CN109233712A - 一种半导体封装胶及制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体封装胶及制备工艺,配方包括:银粉、环氧树脂胶黏剂、分散剂,包括如下步骤,步骤一,原料选取及称量;步骤二,搅拌混合;步骤三,加热混合;步骤四,静置;步骤五,过滤;步骤六,蒸馏;按照各组分的质量百分含量分别是:银粉40‑45%、环氧树脂胶黏剂5‑10%、石墨炭黑5‑10%、甲苯1‑5%、消泡剂0.1‑0.4%,水35‑40%,分散剂0.1‑0.4%进行选取,并按照重量百分比之和为1进行称取,该发明,通过特定的配比,银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水和分散剂,并且通过原料选取及称量;搅拌混合;加热混合;静置;过滤;蒸馏,使得制作的封装胶的过程更加简单,成型快。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装胶设备技术领域,具体为一种半导体封装胶及制备工艺。
背景技术
在半导体元件元件日益微小化进展已到10纳米的制程技术,主动元件晶片后段封装的材料进入空前的挑战。目前高阶的封装材料几乎都是欧美日大厂垄断,且封装材料取得价格相当的高昂,交货期也相当的长,对于全球化日益竞争的封装产业,获利空间逐渐被压缩,着实有需要材料本地化的需求因应而生。早期传统矽晶片经过打线接合或覆晶接合之后,常见的包覆技术是包封胶,这一黑色方块的封胶材料是由环氧树脂、陶瓷粉、炭黑等组成的复合材料,它填充在黄金线、铜线或导线架之间,负责提供绝缘效果。至今经过半导体技术的演变,覆晶技术已经进展到3D立体的结构,所以封装材料的特性需要非常好的机台搭配性,实际点胶作业的最佳化最速化与高稳定性,固化时收缩应力更小,材料固化后的物理特性佳,绝缘性好等。
现有的半导体封装胶,制备工艺比较复杂,时间比较长,因此设计一种半导体封装胶及制备工艺。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体封装胶及制备工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供如下技术方案:
一种半导体封装胶,配方包括:银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水、分散剂,各组分的质量百分含量分别是:银粉40-45%、环氧树脂胶黏剂5-10%、石墨炭黑5-10%、甲苯1-5%、消泡剂0.1-0.4%,水35-40%,分散剂0.1-0.4%。
一种半导体封装胶制备工艺,包括如下步骤,步骤一,原料选取及称量;步骤二,搅拌混合;步骤三,加热混合;步骤四,静置;步骤五,过滤;步骤六,蒸馏;
其中在上述步骤一中,按照各组分的质量百分含量分别是:银粉40-45%、环氧树脂胶黏剂5-10%、石墨炭黑5-10%、甲苯1-5%、消泡剂0.1-0.4%,水35-40%,分散剂0.1-0.4%进行选取,并按照重量百分比之和为1进行称取;
其中在上述步骤二中,将称取的银粉、环氧树脂胶黏剂和石墨炭黑倒入具有搅拌功能的反应釜中,然后将称量的甲苯和水和倒入四口瓶中,混合均匀;
其中在上述步骤三中,将甲苯和水的混合液缓慢滴入氯硅烷混合液中,并向氯硅烷中加入称量的消泡剂和分散剂,然后将温度加热到40-50℃进行反应,反应时间为4.5小时,然后再将温度加热到80℃,老化反应2小时;
其中在上述步骤四中,将步骤三中反应后的浆体自热降温至室温后,将浆体倒入反应漏斗中,静置分层,上层有机相为甲基举基乙烯基硅树脂的甲苯溶液,中间有少量絮状物薄层,下层为水相;
其中在上述步骤五中,分出絮状物薄层和水相;上层有机相倒人三口瓶,多次蒸馏水洗涤,直到有机相中性;利用砂式漏斗过滤中性有机相,除去杂质;
其中在上述步骤六中,减压蒸馏有机相,蒸馏处甲苯和低聚物,得到封装胶。
根据上述技术方案,所述银粉45%、环氧树脂胶黏剂5%、石墨炭黑5%、甲苯4.2%、消泡剂0.4%,水40%,分散剂0.4%。
根据上述技术方案,所述分散剂为三乙基己基磷酸、十二烷基硫酸钠、甲基戊醇和纤维素衍生物中至少一种。
根据上述技术方案,所述消泡剂为高碳醇脂肪酸酯复合物、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚和聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚中至少一种。
根据上述技术方案,所述步骤三中,滴加混合液的时间控制在1小时左右。
根据上述技术方案,所述步骤六中,蒸馏的压强为0.08MPa,初馏温度为30℃,终馏温度为150℃。
根据上述技术方案,所述砂式漏斗为1000目时,过滤效果好。
与现有技术相比,本发明所达到的有益效果是:该发明,通过特定的配比,银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水和分散剂,并且通过原料选取及称量;搅拌混合;加热混合;静置;过滤;蒸馏,使得制作的封装胶的过程更加简单,成型快。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明的工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种半导体封装胶及制备工艺;
实施例1:
一种半导体封装胶,配方包括:银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水、分散剂,各组分的质量百分含量分别是:银粉40%、环氧树脂胶黏剂10%、石墨炭黑10%、甲苯4.8%、消泡剂0.1%,水35%,分散剂0.1%。
一种半导体封装胶制备工艺,包括如下步骤,步骤一,原料选取及称量;步骤二,搅拌混合;步骤三,加热混合;步骤四,静置;步骤五,过滤;步骤六,蒸馏;
其中在上述步骤一中,按照各组分的质量百分含量分别是:银粉40%、环氧树脂胶黏剂10%、石墨炭黑10%、甲苯4.8%、消泡剂0.1%,水35%,分散剂0.1%进行称取;
其中在上述步骤二中,将称取的银粉、环氧树脂胶黏剂和石墨炭黑倒入具有搅拌功能的反应釜中,然后将称量的甲苯和水和倒入四口瓶中,混合均匀;
其中在上述步骤三中,将甲苯和水的混合液缓慢滴入氯硅烷混合液中,并向氯硅烷中加入称量的消泡剂和分散剂,然后将温度加热到40-50℃进行反应,反应时间为4.5小时,然后再将温度加热到80℃,老化反应2小时;
其中在上述步骤四中,将步骤三中反应后的浆体自热降温至室温后,将浆体倒入反应漏斗中,静置分层,上层有机相为甲基举基乙烯基硅树脂的甲苯溶液,中间有少量絮状物薄层,下层为水相;
其中在上述步骤五中,分出絮状物薄层和水相;上层有机相倒人三口瓶,多次蒸馏水洗涤,直到有机相中性;利用砂式漏斗过滤中性有机相,除去杂质;
其中在上述步骤六中,减压蒸馏有机相,蒸馏处甲苯和低聚物,得到封装胶。
其中,分散剂为三乙基己基磷酸;消泡剂为高碳醇脂肪酸酯复合物;所述步骤三中,滴加混合液的时间控制在1小时左右;步骤六中,蒸馏的压强为0.08MPa,初馏温度为30℃,终馏温度为150℃;砂式漏斗为1000目时,过滤效果好。
实施例2:
一种半导体封装胶,配方包括:银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水、分散剂,各组分的质量百分含量分别是:银粉45%、环氧树脂胶黏剂5%、石墨炭黑5%、甲苯4.2%、消泡剂0.4%,水40%,分散剂0.4%。
一种半导体封装胶制备工艺,包括如下步骤,步骤一,原料选取及称量;步骤二,搅拌混合;步骤三,加热混合;步骤四,静置;步骤五,过滤;步骤六,蒸馏;
其中在上述步骤一中,按照各组分的质量百分含量分别是:银粉45%、环氧树脂胶黏剂5%、石墨炭黑5%、甲苯4.2%、消泡剂0.4%,水40%,分散剂0.4%进行称取;
其中在上述步骤二中,将称取的银粉、环氧树脂胶黏剂和石墨炭黑倒入具有搅拌功能的反应釜中,然后将称量的甲苯和水和倒入四口瓶中,混合均匀;
其中在上述步骤三中,将甲苯和水的混合液缓慢滴入氯硅烷混合液中,并向氯硅烷中加入称量的消泡剂和分散剂,然后将温度加热到40-50℃进行反应,反应时间为4.5小时,然后再将温度加热到80℃,老化反应2小时;
其中在上述步骤四中,将步骤三中反应后的浆体自热降温至室温后,将浆体倒入反应漏斗中,静置分层,上层有机相为甲基举基乙烯基硅树脂的甲苯溶液,中间有少量絮状物薄层,下层为水相;
其中在上述步骤五中,分出絮状物薄层和水相;上层有机相倒人三口瓶,多次蒸馏水洗涤,直到有机相中性;利用砂式漏斗过滤中性有机相,除去杂质;
其中在上述步骤六中,减压蒸馏有机相,蒸馏处甲苯和低聚物,得到封装胶。
其中,分散剂为三乙基己基磷酸;消泡剂为高碳醇脂肪酸酯复合物;所述步骤三中,滴加混合液的时间控制在1小时左右;步骤六中,蒸馏的压强为0.08MPa,初馏温度为30℃,终馏温度为150℃;砂式漏斗为1000目时,过滤效果好。
实施例3:
一种半导体封装胶,配方包括:银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水、分散剂,各组分的质量百分含量分别是:银粉43%、环氧树脂胶黏剂6%、石墨炭黑6%、甲苯4.2%、消泡剂0.4%,水40%,分散剂0.4%。
一种半导体封装胶制备工艺,包括如下步骤,步骤一,原料选取及称量;步骤二,搅拌混合;步骤三,加热混合;步骤四,静置;步骤五,过滤;步骤六,蒸馏;
其中在上述步骤一中,按照各组分的质量百分含量分别是:银粉43%、环氧树脂胶黏剂6%、石墨炭黑6%、甲苯4.2%、消泡剂0.4%,水40%,分散剂0.4%进行称取;
其中在上述步骤二中,将称取的银粉、环氧树脂胶黏剂和石墨炭黑倒入具有搅拌功能的反应釜中,然后将称量的甲苯和水和倒入四口瓶中,混合均匀;
其中在上述步骤三中,将甲苯和水的混合液缓慢滴入氯硅烷混合液中,并向氯硅烷中加入称量的消泡剂和分散剂,然后将温度加热到40-50℃进行反应,反应时间为4.5小时,然后再将温度加热到80℃,老化反应2小时;
其中在上述步骤四中,将步骤三中反应后的浆体自热降温至室温后,将浆体倒入反应漏斗中,静置分层,上层有机相为甲基举基乙烯基硅树脂的甲苯溶液,中间有少量絮状物薄层,下层为水相;
其中在上述步骤五中,分出絮状物薄层和水相;上层有机相倒人三口瓶,多次蒸馏水洗涤,直到有机相中性;利用砂式漏斗过滤中性有机相,除去杂质;
其中在上述步骤六中,减压蒸馏有机相,蒸馏处甲苯和低聚物,得到封装胶。
其中,分散剂为三乙基己基磷酸;消泡剂为高碳醇脂肪酸酯复合物;所述步骤三中,滴加混合液的时间控制在1小时左右;步骤六中,蒸馏的压强为0.08MPa,初馏温度为30℃,终馏温度为150℃;砂式漏斗为1000目时,过滤效果好。
基于上述,本发明的优点在于,本发明,通过按照各组分的质量百分含量分别是:银粉40-45%、环氧树脂胶黏剂5-10%、石墨炭黑5-10%、甲苯1-5%、消泡剂0.1-0.4%,水35-40%,分散剂0.1-0.4%进行选取,并按照重量百分比之和为1进行称取;将称取的银粉、环氧树脂胶黏剂和石墨炭黑倒入具有搅拌功能的反应釜中,然后将称量的甲苯和水和倒入四口瓶中,混合均匀;将甲苯和水的混合液缓慢滴入氯硅烷混合液中,并向氯硅烷中加入称量的消泡剂和分散剂,然后将温度加热到40-50℃进行反应,反应时间为4.5小时,然后再将温度加热到80℃,老化反应2小时;将步骤三中反应后的浆体自热降温至室温后,将浆体倒入反应漏斗中,静置分层,上层有机相为甲基举基乙烯基硅树脂的甲苯溶液,中间有少量絮状物薄层,下层为水相;分出絮状物薄层和水相;上层有机相倒人三口瓶,多次蒸馏水洗涤,直到有机相中性;利用砂式漏斗过滤中性有机相,除去杂质;减压蒸馏有机相,蒸馏处甲苯和低聚物,得到封装胶。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种半导体封装胶,其特征在于:配方包括:银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水、分散剂,各组分的质量百分含量分别是:银粉40-45%、环氧树脂胶黏剂5-10%、石墨炭黑5-10%、甲苯1-5%、消泡剂0.1-0.4%,水35-40%,分散剂0.1-0.4%。
2.一种半导体封装胶制备工艺,包括如下步骤,步骤一,原料选取及称量;步骤二,搅拌混合;步骤三,加热混合;步骤四,静置;步骤五,过滤;步骤六,蒸馏;其特征在于:
其中在上述步骤一中,按照各组分的质量百分含量分别是:银粉40-45%、环氧树脂胶黏剂5-10%、石墨炭黑5-10%、甲苯1-5%、消泡剂0.1-0.4%,水35-40%,分散剂0.1-0.4%进行选取,并按照重量百分比之和为1进行称取;
其中在上述步骤二中,将称取的银粉、环氧树脂胶黏剂和石墨炭黑倒入具有搅拌功能的反应釜中,然后将称量的甲苯和水和倒入四口瓶中,混合均匀;
其中在上述步骤三中,将甲苯和水的混合液缓慢滴入氯硅烷混合液中,并向氯硅烷中加入称量的消泡剂和分散剂,然后将温度加热到40-50℃进行反应,反应时间为4.5小时,然后再将温度加热到80℃,老化反应2小时;
其中在上述步骤四中,将步骤三中反应后的浆体自热降温至室温后,将浆体倒入反应漏斗中,静置分层,上层有机相为甲基举基乙烯基硅树脂的甲苯溶液,中间有少量絮状物薄层,下层为水相;
其中在上述步骤五中,分出絮状物薄层和水相;上层有机相倒人三口瓶,多次蒸馏水洗涤,直到有机相中性;利用砂式漏斗过滤中性有机相,除去杂质;
其中在上述步骤六中,减压蒸馏有机相,蒸馏处甲苯和低聚物,得到封装胶。
3.根据权利要求1所述的一种半导体封装胶,其特征在于:所述银粉45%、环氧树脂胶黏剂5%、石墨炭黑5%、甲苯4.2%、消泡剂0.4%,水40%,分散剂0.4%。
4.根据权利要求1所述的一种半导体封装胶,其特征在于:所述分散剂为三乙基己基磷酸、十二烷基硫酸钠、甲基戊醇和纤维素衍生物中至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种半导体封装胶,其特征在于:所述消泡剂为高碳醇脂肪酸酯复合物、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚和聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚中至少一种。
6.根据权利要求2所述的一种半导体封装胶制备工艺,其特征在于:所述步骤三中,滴加混合液的时间控制在1小时左右。
7.根据权利要求2所述的一种半导体封装胶制备工艺,其特征在于:所述步骤六中,蒸馏的压强为0.08MPa,初馏温度为30℃,终馏温度为150℃。
8.根据权利要求2所述的一种半导体封装胶制备工艺,其特征在于:所述砂式漏斗为1000目时,过滤效果好。
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB03 | Change of inventor or designer information | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Zhang Hongwang Inventor after: Shi Weili Inventor after: Huang Lifu Inventor before: Zhang Hongwang Inventor before: Shi Weili Inventor before: Huang Lifu Inventor before: Zheng Zhongjie |
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190118 |