的技术方案，能够实现闪存参数的自适应调整，提高闪存的适用性。

Description

用于闪存的参数调整装置、方法及设备
技术领域
本发明实施例涉及闪存技术，尤其涉及一种用于闪存的参数调整装置、方法及设备。
背景技术
闪存FLASH作为一种非易失性半导体存储器，受到各种电子设备的青睐，因此，不同的电子设备对FLASH提出了不同的要求。
在现有技术中为了保证FLASH的可靠性，以及满足所需要的性能，在设计初期，FLASH内部的工作条件是可以调整的；在测试的过程中，确定满足要求的工作条件，并将其固化，在用户使用的过程中，FLASH的性能将不再发生变化。
由于现有技术中FLASH的参数性能不可调节，使得FLASH只能在所允许的工作环境下正常工作，一旦工作环境发生改变，则可能会导致FLASH在其他环境下的使用性能无法达到最优。
发明内容
本发明实施例提供一种用于闪存的参数调整装置、方法及设备，以实现闪存参数的自适应调整，提高闪存的适用性。
第一方面，本发明实施例提供了一种用于闪存的参数调整装置，该装置包括：
数据统计模块，用于获取闪存的用户历史操作数据并对所述用户历史操作数据进行数据统计；
参数调整模块，用于根据所述数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应所述用户历史操作数据对应的使用环境。
进一步的，所述用户历史操作数据包括：用户历史操作频率和/或历史数据存储类型。
进一步的，所述参数设置包括：控制电压、控制时间以及操作模式中的至少一个参数设置。
进一步的，所述参数调整模块具体用于：
若所述数据统计的结果满足预设操作模式条件，则调整闪存的参数设置，以适应与所述预设操作模式相对应的使用环境。
进一步的，所述预设操作模式包括：高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式、低功耗模式中的至少一种操作模式。
第二方面，本发明实施例还提供了一种用于闪存的参数调整方法，包括：
获取闪存的用户历史操作数据并对所述用户历史操作数据进行数据统计；
根据所述数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应所述用户历史操作数据对应的使用环境。
进一步的，所述用户历史操作数据包括：用户历史操作频率和/或历史数据存储类型。
进一步的，所述参数设置包括：控制电压、控制时间以及操作模式中的至少一个参数设置。
进一步的，所述根据所述数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应所述用户历史操作数据对应的使用环境，包括：
若所述数据统计的结果满足预设操作模式条件，则调整闪存的参数设置，以适应与所述预设操作模式相对应的使用环境。
进一步的，所述预设操作模式包括：高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式、低功耗模式中的至少一种操作模式。
第三方面，本发明实施例还提供了一种终端设备，该设备包括本发明实施例中任一所述的用于闪存的参数调整装置。
本发明实施例提供一种用于闪存的参数调整装置，利用其包括的数据统计模块和参数调整模块，对获取的闪存的用户历史操作数据进行数据统计，并根据该数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应用户历史操作数据对应的使用环境，利用了根据用户操作习惯适应性调整闪存性能的优点，解决了现有技术中闪存的参数性能不可调节而导致的闪存在其他环境下的使用性能无法达到最优的问题，实现了闪存参数的自适应调整，提高了闪存的适用性。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的一种用于闪存的参数调整装置的结构示意图；
图2是本发明实施例二提供的一种用于闪存的参数调整方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的一种用于闪存的参数调整装置的结构示意图。参考图1，用于闪存的参数调整装置包括：数据统计模块110以及参数调整模块120，下面对各模块进行具体说明。
数据统计模块110，用于获取闪存的用户历史操作数据并对用户历史操作数据进行数据统计。
可选的，用户历史操作数据可通过记录用户的操作和使用习惯获得，也可以通过获取预设时间内的用户操作记录获得。其中，闪存可以为非易失性存储器，例如与非闪存(NAND FLASH)。示例性的，对用户历史操作数据进行数据统计具体可以包括根据对不同类型的操作数据进行分类统计，例如可以对读取次数、擦写次数、数据存储类型等方面分别进行统计。
对用户历史操作数据进行数据统计的目的在于，总结出用户的操作习惯，以便于根据用户操作习惯及时调节闪存的参数设置，从而实现闪存参数的自适应调节，提高闪存的适用性，使得闪存在不同操作习惯下的性能均可以通过自适应调整参数设置而达到最优。
优选的，用户历史操作数据包括但不限于：用户历史操作频率和/或历史数据存储类型。
示例性的，用户历史操作频率可以是预设时间段内进行读、写、擦的频率，例如读取闪存的频率；历史数据存储类型可以是预设时间段内用户存储数据的数据类型，例如是存储的是“0”还是“1”。
参数调整模块120，用于根据数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应用户历史操作数据对应的使用环境。
由于闪存的不同参数设置可以使得闪存具有不同的性能，因而，根据数据统计的结果调整闪存的参数设置是为了将闪存当前所表现的性能更好地适配于用户操作习惯，以使闪存在各种不同的操作或使用习惯下都可以达到最优性能，适应于用户历史操作数据对应的使用环境，进而提高闪存在不同使用环境下的适用性。
可选的，可在闪存中预存至少一种调整模型，每个调整模型中可对应设置预存的统计结果以及该统计结果对应的最优参数。示例性的，可将闪存中预存的几种统计结果与实际的数据统计的结果进行比对，来确定如何调整闪存的参数设置。举例而言，若实际的数据统计的结果符合预存的几种统计结果的其中之一，则可按照符合的预存的统计结果相对应的调整模型进行调整，即将闪存的参数设置为该调整模型下对应的最优参数。
优选的，参数设置包括但不限于：控制电压、控制时间以及操作模式中的至少一个参数设置。
示例性的，对于NAND FLASH而言，控制电压例如可以是读电压(VREAD)、写电压(VPGM)、过电压(VPASS)、擦电压(VERS)等；控制时间例如可以是读取时间(tR)、写入时间(tPGM)、擦时间(tERS)等；操作模式可以是闪存中预存的几种操作模式。可选的，参数设置还可以包括写验证(PV)和擦验证(EV)。由于各参数之间存在相互影响的关系，因而在调整时可不限于对一种参数设置进行调整，以达到用户历史操作数据对应的使用环境下的最优使用性能为调整目的即可，在此不作限定。
优选的，参数调整模块120具体可以用于：
若数据统计的结果满足预设操作模式条件，则调整闪存的参数设置，以适应与预设操作模式相对应的使用环境。
可选的，可在闪存中预存至少一种预设操作模式，每种预设操作模式对应于一种模式条件，当满足该模式条件时，则触发模式切换指令，进行相应的模式切换，或将闪存的参数设置相应调整为该预设操作模式所对应的参数，从而将闪存在该种使用环境下的性能调整到最优。
优选的，预设操作模式包括但不限于：高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式、低功耗模式中的至少一种操作模式。
以NAND FLASH为例，对于高速读取模式，可通过减小擦/写(program/erase)的脉冲(pulse)强度，增大跳数(counter)，进而降低program/erase速度，使得存储单元阈值电压的分布被收紧，提高了精度和存储单元余量(cell margin)，从而使得读的准确性提高，最终提高读取速度；对于高速缓存模式，可通过增大program/erase的pulse强度，减小counter数目，以提高program/erase的速度，可选的，在读取时可采用多次改变读(read)电压，即进行多次read retry来补偿快速读取而导致的cell margin降低；对于连续读取模式，可通过适当降低读电压(VREAD)以降低读干扰(read disturb)对存储单元阈值电压的分布的影响；对于低功耗模式，可通过降低闪存的read/program/erase的性能，来降低闪存的功耗。
本实施例的技术方案提供一种用于闪存的参数调整装置，利用其包括的数据统计模块和参数调整模块，对获取的闪存的用户历史操作数据进行数据统计，并根据该数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应用户历史操作数据对应的使用环境，利用了根据用户操作习惯适应性调整闪存性能的优点，解决了现有技术中闪存的参数性能不可调节而导致的闪存在其他环境下的使用性能无法达到最优的问题，实现了闪存参数的自适应调整，提高了闪存的适用性。
实施例二
图2为本发明实施例二提供的一种用于闪存的参数调整方法的流程示意图。该方法可适用于对闪存的参数进行调整的情况，该方法可以由用于闪存的参数调整装置来执行，该装置可由硬件和/或软件组成，并一般可集成在闪存以及所有包含存储功能的终端设备中。具体包括如下：
S210、获取闪存的用户历史操作数据并对用户历史操作数据进行数据统计。
可选的，用户历史操作数据可通过记录用户的操作和使用习惯获得，也可以通过获取预设时间内的用户操作记录获得。其中，闪存可以为非易失性存储器，例如与非闪存(NAND FLASH)。示例性的，对用户历史操作数据进行数据统计具体可以包括根据对不同类型的操作数据进行分类统计，例如可以对读取次数、擦写次数、数据存储类型等方面分别进行统计。
对用户历史操作数据进行数据统计的目的在于，总结出用户的操作习惯，以便于根据用户操作习惯及时调节闪存的参数设置，从而实现闪存参数的自适应调节，提高闪存的适用性，使得闪存在不同操作习惯下的性能均可以通过自适应调整参数设置而达到最优。
优选的，用户历史操作数据包括：用户历史操作频率和/或历史数据存储类型。
示例性的，用户历史操作频率可以是预设时间段内进行读、写、擦的频率，例如读取闪存的频率；历史数据存储类型可以是预设时间段内用户存储数据的数据类型，例如是存储的是“0”还是“1”。
S220、根据数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应用户历史操作数据对应的使用环境。
由于闪存的不同参数设置可以使得闪存具有不同的性能，因而，根据数据统计的结果调整闪存的参数设置是为了将闪存当前所表现的性能更好地适配于用户操作习惯，以使闪存在各种不同的操作或使用习惯下都可以达到最优性能，适应于用户历史操作数据对应的使用环境，进而提高闪存在不同使用环境下的适用性。
可选的，可在闪存中预存至少一种调整模型，每个调整模型中可对应设置预存的统计结果以及该统计结果对应的最优参数。示例性的，可将闪存中预存的几种统计结果与实际的数据统计的结果进行比对，来确定如何调整闪存的参数设置。举例而言，若实际的数据统计的结果符合预存的几种统计结果的其中之一，则可按照符合的预存的统计结果相对应的调整模型进行调整，即将闪存的参数设置为该调整模型下对应的最优参数。
优选的，参数设置包括：控制电压、控制时间以及操作模式中的至少一个参数设置。
示例性的，对于NAND FLASH而言，控制电压例如可以是VREAD、VPGM、VPASS、VERS等；控制时间例如可以是读取时间tR、tPGM、tERS等；操作模式可以是闪存中预存的几种操作模式。可选的，参数设置还可以包括PV和EV。由于各参数之间存在相互影响的关系，因而在调整时可不限于对一种参数设置进行调整，以达到用户历史操作数据对应的使用环境下的最优使用性能为调整目的即可，在此不作限定。
优选的，根据数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应用户历史操作数据对应的使用环境，包括：
若数据统计的结果满足预设操作模式条件，则调整闪存的参数设置，以适应与预设操作模式相对应的使用环境。
可选的，可在闪存中预存至少一种预设操作模式，每种预设操作模式对应于一种模式条件，当满足该模式条件时，则触发模式切换指令，进行相应的模式切换，或将闪存的参数设置相应调整为该预设操作模式所对应的参数，从而将闪存在该种使用环境下的性能调整到最优。
优选的，所述预设操作模式包括：高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式、低功耗模式中的至少一种操作模式。
以NAND FLASH为例，对于高速读取模式，可通过减小program/erase的pulse强度，增大counter，进而降低program/erase速度，使得存储单元阈值电压的分布被收紧，提高了精度和cell margin，从而使得读的准确性提高，最终提高读取速度；对于高速缓存模式，可通过增大program/erase的pulse强度，减小counter数目，以提高program/erase的速度，可选的，在读取时可采用多次改变VREAD，即进行多次read retry来补偿快速读取而导致的cell margin降低；对于连续读取模式，可通过适当降低VREAD以降低read disturb对存储单元阈值电压的分布的影响；对于低功耗模式，可通过降低闪存的read/program/erase的性能，来降低闪存的功耗。
本实施例的技术方案，通过对获取的闪存的用户历史操作数据进行数据统计，并根据该数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应用户历史操作数据对应的使用环境，利用了根据用户操作习惯适应性调整闪存性能的优点，解决了现有技术中闪存的参数性能不可调节而导致的闪存在其他环境下的使用性能无法达到最优的问题，实现了闪存参数的自适应调整，提高了闪存的适用性。
实施例三
本发明实施例三还提供了一种终端设备，该终端设备使用如本发明实施例一提供的用于闪存的参数调整装置时，可实现如本发明实施例二提供的用于闪存的参数调整方法，该方法包括：获取闪存的用户历史操作数据并对所述用户历史操作数据进行数据统计；根据所述数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应所述用户历史操作数据对应的使用环境。
当然,本发明实施例所提供的一种终端设备,其上使用如本发明实施例一提供的参数调整装置时不限于实现如上所述的方法操作,还可以实现本发明任意实施例所提供的用于闪存的参数调整方法中的相关操作。
通过以上关于实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，本发明可借助软件及必需的通用硬件来实现，当然也可以通过硬件实现，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以硬件产品的形式体现出来，该硬件产品可以设置在各种终端设备中，如计算机、手机、智能手表等，包括若干指令用以使得终端设备执行本发明各个实施例所述的方法。
值得注意的是，上述用于闪存的参数调整装置的实施例中，所包括的各个模块只是按照功能逻辑进行划分的，但并不局限于上述的划分，只要能够实现相应的功能即可；另外，各功能模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本发明的保护范围。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种用于闪存的参数调整装置，其特征在于，包括：
数据统计模块，用于获取闪存的用户历史操作数据并对所述用户历史操作数据进行数据统计；
参数调整模块，用于根据所述数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应所述用户历史操作数据对应的使用环境。
2.根据权利要求1所述的参数调整装置，其特征在于，所述用户历史操作数据包括：用户历史操作频率和/或历史数据存储类型。
3.根据权利要求1所述的参数调整装置，其特征在于，所述参数设置包括：控制电压、控制时间以及操作模式中的至少一个参数设置。
4.根据权利要求1所述的参数调整装置，其特征在于，所述参数调整模块具体用于：
若所述数据统计的结果满足预设操作模式条件，则调整闪存的参数设置，以适应与所述预设操作模式相对应的使用环境。
5.根据权利要求4所述的参数调整装置，其特征在于，所述预设操作模式包括：高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式、低功耗模式中的至少一种操作模式。
6.一种用于闪存的参数调整方法，其特征在于，包括：
获取闪存的用户历史操作数据并对所述用户历史操作数据进行数据统计；
根据所述数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应所述用户历史操作数据对应的使用环境。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述参数设置包括：控制电压、控制时间以及操作模式中的至少一个参数设置。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述数据统计的结果调整闪存的参数设置，以适应所述用户历史操作数据对应的使用环境，包括：
若所述数据统计的结果满足预设操作模式条件，则调整闪存的参数设置，以适应与所述预设操作模式相对应的使用环境。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预设操作模式包括：高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式、低功耗模式中的至少一种操作模式。
10.一种终端设备，其特征在于，所述设备包括权利要求1-5中任一项所述的参数调整装置。
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