CN109239998B - 一种显示面板和显示面板的制程 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板和显示面板的制程。显示面板包括：第一基板和第二基板；金球，用于导通所述第一基板的公共线和第二基板的公共电极，金球设置的位置为转接区；第一连接区，与转接区连接；第二连接区，位于转接区的外围；第一基板包括：衬底；第一金属层；栅极绝缘层，栅极绝缘层对应转接区镂空，形成栅极绝缘凹陷区；第二金属层，设置且仅设置在第二连接区的栅极绝缘层的上方；钝化层，设置在第一连接区的栅极绝缘层上方，以及第二连接区的第二金属层上方，对应栅极绝缘凹陷区处镂空；透明电极层，至少覆盖在第一连接区的钝化层对应转接区的侧壁，以及第二连接区的栅极绝缘层、第二金属层和钝化层的侧壁。提高显示面板的生产良率。

Description

一种显示面板和显示面板的制程
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种显示面板和显示面板的制程。
背景技术
由于显示面板具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性，目前已逐渐成为市场的主流。
在VA(Vertical Alignment)技术的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)中，液晶由加载在彩膜基板和阵列基板之间形成的垂直电场使之转动，从而使液晶形成不同的偏转角度，从而使得上偏光片能透过不同强度的光。在电场加载过程中，彩膜基板上的电场由Transfer Pad(转接区)将信号从阵列基板导入至彩膜基板。通常在面板周边设置一圈第一金属层和第二金属层的网状公共电极走线，在合适的位置设计Transfer Pad(转接区)。Transfer Pad(转接区)位置在第一金属层或者第一金属层和第二金属层之上铺上透明导电层即形成Transfer Pad(转接区)，面板实际工作过程中，由第一金属层传输的公共电极信号在转接区通过第一金属层经过金球最后传到彩膜基板的公共电极，从阵列基板传输至彩膜基板。
但是，在窄边框(Narrow Border)产品中，由于制程所限，经常会使得金球(打点形成)位置偏移设计的Transfer Pad(转接区)位置，会产生Mura(斑点)等问题。
发明内容
有鉴于上述缺陷，本发明是提供一种能够避免显示区边缘被垫高，以提升面板生产良率的显示面板和显示面板的制程。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板，包括：
第一基板；
第二基板，和所述第一基板对置；
所述第一基板包括公共线，所述第二基板包括公共电极；
金球，设置在所述显示面板的非显示区，用于导通所述第一基板的公共线和第二基板的公共电极，所述金球设置的位置为转接区；
第一连接区，与所述转接区连接且靠近所述显示面板的显示区；
第二连接区，位于所述转接区的外围；
所述第一基板包括：
衬底；
第一金属层，覆盖在所述衬底上方；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上方，所述栅极绝缘层对应转接区镂空，形成栅极绝缘凹陷区；
第二金属层，设置且仅设置在所述第二连接区的栅极绝缘层的上方；
钝化层，设置在第一连接区的栅极绝缘层上方，以及第二连接区的第二金属层上方，对应栅极绝缘凹陷区处镂空；
透明电极层，设置在第一金属层对应转接区的位置，并至少覆盖在第一连接区的钝化层对应转接区的侧壁，以及第二连接区的栅极绝缘层、第二金属层和钝化层的侧壁；
所述金球设置在所述透明电极层上方，用于连通所述第一基板的公共线和所述第二基板的公共电极。
可选的，所述第一金属层对应所述第一连接区处镂空。
第一金属层位于第一连接区处的部位蚀刻掉了，防止金球被顶高，成盒不均匀，可能出现漏光或者其他问题。
可选的，所述第一金属层和第一基板的公共线通过同一道光罩制成，且电连接。
第一金属层和第一基板的公共线通过同一道制程形成，不需要通过打孔将电极进行连接，减少了制程。
可选的，所述第二金属层和第一基板的公共线通过同一道光罩制成，且电连接。
第二金属层和第一基板的公共线通过同一道制程形成，不需要通过打孔将电极进行连接，减少了制程。
可选的，所述第一基板的公共线与所述第一金属层或第二金属层通过同一道光罩制成，第一金属层和第二金属层通过过孔电连接。
第一金属层和第二金属层通过过孔电连接，减少了断线带来的断路的可能；第一基板的公共线与所述第一金属层同层且电连接时，第二金属层和显示区的第二金属层绝缘；第一基板的公共线与所述第二金属层同层且电连接时，第一金属层和显示区的第一金属层绝缘，防止串扰。
本发明公开了一种显示面板，包括：
阵列基板；
彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板相对设置；
所述阵列基板包括公共线，所述彩膜基板包括公共电极；
金球，设置在所述显示面板的非显示区，用于导通所述阵列基板的公共线和彩膜基板的公共电极，所述金球设置的位置为转接区；
第一连接区，与所述转接区连接且靠近所述显示面板的显示区；
第二连接区，位于所述转接区的外围；
所述阵列基板包括：
衬底；
第一金属层，覆盖在所述基板上方；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上方，所述栅极绝缘层对应转接区镂空，形成栅极绝缘凹陷区；
第二金属层，设置且仅设置在所述第二连接区的栅极绝缘层的上方；
钝化层，设置在第一连接区的栅极绝缘层上方，以及第二连接区的第二金属层上方，对应栅极绝缘凹陷区处镂空；
透明电极层，设置在第一金属层对应转接区的位置，并至少覆盖在第一连接区的钝化层对应转接区的侧壁，以及第二连接区的栅极绝缘层、第二金属层和钝化层的侧壁；
所述金球设置在所述透明电极层上方，用于连通所述阵列基板的公共线和所述彩膜基板的公共电极。
所述第一金属层和阵列基板的公共线通过同一道光罩制成，且电连接。
本发明还公开了一种显示面板的制程，包括：
在衬底上覆盖一层金属材料层，并蚀刻金属材料层形成第一金属层；
在第一金属层的上方形成栅极绝缘层，并把栅极绝缘层对应转接区的部位部分蚀刻掉形成栅极绝缘凹陷区；
在栅极绝缘层的上方形成第二金属层，并把第一连接区和转接区的第二金属层蚀刻掉；
在第一连接区的栅极绝缘层的上方以及第二连接区的第二金属层的上方形成钝化层，并把栅极绝缘层对应转接区的部分蚀刻掉；
在第一金属层对应转接区的上方形成透明电极层，并使得透明电极层同时覆盖在第一连接区的钝化层、栅极绝缘层对应转接区的侧壁，以及第二连接区的钝化层、第二金属层和栅极绝缘层对应转接区的侧壁，所述透明电极层与所述公共线连通形成第一基板；
形成设有公共电极的第二基板；
在透明电极层的上方设置金球，并使金球连通第一基板的公共线和第二基板的公共电极。
在VA(Vertical Alignment)技术的LCD中，液晶由加载在彩膜基板和阵列基板之间形成的垂直电场使之转动，从而使液晶形成不同的偏转角度，从而使得上偏光片能透过不同强度的光。在电场加载过程中，彩膜基板上的电场由转接区将信号从阵列基板导入至彩膜基板。通常在面板周边设置一圈第一金属层和第二金属层的网状VCOM(公共电压)走线，在合适的位置设计转接区。转接区位置不设置第二金属层，在第一金属层之上铺上透明电极层即形成转接区，面板实际工作过程中，由第一金属层传输的VCOM信号在转接区区域通过第一金属层到透明电极层再通过金球最后传到CF(Color Filter，彩膜基板)透明电极层，从阵列基板传输至CF基板。但是，在窄边框(Narrow Border)产品中，由于制程所限，经常会使得金球形成(打点形成)位置偏移设计的转接区位置，使得金球偏移至该第一连接区处，甚至形成在该第一连接区的第一金属层和第二金属层的区域的上方，如此转接区离显示区较近，会使得显示区边缘的盒厚被垫高而出现Mura问题；本方案中，第二金属层设置且仅设置在第二连接区的栅极绝缘层的上方，第一连接区的第二金属层蚀刻掉，使得该第一连接区的区域总膜厚降低，如此，即使部分金球偏移到该第一连接区位置，也可以有足够的空间容纳该金球，而从而减少金球垫高显示区边缘的问题，避免显示区边缘被垫高引起的Mura等问题，有利于提升显示面板的显示效果，提高显示面板，特别是窄边框显示面板的生产良率。
可选的，在金属材料层形成第一金属层的步骤还包括：把第一金属层对应第一连接区的部位蚀刻掉。
第一金属层位于第一连接区处的部位蚀刻掉了，防止金球被顶高，成盒不均匀，可能出现漏光或者其他问题。
可选的，第一金属层和第一基板的公共线通过同一道制程形成，且相互电连接。
第一金属层和第一基板的公共线通过同一道制程形成，不需要通过打孔将电极进行连接，减少了制程。
可选的，第二金属层和第一基板的公共线通过同一道制程形成，且相互电连接。
第二金属层和第一基板的公共线通过同一道制程形成，不需要通过打孔将电极进行连接，减少了制程。
可选的，阵列基板的公共线与第一金属层或第二金属层通过同一道光罩制成，第一金属层和第二金属层通过过孔电连接。
第一金属层和第二金属层通过过孔电连接，减少了断线带来的断路的可能；第一基板的公共线与第一金属层同层且电连接时，第二金属层和显示区的第二金属层绝缘；阵列基板的公共线与第二金属层同层且电连接时，第一金属层和显示区的第一金属层绝缘，防止串扰。
在VA(Vertical Alignment)技术的LCD中，液晶由加载在第一基板和第二基板之间形成的垂直电场使之转动，从而使液晶形成不同的偏转角度，从而使得上偏光片能透过不同强度的光。在电场加载过程中，第二基板上的电场由转接区将信号从第一基板导入至第二基板。通常在面板周边设置一圈第一金属层和第二金属层的网状公共电压走线，在合适的位置设计转接区。转接区位置不设置第二金属层，在第一金属层之上铺上透明电极层即形成转接区，面板实际工作过程中，由第一金属层传输的公共电压信号在转接区区域通过第一金属层到透明电极层再通过金球最后传到第二基本的公共电压，从第一基板传输至第二基板。但是，在窄边框(Narrow Border)产品中，由于制程所限，经常会使得金球形成(打点形成)位置偏移设计的转接区位置，使得金球偏移至该第一连接区处，甚至形成在该第一连接区的第一金属层和第二金属层的区域的上方，如此转接区离显示区较近，会使得显示区边缘的盒厚被垫高而出现不均匀(Mura)问题；本方案中，第二金属层设置且仅设置在所述第二连接区的栅极绝缘层的上方，第一连接区的第二金属层蚀刻掉，使得该第一连接区的区域总膜厚降低，如此，即使部分金球偏移到该第一连接区位置，也可以有足够的空间容纳该金球，而从而减少金球垫高显示区边缘的问题，避免显示区边缘被垫高引起的Mura等问题，有利于提升显示面板的显示效果，提高显示面板，特别是窄边框显示面板的生产良率。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本发明实施例一种显示面板基本结构的示意图；
图2是本发明实施例图1中A-A’区域放大的示意图；
图3是图1中A-A’区域剖面图的示意图；
图4是本发明实施例一种显示面板的结构的示意图；
图5是本发明又一实施例一种显示面板的结构的示意图；
图6是本发明实施例一种显示面板的方法流程图。
其中，1、显示面板；10、衬底；20、第一金属层；30、栅极绝缘层；301、栅极绝缘凹陷区；40、第二金属层；50、钝化层；60、透明电极层；70、金球；80、彩膜基板；100、显示区；200、非显示区；201、第一连接区；202、转接区；203、第二连接区。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明。
如图1至图5所示，本发明公开了一种显示面板，包括：
第一基板，和所述第一基板对置的第二基板；所述第一基板包括公共线，所述第二基板包括公共电极；
金球，设置在所述显示面板的非显示区，用于导通所述第一基板的公共线和第二基板的公共电极，所述金球设置的位置为转接区；
第一连接区201，与所述转接区连接且靠近所述显示面板的显示区100；
第二连接区203，位于所述转接区202的外围；
所述第一基板包括：
衬底10：
第一金属层20，覆盖在所述衬底10上方；
栅极绝缘层30，设置在所述第一金属层20上方，所述栅极绝缘层30对应转接区202镂空，形成栅极绝缘凹陷区301；
第二金属层40，设置且仅设置在所述第二连接区203的栅极绝缘层30的上方；钝化层50，设置在第一连接区201的栅极绝缘层30上方，以及第二连接区203的第二金属层40上方，对应栅极绝缘凹陷区301处镂空；
透明电极层60，设置在第一金属层20对应转接区202的位置，并至少覆盖在第一连接区201的钝化层50对应转接区202的侧壁，以及第二连接区203的栅极绝缘层30、第二金属层40和钝化层50的侧壁；
所述阵列基板包括公共线，所述彩膜基板包括公共电极；
所述金球70设置在所述透明电极层60上方，用于连通所述第一基板的公共线和所述第二基板80的公共电极。
其中，第一基板为阵列基板，第二基板为彩膜基板。
在VA(Vertical Alignment)技术的LCD中，液晶由加载在彩膜基板和阵列基板之间形成的垂直电场使之转动，从而使液晶形成不同的偏转角度，从而使得上偏光片能透过不同强度的光。在电场加载过程中，第二基板80上的电场由转接区202将信号从阵列基板导入至第二基板80。通常在面板周边设置一圈第一金属层20和第二金属层40的网状VCOM走线，在合适的位置设计转接区202。转接区202位置不设置第二金属层40，在第一金属层20之上铺上透明电极层60即形成转接区202，面板实际工作过程中，由第一金属层20传输的VCOM信号在转接区202区域通过第一金属层20到透明电极层60再通过金球70最后传到CF透明电极层60，从阵列基板传输至彩膜基板。但是，在窄边框(Narrow Border)产品中，由于制程所限，经常会使得金球70形成(打点形成)位置偏移设计的转接区202位置，使得金球70偏移至该第一连接区201处，甚至形成在该第一连接区201的第一金属层20和第二金属层40的区域的上方，如此转接区202离显示区100较近，会使得显示区100边缘的盒厚被垫高而出现Mura问题；本方案中，第二金属层40设置且仅设置在所述第二连接区203的栅极绝缘层30的上方，第一连接区201的第二金属层40蚀刻掉，使得该第一连接区201的区域总膜厚降低，如此，即使部分金球70偏移到该第一连接区201位置，也可以有足够的空间容纳该金球70，而从而减少金球70垫高显示区100边缘的问题，避免显示区100边缘被垫高引起的Mura等问题，有利于提升显示面板1的显示效果，提高显示面板1，特别是窄边框显示面板1的生产良率。
其中，公共线为阵列基板的非显示区200的COM电极，公共电极为彩膜基板的CF电极。
特别说明的是，该第二金属层40的设置只是在对应设置在金球70的转接区202处才这样。
本实施例可选的，所述第一金属层20对应所述第一连接区201处镂空。
第一金属层20位于第一连接区201处的部位蚀刻掉了，防止金球70被顶高，成盒不均匀，可能出现漏光或者其他问题。
本实施例可选的，所述第一金属层20和阵列基板的非显示区200的公共线通过同一道光罩制成，且电连接。
第一金属层20和阵列基板的公共线通过同一道制程形成，不需要通过打孔将电极进行连接，减少了制程。
本实施例可选的，所述第二金属层40和阵列基板的非显示区200的公共线通过同一道光罩制成，且电连接。
第二金属层40和阵列基板的非显示区200的COM电极通过同一道制程形成，不需要通过打孔将电极进行连接，减少了制程。
本实施例可选的，所述阵列基板的公共线与所述第一金属层20或第二金属层40通过同一道光罩制成，第一金属层20和第二金属层40通过过孔电连接。
作为本发明的另一实施例，参考图4所示，公开了一种显示面板，包括：
阵列基板，和阵列基板相对设置的彩膜基板；所述阵列基板包括公共线，所述彩膜基板包括公共电极；
金球70，设置在所述显示面板的非显示区200，用于导通所述阵列基板的公共线和彩膜基板的公共电极，所述金球设置的位置为转接区；
第一连接区201，与所述转接区202连接且靠近所述显示面板的显示区100；
第二连接区203，位于所述转接区202的外围；
所述阵列基板包括：
衬底10；
第一金属层20，覆盖在所述衬底10上方；
栅极绝缘层30，设置在所述第一金属层20上方，所述栅极绝缘层30对应转接区202镂空，形成栅极绝缘凹陷区301；
第二金属层40，设置且仅设置在所述第二连接区203的栅极绝缘层30的上方；
钝化层50，设置在第一连接区201的栅极绝缘层30上方，以及第二连接区203的第二金属层40上方，对应栅极绝缘凹陷区301处镂空；
透明电极层60，设置在第一金属层20对应转接区202的位置，并至少覆盖在第一连接区201的钝化层50对应转接区202的侧壁，以及第二连接区203的栅极绝缘层30、第二金属层40和钝化层50的侧壁；
金球70设置在所述透明电极层60上方，用于连通所述阵列基板的公共线和所述彩膜基板的公共电极；
所述第一金属层20和阵列基板的公共线通过同一道光罩制成，且电连接。
作为本发明的另一实施例，参考图6所示，公开了一种显示面板1的制程，包括：
S61：在衬底10上覆盖一层金属材料层，并蚀刻金属材料层形成第一金属层20；
S62：在第一金属层20的上方形成栅极绝缘层30，并把栅极绝缘层30对应转接区202的部位部分蚀刻掉形成栅极绝缘凹陷区301；
S63：在栅极绝缘层30的上方形成第二金属层40，并把第一连接区201和转接区202的第二金属层40蚀刻掉；
S64：在第一连接区201的栅极绝缘层30的上方以及第二连接区203的第二金属层40的上方形成钝化层50，并把栅极绝缘层30对应转接区202的部分蚀刻掉；
S65：在第一金属层20对应转接区202的上方形成透明电极层60，并使得透明电极层60同时覆盖在第一连接区201的钝化层50、栅极绝缘层30对应转接区202的侧壁，以及第二连接区203的钝化层50、第二金属层40和栅极绝缘层30对应转接区202的侧壁，所述透明电极层与所述公共线连通形成阵列基板；
形成设有公共电极的彩膜基板；
S66：在透明电极层60的上方形成金球70，并使金球70连通阵列基板的公共线和第二基板80的公共电极。
在VA(Vertical Alignment)技术的LCD中，液晶由加载在彩膜基板和阵列基板之间形成的垂直电场使之转动，从而使液晶形成不同的偏转角度，从而使得上偏光片能透过不同强度的光。在电场加载过程中，第二基板80上的电场由转接区202将信号从阵列基板导入至第二基板80。通常在面板周边设置一圈第一金属层20和第二金属层40的网状VCOM走线，在合适的位置设计转接区202。转接区202位置不设置第二金属层40，在第一金属层20之上铺上透明电极层60即形成转接区202，面板实际工作过程中，由第一金属层20传输的公共电压信号在转接区202区域通过第一金属层20到透明电极层60再通过金球70最后传到CF透明电极层60，从阵列基板传输至彩膜基板。但是，在窄边框(Narrow Border)产品中，由于制程所限，经常会使得金球70形成(打点形成)位置偏移设计的转接区202位置，使得金球70偏移至该第一连接区201处，甚至形成在该第一连接区201的第一金属层20和第二金属层40的区域的上方，如此转接区202离显示区100较近，会使得显示区100边缘的盒厚被垫高而出现Mura问题；本方案中，第二金属层40设置且仅设置在所述第二连接区203的栅极绝缘层30的上方，第一连接区201的第二金属层40蚀刻掉，使得该第一连接区201的区域总膜厚降低，如此，即使部分金球70偏移到该第一连接区201位置，也可以有足够的空间容纳该金球70，而从而减少金球70垫高显示区100边缘的问题，避免显示区100边缘被垫高引起的Mura等问题，有利于提升显示面板1的显示效果，提高显示面板1，特别是窄边框显示面板1的生产良率。
本实施例可选的，所述在金属材料层形成第一金属层20的步骤还包括：把第一金属层20对应第一连接区201的部位蚀刻掉。
第一金属层20位于第一连接区201处的部位蚀刻掉了，防止金球70被顶高，成盒不均匀，可能出现漏光或者其他问题。
其中，如果栅极绝缘层30的厚度小于等于该第一金属层20的厚度，则该透明电极层60不覆盖在栅极绝缘层30对应转接区202的侧壁；若栅极绝缘层30的厚度大于该第一金属层20的厚度，则透明电极层60覆盖在栅极绝缘层30对应转接区202的侧壁的上部。
本实施例可选的，所述第一金属层20和阵列基板的公共线通过同一道制程形成，且相互电连接。
第一金属层20和阵列基板的公共线通过同一道制程形成，不需要通过打孔将电极进行连接，减少了制程。
本实施例可选的，所述第二金属层40和阵列基板的公共线通过同一道制程形成，且相互电连接。
第二金属层40和阵列基板的公共线通过同一道制程形成，不需要通过打孔将电极进行连接，减少了制程。
本实施例可选的，所述阵列基板的公共线与所述第一金属层20或第二金属层40通过同一道光罩制成，所述第一金属层20和第二金属层40通过过孔电连接。
第一金属层20和第二金属层40通过过孔电连接，减少了断线带来的断路的可能；阵列基板的公共线与所述第一金属层20同层且电连接时，第二金属层40和显示区100的第二金属层40绝缘；公共线与所述第二金属层40同层且电连接时，第一金属层20和显示区100的第一金属层20绝缘，防止串扰。
本发明的面板可以是TN面板(全称为Twisted Nematic，即扭曲向列型面板)、IPS面板(In-PlaneSwitching，平面转换)、VA面板(Multi-domain Vertical Aignment，多象限垂直配向技术)，当然，也可以是其他类型的面板，适用即可。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一基板；
第二基板，和所述第一基板对置；
所述第一基板包括公共线，所述第二基板包括公共电极；
金球，设置在所述显示面板的非显示区，用于导通所述第一基板的公共线和第二基板的公共电极，所述金球设置的位置为转接区；
第一连接区，与所述转接区连接且靠近所述显示面板的显示区；
第二连接区，位于所述转接区的外围；
所述第一基板包括：
衬底；
第一金属层，覆盖在所述衬底上方；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上方，所述栅极绝缘层对应转接区镂空，形成栅极绝缘凹陷区；
第二金属层，设置且仅设置在所述第二连接区的栅极绝缘层的上方；
钝化层，设置在第一连接区的栅极绝缘层上方，以及第二连接区的第二金属层上方，对应栅极绝缘凹陷区处镂空；
透明电极层，设置在第一金属层对应转接区的位置，并至少覆盖在第一连接区的钝化层对应转接区的侧壁，以及第二连接区的栅极绝缘层、第二金属层和钝化层的侧壁；
所述金球设置在所述透明电极层上方，用于连通所述第一基板的公共线和所述第二基板的公共电极。
2.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述第一金属层对应所述第一连接区处镂空。
3.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述第一金属层和第一基板的公共线通过同一道光罩制成，且电连接。
4.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述第二金属层和第一基板的公共线通过同一道光罩制成，且电连接。
5.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述第一基板的公共线与所述第一金属层或第二金属层通过同一道光罩制成，第一金属层和第二金属层通过过孔电连接。
6.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板相对设置；
所述阵列基板包括公共线，所述彩膜基板包括公共电极；
金球，设置在所述显示面板的非显示区，用于导通所述阵列基板的公共线和彩膜基板的公共电极，所述金球设置的位置为转接区；
第一连接区，与所述转接区连接且靠近所述显示面板的显示区；
第二连接区，位于所述转接区的外围；
所述阵列基板包括：
衬底；
第一金属层，覆盖在所述基板上方；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上方，所述栅极绝缘层对应转接区镂空，形成栅极绝缘凹陷区；
第二金属层，设置且仅设置在所述第二连接区的栅极绝缘层的上方；
钝化层，设置在第一连接区的栅极绝缘层上方，以及第二连接区的第二金属层上方，对应栅极绝缘凹陷区处镂空；
透明电极层，设置在第一金属层对应转接区的位置，并至少覆盖在第一连接区的钝化层对应转接区的侧壁，以及第二连接区的栅极绝缘层、第二金属层和钝化层的侧壁；
所述金球设置在所述透明电极层上方，用于连通所述阵列基板的公共线和所述彩膜基板的公共电极。
7.一种显示面板的制程，其特征在于，包括：
在衬底上覆盖一层金属材料层，并蚀刻金属材料层形成第一金属层；
在第一金属层的上方形成栅极绝缘层，并把栅极绝缘层对应转接区的部分蚀刻掉形成栅极绝缘凹陷区；
在栅极绝缘层的上方形成第二金属层，并把第一连接区和转接区的第二金属层蚀刻掉；
在第一连接区的栅极绝缘层的上方以及第二连接区的第二金属层的上方形成钝化层，并把钝化层对应转接区的部分蚀刻掉；
在第一金属层对应转接区的上方形成透明电极层，并使得透明电极层同时覆盖在第一连接区的钝化层、栅极绝缘层对应转接区的侧壁，以及第二连接区的钝化层、第二金属层和栅极绝缘层对应转接区的侧壁，所述透明电极层与公共线连通形成第一基板；
形成设有公共电极的第二基板；
在透明电极层的上方设置金球，并使金球连通第一基板的公共线和第二基板的公共电极；
其中，金球设置的位置为转接区，第一连接区与转接区连接且靠近显示面板的显示区，第二连接区位于转接区的外围。
8.如权利要求7所述的一种显示面板的制程，其特征在于，在金属材料层形成第一金属层的步骤还包括：把第一金属层对应第一连接区的部位蚀刻掉。
9.如权利要求7所述的一种显示面板的制程，其特征在于，第一金属层和第一基板的公共线通过同一道制程形成，且相互电连接。
10.如权利要求7所述的一种显示面板的制程，其特征在于，第一基板的公共线与第一金属层或第二金属层通过同一道光罩制成，第一金属层和第二金属层通过过孔电连接。
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