CN109283410B - 电容测试器件及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种电容测试器件及其形成方法。电容测试器件包括：由N个等效电容单元串联连接而构成的电容测试链；与电容测试链中的第1个等效电容元件电性连接的第一接触层；以及，与电容测试链中的第N个等效电容元件电性连接的第二接触层。在对电容测试器件进行检测时，可通过对第一接触层和第二接触层施加相应的电信号，并根据反馈信号以获取等效电容单元中电容元件的电容参数。本发明中基于多个等效电容单元实现所形成的电容元件的电容参数的检测，能够更为精确的反映出对应的电容器件的制备工艺是否存在异常，并判断所形成的电容器件的性能。

Description

电容测试器件及其形成方法
技术领域
本发明涉及集成电路半导体技术领域，特别涉及一种电容测试器件及其形成方法。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，为判断所形成的器件是否符合工艺要求，通常于器件的制作过程中或制作完成后需经一系列的测试，例如晶圆的可靠性测试(waferacceptable test，WAT)。WAT测试大多以完成加工工艺之后的芯片为测试对象，测试的结果可作为判断芯片是否合格的依据。
具体而言，在制备电容器件时，为能够判断出所形成的电容器件的性能，通常需要同时形成电容测试器件，从而可通过对所述电容测试器件进行检测，以此反应出所制备的电容器件是否符合要求。目前所采用的电容测试器件其结构通常较为简单，例如仅具有一个等效电容单元。
然而，随着半导体技术的日益成熟，超大规模集成电路迅速发展，具有更好性能和更强功能的集成电路要求更大的器件密度。对应于电容测试器件而言，单一的等效电容单元已不能够有效反映出对应的电容器件的制备工艺以及所制备出的电容器件的性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电容测试器件，以解决现有的电容测试器件无法精确的反映出对应的电容器件的制备工艺是否异常以及所制备出的电容器件的性能。
为解决上述技术问题，本发明提供一种电容测试器件，包括：
一电容测试链，所述电容测试链包括N个串联连接的等效电容单元， N为大于1的正整数，所述等效电容单元具有下电极和包覆所述下电极的上电极；
一第一接触层，形成在所述电容测试链的第1个等效电容单元的所述上电极上，并与所述第1个等效电容单元的所述上电极电性连接；以及，
一第二接触层，当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层形成在第N个等效电容单元的所述上电极上，并与所述第N个等效电容单元的所述上电极电性连接；当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述下电极的下方，并与所述第N个等效电容单元的所述下电极电性连接。
可选的，当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量等于2时，第1个等效电容单元和第2个等效电容单元的所述下电极相互电性连接，所述第2个等效电容单元的上电极连接至所述第二接触层，以使所述第1 个等效电容单元和所述第2个等效电容单元串联连接；以及，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量大于2时，由所述第1 个等效电容单元起，两两相邻的两个等效电容单元的下电极电性连接，以及由所述第2个等效电容单元起，两两相邻的两个等效电容单元的上电极电性连接，以使N个所述等效电容单元串联连接。
可选的，所述电容测试器件还包括至少一个第一导电层和隔离层，所述隔离层覆盖所述第一导电层，所述等效电容单元的所述下电极贯穿所述隔离层并形成在所述第一导电层上，以和所述第一导电层电性连接，并且所述下电极相互电性连接的相邻的所述等效电容单元中，所述下电极形成在同一所述第一导电层上，以通过所述第一导电层相互电性连接。
可选的，所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数，所述第N个等效电容单元的所述下电极贯穿所述隔离层并形成在所述第二接触层上，并且所述第二接触层与所述第一导电层位于同一结构层中。
可选的，所述电容测试器件还包括：
第二导电层，形成在所述等效电容单元的所述上电极上，并和所述上电极电性连接，并且所述上电极相互电性连接的相邻的所述等效电容单元中，所述上电极连接至同一所述第二导电层，以通过所述第二导电层相互电性连接。
可选的，当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第一接触层、所述第二接触层和所述第二导电层位于同一结构层中；当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第一接触层和所述第二导电层位于同一结构层中。
可选的，所述电容测试器件具有器件区和接触区，所述电容测试链的所述等效电容单元形成在所述器件区中，所述第一接触层形成在所述第1 个等效电容单元的所述上电极上，并由所述器件区延伸至所述接触区；其中，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述上电极上，并由所述器件区延伸至所述接触区；
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述下电极的下方，并由所述器件区延伸至所述接触区。
可选的，所述等效电容单元的所述下电极包括一筒状结构，所述上电极覆盖所述下电极的筒内表面和筒外表面，所述第一接触层形成在第1个等效电容单元的所述筒状结构的上方，并从所述筒状结构的顶部沿着所述筒状结构的筒外表面延伸至所述筒状结构的底部，以进一步延伸至接触区中；其中，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述筒状结构的上方，并从所述筒状结构的顶部沿着所述筒状结构的筒外表面延伸至所述筒状结构的底部，以进一步延伸至所述接触区中；
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述筒状结构的下方，并延伸至所述接触区中。
可选的，所述等效电容单元中形成有多个所述下电极，所述上电极包覆多个所述下电极，以使每一所述下电极均与对应的所述上电极构成一电容元件，并且同一所述等效电容单元中的多个所述下电极相互电性连接，以使同一所述等效电容单元中多个所述下电极所对应的多个所述电容元件并联连接。
可选的，所述电容测试器件还包括一互连层，所述互连层覆盖所述电容测试链、所述第一接触层和所述第二接触层，并且所述互连层中形成有第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构与所述第一接触层电性连接，所述第二互连结构与所述第二接触层电性连接。
可选的，所述第一互连结构包括第一导电插塞和第一测试垫，所述第一导电插塞的底部连接至所述第一接触层，所述第一导电插塞的顶部连接至所述第一测试垫；以及，所述第二互连结构包括第二导电插塞和第二测试垫，所述第二导电插塞的底部连接至所述第二接触层，所述第二导电插塞的顶部连接至所述第二测试垫。
可选的，所述等效电容单元的所述下电极包括一筒状结构，所述上电极覆盖所述筒状结构的筒内表面和筒外表面，所述第一接触层形成在第1 个等效电容单元的所述筒状结构的上方，并从所述筒状结构的顶部沿着所述筒状结构的筒外表面延伸至所述筒状结构的底部，以进一步延伸至接触区中；其中，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述筒状结构的上方，并从所述筒状结构的顶部沿着所述筒状结构的筒外表面延伸至所述筒状结构的底部，以进一步延伸至所述接触区中；
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述筒状结构的下方，并延伸至所述接触区中。
可选的，所述第一互连结构的底部连接至所述第一接触层位于所述筒状结构上方的第一引出部，其中，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二互连结构的底部连接至所述第二接触层位于所述筒状结构上方的第二引出部；
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二互连结构的底部连接至所述第二接触层位于所述接触区的部分，所述第二互连结构的高度大于所述第一互连结构的高度。
本发明还提供了一种电容测试器件的形成方法，包括：
提供一衬底，所述衬底具有N个用于形成等效电容单元的单元区，N 为大于1的偶数；
依次形成下电极和上电极在所述衬底的所述单元区中，所述上电极包覆所述下电极，并由所述下电极和所述上电极形成一等效电容单元在每一所述单元区中，多个所述单元区中的多个所述等效电容单元串联连接以构成一电容测试链；以及，
形成第一接触层在所述电容测试链的第1个等效电容单元的所述上电极上，并形成第二接触层在所述电容测试链的第N个等效电容单元的所述上电极上。
可选的，所述电容测试链中，由所述第1个等效电容单元起，两两相邻的两个所述等效电容单元的所述下电极通过一第一导电层电性连接；其中，在形成所述下电极之前，还包括依次形成至少一个所述第一导电层和隔离层在所述衬底上，所述隔离层覆盖所述第一导电层；以及，在形成所述下电极时，所述下电极贯穿所述隔离层并形成在所述第一导电层上。
可选的，所述下电极和所述上电极的形成方法包括：
形成一牺牲层在所述衬底上，所述牺牲层中开设有多个开口；
形成下电极在所述开口的侧壁和底壁上，以使所形成的所述下电极具有一筒状结构；
去除所述牺牲层，以暴露出所述下电极的所述筒状结构的筒内表面和筒外表面；以及，
形成所述上电极在所述下电极的所述筒状结构的筒内表面和所述筒外表面上。
可选的，所述第一接触层和所述第二接触层的形成方法包括：
形成顶层导电材料层在所述衬底上，所述顶层导电材料层覆盖每一所述等效电容单元的所述上电极；
截断所述顶层导电材料层，并使所述顶层导电材料层中位于所述第1 个等效电容单元上的部分构成所述第一接触层，所述顶层导电材料层中位于所述第N个等效电容单元上的部分构成所述第二接触层。
可选的，所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量大于2，并由所述第2个等效电容单元起，两两相邻的两个等效电容单元的所述上电极通过一第二导电层电性连接；
其中，所述第二导电层利用所述顶层导电材料层形成，其形成方法包括：截断所述顶层导电材料层时，使所述顶层导电材料层中位于所述两两相邻的两个等效电容单元上的部分构成第二导电层。
可选的，在形成所述第一接触层和所述第二接触层之后，还包括：
形成一互连层在所述衬底上，所述互连层覆盖所述电容测试链、所述第一接触层和所述第二接触层，所述互连层中形成有第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构的底部连接至所述第一接触层，所述第一互连结构的顶部延伸至所述互连层的顶表面，所述第二互连结构的底部连接至所述第二接触层，所述第二互连结构的顶部延伸至所述互连层的顶表面。
本发明的另一目的在于提供另一种电容测试器件的形成方法，包括：
提供一衬底，所述衬底具有N个用于形成等效电容单元的单元区，N 为大于1的奇数；
形成第二接触层在第N个单元区的衬底上；
依次形成下电极和上电极在所述衬底的所述单元区中，所述上电极包覆所述下电极，并由所述下电极和所述上电极形成一等效电容单元在每一所述单元区中，多个所述单元区中的多个所述等效电容单元串联连接以构成一电容测试链，其中位于所述第N个单元区中的第N个等效电容单元的下电极形成在所述第二接触层上；以及，
形成第一接触层在所述电容测试链的第1个等效电容单元的上电极上。
可选的，所述电容测试链中，由所述第1个等效电容单元起，两两相邻的两个等效电容单元的下电极通过一第一导电层电性连接；其中，
所述第一导电层和所述第二接触层利用同一底层导电材料层形成，其形成方法包括：形成底层导电材料层在所述衬底上，所述底层导电材料层延伸覆盖N个所述单元区的衬底；截断所述底层导电材料层，并使所述底层导电材料层位于两两相邻的两个单元区中的部分构成第一导电层，使所述底层导电材料层中位于所述第N个单元区中的部分构成所述第二接触层；
以及，在形成所述下电极时，所述两两相邻的两个单元区中的下电极形成在同一所述第一导电层上。
可选的，所述衬底上定义有一器件区和一接触区，N个所述单元区设置在所述器件区中；以及，所述第一接触层和所述第二接触层均部分形成在所述器件区中并延伸至所述接触区中。
可选的，在形成所述第一接触层和所述第二接触层之后，还包括：
形成一互连层在所述衬底上，所述互连层覆盖所述电容测试链、所述第一接触层和所述第二接触层，并且所述互连层中形成第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构与所述第一接触层位于所述器件区中的部分电性连接，所述第二互连结构与所述第二接触层位于所述接触区中的部分电性连接。
在本发明提供的电容测试器件中，具有多个串联连接的等效电容单元，并构成了一电容测试链，在对该电容测试器件进行检测时，通过对电容测试链的两端施加相应的电信号，并根据反馈信号，从而可以获取等效电容单元中电容元件的电容参数。可见，本发明中的电容测试器件，是结合多个等效电容单元检测出等效电容单元中电容元件的电容参数，从而能够更为精确的反映出对应的电容器件的制备工艺是否存在异常，并准确的判断出所形成的电容器件的性能。
进一步的，针对具有偶数个等效电容单元的电容测试链而言，由于第一接触层和第二接触层均是形成在等效电容单元的上电极上的，因此在完成等效电容单元的制备并形成第一接触层和第二接触层时，第一接触层和第二接触层即位于结构的最上方并暴露出，此时测试探针可以直接接触第一接触层和第二接触层，从而可以及时地对所形成的电容测试器件进行检测，而不需要等到后段的互连工艺完成之后，才对述电容测试链进行检测。可见，针对具有偶数个等效电容单元的电容测试链而言，不仅能够在完成电容元件的制备工艺之后及时的检测所制备的等效电容单元中电容元件的参数性能；并且，在完成后段的互连工艺之后，仍然还可以再次对电容测试链进行检测，以进一步确认后段的工艺是否对其下方的器件造成影响。
附图说明
图1a为一种电容测试器件的俯视图；
图1b为图1a所示的一种电容测试器件在aa’方向上的剖面示意图；
图2为本发明实施例一中的电容测试器件的等效电路图；
图3a为本发明实施例一中的电容测试器件的俯视图；
图3b为图3a所示的本发明实施例一中的电容测试器件沿着aa’方向的剖面示意图；
图3c为本发明实施例一中的电容测试器件其形成有互连层的结构示意图；
图4a为本发明实施例二中的电容测试器件的俯视图；
图4b为图4a所示的本发明实施例一中的电容测试器件沿着aa’方向的剖面示意图；
图5为本发明实施例三中的电容测试器件的俯视图；
图6为本发明实施例四中的电容测试器件的形成方法的流程示意图；
图7a～图7e为本发明实施例四中的电容测试器件在其制备过程中的结构示意图；
图8为本发明实施例五中的电容测试单元的形成方法的流程示意图。
其中，附图标记如下：
10-电容元件；
20L-第一接触层； 20R-第二接触层；
30-隔离层； 40-互连层；
41L-第一导电插塞； 42L-第一测试垫；
41R-第二导电插塞； 42R-第二测试垫；
100-电容测试链；
1001-第1个等效电容单元； 1002-第2个等效电容单元；
1003-第3个等效电容单元； 1004-第4个等效电容单元；
100N-第N个等效电容单元；
110L-第一接触层；
111L-第一引出部； 112L-第一接触部；
110R/110R’-第二接触层；
111R/111R’-第二引出部； 112R/112R’-第二接触部；
120-第一导电层； 130-隔离层；
140-第二导电层；
200-互连层；
200L-第一互连结构
210L-第一导电插塞； 220L-第一测试垫；
200R-第二互连结构；
210R-第二导电插塞； 220R-第二测试垫；
230-保护层；
300-衬底；
320-第一导电层； 330-隔离层；
340-牺牲层； 341-开口；
351-支撑材料层； 350-支撑层；
360L-第一接触层； 360R-第二接触层；
AA-器件区； BB-接触区；
A1-第1个单元区； A2-第2个单元区；
C-电容元件
P1-下电极； P2-上电极。
具体实施方式
如背景技术所述，现有的电容测试器件的结构较为简单。例如图1a和图1b所示的一种电容测试器件的结构示意图，其中图1a为一种电容测试器件的俯视图，图1b为图1a所示的一种电容测试器件在aa’方向上的剖面示意图。需要说明的是，为能够更为明晰的示意出电容测试器件的结构，图1a中的部分组件未示出。
如图1a和图1b所述，电容测试器件包括一电容元件10，所述电容元件10的上电极连接至第一接触层20L，以用于连接至第一电源，所述电容元件10的下电极连接至第二接触层20R，以用于连接至第二电源。在对所述电容测试器件进行检测时，对第一接触层20L和第二接触层20R施加相应的电信号，即相当于对电容元件10的上电极和下电极施加电信号，并获取反馈信号，进而可以得出电容测试器件中电容元件的电容参数。
如图1a和图1b所述，现有的电容测试器件中通常只有一个电容元件 10，而单一电容元件10已无法准确的表针随着密集度不断增加的电容器件的性能。
此外，继续参考图1a和图1b所述，现有的电容测试器件中，第二接触层20R形成在电容元件10的下电极的下方，因此在完成电容元件10的制备工艺时，所述第二接触层20R会被掩埋在器件的下方，而未暴露出。例如图1b所示，通常在所述第二接触层20R上会形成有一隔离层30，以避免形成在第二接触层20R上的其他组件(例如上电极)与第二接触层20R电性连接。此时，在所述隔离层30的覆盖下，会使所述第二接触层20R未暴露出，从而无法引出所述第二接触层20R，进而不能够直接对电容元件 10进行检测。因此，现有的工艺中，通常是在完成后段的互连工艺，以引出第一接触层20L和第二接触层20R之后，再对所述电容元件10的电容参数进行检测。
具体参考图1b所述，在形成所述电容元件10之后，形成互连层40在所述电容元件10、第一接触层20L和第二接触层20R上，所述互连层40 中形成有第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构包括连接至第一接触层20L的第一导电插塞41L和与所述第一导电插塞41L电性连接的第一测试垫42L，所述第二互连结构包括连接至第二接触层20R的第二导电插塞41R和与所述第二导电插塞41R电性连接第二测试垫42R。
此时，即可利用例如测试探针，对所述第一测试垫42L和第二测试垫 42R施加相应的电性号，如此以对电容元件进行检测。
由此可见，现有的电容测试器件无法及时的在其完成电容元件的制备工艺之后，直接对电容测试器件的电容元件进行检测，而需要在后段的互连工艺完成之后，方能够对电容元件进行检测。如此，即会导致电容元件的检测滞后，从而无法及时的发现所制备出的电容元件是否具有缺陷，以及不能够及时的反映出电容元件的制备工艺是否存在异常。
为此，本发明提供了一种电容测试器件，包括：
一电容测试链，所述电容测试链包括N个串联连接的等效电容单元， N为大于1的正整数，所述等效电容单元具有下电极和包覆所述下电极的上电极；
一第一接触层，形成在所述电容测试链的第1个等效电容单元的所述上电极上，并与所述第1个等效电容单元的所述上电极电性连接；以及，
一第二接触层，当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层形成在第N个等效电容单元的所述上电极上，并与所述第N个等效电容单元的所述上电极电性连接；当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述下电极的下方，并与所述第N个等效电容单元的所述下电极电性连接。
即本发明提供的电容测试器件中，具有多个串联连接的等效电容单元，从而可以改善单一电容元件无法准确的表针随着密集度不断增加的电容器件的性能的问题。
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的电容测试器件及其形成方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
实施例一
图2为本发明实施例一中的电容测试器件的等效电路图，如图2所示，本实施例中的电容测试器件包括：
一电容测试链100，所述电容测试链100包括N个串联连接的等效电容单元(1001……100N)，N为大于1的正整数；其中，所述等效电容单元具有下电极P1和包覆所述下电极P1的上电极P2，即从第1个等效电容单元至第N个等效电容单元，相邻的所述等效电容单元之间的其中一个电极相互连接，以使N个所述等效电容单元串联连接；所述下电极P1和所述上电极P2即能够构成电容元件，相当于所述等效电容单元中形成有至少一个电容元件，以及在所述上电极P3和所述下电极P1之间还形成有电容介质层；
一第一接触层110L，形成在所述电容测试链100的第1个等效电容单元1001的所述上电极P1上，并与所述第1个等效电容单元1001的所述上电极P1电性连接，以用于连接至第一电源；
一第二接触层110R，形成在所述电容测试链100的第N个等效电容单元100N的所述上电极P2上或下电极P1的下方，以用于连接至第二电源。
具体的，当所述电容测试链100中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层110R形成在第N个等效电容单元100N的所述上电极 P2上，并与所述第N个等效电容单元100N的所述上电极P2电性连接；当所述电容测试链100中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层110R形成在所述第N个等效电容单元100N的所述下电极P1的下方，并与所述第N个等效电容单元100N的所述下电极P1电性连接。
由于所述电容测试链100中的N个等效电容单元串联连接。其中，N 个所述等效电容单元均是在同一工艺制程中形成，因此N个等效电容单元具备相同或相近的等效电容值C1，进而所述电容测试链100的总电容值 CA＝1/NC1。
当对所述电容测试链100进行检测时，在第一接触层110L和第二接触层110R两端施加电信号，并检测出现相应的反馈信号。例如，对第一接触层110L和第二接触层110R两端施加电流，并检测出相应的电压，从而可以获取所述电容测试链100的实际总电容值，此时即可得出一个等效电容单元的近似电容值。
可以理解的是，本实施例中的电容测试器件中由于具有多个等效电容单元，从而可基于多个等效电容单元判断电容器件的制备工艺是否异常。相比于仅利用一个等效电容单元判断电容器件的制备工艺而言，本实施例中的电容测试器件能够更为精确的判断出电容器件的制备工艺是否异常，以及能够更为准确的反映出所制备出的具备功能性的电容器件的性能。
如上所述，电容测试链中的N个等效电容单元串联连接。其中：
当所述电容测试链中100的所述等效电容单元的数量等于2时(当 N＝2)，第1个等效电容单元1001和第2个等效电容单元1002的所述下电极P1相互电性连接，所述第2个等效电容单元1002的所述上电极P2连接至所述第二接触层110R，以使所述第1个等效电容单元1001和所述第2 个等效电容单元1002串联连接；
或者，继续参考图2所示，当所述电容测试链100中的所述等效电容单元的数量大于2时(即，N>2)，则由所述第1个等效电容单元1001起，两两相邻的两个所述等效电容单元的所述下电极P1电性连接，以及由所述第2个等效电容单元1002起，两两相邻的两个所述等效电容单元的所述上电极P2电性连接，如此，以使N个所述等效电容单元串联连接。
需要说明的是，第N个等效电容单元100N为上电极P2连接至第二接触层110R，或者第N个等效电容单元100N为下电极P1连接至所述第二接触层110R，此取决于电容测试链100中等效电容单元的数量。如上所述，当所述电容测试链100中的所述等效电容单元的数量为奇数时，则第N个等效电容单元100N的下电极P1连接至第二接触层110R；当所述电容测试链100中的所述等效电容单元的数量为偶数时，则第N个等效电容单元 100N的上电极P2连接至第二接触层110R。
下面结合电容测试器件的具体结构示意图，对本实施例中的电容测试器件进行详细说明。图3a为本发明实施例一中的电容测试器件的俯视图，图3b为图3a所示的本发明实施例一中的电容测试器件沿着aa’方向的剖面示意图。应当认识到，为能够更为明晰的体现本实施例中电容测试器件的结构，附图中并未完成示出所述电容测试器件的所有组件。
如图3a和图3b所示，本实施例中，以所述电容测试链100中具有2 个等效电容单元为例进行解释说明。进一步的，所述电容测试链100具有一器件区AA和一接触区BB，所述电容测试链100的所述等效电容单元形成在所述器件区AA中，以及所述第一接触层110L和所述第二接触层110R 均部分形成在所述器件区AA中并延伸至所述接触区BB中。
具体的，所述等效电容单元中，下电极P1和包覆所述下电极P1的上电极P2均形成在所述器件区AA中，所述下电极P1和所述上电极P2能够构成电容元件C。其中，由于下电极P1被所述上电极P2包覆，因此相对于所述上电极P2而言，所述下电极P1被掩埋在器件结构中而未暴露出。
继续参考图3a和图3b所述，所述第一接触层110L部分形成在所述第 1个等效电容单元的所述上电极P2上，并由所述器件区AA中延伸至所述接触区BB中，从而可以在所述接触区BB使所述第一接触层110L连接至第一电源上。具体的，所述第一接触层110L包括形成在所述上电极P2上的第一引出部111L和延伸至所述接触区BB中的第一接触部112L，所述第一接触部112L具有一较大表面积的接触面，在测试过程中，可使对应第一电源的测试探针能够与所述第一接触部112L的接触面电性连接。
所述第二接触层110R形成在第2个等效电容单元1002的所述上电极 P2，并由所述器件区AA中延伸至所述接触区BB中，从而可以在所述接触区BB使所述第二接触层110R连接至第二电源上。类似的，所述第二接触层110R包括形成在所述上电极P2上的第二引出部111R和延伸至所述接触区BB中的第二接触部112R，所述第二接触部112R具有一较大表面积的接触面，在测试过程中，可使对应第二电源的测试探针与所述第二接触部112R 的接触面电性连接。
继续参考图3a和图3b所述，所述电容测试器件还包括至少一个第一导电层120和一隔离层130，所述隔离层130覆盖所述第一导电层120，用于避免第一导电层120与其上方的其他导电元件电性连接(例如，避免第一导电层120与上电极P2电性连接)，并且基于所述隔离层130的覆盖，使所述第一导电层120未暴露出。
其中，所述等效电容单元的所述下电极P1贯穿所述隔离层130并形成在所述第一导电层120上，以和所述第一导电层120电性连接，并且所述下电极P1相互电性连接的相邻的所述等效电容单元中，所述下电极P1形成在同一所述第一导电层120上。如此，即可使下电极P1相互电性连接的相邻的所述等效电容单元中，通过所述第一导电层120实现其下电极P1相互电性连接。本实施例中，第1个等效电容单元1001的下电极P1和第2 个等效电容单元1002的下电极P1形成在同一第一导电层120上。
如上所述，本实施例中，第一接触层110L和第二接触层110R均是形成在上电极P2上的，因此在电容测试器件的电容元件制备完成并形成第一接触层110L和第二接触层110R之后，对应第一电源的测试探针和对应第二电源的测试探针即可以直接电性连接至所述第一接触层110L和第二接触层110R，从而即能够直接对电容测试器件的电容元件C进行检测。即，在对本实施例中的电容测试器件进行测试时，可以利用测试探针直接电性连接至第一接触层110L和第二接触层110R。
可见，本实施例中，并不需要等到后段的互连工艺完成，即可以及时的对电容元件C进行检测，从而能够及时的判断出电容元件的制备工艺是否异常，并且所检测出的电容元件的电容参数能够更为准确的表针具备功能性的电容元件的实际电容参数，而不会受到后段的互连工艺的影响。
继续参考图3a和图3b所示，本实施例中，每一所述等效电容单元中均形成有多个下电极P1，所述等效电容单元中的所述上电极P2包覆多个所述下电极P1，以使每一个所述下电极P1均与对应的所述上电极P2构成一个电容元件C。可以理解的是，每一所述等效电容单元中，同一所述上电极P2覆盖多个所述下电极P1。进一步的，同一所述等效电容单元中的多个所述下电极P1相互电性连接，如此，即可使同一所述等效电容单元中, 多个所述下电极P1所对应的多个所述电容元件C并联连接。本实施例中，同一等效电容单元中的多个下电极P1形成在同一第一导电层120上，以使同一等效电容单元中的多个所述下电极P1相互电性连接。
即，本实施例中，每一个等效电容单元中具有M个并联连接的电容元件C，每一所述电容元件C均具有相同或接近的电容值C2，因此所述等效电容单元的等效电容值C1＝MC2。
需要说明的是，在具有功能性的电容器件中，其通常包括多个电容元件，多个电容元件以预定的密集度排布。因此，为确保电容测试器件能够准确反映出具有功能性的电容器件的性能，可以使所述电容测试器件的每一等效电容单元中相应的具备多个电容元件，并且多个电容元件可以采用与具有功能性的电容器件中的电容元件相同的排布方式排布。如此，即可根据所述电容测试器件更为精确的推断出具有功能性的电容器件的性能。
继续参考图3a和图3b所示，所述下电极P1包括一筒状结构，所述上电极P2覆盖所述下电极P1的筒内表面和筒外表面，以使所述下电极P1分别在筒内表面和筒外表面和所述下电极P2均构成电容。即，每一等效电容单元中的每一电容元件C的电容值C2包括对应筒内表面的电容值和对应筒外表面的电容值。
本实施例中，所述下电极P1的所述筒状结构的底部贯穿所述隔离层 130并形成在所述第一导电层120上，所述上电极P2覆盖所述下电极P1 的筒状结构，并进一步延伸覆盖所述隔离层130。
进一步的，所述第一接触层110L形成在第1个等效电容单元1001的所述筒状结构的上方，并从所述筒状结构的顶部沿着所述筒状结构的筒外表面延伸至所述筒状结构的底部，以进一步延伸至接触区BB中。即，所述第一接触层110L的第一引出部111L位于所述筒状结构的上方，并对应在所述筒状结构的顶部位置，所述第一接触层110L的第一接触部112L对应所述筒状结构的底部位置。以及，本实施例中，所述第二接触层110R也部分形成在所述第2个等效电容单元1002的所述筒状结构的上方，并从所述筒状结构的顶部沿着所述筒状结构的筒外表面延伸至所述筒状结构的底部，以进一步延伸至所述接触区BB中，从而使所述第二接触层110R的第二引出部111R位于所述筒状结构的上方，并对应在所述筒状结构的顶部位置，所述第二接触层110R的第二接触部112R对应所述筒状结构的底部位置。
此外，在可选的方案中，所述电容测试器件还可以包括一互连层，所述互连层形成在所述电容测试链100上，以用于进一步引出所述电容测试链100。
图3c为本发明实施例一中的电容测试器件其形成有互连层的结构示意图。如图3c所示，所述互连层200包括第一互连结构200L和第二互连结构200R，所述互连层200中的第一互连结构200L的底部连接至第一接触层110L，第一互连结构200L的顶部延伸至互连层200的顶表面；以及，所述互连层200的第二互连结构200R的底部连接至所述第二接触层110R，所述第二互连结构200R的顶部延伸至互连层200的顶表面。
进一步的，所述第一互连结构200L包括至少一个第一导电插塞210L 和第一测试垫220L，所述第一导电插塞210L的底部连接至所述第一接触层 110L，所述第一导电插塞210L的顶部连接至所述第一测试垫220L。类似的，所述第二互连结构200R包括至少一个第二导电插塞210R和第二测试垫 220R，所述第二导电插塞210R的底部连接至所述第二接触层110R，所述第二导电插塞210R的顶部连接至所述第二测试垫220R。
本实施例中，第一接触层110L部分形成在第1个等效电容单元1001 的所述上电极P2上而部分位于器件区AA中，第二接触层110R部分形成在第2个等效电容单元1002的所述上电极P2上而部分位于器件区AA中，因此第一互连结构200L可以形成在器件区AA中并位于第1个等效电容单元 1001的上方，从而可以和所述第一接触层110L的第一引出部111L电性连接；所述第二互连结构200R可以形成在器件区AA中并位于第2个等效电容单元1002的上方，以和所述第二接触层110R的第二引出部111R电性连接。
需要说明的是，本实施例中的所述下电极P1包括筒状结构，第一接触层110L的第一引出部111L形成在第1个等效电容单元1001的所述筒状结构的上方，所述第二接触层110R的第二引出部111R形成在第2个等效电容单元1002的所述筒状结构的上方。基于此，本实施例中即相当于使所述第一互连结构200L的所述第一导电插塞210L的底部连接至所述第一接触层110L位于所述筒状结构上方的第一引出部111L，以及使所述第二互连结构200R的所述第二导电插塞210R的底部连接至所述第二接触层110R位于所述筒状结构上方的第二引出部111R。
由于第一接触层110L的第一引出部111L的位置对应下电极P1的筒状结构的顶部位置，以及第一接触层110L的第一接触部112L的位置对应下电极P1的筒状结构的底部位置，即第一接触层110L中，所述第一引出部 111L相对于所述第一接触部112L更接近所述互连层200的顶表面。因此，与所述第一导电插塞210L连接至第一接触层110L的第一接触部112L相比，使第一导电插塞210L的底部连接至所述第一接触层110L的第一引出部 111L上，能够有效降低所述第一导电插塞210L的高度，从而有利于降低所述第一导电插塞210L的制备难度，并提高所形成的第一导电插塞210L的品质。类似的，本实施例中，将第二导电插塞210R也连接至所述第二接触层110R的第二引出部111R上，因此所述第一互连结构200L的深度和所述第二互连结构200R的深度相同或相近。
当然应当认识到，第一接触层110L和第二接触层110R均延伸至接触区BB中，因此第一互连结构200L和第二互连结构200R也可以形成在接触区BB中，并使第一互连结构200L与第一接触层110L的第一接触部112L 电性连接，第二互连结构200R与第二接触层110R的第二接触部112R电性连接。
在对形成有所述互连层200的电容测试器件进行检测时，对应第一电源的测试探针接触所述第一测试垫220L，对应第二电源的测试探针接触第二测试垫220R，从而可以对电容测试链100进行检测。
可见，本实施例中的电容测试器件，在形成电容元件C之后，可以直接对所述电容元件C的电容参数进行检测，从而能够及时的获知所形成的电容元件C的性能，并且此时所获得的电容元件C的电容参数为摒除了后段的互连工艺而获取的电容参数，其能够更为精准的表针所述电容元件C 的性能。并且，在完成互连层200的制备工艺之后，还可以再次对所述电容测试器件进行检测，此时即能够判断出后段的互连工艺是否对前段所形成的电容元件总成影响，进一步监控最终所形成的电容元件C的性能。
此外，如图3c所示，在所述互连层200上还形成有一保护层230，所述保护层230用于保护所述电容测试器件。并且所述第一互连结构的第一测试垫220L和第二互连结构的第二测试垫220R均从所述保护层230中暴露出，以利于后续执行电容参数检测时，测试探针能够与第一测试垫220L 和第二测试垫220R接触。
实施例二
与实施例一相比，本实施例中电容测试器件的等效电容单元的数量大于2个，即N>2。本实施例中，以电容测试器件中具有3个等效电容单元为例进行说明，即本实施例中电容测试链的等效电容单元的数量为奇数个，此时所述第二接触层可形成在所述第N个等效电容单元的所述下电极的下方，并由器件区延伸至接触区。
图4a为本发明实施例二中的电容测试器件的俯视图，图4b为图4a所示的本发明实施例一中的电容测试器件沿着aa’方向的剖面示意图。结合图2和图4a～图4b所示，第1个等效电容单元1001的上电极P2电性连接至第一接触层110L，第1个等效电容单元1001的下电极P1和第2个等效电容单元1002的下电极P1相互电性连接，第2个等效电容单元1002的上电极P2与第3个等效电容单元1003的上电极P2相互电性连接，以及第3 个等效电容单元1003的下电极P1电性连接至第二接触层110R’。
具体的，第一接触层110L形成在第1个等效电容单元1001的上电极 P2上并延伸至接触区BB中；第1个等效电容单元1001的下电极P1和第2 个等效电容单元1002的下电极P1之间，通过形成在所述下电极P1下方的第一导电层120相互电性连接；第2个等效电容单元1002的上电极P2与第3个等效电容单元1003的上电极P2之间，通过形成在所述上电极P2上的一第二导电层140电性连接；以及，第二接触层110R’形成在第3个等效电容单元1003的下电极的下方并延伸至接触区BB。
其中，第一接触层110L中位于器件区AA中的部分构成第一引出部 111L，位于接触区BB中的部分构成第一接触部112L。以及，第二接触层 110R’中位于器件区AA中的部分构成第二引出部111R’，位于接触区BB 中的部分构成第一接触部112R’。
继续参考图4b所示，所述第二导电层140形成在所述等效电容单元的所述上电极P2上，并和所述上电极P2电性连接，并且所述上电极相互电性连接的相邻的所述等效电容单元中，所述上电极P2连接至同一所述第二导电层140，以通过所述第二导电层140相互电性连接。即，本实施例中，所述第二导电层140形成在第2个等效电容单元1002和第3个等效电容单元1003的上电极上，并且第二导电层140在第2个等效电容单元1002和第3个等效电容单元1003之间相互连接。
优选的方案中，所述第二导电层140和所述第一接触层110L可以位于同一结构层中。例如，所述第一接触层110L和所述第二导电层140利用同一顶层导电材料层，在同一工艺步骤中同时形成。
类似的，所述第二接触层110R’和所述第一导电层120也可以位于同一结构层中。例如，所述第二接触层110R’和所述第一导电层120利用同一底层导电材料层，在同一工艺步骤中同时形成。其中，所述第二接触层 110R’也可以由隔离层覆盖，因此所述第3个等效电容单元1003的所述下电极P1即贯穿所述隔离层并形成在所述第二接触层110R’上。
本实施例中，所述电容测试器件还包括互连层200，与实施例一类似的，所述互连层200中的第一互连结构200L的底部连接至第一接触层110L，第一互连结构200L的顶部延伸至互连层200的顶表面；以及，所述互连层的第二互连结构200R的底部连接至所述第二接触层110R’，所述第二互连结构200R的顶部延伸至互连层200的顶表面。
其中，所述第一互连结构200L包括第一导电插塞210L和第一测试垫220L，所述第一导电插塞210L可以形成在器件区AA中并位于第1个等效电容单元1001的上方，以和所述第一接触层110L的第一引出部111L电性连接，当然应当认识到，第一互连结构200L的第一导电插塞210L也可以形成在接触区BB中并使第一导电插塞210L的底部连接至第一接触层110L 的第一接触部112L上。以及，所述第二互连结构200R的第二导电插塞210R 形成在接触区BB中，并使第二导电插塞210R的底部连接至第二接触层 110R’延伸至接触区BB的第二接触部112R’上。即，本实施例中，所述第二导电插塞210R的高度大于所述第一导电插塞210L的高度。
实施例三
与实施例二相比，本实施例中电容测试链的等效电容单元的数量为偶数个。例如，所述电容测试链中具有4个等效电容单元。
如上所述，当电容测试链中具有偶数个等效电容单元时，则第一接触层和第二接触层均形成在等效电容单元的上电极上。因此，在完成等效电容单元中电容元件的制备工艺之后，即可以直接对电容元件进行检测，以及判断出所述电容元件的性能。
图5为本发明实施例三中的电容测试器件的俯视图，结合图2和图5 所示，第一接触层110L形成在第1个等效电容单元1001的上电极P2上并延伸至接触区BB，第1个等效电容单元1001的下电极P1和第2个等效电容单元1002的下电极P1之间，通过一个第一导电层120相互电性连接；第2个等效电容单元1002的上电极P2与第3个等效电容单元1003的上电极P2之间，通过第二导电层140电性连接；第3个等效电容单元1003的下电极P1和第4个等效电容单元1004的下电极P1之间，通过另一第一导电层120相互电性连接；以及，第二接触层110R形成在第4个等效电容单元1004的上电极P2上并延伸至接触区BB。由此，即形成4个串联连接的电容测试链。
本实施例中，所述第一接触层110L、第二导电层140和第二接触层110R 位于同一结构层中。具体的，所述第一接触层110L、第二导电层140和第二接触层110R均采用同一顶层导电材料层形成。以及，用于连接第1个等效电容单元1001和第2个等效电容单元1002的下电极的第一导电层120，和用于连接第3个等效电容单元1003和第4个等效电容单元1004的下电极的第一导电层120，该两个第一导电层120位于同一结构层中。具体的，可通过形成一底层导电材料层，并截断所述底层导电材料层，以分别构成两个分断的第一导电层120。
与实施例一类似的，本实施例中的电容测试器件还包括互连层，并且所述互连层的第一互连结构可以形成在器件区AA中，并与第一接触层110L 的第一引出部111L电性连接，以及所述互连层的第二互连结构也可以形成在器件区AA中，并与第二接触层110R的第二引出部111R电性连接。如此，即可使所述第一互连结构和第二互连结构在所述互连层均具备较小的深度，从而可以有效降低所述第一互连结构和第二互连结构的制备难度，并相应的可以提高所形成的第一互连结构和第二互连结构的品质。
需要说明的是，与实施例一类似的，本实施例中的电容测试器件也能够在完成电容元件的制备工艺之后，直接对电容元件的性能进行检测，并且在形成后段的互连工艺之后，还可以对电容测试器件在此进行检测。如此，即可以在屏除了互连工艺的影响，而更为精准的评估电容器件的制备工艺，并能够进一步推断出后续的互连工艺是否对所形成的电容元件造成影响。
实施例四
本实施例中提供了一种电容测试器件的形成方法。如上所述，基于电容测试链中等效电容单元的数量，第二接触层形成在电容测试链的第N个测试单元的上电极上，或者形成在电容测试链的第N个测试单元的下电极的下方。本实施例中，以形成具有偶数个等效电容单元的电容测试链为例进行解释说明。
图6为本发明实施例四中的电容测试器件的形成方法的流程示意图，如图6所示，所述电容测试器件的形成方法包括：
步骤S110，提供一衬底，所述衬底具有N个用于形成等效电容单元的单元区，N为大于1的偶数；
步骤S120，依次形成下电极和上电极在所述衬底的所述单元区中，所述上电极包覆所述下电极，并由所述下电极和所述上电极形成一等效电容单元在每一所述单元区中，多个所述单元区中的多个所述等效电容单元串联连接以构成一电容测试链；
步骤S130，形成一第一接触层在所述电容测试链的第1个等效电容单元的所述上电极上，并形成第二接触层在所述电容测试链的第N个等效电容单元的所述上电极上。
图7a～图7e为本发明实施例四中的电容测试器件在其制备过程中的结构示意图，以下结构附图对本实施例中电容测试器件的形成方法的各个步骤进行详细说明。
步骤S100中，具体参考图7a所示，提供一衬底300，所述衬底具有N 个用于形成等效电容单元的单元区，其中N为大于1的偶数。本实施例中，以形成具有2个等效电容单元的电容测试链为例，因此所述衬底中具有2 个单元区，分别为第1个单元区A1和第2个单元区A2。
进一步的，在所述衬底300上还定义有一器件区AA和一接触区BB，用于形成等效电容单元的所述单元区即对应在所述器件区AA中，以及后续所形成的第一接触层和第二接触层延伸至所述接触区BB中。
步骤200中，具体参考图7a～图7d所示，依次形成下电极P1和上电极P2在所述衬底300的所述单元区中，所述上电极P2包覆所述下电极P1，并由所述下电极P1和所述上电极P2构成等效电容单元在每一所述单元区中，多个所述单元区中的多个所述等效电容单元串联连接以形成一电容测试链。
其中，多个所述等效电容单元串联连接的连接方式例如为：
当所形成的电容测试链中的所述等效电容单元的数量等于2时(当N＝2)，则第1个等效电容单元3001和第2个等效电容单元3002的所述下电极P1相互电性连接；以及，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量大于2时(即，N>2)，则由所述第1个等效电容单元3001起，两两相邻的两个所述等效电容单元的所述下电极P1电性连接，其中下电极相互连接的相邻的所述等效电容单元中，可以利用一第一导电层实现两两相邻的等效电容单元中下电极的相互电性连接；以及，由所述第2个等效电容单元3002起，两两相邻的两个所述等效电容单元的所述上电极P2电性连接，如此，以使N个所述等效电容单元串联连接。
本实施例中，所述衬底300的器件区AA中定义有第1个单元区A1和第2个单元区A2，进而可形成第1个等效电容单元3001和第2个等效电容单元3002。以及，第1个等效电容单元3001的下电极P1和所述第2个等效电容单元3002的下电极P1电性连接。具体的，第1个等效电容单元 3001的下电极P1和所述第2个等效电容单元3002的下电极P1均形成在同一第一导电层120上。
具体参考图7a所示，在形成所述下电极P1之前，所述电容测试器件的形成方法还包括：形成至少一个第一导电层320和隔离层330在所述衬底300上，所述隔离层330覆盖所述第一导电层320。本实施例中，所述第一导电层330延伸形成在第1个单元区A1和第2个单元区A2中。以及，在形成下电极P1时，所述下电极P1即贯穿所述隔离层330以形成在所述第一导电层320上。
本实施例中，所述等效电容单元中的所述下电极P1具有一筒状结构，其形成方法包括如下步骤。
步骤一，参考图7a所示，形成一牺牲层340在所述衬底300上，所述牺牲层340中形成有多个开口341，所述开口341用于定义出后续需形成的下电极的位置和形貌，因此在每一所述单元区中均对应形成有所述开口 341。
本实施例中，所述牺牲层340覆盖所述隔离层330并形成在所述第一导电层320的上方，所述开口341贯穿所述牺牲层340和所述隔离层330，以暴露出所述第一导电层320。
优选的方案中，在所述牺牲层340上还形成有一支撑材料层351，所述支撑材料层351在后续的工艺中用于形成支撑层，所述支撑层能够对下电极的筒状结构进行支撑，以避免下电极的筒状结构倾斜或倒塌。本实施例中，所述支撑材料层351形成在牺牲层340上，因此后续所形成的支撑层相应的位于下电极的筒状结构的顶部。以及，所述开口341从所述支撑材料层351的顶表面贯穿所述支撑材料层351并延伸至所述牺牲层340中。
步骤二，参考图7b所述，形成下电极P1在所述牺牲层340的所述开口341中，所述下电极P1覆盖所述开口341的顶壁和底部，以使所述下电极P1中对应所述开口341的部分构成筒状结构；并且，所述下电极P1的所述筒状结构的底部与所述第一导电层320接触。本实施例中，第1个单元区A1中的下电极P1和第2个单元区A2中的下电极P1均形成在同一第一导电层320上。
如上所述，本实施例中，牺牲层340上形成有一支撑材料层351，所述开口341贯穿所述支撑材料层351，因此所述下电极P1覆盖所述支撑材料层351暴露于所述开口341的侧壁，以使所述下电极P1的筒状结构的顶部与所述支撑材料层351连接。可选的方案中，在形成所述下电极P1之后，还包括图形化所述支撑材料层351，以形成支撑层350。
步骤三，参考图7c所述，去除所述牺牲层，以暴露出所述下电极P1 的筒状结构的筒内表面和筒外表面。此时，即可利用所述支撑层350支撑所述下电极P1的筒状结构。
基于所述下电极P1具有筒状结构，因此后续所形成的等效电容单元中，即相应的可以构成筒状结构的电容元件，筒状结构的电容元件由于能够在高度方向上增加电容有效面积，因此可以有效提高所形成的电容元件的电容值。
进一步参考图7d所示，在去除所述牺牲层之后，并形成上电极之前，还包括形成电容介质层在所述下电极P1的表面上。所述电容介质层相应的覆盖所述下电极P1的筒状结构的筒内表面和筒外表面。以及，在形成所述电容介质层之后，形成所述上电极P2，所述上电极P2形成在所述电容介质层，并间隔所述电容介质层覆盖所述下电极的筒状结构的筒内表面和筒外表面。
其中，所述上电极P2可通过沉积工艺形成，并在执行薄膜沉积工艺所形成的薄膜材料层中，其在覆盖下电极P1的筒状结构的筒内表面和筒外表面，同时还覆盖相邻的单元区之间的区域，因此位于不同单元区中的薄膜材料层相互连接。基于此，可根据实际状态，截断所述薄膜材料层以形成所述上电极P2。
具体的，如上所述，当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量大于2时(即，N>2)，则由所述第2个等效电容单元3002起，两两相邻的两个所述等效电容单元的所述上电极P2电性连接。因此，当所述等效电容单元的数量大于2时(即，N>2)，则从所述第2个等效电容单元3002起，可使两两相邻的两个所述等效电容单元中对应上电极的薄膜材料层相互连接。本实施例中，所述电容测试链中形成有2个等效电容单元，第1个等效电容单元3001的上电极P2和第2个等效电容单元3002的上电极P2相互断开，因此需要截断对应上电极P2的薄膜材料层。需要说明的是，可以在该步骤中直接使上电极P2相互断开，也可以在后续步骤中使上电极P2 相互断开。
步骤S300，具体参考图7e所示，形成第一接触层360L在所述电容测试链的第1个等效电容单元3001的所述上电极P2上，并形成第二接触层 360R在所述电容测试链的第N个等效电容单元的所述上电极P2上。
本实施例中，所述第一接触层360L在所述电容测试链的第1个等效电容单元3001的所述上电极P2上，并从器件区AA中延伸至接触区BB中；以及，第二接触层360R在所述电容测试链的第2个等效电容单元3002的所述上电极P2上，并从器件区AA中延伸至接触区BB中。
需要说明的是，本实施例中所形成电容测试链仅包括2个等效电容单元。然而，在其他实施例中，当所述电容测试链的等效电容单元的数量大于2时，则从第2个等效电容单元起，两两相邻的两个等效电容单元的上电极P2可利用第二导电层相互电性连接。
因此，优选的方案中，所述第二导电层、第一接触层360L和所述第二接触层360R在同一步骤中形成。具体的，所述第二导电层、第一接触层 360L和所述第二接触层360R的形成方法包括：
第一步骤，形成顶层导电材料层在所述衬底上，所述顶层导电材料层覆盖每一等效电容单元的所述上电极P2，并延伸至接触区BB中；可选的，所述顶层导电材料层遮盖所述筒状结构的筒开口；
第二步骤，截断所述顶层导电材料层，并使所述顶层导电材料层中位于所述第1个等效电容单元上的部分构成第一接触层360L，所述顶层导电材料层中位于所述两两相邻的两个等效电容单元上的部分构成所述第二导电层，以连接相邻的等效电容单元的上电极，以及所述顶层导电材料层中位于所述第N个等效电容单元上的部分构成第二接触层360R。
至此，即形成了所述电容测试器件中的电容测试链，以及连接至所述电容测试连接两端的第一接触层和第二接触层。此时，即可将对应第一电源的测试探针与第一接触层中位于接触区中的第一接触部电性连接，以及将对应第二电源的测试探针与第二接触层中位于接触区中的第二接触部电性连接，从而可以对所述电容测试器件进行检测。
可选的方案中，在形成所述第一接触层和所述第二接触层之后，还包括形成一互连层在所述衬底上，所述互连层覆盖所述电容测试链上。具体可参考实施例一所述，所述互连层可采用互连工艺形成，以在所述互连层中形成第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构的底部连接至所述第一接触层，所述第一互连结构的顶部延伸至所述互连层的顶表面，所述第二互连结构的底部连接至所述第二接触层，所述第二互连结构的顶部延伸至所述互连层的顶表面。
进一步的，还可以形成一保护层在所述互连层上，以对所形成的电容测试器件进行保护，并且所述第一互连结构中的第一测试垫和第二互连结构中的第二测试垫均从所述保护层中暴露出，以利于在后续执行电容参数的检测时，可使探针能够接触到所述第一测试垫和第二测试垫。
实施例五
与实施例四的区别在于，本实施例中所形成的电容测试链中，其等效电容单元的数量为奇数，因此所述第二接触层形成在电容测试链的第N个测试单元的下电极的下方。
图8为本发明实施例五中的电容测试单元的形成方法的流程示意图，如图8所示，所述电容测试器件的形成方法包括：
步骤S210，提供一衬底，所述衬底具有N个用于形成等效电容单元的单元区，N为大于1的奇数；
进一步的，所述衬底上定义有一器件区和一接触区，N个所述单元区均位于所述器件区中。
步骤S220，形成第二接触层在第N个单元区的衬底上；其中，所述第二接触层部分形成在所述器件区中并进一步延伸至所述接触区中；
步骤S230，依次形成下电极和上电极在所述衬底的所述单元区中，所述上电极包覆所述下电极，并由所述下电极和所述上电极形成一等效电容单元在每一所述单元区中，多个所述单元区中的多个所述等效电容单元串联连接以构成一电容测试链；
其中，位于第N个单元中的第N个等效电容单元的下电极形成在所述第二接触层上，并与所述第二接触层电性连接；具体的，第N个等效电容单元的下电极形成在第二接触层位于器件区中的部分上；
步骤S240，形成第一接触层在所述电容测试链的第1个等效电容单元的所述上电极上。所述第一接触层也可部分形成在器件区中并延伸至接触区中。
与实施例四类似的，所形成的串联连接的电容测试链中，从第1个等效电容单元起，两两相邻的等效电容单元的下电极相互连接，并可采用一第一导电层实现下电极的电性连接。此时，所述第一导电层和所述第二接触层可以采用同一底层导电材料层，并通过同一工艺步骤形成。
具体的，所述第一导电层和所述第二接触层的形成方法包括：首先，形成底层导电材料层在所述衬底上，所述底层导电材料层延伸覆盖N个所述单元区的衬底；接着，截断所述底层导电材料层，并使所述底层导电材料层位于两两相邻的两个单元区中的部分构成第一导电层，并使所述底层导电材料层中位于所述第N个单元区中的部分构成所述第二接触层。从而，在形成所述下电极时，可使所述两两相邻的两个等效电容单元的下电极形成在同一所述第一导电层上，并与同一所述第一导电层电性连接。
本实施例中的电容测试器件的形成方法还包括：形成一互连层在所述衬底上，所述互连层覆盖所述电容测试链、第一接触层和第二接触层。
其中，所述互连层中形成有第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构可连接至所述第一接触层位于器件区中的部分，以及第二互连结构可连接至所述第二接触层延伸至接触区中的部分，如此以利用所述第一互连结构和第二互连结构引出所述电容测试链的两端。
综上所述，本发明提供的电容测试器件中，利用多个串联连接的等效电容单元构成一电容测试链，从而可通过对所述电容测试链进行检测，以判断所对应的电容器件的制备工艺是否存在异常，并由此反映出所形成的电容器件的性能。可见，本发明提供的电容测试器件中，基于多个等效电容单元能够更为精确的监控电容器件的制备工艺，并能够更为准确的反映出随着密集度不断增加的具备功能性电容器件的性能。
进一步的，针对具有偶数个等效电容单元的电容测试链而言，此时第一接触层和第二接触层均是形成在等效电容单元的上电极上，因此在完成等效电容单元的制备工艺并形成第一接触层和第二接触层之后，即可以直接对所形成的电容测试链进行检测(具体而言，此时的测试探针可以直接与暴露出的第一接触层和第二接触层接触，以执行检测过程)，从而能够及时的获悉所形成的等效电容单元的性能，并进一步获取等效电容单元中的电容元件的性能。如此，即可以屏除后段的互连工艺的影响，更为精确的检测出所形成的电容测试链中电容元件的电容参数。
当然，在完成后段的互连工艺之后，仍然可以再次对所述电容测试器件中的电容测试链进行检测，此时即能够获悉最终所形成的等效电容单元中电容元件的性能，并能够进一步推断出后段的互连工艺是否存在异常。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (22)

1.一种电容测试器件，其特征在于，包括：
一电容测试链，所述电容测试链包括N个串联连接的等效电容单元，N个所述等效电容单元的等效电容值相同，N为大于1的正整数，所述等效电容单元具有下电极和包覆所述下电极的上电极；
一第一接触层，形成在所述电容测试链的第1个等效电容单元的所述上电极上，并与所述第1个等效电容单元的所述上电极电性连接；
一第二接触层，当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层形成在第N个等效电容单元的所述上电极上，并与所述第N个等效电容单元的所述上电极电性连接；当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述下电极的下方，并与所述第N个等效电容单元的所述下电极电性连接；以及，
一衬底，所述衬底上形成有所述电容测试链、所述第一接触层和所述第二接触层。
2.如权利要求1所述的电容测试器件，其特征在于，当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量等于2时，第1个等效电容单元的下电极和第2个等效电容单元的下电极相互电性连接，所述第2个等效电容单元的上电极连接至所述第二接触层，以使所述第1个等效电容单元和所述第2个等效电容单元串联连接；以及，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量大于2时，由所述第1个等效电容单元起，两两相邻的两个等效电容单元的下电极电性连接，以及由所述第2个等效电容单元起，两两相邻的两个等效电容单元的上电极电性连接，以使N个所述等效电容单元串联连接。
3.如权利要求2所述电容测试器件，其特征在于，还包括至少一个第一导电层和隔离层，所述隔离层覆盖所述第一导电层，所述等效电容单元的所述下电极贯穿所述隔离层并形成在所述第一导电层上，以和所述第一导电层电性连接，并且所述下电极相互电性连接的相邻的所述等效电容单元中，所述下电极形成在同一所述第一导电层上，以通过所述第一导电层相互电性连接。
4.如权利要求3所述电容测试器件，其特征在于，所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数，所述第N个等效电容单元的所述下电极贯穿所述隔离层并形成在所述第二接触层上，并且所述第二接触层与所述第一导电层位于同一结构层中。
5.如权利要求2所述电容测试器件，其特征在于，还包括：
第二导电层，形成在所述等效电容单元的所述上电极上，并和所述上电极电性连接，并且所述上电极相互电性连接的相邻的所述等效电容单元中，所述上电极连接至同一所述第二导电层，以通过所述第二导电层相互电性连接。
6.如权利要求5所述电容测试器件，其特征在于，当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第一接触层、所述第二接触层和所述第二导电层位于同一结构层中；当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第一接触层和所述第二导电层位于同一结构层中。
7.如权利要求1所述电容测试器件，其特征在于，所述电容测试器件具有器件区和接触区，所述电容测试链的所述等效电容单元形成在所述器件区中，所述第一接触层形成在所述第1个等效电容单元的所述上电极上，并由所述器件区延伸至所述接触区；其中，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述上电极上，并由所述器件区延伸至所述接触区；
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述下电极的下方，并由所述器件区延伸至所述接触区。
8.如权利要求7所述电容测试器件，其特征在于，所述等效电容单元的所述下电极包括一筒状结构，所述上电极覆盖所述下电极的筒内表面和筒外表面，所述第一接触层形成在第1个等效电容单元的所述筒状结构的上方，并从所述筒状结构的顶部沿着所述筒状结构的筒外表面延伸至所述筒状结构的底部，以进一步延伸至接触区中；其中，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述筒状结构的上方，并从所述筒状结构的顶部沿着所述筒状结构的筒外表面延伸至所述筒状结构的底部，以进一步延伸至所述接触区中；
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述筒状结构的下方，并延伸至所述接触区中。
9.如权利要求1所述的电容测试器件，其特征在于，所述等效电容单元中形成有多个所述下电极，所述上电极包覆多个所述下电极，以使每一所述下电极均与对应的所述上电极构成一电容元件，并且同一所述等效电容单元中的多个所述下电极相互电性连接，以使同一所述等效电容单元中多个所述下电极所对应的多个所述电容元件并联连接。
10.如权利要求1～9任一项所述的电容测试器件，其特征在于，所述电容测试器件还包括一互连层，所述互连层覆盖所述电容测试链、所述第一接触层和所述第二接触层，并且所述互连层中形成有第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构的底部连接至所述第一接触层，所述第一互连结构的顶部延伸至所述互连层的顶表面，所述第二互连结构的底部连接至所述第二接触层，所述第二互连结构的顶部延伸至所述互连层的顶表面。
11.如权利要求10所述的电容测试器件，其特征在于，所述等效电容单元的所述下电极包括一筒状结构，所述上电极覆盖所述筒状结构的筒内表面和筒外表面，所述第一接触层形成在第1个等效电容单元的所述筒状结构的上方，并从所述筒状结构的顶部沿着所述筒状结构的筒外表面延伸至所述筒状结构的底部，以进一步延伸至接触区中；其中，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述筒状结构的上方，并从所述筒状结构的顶部沿着所述筒状结构的筒外表面延伸至所述筒状结构的底部，以进一步延伸至所述接触区中；
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二接触层形成在所述第N个等效电容单元的所述筒状结构的下方，并延伸至所述接触区中。
12.如权利要求11所述的电容测试器件，其特征在于，所述第一互连结构的底部连接至所述第一接触层位于所述筒状结构上方的第一引出部；其中，
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为偶数时，所述第二互连结构的底部连接至所述第二接触层位于所述筒状结构上方的第二引出部；
当所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量为奇数时，所述第二互连结构的底部连接至所述第二接触层位于所述接触区的部分，所述第二互连结构的高度大于所述第一互连结构的高度。
13.一种电容测试器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底具有N个用于形成等效电容单元的单元区，N为大于1的偶数；
依次形成下电极和上电极在所述衬底的所述单元区中，所述上电极包覆所述下电极，并由所述下电极和所述上电极形成一等效电容单元在每一所述单元区中，多个所述单元区中的多个所述等效电容单元串联连接以构成一电容测试链，多个所述等效电容单元的等效电容值相同；以及，
形成第一接触层在所述电容测试链的第1个等效电容单元的所述上电极上，并形成第二接触层在所述电容测试链的第N个等效电容单元的所述上电极上。
14.如权利要求13所述的电容测试器件的形成方法，其特征在于，所述电容测试链中，由所述第1个等效电容单元起，两两相邻的两个所述等效电容单元的所述下电极通过一第一导电层电性连接；其中，
在形成所述下电极之前，还包括依次形成至少一个所述第一导电层和隔离层在所述衬底上，所述隔离层覆盖所述第一导电层；
以及，在形成所述下电极时，所述下电极贯穿所述隔离层并形成在所述第一导电层上。
15.如权利要求13所述的电容测试器件的形成方法，其特征在于，所述下电极和所述上电极的形成方法包括：
形成一牺牲层在所述衬底上，所述牺牲层中开设有多个开口；
形成下电极在所述开口的侧壁和底壁上，以使所形成的所述下电极具有一筒状结构；
去除所述牺牲层，以暴露出所述下电极的所述筒状结构的筒内表面和筒外表面；以及，
形成所述上电极在所述下电极的所述筒状结构的筒内表面和所述筒外表面上。
16.如权利要求13所述的电容测试器件的形成方法，其特征在于，所述第一接触层和所述第二接触层的形成方法包括：
形成顶层导电材料层在所述衬底上，所述顶层导电材料层覆盖每一所述等效电容单元的所述上电极；
截断所述顶层导电材料层，并使所述顶层导电材料层中位于所述第1个等效电容单元上的部分构成所述第一接触层，所述顶层导电材料层中位于所述第N个等效电容单元上的部分构成所述第二接触层。
17.如权利要求16所述的电容测试器件的形成方法，其特征在于，所述电容测试链中的所述等效电容单元的数量大于2，并由第2个等效电容单元起，两两相邻的两个等效电容单元的所述上电极通过一第二导电层电性连接；
其中，所述第二导电层利用所述顶层导电材料层形成，其形成方法包括：截断所述顶层导电材料层时，使所述顶层导电材料层中位于所述两两相邻的两个等效电容单元上的部分构成第二导电层。
18.如权利要求13所述的电容测试器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一接触层和所述第二接触层之后，还包括：
形成一互连层在所述衬底上，所述互连层覆盖所述电容测试链、所述第一接触层和所述第二接触层，所述互连层中形成有第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构的底部连接至所述第一接触层，所述第一互连结构的顶部延伸至所述互连层的顶表面，所述第二互连结构的底部连接至所述第二接触层，所述第二互连结构的顶部延伸至所述互连层的顶表面。
19.一种电容测试器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底具有N个用于形成等效电容单元的单元区，N为大于1的奇数；
形成第二接触层在第N个单元区的衬底上；
依次形成下电极和上电极在所述衬底的所述单元区中，所述上电极包覆所述下电极，并由所述下电极和所述上电极形成一等效电容单元在每一所述单元区中，多个所述单元区中的多个所述等效电容单元串联连接以构成一电容测试链，多个所述等效电容单元的等效电容值相同，其中位于所述第N个单元区中的第N个等效电容单元的下电极形成在所述第二接触层上；以及，
形成第一接触层在所述电容测试链的第1个等效电容单元的上电极上。
20.如权利要求19所述的电容测试器件的形成方法，其特征在于，所述电容测试链中，由所述第1个等效电容单元起，两两相邻的两个等效电容单元的下电极通过一第一导电层电性连接；其中，
所述第一导电层和所述第二接触层利用同一底层导电材料层形成，其形成方法包括：形成底层导电材料层在所述衬底上，所述底层导电材料层延伸覆盖N个所述单元区的衬底；截断所述底层导电材料层，并使所述底层导电材料层位于两两相邻的两个单元区中的部分构成第一导电层，使所述底层导电材料层中位于所述第N个单元区中的部分构成所述第二接触层；
以及，在形成所述下电极时，所述两两相邻的两个单元区中的下电极形成在同一所述第一导电层上。
21.如权利要求19所述的电容测试器件的形成方法，其特征在于，所述衬底上定义有一器件区和一接触区，N个所述单元区设置在所述器件区中；以及，所述第一接触层和所述第二接触层均部分形成在所述器件区中并延伸至所述接触区中。
22.如权利要求21所述的电容测试器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一接触层和所述第二接触层之后，还包括：
形成一互连层在所述衬底上，所述互连层覆盖所述电容测试链、所述第一接触层和所述第二接触层，并且所述互连层中形成第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构与所述第一接触层位于所述器件区中的部分电性连接，所述第二互连结构与所述第二接触层位于所述接触区中的部分电性连接。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111933546B (zh) * 2020-10-14 2021-01-01 南京晶驱集成电路有限公司 电容的测量结构及测量方法
CN113471174A (zh) * 2021-07-02 2021-10-01 长鑫存储技术有限公司 半导体测试结构及其制备方法
CN115954040B (zh) * 2023-03-14 2023-06-02 长鑫存储技术有限公司 缺陷检测方法及其装置、电子设备及存储介质

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6477021B1 (en) * 1998-02-19 2002-11-05 Square D Company Blocking/inhibiting operation in an arc fault detection system
CN102156250A (zh) * 2011-03-17 2011-08-17 华北电力大学（保定） 一种基于等效模型的介质损耗因数测量方法
CN102375628A (zh) * 2010-08-17 2012-03-14 陈哲明 电容检测方法
CN103091587A (zh) * 2013-01-24 2013-05-08 山东新风光电子科技发展有限公司 一种节能的逆变器试验电路与控制方法
CN103545107A (zh) * 2013-10-15 2014-01-29 四川大学 用于薄膜电学性能测试的串联平行板电容器及其制备方法
CN104297577A (zh) * 2013-07-15 2015-01-21 同济大学 基于超级电容器的老化状态估算检测系统及方法
RU156629U1 (ru) * 2015-05-20 2015-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" Устройство для измерения шероховатости электропроводных изделий
CN105223474A (zh) * 2015-08-19 2016-01-06 薛建仁 基于串联谐振的电缆局放的多种检测方法和装置
CN105356740A (zh) * 2015-11-27 2016-02-24 黄敏超 具有电磁干扰抑制结构的电能变换器
CN105717369A (zh) * 2016-02-16 2016-06-29 常州同惠电子股份有限公司 一种用电容表测量电容的串联等效电感的方法
JP2016181755A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 株式会社日本自動車部品総合研究所 アンテナ装置
CN107564892A (zh) * 2017-08-23 2018-01-09 睿力集成电路有限公司 电容器及其形成方法、半导体器件
CN107797001A (zh) * 2016-08-30 2018-03-13 北京金风科创风电设备有限公司 电容故障的检测方法、装置及风力发电机组
CN108037372A (zh) * 2017-12-04 2018-05-15 常州市致新精密电子有限公司 一种用电感表检测元器件串联等效电容的方法
CN108512520A (zh) * 2018-02-27 2018-09-07 贵州中科汉天下微电子有限公司 体声波谐振器与电容器的单片集成结构及其制造方法、滤波器、双工器以及射频通信模块
CN208921796U (zh) * 2018-09-11 2019-05-31 长鑫存储技术有限公司 电容测试器件

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206460159U (zh) * 2017-01-25 2017-09-01 西门子(深圳)磁共振有限公司 非典型线圈的端环端口结构、线圈组件和磁共振成像系统

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6477021B1 (en) * 1998-02-19 2002-11-05 Square D Company Blocking/inhibiting operation in an arc fault detection system
CN102375628A (zh) * 2010-08-17 2012-03-14 陈哲明 电容检测方法
CN102156250A (zh) * 2011-03-17 2011-08-17 华北电力大学（保定） 一种基于等效模型的介质损耗因数测量方法
CN103091587A (zh) * 2013-01-24 2013-05-08 山东新风光电子科技发展有限公司 一种节能的逆变器试验电路与控制方法
CN104297577A (zh) * 2013-07-15 2015-01-21 同济大学 基于超级电容器的老化状态估算检测系统及方法
CN103545107A (zh) * 2013-10-15 2014-01-29 四川大学 用于薄膜电学性能测试的串联平行板电容器及其制备方法
JP2016181755A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 株式会社日本自動車部品総合研究所 アンテナ装置
RU156629U1 (ru) * 2015-05-20 2015-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" Устройство для измерения шероховатости электропроводных изделий
CN105223474A (zh) * 2015-08-19 2016-01-06 薛建仁 基于串联谐振的电缆局放的多种检测方法和装置
CN105356740A (zh) * 2015-11-27 2016-02-24 黄敏超 具有电磁干扰抑制结构的电能变换器
CN105717369A (zh) * 2016-02-16 2016-06-29 常州同惠电子股份有限公司 一种用电容表测量电容的串联等效电感的方法
CN107797001A (zh) * 2016-08-30 2018-03-13 北京金风科创风电设备有限公司 电容故障的检测方法、装置及风力发电机组
CN107564892A (zh) * 2017-08-23 2018-01-09 睿力集成电路有限公司 电容器及其形成方法、半导体器件
CN108037372A (zh) * 2017-12-04 2018-05-15 常州市致新精密电子有限公司 一种用电感表检测元器件串联等效电容的方法
CN108512520A (zh) * 2018-02-27 2018-09-07 贵州中科汉天下微电子有限公司 体声波谐振器与电容器的单片集成结构及其制造方法、滤波器、双工器以及射频通信模块
CN208921796U (zh) * 2018-09-11 2019-05-31 长鑫存储技术有限公司 电容测试器件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
姜海群.电路技术.北京：知识产权出版社,2015,第91-105页. *

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