CN109226131A - 清洗终点监测方法以及监测装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供的清洗终点监测方法以及清洗终点监测装置，包括：对反应腔室中的载板进行清洗将预设光线射入至载板的预设位置上，判断预设光线对应的反射光线是否满足预设条件，若反射光线满足预设条件，则结束对载板进行清洗。通过判断预设光线对应的反射光线是否满足预设条件，当反射光线满足预设条件时，则结束对载板进行清洗，不仅可以提高清洗效率，并且还可以提高反应腔室中产品的良率。

Description

清洗终点监测方法以及监测装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种清洗终点监测方法以及监测装置。

背景技术

当前无机物薄膜主要是通过等离子体增强型化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)制成，在设备反应腔室中成膜工艺时，膜层同样也会在反应腔室的四壁和重要的部件中沉积。随着时间的积累，当薄膜厚度足够厚时，由于压力增大薄膜会发成剥落，作为发尘源会污染反应腔室，致使产品发生不良。为了避免这种情况发生，设备会定期对反应腔室进行清洁。

传统的清洁方法将清洁气体注入反应腔室中并且激发等离子体，为确保反应腔室内部的膜被完全清洗干净，需要根据技术员经验设置一定的清洗时间，根据该清洗时间进行清洗。但这种方法无法精准的确定清洗时间，因此，清洗效率不佳。并且，当清洗时间过短时，反应腔室中的颗粒物没有被清洗干净，会造成污染，从而降低了反应腔室中产品的良率。

发明内容

本申请实施例提供一种清洗终点监测方法，不仅可以提高清洗效率，并且还可以提高反应腔室中产品的良率。

本申请提供了一种清洗终点监测方法，包括：

对反应腔室中的载板进行清洗；

将预设光线射入至所述载板的预设位置上；

判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件；

若所述反射光线满足预设条件，则结束对所述载板进行清洗。

在本申请所述的清洗终点监测方法中，所述判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：

检测所述反射光线的光强度，得到反射光强；

判断所述反射光强是否大于或等于第一预设阈值；

若所述反射光强大于或等于预设阈值，则判断所述反射光线满足预设条件。

在本申请所述的清洗终点监测方法中，所述判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：

检测所述预设光线的光强度，得到预设光强；

判断所述反射光强与所述预设光强之间的比值是否大于或等于第二预设阈值；

若所述反射光强与所述预设光强之间的比值大于或等于第二预设阈值，则判断所述预设光线对应的反射光线满足预设条件。

在本申请所述的清洗终点监测方法中，所述预设位置包括第一预设位置、第二预设位置、第三预设位置以及第四预设位置，所述判断所述预设位置上的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：

分别检测所述第一预设位置的反射光线的光强度、所述第二预设位置的反射光线的光强度、所述第三预设位置的反射光线的光强度以及所述第四预设位置的反射光线的光强度，得到第一反射光强、第二反射光强、第三反射光强以及第四反射光强；

当所述第一反射光强、所述第二反射光强以及所述第三反射光强均大于或等于第一预设阈值时，判断所述第四反射光强是否大于或等于第一预设阈值；

若所述第四反射光强大于或等于第一预设阈值，则判断所述预设位置上的反射光线满足预设条件。

在本申请所述的清洗终点监测方法中，所述预设位置包括多个子预设位置，所述判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：

检测所述多个子预设位置上的反射光线的光强度；

计算所述多个子预设位置上的反射光线的光强度的平均值，得到平均光强；

判断所述平均光强是否大于或等于第三预设阈值；

若所述平均光强大于或等于第三预设阈值，则判断所述预设光线对应的反射光线满足预设条件。

相应的，本申请还提供了一种清洗终点监测装置，包括：

清洗单元，用于对反应腔室中的载板进行清洗；

发光单元，用于将预设光线射入至所述载板的预设位置上；

判断单元，用于判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件；

结束单元，用于结束对所述载板进行清洗。

本申请提供的清洗终点监测方法以及清洗终点监测装置，包括：对反应腔室中的载板进行清洗将预设光线射入至载板的预设位置上，判断预设光线对应的反射光线是否满足预设条件，若反射光线满足预设条件，则结束对载板进行清洗。通过判断预设光线对应的反射光线是否满足预设条件，当反射光线满足预设条件时，则结束对载板进行清洗，不仅可以提高清洗效率，并且还可以提高反应腔室中产品的良率。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的清洗终点监测方法的流程示意图；

图2为本申请提供的清洗终点监测方法中步骤103的第一种实施方式的流程示意图；

图3为本申请提供的清洗终点监测方法的原理示意图；

图4为本申请提供的清洗终点监测方法中步骤103的具体第二种实施方式的流程示意图；

图5为本申请提供的清洗终点监测装置的第一种实施方式的结构示意图；

图6为本申请提供的清洗终点监测装置的第二种实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

请参阅图1，图1为本申请提供的清洗终点监测方法的流程示意图。

本申请实施例提供一种清洗终点监测方法，包括：

步骤101、对反应腔室中的载板进行清洗。

具体的，当反应腔室中的制程完成后，可以通入一些反应气体来对反应腔室中的载板进行清洗，优选的，反应气体可以是氟气。通入氟气后，氟气会与反应腔室中某些离子进行反应，从而达到清洁载板的目的。以通过PECVD方法制作封装薄膜为例，现有的封装薄膜大多使用含氮的化合物，当通入氟气后，氟气中的氟离子就会与含氮的化合物中氮离子反应生成气体，以达到清洗载板的目的。

步骤102、将预设光线射入至所述载板的预设位置上。

在本实施例中，载板的预设位置可以是载板的任一位置，并且预设位置可以为一个，也可以为多个，具体根据实际情况进行设定。需要说明的是，当载板上设置有多个预设位置时，所有射入载板预设位置上的预设光线的相位以及振幅均一致，以便于设置预设光线的参数，进而提高清洗载板的效率。

步骤103、判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件。

其中，该反射光线可以是预设光线射入载板预设位置后形成的。比如，可以利用激光仪向载板的预设位置上射入预设光线，该预设光线与载板之间的角度可以是45度。然后，该预设光线经过载板的表面反射后形成反射光线，该反射光线与预设光线之间的夹角可以为90度，也即，反射光线与载板之间的角度为45度。需要说明的是，预设光线与载板之间的角度也可以是别的角度，在本实施例中仅仅只是举例说明，具体可以根据实际情况进行设定。

具体的，预设条件可以是预设光线对应的反射光线的光强大于或等于预设光强，也可以是预设光线对应的反射光线的的振幅大于或等于预设振幅。比如，预设条件为预设光线对应的反射光线的的振幅大于或等于预设振幅，若预设光线对应的反射光线的振幅大于或等于预设振幅时，则判断预设光线对应的反射光线满足预设条件。

在一些实施例中，请参阅图2，图2为本申请提供的清洗终点监测方法中步骤103的第一种实施方式的流程示意图。步骤103具体可以包括：

步骤201、检测所述反射光线的光强度，得到反射光强。

步骤202、判断所述反射光强是否大于或等于第一预设阈值。

步骤203、若所述反射光强大于或等于第一预设阈值，则判断所述反射光线满足预设条件。

在本实施例中，将预设光线射入至载板的预设位置上后，可以检测反射光线的光强度，得到反射光强，然后判断该反射光强是否大于或等于第一预设阈值。

比如，检测得到反射光强为100坎德拉，而第一预设阈值为120坎德拉。此时，反射光强小于第一预设阈值，因此，该反射光线不满足预设条件，则继续清洗载板。

又比如，检测得到反射光强为100坎德拉，而第一预设阈值为90坎德拉。此时，反射光强大于第一预设阈值，因此，该反射光线满足预设条件，则判断该反射光线满足预设条件。

进一步的，请参阅图3，图3为本申请提供的清洗终点监测方法的原理示意图。

如图3所示，所述预设位置包括第一预设位置111、第二预设位置112、第三预设位置113以及第四预设位置114，所述判断所述预设位置上的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：

分别检测所述第一预设位置111的反射光线的光强度、所述第二预设位置112的反射光线的光强度、所述第三预设位置113的反射光线的光强度以及所述第四预设位置114的反射光线的光强度，得到第一反射光强、第二反射光强、第三反射光强以及第四反射光强。

当所述第一反射光强、所述第二反射光强以及所述第三反射光强均大于或等于第一预设阈值时，判断所述第四反射光强是否大于或等于第一预设阈值。

若所述第四反射光强大于或等于第一预设阈值，则判断所述预设位置上的反射光线满足预设条件。

具体的，将预设光线分别射入至第一预设位置111、第二预设位置112、第三预设位置113以及第四预设位置114上，然后可以采用光照强度测量仪分别检测第一预设位置111的反射光线的光强度、第二预设位置112的反射光线的光强度、第三预设位置113的反射光线的光强度以及第四预设位置114的反射光线的光强度。

比如，第一反射光强、第二反射光强以及第三反射光强均为100坎德拉，而第一预设阈值为100坎德拉。此时，第一反射光强、第二反射光强以及第三反射光强均等于第一预设阈值。紧接着，判断第四反射光强是否大于或等于第一预设阈值。如果第四反射光强为120坎德拉，则判断预设位置上的反射光线满足预设条件。

又比如，第一反射光强为80坎德拉，第二反射光强以及第三反射光强均为100坎德拉，而第一预设阈值为100坎德拉，而第一预设阈值为100坎德拉。此时，第一反射光强小于第一预设阈值，则继续对载板进行清洗，直到第一反射光强大于或等于第一预设阈值为止。

优选的，所述第一预设位置111、所述第二预设位置112、所述第三预设位置113以及所述第四预设位置114分别位于所述载板10的四个边角。

在一些实施例中，请参阅图4，图4为本申请提供的清洗终点监测方法中步骤103的具体第二种实施方式的流程示意图。步骤103具体可以包括：

所述预设位置包括多个子预设位置，所述判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：

步骤301、检测所述多个子预设位置上的反射光线的光强度。

步骤302、计算所述多个子预设位置上的反射光线的光强度的平均值，得到平均光强。

步骤303、判断所述平均光强是否大于或等于第三预设阈值。

步骤304、若所述平均光强大于或等于第三预设阈值，则判断所述预设光线对应的反射光线满足预设条件。

在本实施例中，预设位置包括多个子预设位置，子预设位置的数量可以根据具体情况进行设定，在此不做限定。

具体的，可以采用光照强度测量仪分别检测多个子预设位置上的反射光线的光强度，然后通过计算，得到多个子预设位置上的反射光线的光强度的平均值，得到平均光强。然后判断平均光强是否大于或等于第三预设阈值。

比如，平均光强为80坎德拉，第三预设阈值为70坎德拉，即平均光强大于第三预设阈值，则判断预设光线对应的反射光线满足预设条件。

又比如，平均光强为80坎德拉，第三预设阈值为90坎德拉，即平均光强小于第三预设阈值，则判断预设光线对应的反射光线不满足预设条件。此时，继续进行对载板的清洗，直到平均光强大于或等与第三预设阈值为止。

需要说明的是，由于需要判断平均光强是否大于或等于第三预设阈值，因此，即使某一子预设位置上的反射光线的光强度大于或等于第三预设阈值，但平均光强小于第三预设阈值，还是会继续进行对载板的清洗，直到平均光强大于或等与第三预设阈值为止。这样可以提高对载板的清洗程度，进而提高反应腔室中产品的良率。

在本实施例中，通过计算所述多个子预设位置上的反射光线的光强度的平均值，能够提高对载板的清洗程度，进而提高产品良率。

步骤104、若所述反射光线满足预设条件，则结束对所述载板进行清洗。

若反射光线满足预设条件，则接收清洗终点指令，从而结束对载板的清洗。

相应的，请参阅图5，图5为本申请提供的清洗终点监测装置的第一种实施方式的结构示意图。本申请还提供了一种清洗终点监测装置，包括：

清洗单元501，用于对反应腔室中的载板进行清洗；

发光单元502，用于将预设光线射入至所述载板的预设位置上；

判断单元503，用于判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件；

结束单元504，用于结束对所述载板进行清洗。

在本申请一些实施例中，请参阅图6，判断单元503还可以包括：

检测子单元505，具体用于检测所述反射光线的光强度，得到反射光强；

判断子单元506，具体用于判断所述反射光强是否大于或等于第一预设阈值；若所述反射光强大于或等于第一预设阈值，则判断所述反射光线满足预设条件。

在本实施例中，首先，清洗单元501对反应腔室中的载板进行清洗，然后发光单元502将预设光线射入至所述载板的预设位置上，判断单元503判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件，若所述预设光线对应的反射光线满足预设条件，则结束单元504结束对所述载板进行清洗。通过判断单元503判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件，若所述预设光线对应的反射光线满足预设条件，则结束单元504结束对所述载板进行清洗，不仅可以提高清洗效率，并且还可以提高反应腔室中产品的良率。

以上对本申请实施例提供的清洗终点监测方法以及装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种清洗终点监测方法，其特征在于，包括：

对反应腔室中的载板进行清洗；

将预设光线射入至所述载板的预设位置上；

判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件；

若所述反射光线满足预设条件，则结束对所述载板进行清洗。

2.根据权利要求1所述的清洗终点监测方法，其特征在于，所述判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：

检测所述反射光线的光强度，得到反射光强；

判断所述反射光强是否大于或等于第一预设阈值；

若所述反射光强大于或等于第一预设阈值，则判断所述反射光线满足预设条件。

3.根据权利要求1所述的清洗终点监测方法，其特征在于，所述判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：

检测所述预设光线的光强度，得到预设光强；

判断所述反射光强与所述预设光强之间的比值是否大于或等于第二预设阈值；

若所述反射光强与所述预设光强之间的比值大于或等于第二预设阈值，则判断所述预设光线对应的反射光线满足预设条件。

4.根据权利要求2所述的清洗终点监测方法，其特征在于，所述预设位置包括第一预设位置、第二预设位置、第三预设位置以及第四预设位置，所述判断所述预设位置上的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：

分别检测所述第一预设位置的反射光线的光强度、所述第二预设位置的反射光线的光强度、所述第三预设位置的反射光线的光强度以及所述第四预设位置的反射光线的光强度，得到第一反射光强、第二反射光强、第三反射光强以及第四反射光强；

当所述第一反射光强、所述第二反射光强以及所述第三反射光强均大于或等于第一预设阈值时，判断所述第四反射光强是否大于或等于第一预设阈值；

若所述第四反射光强大于或等于第一预设阈值，则判断所述预设位置上的反射光线满足预设条件。

5.根据权利要求4所述的清洗终点监测方法，其特征在于，所述第一预设位置、所述第二预设位置、所述第三预设位置以及所述第四预设位置分别位于所述载板的四个边角。

6.根据权利要求2所述的清洗终点监测方法，其特征在于，所述预设位置包括多个子预设位置，所述判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：

检测所述多个子预设位置上的反射光线的光强度；

计算所述多个子预设位置上的反射光线的光强度的平均值，得到平均光强；

判断所述平均光强是否大于或等于第三预设阈值；

若所述平均光强大于或等于第三预设阈值，则判断所述预设光线对应的反射光线满足预设条件。

7.一种清洗终点监测装置，其特征在于，包括：

清洗单元，用于对反应腔室中的载板进行清洗；

发光单元，用于将预设光线射入至所述载板的预设位置上；

判断单元，用于判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件；

结束单元，用于结束对所述载板进行清洗。

8.根据权利要求7所述的清洗终点监测装置，其特征在于，所述判断单元，包括：

检测子单元，具体用于检测所述反射光线的光强度，得到反射光强；

判断子单元，具体用于判断所述反射光强是否大于或等于第一预设阈值；若所述反射光强大于或等于第一预设阈值，则判断所述反射光线满足预设条件。

9.根据权利要求7所述的清洗终点监测装置，其特征在于，所述判断单元具体用于：

检测所述预设光线的光强度，得到预设光强；

判断所述反射光强与所述预设光强之间的比值是否大于或等于第二预设阈值；

若所述反射光强与所述预设光强之间的比值大于或等于第二预设阈值，则判断所述预设光线对应的反射光线满足预设条件。

10.根据权利要求8所述的清洗终点监测装置，其特征在于，所述判断单元具体用于：

分别检测所述第一预设位置的反射光线的光强度、所述第二预设位置的反射光线的光强度、所述第三预设位置的反射光线的光强度以及所述第四预设位置的反射光线的光强度，得到第一反射光强、第二反射光强、第三反射光强以及第四反射光强；

当所述第一反射光强、所述第二反射光强以及所述第三反射光强均大于或等于第一预设阈值时，判断所述第四反射光强是否大于或等于第一预设阈值；

若所述第四反射光强大于或等于第一预设阈值，则判断所述预设位置上的反射光线满足预设条件。