CN109216237A - 基板翘曲监视装置、基板处理装置及基板翘曲监视方法 - Google Patents

基板翘曲监视装置、基板处理装置及基板翘曲监视方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109216237A
CN109216237A CN201810731772.0A CN201810731772A CN109216237A CN 109216237 A CN109216237 A CN 109216237A CN 201810731772 A CN201810731772 A CN 201810731772A CN 109216237 A CN109216237 A CN 109216237A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
turntable
wafer
warpage
monitoring arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810731772.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109216237B (zh
Inventor
千叶俊弥
佐佐木祐也
田口纯之介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN109216237A publication Critical patent/CN109216237A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109216237B publication Critical patent/CN109216237B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种能够监视旋转台旋转过程中的基板的翘曲、能够预测基板的脱离的基板翘曲监视装置、基板处理装置以及基板翘曲监视方法。基板翘曲监视装置对在旋转台上沿周向设置的基板载置区域上载置的基板在旋转台旋转过程中的翘曲进行监视，基板翘曲监视装置具有：光学式位移计，其能够从旋转台的上方向旋转台上的规定位置照射光并接收来自旋转台旋转而通过所述规定位置的旋转台和基板的反射光，来测量基板的表面特征；存储单元，其存储将光照射于规定的参照面时的测量值来作为参照值；以及运算单元，其基于光学式位移计测量出的基板的表面特征和存储单元中存储的参照值来计算基板的翘曲量。

Description

基板翘曲监视装置、基板处理装置及基板翘曲监视方法
技术领域
本发明涉及一种基板翘曲监视装置和使用该基板翘曲监视装置的基板处理装置以及基板翘曲监视方法。
背景技术
自以往以来已知一种在基板处理装置中使用的基板脱离检测装置，所述基板处理装置在大致水平地设置于腔室内的旋转台的表面上形成的基板载置用的凹部上载置有基板的状态下使所述旋转台连续旋转，进行所述基板的处理，所述基板脱离检测装置具有基板脱离判定单元，所述基板脱离判定单元在所述旋转台的旋转过程中判定所述凹部上的所述基板的有无，由此判定所述基板是否从所述凹部脱离了(例如参照专利文献1)。
在该基板脱离检测装置中，设置对旋转台的用于载置基板的凹部处设置的升降销用的贯通孔的温度进行检测的辐射温度计，根据温度差来检测基板的脱离，或者设置拍摄凹部的摄像单元来检测基板的脱离，若基板脱离了，则使旋转台的旋转停止。
专利文献1：日本特开2015-8269号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述的专利文献1所记载的结构中，尽管能够检测是否发生了基板的脱离，但不能够预测基板的脱离，因此必须进行事后的应对，尽管能够减小腔室内的损伤、不良晶圆的产生等损害，但不能够完全地阻止损害。
因此，本发明的目的在于提供一种能够对旋转台旋转过程中的基板的翘曲进行监视、能够预测基板的脱离的基板翘曲监视装置和使用该基板翘曲监视装置的基板处理装置以及基板翘曲监视方法。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明的一个方式所涉及的基板翘曲监视装置对在旋转台上沿周向设置的基板载置区域上载置的基板在所述旋转台旋转过程中的翘曲进行监视，所述基板翘曲监视装置具有：光学式位移计，其能够从所述旋转台的上方向所述旋转台的规定位置照射光，接收来自所述旋转台旋转而通过所述规定位置的所述旋转台和所述基板的反射光，来测量所述基板的表面特征；存储单元，其存储将所述光照射于规定的参照面时的测量值来作为参照值；以及运算单元，其基于所述光学式位移计测量出的所述基板的表面特征和所述存储单元中存储的参照值来计算所述基板的翘曲量。
发明的效果
根据本发明，能够监视基板的翘曲量，能够预测基板的脱离。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的基板翘曲监视装置和使用该基板翘曲监视装置的基板处理装置的一例的结构图。
图2是应用本发明的实施方式所涉及的基板翘曲监视装置的基板处理装置的内部构造的立体图。
图3是应用本发明的实施方式所涉及的基板翘曲监视装置的基板处理装置的内部构造的俯视图。
图4是表示腔室的沿着旋转台的同心圆的截面的图。
图5是表示腔室内的设置有顶面的区域的截面图。
图6是用于说明本发明的第一实施方式所涉及的基板翘曲监视装置的基本原理的图。
图7是表示配置有多个激光位移计的例子的图。
图8是用于说明本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置和基板翘曲监视方法的一例中的参照面的测量的图。
图9是表示三个激光位移计处于能够向晶圆的表面照射激光的状态的图。
图10是表示使用图8和图9所示的三个激光位移计测量出的晶圆W的表面特征的例子的图。
图11是用于说明晶圆W在周向上产生了翘曲的情况下的表面特征的测量值的图。
图12是用于说明使用参照值计算晶圆W的翘曲量的工序的图。
图13是表示使用三个激光位移计的情况下的更详细的表面特征的测量值的实测例的图。
图14是图13的(b)的测量结果的放大图。
图15是图13的(a)的测量结果的放大图。
图16是用于说明表面特征测量中的噪声的产生原因的图。
图17是表示用于去除图15和图16中所说明的噪声的方法的一例的图。
图18是用于说明本发明的第一实施方式所涉及的基板翘曲监视方法的处理流程的图。
图19是用于说明第一实施方式所涉及的基板翘曲监视装置的激光位移计的朝向的图。
图20是表示第二实施方式所涉及的基板翘曲监视装置的一例的图。
附图标记说明；
1：腔室；2：旋转台；4：凸状部；5：突出部；7：加热器单元；10：搬送臂；11：顶板；12：容器主体；15：搬送口；16：窗；21：芯部；24：凹部(基板载置部)；25：编码器；31、32：反应气体喷嘴；41、42：分离气体喷嘴；43：槽部；44：(低的)顶面；45：(高的)顶面；100：控制部；110、110a～110d：激光位移计；120：运算部；130：存储部；C：中心区域；D：分离区域；E1、E2：排气区域；S：内部空间；W：晶圆。
具体实施方式
下面参照附图来说明用于实施本发明的方式。
图1是表示本发明的实施方式所涉及的基板翘曲监视装置和使用该基板翘曲监视装置的基板处理装置的一例的结构图。另外，图2是应用本发明的实施方式所涉及的基板翘曲监视装置的基板处理装置的内部构造的立体图，图3是应用本发明的实施方式所涉及的基板翘曲监视装置的基板处理装置的内部构造的俯视图。
此外，关于基板处理装置，只要是一边使旋转台旋转一边进行基板的处理的装置，则能够应用各种基板处理装置，在本实施方式中，列举出基板处理装置构成为成膜装置的例子进行说明。
参照图1至图3，成膜装置具备具有大致圆形的平面形状的扁平的腔室1以及设置于该腔室1内并且在腔室1的中心具有旋转中心的旋转台2。腔室1为用于收容作为处理对象的基板并且对基板进行成膜处理的处理容器。如图1所示，腔室1具有：容器主体12，其具有有底的圆筒形状；以及顶板11，其例如借助O形圈等密封构件13气密且可拆卸地配置于容器主体12的上表面。
在顶板11的一部分中形成有窗16。窗16中例如设置有石英玻璃，构成为能够从腔室1的外部视觉识别内部。
另外，也可以是，腔室1具有与真空泵640连接的排气口610，构成为能够进行真空排气的真空容器。
旋转台2为用于载置基板的载置台。旋转台2在表面具有圆形凹坑状的凹部24，在凹部24上支承基板。在图1中表示在凹部24上载置有作为基板的半导体晶圆W的状态。基板不一定限定为半导体晶圆W，在以下举出使用半导体晶圆W(以下称作“晶圆”。)来作为基板的例子进行说明。
另外，编码器25设置于电动机23，构成为能够检测旋转轴22的旋转角度。在本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置中，监视所有的被载置于旋转台2上的各个凹部24的各个晶圆W的翘曲状态，因此使用编码器25来作为凹部24与晶圆的对应及其位置的确定单元。
在顶板11的窗16的上方设置有激光位移计110。激光位移计110为用于对存在于旋转台2的凹部24上的晶圆W的表面特征进行测量的单元。激光位移计110具备激光照射部111和激光受光部112，从激光照射部111向晶圆W的上表面照射激光，激光受光部112接收被反射的激光，由此测定激光位移计110与晶圆W之间的距离。因而，在使旋转台2旋转而晶圆W沿旋转方向移动时，能够测量激光照射位置处的晶圆W的表面特征。即，激光位移计110与晶圆W之间的距离根据晶圆W的表面的凹凸而发生变化，因此能够测量晶圆W的表面的凹凸的变化、即表面特征。例如，如果使激光照射于晶圆W的中心，则能够测量穿过晶圆W的中心的线的表面特征。
此外，在本实施方式中，举出以激光作为照射光、使用激光位移计110的例子进行说明，但位移计能够使用各种非接触式的光学位移计。例如，既可以使用利用了LED光的LED位移计，也可以使用将光源设为灯(lamp)光、能够使用灯光来检测位移的位移计。另外，作为位移计，也可以使用共焦式位移计。像这样，本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置能够使用各种非接触式的光学位移计。但是，在以下的实施方式中，为了容易进行说明，对使用激光位移计110的例子进行说明。
运算部120为基于由激光位移计110测量出的晶圆W的表面特征信息来计算凹部24上的晶圆W的翘曲量的单元。关于运算部120，可以根据用途选择适当的运算处理单元。例如，运算部120也可以构成为具有CPU(Central Processing Unit、中央处理单元)和存储器且根据程序来进行动作的微型计算机、为了特定的用途而设计、制造的集成电路即ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)等运算处理单元。
此外，运算部120不仅计算晶圆W的表面特征，还将由激光位移计110测量出的来自规定的参照面的测量值用作参照值来计算晶圆W的翘曲量，关于该方面的详情在后面进行叙述。
另外，运算部120还接收来自编码器25的信号，在检测出晶圆W的翘曲量超过了规定的阈值时，确定是哪个凹部24上的晶圆W的翘曲量超过了阈值。运算部120在判定为晶圆W的翘曲量超过了阈值时，向控制部100输出警报信号。
存储部130为用于存储激光位移计110测量出的参照面的测量值的存储单元。与运算部120独立地表示了存储部130，但存储部130也可以设置为组入到运算部120内。也就是说，能够使上述的运算部120内的存储器作为存储部130发挥功能。
运算部120将存储部130中存储的参照面的测量值用作参照值来计算晶圆W的翘曲量。此外，在后面对该运算处理的详情进行叙述。
另外，本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置以始终监视晶圆处理中的晶圆W的翘曲、在晶圆W的翘曲量超过了规定的阈值的阶段使旋转台2的旋转减速或停止来防止晶圆W的脱离为主要目的，但也能够检测晶圆W从凹部24脱离的状态。也就是说，在由激光位移计110进行晶圆W的表面特征的测量时，在晶圆W不存在于凹部24内的情况下，激光照射于旋转台2的凹部24的底面，因此能够得到明显与激光照射到晶圆W时不同的信息。因而，在晶圆W脱离的情况下，也能够利用本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置检测出脱离。此外，关于该方面的详情也在后面进行叙述。
此外，由激光位移计110、运算部120、存储部130和编码器25构成本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置150。
控制部100为用于控制成膜装置整体的控制单元，可以构成为包括计算机的运算处理单元。控制部100进行在从运算部120接收到警报信号后使旋转台2的旋转减速或停止的控制。由此，在凹部24上的晶圆W的翘曲量增加、存在脱离的风险的情况下，迅速地使旋转台2的旋转减速或停止，能够在事前阻止晶圆W使腔室1的内部破损或使其它晶圆W破损。
此外，在检测出晶圆W从凹部24脱离的情况下，控制部100进行使旋转台2停止的控制。这是因为在发生了脱离的情况下，期望迅速地使旋转台2的旋转停止来尽早地阻止腔室1内的破损。
在控制部100的存储器内保存有使成膜装置在控制部100的控制之下实施包括基于来自基板翘曲监视装置150的警报信号的旋转台2的旋转的减速或停止在内的规定的成膜方法的程序。该程序中编入有步骤组，以执行也包括旋转台2的减速和旋转停止处理在内的规定的成膜方法，所述程序存储在硬盘、光盘、磁光盘、存储卡、软盘等介质102中，利用规定的读取装置被读入到存储部101中，安装于控制部100内。
接着，使用图2～图5来更详细地说明成膜装置的结构。
如图2和图3所示，在旋转台2的表面上沿旋转方向(周向)设置有用于载置多张(在图示的例子中为五张)基板即半导体晶圆W的圆形状的凹部24。此外，在图3中为了方便只在一个凹部24中示出晶圆W。该凹部24具有比晶圆W的直径稍大例如大4mm的内径、以及与晶圆W的厚度大致相等或比晶圆W的厚度深的深度。因而，当晶圆W收容于凹部24时，晶圆W的表面与旋转台2的表面(不载置晶圆W的区域)为相同的高度、或晶圆W的表面比旋转台2的表面低。即使在凹部24的深度比晶圆W的厚度深的情况下，当深度过深时会对成膜带来影响，因此优选设为晶圆W的厚度的3倍左右的深度为止。在凹部24的底面形成有用于支承晶圆W的背面来使晶圆W升降的例如三个升降销所贯通的贯通孔(均未图示)。
图2和图3为说明腔室1内的构造的图，为了方便说明，省略了顶板11的图示。如图2和图3所示，分别例如由石英形成的反应气体喷嘴31、反应气体喷嘴32和分离气体喷嘴41、42沿腔室1的周向(旋转台2的旋转方向(图3的箭头A))彼此隔开间隔地配置在旋转台2的上方。在图示的例子中，从后述的搬送口15起沿顺时针(旋转台2的旋转方向)按分离气体喷嘴41、反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴42和反应气体喷嘴32的顺序排列有这些喷嘴。通过将作为各喷嘴31、32、41、42的基端部的气体导入端口31a、32a、41a、42a(图3)固定于容器主体12的外周壁，将这些喷嘴31、32、41、42以从腔室1的外周壁导入腔室1内且以沿着容器主体12的径向相对于旋转台2水平地延伸的方式安装。
反应气体喷嘴31经由未图示的配管和流量控制器等来与第一反应气体的供给源(未图示)连接。反应气体喷嘴32经由未图示的配管和流量控制器等来与第二反应气体的供给源(未图示)连接。分离气体喷嘴41、42均经由未图示的配管和流量控制阀等来与分离气体例如氮(N2)气体的供给源(未图示)连接。此外，在使用等离子体的情况下，分离气体大多使用氩(Ar)。像这样，关于分离气体，能够根据用途使用适当的非活性气体或稀有气体。
在反应气体喷嘴31、32上沿反应气体喷嘴31、32的长度方向以例如10mm的间隔排列有朝向旋转台2开口的多个气体喷出孔33。反应气体喷嘴31的下方区域为用于使晶圆W吸附第一反应气体的第一处理区域P1。反应气体喷嘴32的下方区域为第二反应气体与在第一处理区域P1中吸附于晶圆W的第一反应气体发生反应的第二处理区域P2。
参照图2和图3，在腔室1内设置有两个凸状部4。凸状部4如后述的那样以朝向旋转台2突出的方式安装于顶板11的背面，以与分离气体喷嘴41、42一起构成分离区域D。另外，凸状部4具有顶部被切为圆弧状的扇型的俯视形状，在本实施方式中，配置为内圆弧与突出部5(后述)连结，并且外圆弧沿着腔室1的容器主体12的内周面。
图4表示腔室1的、从反应气体喷嘴31起至反应气体喷嘴32为止的、沿着旋转台2的同心圆的截面。如图所示，在顶板11的背面安装有凸状部4，因此在腔室1内存在有作为凸状部4的下表面的平坦且低的顶面44(第一顶面)和位于该顶面44的周向两侧的、比顶面44高的顶面45(第二顶面)。顶面44具有顶部被切为圆弧状的扇型的俯视形状。另外，如图所示，在凸状部4的周向中央处形成有以沿径向延伸的方式形成的槽部43，分离气体喷嘴42收容于槽部43内。在另一个凸状部4中也同样地形成槽部43，收容分离气体喷嘴41收容于该槽部43。另外，在高的顶面45的下方的空间中分别设置有反应气体喷嘴31、32。这些反应气体喷嘴31、32以与顶面45分离的方式设置于晶圆W的附近。此外，为了方便说明，如图4所示，用参照标记481表示设置有反应气体喷嘴31的、高的顶面45的下方的空间，用参照标记482表示设置有反应气体喷嘴32的、高的顶面45的下方的空间。
另外，在收容于凸状部4的槽部43的分离气体喷嘴41、42上沿分离气体喷嘴41、42的长度方向以例如10mm的间隔排列有朝向旋转台2开口的多个气体喷出孔42h(参照图4)。
顶面44相对于旋转台2形成狭窄的空间即分离空间H。当从分离气体喷嘴42的喷出孔42h供给N2气体时，该N2气体经过分离空间H朝向空间481和空间482流动。此时，分离空间H的容积比空间481及482的容积小，因此由于N2气体能够使分离空间H的压力比空间481及482的压力高。即，在空间481与空间482之间形成压力高的分离空间H。另外，从分离空间H向空间481及482流出的N2气体作为针对来自第一区域P1的第一反应气体和来自第二区域P2的第二反应气体的逆流(counter flow)发挥作用。因而，利用分离空间H将来自第一区域P1的第一反应气体与来自第二区域P2的第二反应气体分离。因而，能够抑制第一反应气体与第二反应气体在腔室1内混合来发生反应。
此外，考虑到成膜时的腔室1内的压力、旋转台2的旋转速度、供给的分离气体(N2气体)的供给量等，优选的是，将顶面44相对于旋转台2的上表面的高度h1设定为适于使分离空间H的压力比空间481及482的压力高的高度。
另一方面，在顶板11的下表面设置有包围用于固定旋转台2的芯部21的外周的突出部5(图2和图3)。在本实施方式中，该突出部5与凸状部4的旋转中心侧的部位连续，并且其下表面形成为与顶面44相同的高度。
之前参照的图1为沿着图3的I-I'线的截面图，示出设置有顶面45的区域。另一方面，图5为表示设置有顶面44的区域的截面图。如图5所示，在扇型的凸状部4的周缘部(腔室1的外缘侧的部位)以与旋转台2的外端面相向的方式形成有弯曲为L字型的弯曲部46。该弯曲部46与凸状部4同样地抑制反应气体从分离区域D的两侧侵入，从而抑制两反应气体的混合。扇型的凸状部4设置于顶板11，能够从容器主体12拆卸顶板11，因此在弯曲部46的外周面与容器主体12之间具有些微的间隙。弯曲部46的内周面与旋转台2的外端面之间的间隙、以及弯曲部46的外周面与容器主体12之间的间隙例如设定为与顶面44相对于旋转台2的上表面的高度相同的尺寸。
容器主体12的内周壁在分离区域D处如图4所示以与弯曲部46的外周面靠近的方式形成为垂直面，但在分离区域D以外的部位，如图1所示，例如从与旋转台2的外端面相向的部位连续到底部14地向外方侧凹陷。下面，为了方便说明，将具有大概矩形的截面形状的凹陷的部分记载为排气区域。具体地说，将与第一处理区域P1连通的排气区域记载为第一排气区域E1，将与第二处理区域P2连通的区域记载为第二排气区域E2。如图1至图3所示，在这些第一排气区域E1和第二排气区域E2的底部分别形成有第一排气口610和第二排气口620。第一排气口610和第二排气口620如图1所示分别经由排气管630来与作为真空排气单元的例如真空泵640连接。此外，如图1所示，在真空泵640的上游侧设置有压力控制器650。
如图1和图4所示，在旋转台2与腔室1的底部14之间的空间中设置有作为加热单元的加热器单元7，经由旋转台2将旋转台2上的晶圆W加热到由工艺制程决定的温度(例如450℃)。在旋转台2的周缘附近的下方侧设置有环状的罩构件71(图5)，以将从旋转台2的上方空间起至排气区域E1、E2为止的气氛与放置有加热器单元7的气氛区分来抑制气体侵入旋转台2的下方区域。该罩构件71具备内侧构件71a和外侧构件71b，该内侧构件71a设置为从下方侧与旋转台2的外缘部和比外缘部靠外周侧的位置相面对，外侧构件71b设置在该内侧构件71a与腔室1的内壁面之间。外侧构件71b在分离区域D以在形成于凸状部4的外缘部的弯曲部46的下方接近弯曲部46的方式设置，内侧构件71a在旋转台2的外缘部下方(以及比外缘部稍微靠外侧的部分的下方)遍及整周地包围加热器单元7。
比配置有加热器单元7的空间靠旋转中心的部位处的底部14以接近旋转台2的下表面的中心部附近的芯部21的方式向上方侧突出而形成突出部12a。该突出部12a与芯部21之间为狭窄的空间，另外贯通底部14的旋转轴22的贯通孔的内周面与旋转轴22之间的间隙狭窄，这些狭窄的空间与壳体20连通。而且，在壳体20设置有用于向狭窄的空间内供给作为吹扫气体的N2气体来进行吹扫的吹扫气体供给管72。另外，在腔室1的底部14，在加热器单元7的下方，沿周向以规定的角度间隔设置有用于对加热器单元7的配置空间进行吹扫的多个吹扫气体供给管73(在图5中示出一个吹扫气体供给管73)。另外，为了抑制气体侵入设置有加热器单元7的区域而在加热器单元7与旋转台2之间设置有盖构件7a，该盖构件7a遍及周向地覆盖从外侧构件71b的内周壁(内侧构件71a的上表面)到突出部12a的上端部之间。盖构件7a例如能够由石英制造。
另外，构成为在腔室1的顶板11的中心部连接有分离气体供给管51，向顶板11与芯部21之间的空间52供给作为分离气体的N2气体。供给到该空间52中的分离气体经由突出部5与旋转台2之间的狭窄的间隙50沿着旋转台2的凹部24侧的表面朝向周缘喷出。空间50能够利用分离气体来维持为比空间481及空间482高的压力。因而，利用空间50能够抑制供给到第一处理区域P1的第一反应气体与供给到第二处理区域P2的第二反应气体经过中心区域C而混合。即，空间50(或中心区域C)能够与分离空间H(或分离区域D)同样地发挥功能。
并且，如图2、图3所示，在腔室1的侧壁形成有用于在外部的搬送臂10与旋转台2之间进行作为基板的晶圆W的交接的搬送口15。该搬送口15利用未图示的闸阀进行开闭。另外，旋转台2的晶圆载置区域即凹部24在与该搬送口15相向的位置处与搬送臂10之间进行晶圆W的交接，因此在旋转台2的下方侧，在与交接位置对应的部位设置有用于贯通凹部24来从晶圆W的背面举起晶圆W的交接用的升降销及其升降机构(均未图示)。
接着对使用了上述的基板处理装置的基板处理方法简单地进行说明。此外，如上述所示，上述的基板处理装置构成为成膜装置，因此以对基板进行成膜处理为例来进行说明。
首先，将晶圆W搬入腔室1内。在搬入晶圆W等基板时，首先打开闸阀G。然后，一边使旋转台2间歇地旋转一边利用搬送臂10经由搬送口15将晶圆W载置于旋转台2上。
接着，基板翘曲监视装置150使用激光位移计110向规定的参照面照射激光，接收反射激光并且将该测量值存储于存储部130中。在此，规定的参照面例如可以为旋转台2的上表面，也可以为腔室1内的规定位置或规定部件的表面，或者也可以为存在于腔室1外的其它面。此外，关于该方面的详情在后面进行叙述。
接着，关闭闸阀G，在利用真空泵640和压力控制器650使腔室1内为规定的压力的状态下一边使旋转台2旋转一边利用加热器单元7将晶圆W加热到规定的温度。此时，从分离气体喷嘴41、42供给分离气体、例如N2气体。
接下来，从第一反应气体喷嘴31供给第一反应气体，从第二反应气体喷嘴32供给第二反应气体。另外，虽然在图2和图3中没有表示，但在进行等离子体改性处理的情况下，从等离子体处理用气体喷嘴以规定的流量供给等离子体处理用气体。
在此，第一反应气体、第二反应气体可以根据用途使用各种气体，但从第一处理气体喷嘴31供给原料气体，从第二处理气体喷嘴32供给氧化气体或氮化气体。另外，在进行等离子体处理的情况下，从未图示的等离子体处理用气体喷嘴供给由混合气体形成的等离子体处理用气体，该混合气体包括稀有气体以及与从第二处理气体喷嘴供给的氧化气体或氮化气体类似的氧化气体或氮化气体。
在此，以要形成的膜为氧化硅膜、第一反应气体包括含Si气体、第二处理气体包括氧气体的情况为例进行说明。
在晶圆W的表面，通过旋转台2的旋转在第一处理区域P1吸附含Si气体，接着在第二处理区域P2利用氧气体来氧化吸附于晶圆W上的含Si气体。由此，形成一层或多层作为薄膜成分的氧化硅膜的分子层来形成反应生成物。另外，在晶圆W通过分离区域D时，被供给N2等分离气体来吹扫晶圆W。通过使旋转台2旋转，氧化硅膜的分子层堆积于晶圆W的表面上，从而形成氧化硅膜。像这样，为了进行成膜处理需要使旋转台2旋转，但如上述的那样，利用加热器单元7加热旋转台2，因此具有在旋转台2的旋转过程中晶圆W发生翘曲、当该翘曲量大时晶圆W从凹部24离开的风险。
因此，在本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置150和基板翘曲监视方法中，在旋转台2旋转并且进行基板处理时，始终监视包括晶圆W的翘曲量在内的晶圆W的翘曲的状态，并且在具有脱离的风险的情况下使旋转台2减速或停止，由此防止基板处理过程中的晶圆W从凹部24脱离。
下面对该基板翘曲监视装置150和基板翘曲监视方法的内容更详细地进行说明。此外，如上述的那样，基板翘曲监视装置150和基板翘曲监视方法中使用的位移计能够使用各种非接触式的光学位移计，能够使用LED位移计、利用灯光的位移计、共焦式位移计等，但在以下的实施方式中，为了容易地说明，举出利用激光的光(以下简称为“激光”。)的激光位移计110的例子进行说明。在使用其它位移计的情况下，将激光位移计110置换为其它位移计来使用即可。
[第一实施方式]
图6为用于说明本发明的第一实施方式所涉及的基板翘曲监视装置150的基本原理的图。在图6中，在凹部24上载置晶圆W，从右侧的激光位移计110的激光照射部111向晶圆W照射激光，在激光受光部112中接收来自晶圆W的反射激光。另外，从左侧的激光位移计110的激光照射部111向旋转台2的没有形成有凹部24的表面照射激光，在激光受光部112中接收来自旋转台2的表面的反射激光。激光位移计111只要能够接收反射激光则不论对象物的材质为何均能够测量与对象物之间的距离、即对象物的高度。因而，不论是由石英形成的旋转台2的表面高度还是由硅等半导体形成的晶圆W的表面高度均能够准确地进行测定，从而检测其高度。在此，激光受光部112只要能够检测激光的接收即可，能够使用各种受光元件。激光受光部112例如可以由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)传感器、CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合器件)等构成。
此外，如上述那样，旋转台2一般由石英构成，几乎为透明的，因此相比于向晶圆W照射激光的情况反射激光的受光量小，但能够与受光量无关地检测高度位置。因而，在晶圆W脱离的情况下为晶圆W不存在于凹部24中的状态，因此显然与存在有晶圆W的情况的高度的测量值不同。因而，能够根据该高度的测量值的差异来检测晶圆W的脱离。能够利用编码器25掌握凹部24的位置，因此能够容易地检测是从哪个凹部24发生了晶圆W脱离。
另外，例如，如果将旋转台2的表面设定为参照面，计算向晶圆W的表面照射激光时的测量值与向旋转台2的表面照射激光时的测量值之差，则能够计算晶圆W相对于旋转台2的表面的高度的位移量。也就是说，能够以旋转台2的平坦面的表面为基准，计算晶圆W的表面高度高于或低于基准面的程度。由于加工精度、设置状况等影响，旋转台2的表面不是在整个区域中构成完全水平的平坦面，大多情况下为局部具有些微的倾斜(偏芯)的面。因而，如果将旋转台2的晶圆W的附近的表面设为参照面，则能够将这样的各个凹部24附近的反映出局部的倾斜(偏芯)的面个别地设为参照面，从而能够准确地掌握凹部24上的晶圆W相对于参照面的翘曲量。尤其是如果将旋转台2的各个凹部24的附近的表面设为参照面、针对每个凹部24设定个别的参照面，则能够非常准确地掌握晶圆W的翘曲量。
但是，将旋转台2的凹部24附近的表面设为参照面不是必需的，能够将腔室1内外的各种面设为参照面。例如，可以将晶圆W面内的其它点、旋转一周前的同一点设为参照面。
图7为表示配置有多个激光位移计110的例子的图。图7的(a)为表示配置有三个激光位移计110的例子的图。如图7的(a)中的虚线所示，激光位移计110只能对旋转台2的径向上的规定位置(1点)测定表面特征。因而，为了掌握晶圆W的整体的表面特征，优选的是设为能够向与旋转台2的中心之间的距离不同的、晶圆W通过的多个位置照射激光的结构。
在图7的(a)中，表示在晶圆W的中心通过的位置、旋转台2的中心附近且晶圆W的内侧端部通过的位置、旋转台2的周缘部附近且晶圆W的外侧端部通过的位置设置激光位移计110的例子。激光位移计110的个数和配置位置能够根据用途进行各种变更，在使用三个激光位移计110的情况下，优选的是，如图7的(a)所示，将各个激光位移计110配置于能够测量晶圆W的中心、内侧、外侧的表面特征的位置。例如，在使用五个激光位移计110的情况下，也可以进一步在中心与内侧的激光位移计110之间的位置和中心与外侧的激光位移计110之间的位置设置激光位移计110。像这样，激光位移计110的个数和配置位置能够根据用途设为各种结构。
图7的(b)为沿着图7的(a)的径向的面上的激光位移计110的侧视图。如图7的(b)所示，在径向上的、晶圆W的中心、内侧、外侧这样不同的部位设置激光位移计110，分别从上方朝向晶圆W照射激光。通过设为这样的结构，即使在晶圆W的中心不向上翘而只有中心侧和外侧这两端向上翘的情况下，也能够利用设置于中心侧和外侧的激光位移计110监视两端的翘曲。
图7的(c)为用于说明能够进行晶圆W的监视的范围的图。激光位移计110从旋转台2和晶圆W的上方照射激光，能够测量激光位移计110与照射对象物之间的距离，因此也能够监视晶圆W虽然收纳在凹部24内但发生了翘曲的状态、也就是凹部24内的翘曲状态。当为从侧面照射激光的结构时，有可能存在如下情况：若不为晶圆W的翘曲量为凹部24的深度以上且晶圆W的一部分比旋转台2的表面高的状态，则无法进行监视，但在本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置150中，从晶圆W的上表面照射激光来测量表面特征，因此也能够监视晶圆W在凹部24内翘曲的状态。
图8是用于说明本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置150和基板翘曲监视方法的一例中的参照面的测量的图。在图8中表示三个激光位移计110a、110b、110c分别设置于旋转台2的中心侧、中间、外侧的例子。多个激光位移计110a、110b、110c可以像这样沿旋转台2的径向配置成一列。
在图8中，当假定将参照面设定在旋转台2的表面时，在图8的状态下各个激光位移计110a～110c向旋转台2的上表面照射激光，接收反射激光来获取测量值。由此，三个激光位移计110a～110c分别获取参照值。关于这样的参照值的测量，也可以在如上述的那样将晶圆W载置于多个凹部24上之后进行。
图9为表示通过旋转台2的旋转而晶圆W移动到三个激光位移计110a～110c的正下方、成为三个激光位移计110a～110c能够向晶圆W的表面照射激光的状态的图。在该状态下，激光位移计110a～110c能够向晶圆W的表面照射激光，从而能够测量晶圆W的表面特征。此外，如图9中的虚线所示，三个激光位移计110a～110c能够向晶圆W照射激光的长度根据各位置而不同。也就是说，激光位移计110b能够获取通过晶圆W的表面的中心的最长的轨迹(距离)处的晶圆W的表面特征。另外，内侧的激光位移计110a测量在距离上最短的距离的晶圆W的表面特征，外侧的激光位移计110c测量比内侧的激光位移计110a长且比中间的激光位移计110b短的距离的表面特征。
图10是表示使用图8和图9所示的三个激光位移计110a～110c测量出的晶圆W的表面特征的例子的图。图10的(a)、(b)、(c)与各激光位移计110a、110b、110c测量出的表面特征对应。
此外，在图10中，将参照面设为旋转台2的表面，并且将来自旋转台2的表面的反射激光的测量值设定为检测范围外。也就是说，示出已经考虑了参照面的测量值的状态下的测量值。因而，在图10的(a)～(c)中，示出正的测量值的部位表示是测量了晶圆W的表面特征的区域，测量值为零的部位表示向旋转台2照射了激光的区域。
另外，在图10的(a)～(c)中，横轴为旋转角度，纵轴为测量值，但关于成为测量范围的旋转角度，相比于图10的(a)所示的测量距离短的内侧的激光位移计100a的测量结果，在图10的(c)所示的测量距离长的外侧的激光位移计100c的测量结果中的旋转角度小。这是因为，测量的采样周期与旋转角度同步，相比于晶圆W的内侧，晶圆W的外侧的成为测量范围的旋转角度小。但是，在晶圆W的翘曲的监视中，晶圆W的外侧的位置处的旋转角度小不会特别成为问题，作为获取数据量来说是足够的，能够充分地进行晶圆W的翘曲的监视。
此外，即使在旋转台2的旋转速度高的情况下，也能够通过变更采样周期来任意地变更监视器的个数，因此能够充分地应对。
图11为用于说明晶圆W在周向上产生了翘曲的情况下的表面特征的测量值的图。图11的最左侧的测量值的波形为表示晶圆W在周向上产生了翘曲的情况下的激光位移计110b的测量值的图。激光位移计110b的测量值表示晶圆W的中间位置处的表面特征，因此如图11所示，在测量出翘曲的波形的情况下，在晶圆W的表面也发生了翘曲。在图11的例子中为沿着旋转台2的周向的、晶圆W的两端部向上翘的状态。
另外，在图11中，分别由虚线B、T示出表示凹部24的底面的测量值和表示凹部24的上表面(旋转台2的平坦面)的高度的测量值。在图11的例子中，最左侧的测量值比凹部24的上表面高，因此意味着晶圆W发生了大的翘曲的状态。在检测出这样的测量值的波形的情况下，优选的是使旋转台2迅速地减速或停止。
此外，其它测量值均比凹部24的上表面T低，因此可以说是晶圆W没有发生大的翘曲的状态。在这样的波形的情况下，就这样继续使旋转台2旋转，继续进行基板处理即可。
图12为用于说明使用参照值计算晶圆W的翘曲量的工序的图。在图12中表示晶圆A～E的表面特征的测量值，晶圆A～E的测量值的绝对值为具有偏差的测量值。然而，作为参照值分别设定有参照值A～E，将参照值A～E设定为全部不同的测量值。如上述的那样，在将旋转台2的表面设定为参照值的情况下，由于旋转台2的旋转，在激光照射到晶圆W照射之前激光也一定会照射到相邻的凹部24之间的旋转台2的上表面，因此能够在该定时随时更新参照面，从而能够在校正旋转台2的偏芯等的同时监视晶圆W的翘曲。即，在测量多个基板的表面特征时，与所测量的该基板相应地将存储单元中存储的参照值更新为载置有该基板的基板载置区域与同该基板载置区域相邻的基板载置区域之间的旋转台的表面的测量值。在旋转台2由石英构成的情况下，如图6所说明的那样，激光透过，测量值为非常小的值。
如图12所示，参照值A～E为按晶圆A～E而为不同的高度的测量值。即使在这样的情况下，如果分别计算晶圆A～E的测量值与参照值A～E之差，则也能够计算准确的晶圆A～E的各翘曲量。在图12中，晶圆A～E的测量值的绝对值具有偏差，但参照值A～E也具有与晶圆A～E类似的偏差倾向，因此如果计算出晶圆A～E的测量值与参照值A～E之差，则能够计算具有在整体上一致的测量值的翘曲量。
像这样，在本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置150和基板翘曲监视方法中，实时地测量晶圆W的表面特征，并且实时地更新翘曲量的计算所需的参照值，因此能够反映出旋转台2的偏芯、局部的倾斜的差异等地能够进行准确的翘曲量的计算。在此，计算的翘曲量可以不一定为翘曲量的准确的值，只要为能够判断旋转台2的减速或停止的必要性的、以参照值为基准的相对的测量值就足够了。
此外，需要实时地测量晶圆W的表面特征，但翘曲量的计算所使用的参照值可以不必实时地进行测量。例如，也可以在使旋转台2旋转之前向旋转台2等参照面照射激光来预先获取参照值并且存储于存储部130，使用存储的参照值来实时地进行晶圆W的翘曲量的计算。这是因为，旋转台2的偏芯并不是随时间经过而变化的，因此如果事先测量与各凹部24对应的、凹部24附近的旋转台24的高度，该高度自身不会随着时间的经过大幅变化。在不以旋转台2的表面为参照面而以晶圆W的面内的规定位置为参照面的情况下，如果在最初在晶圆W没有翘曲的状态下测量载置于各凹部24中的晶圆W的高度并且存储于存储部130，则也能够与以旋转台2的表面为参照面的情况同样地计算晶圆W的翘曲量。
即，如果考虑到旋转台2的偏芯等而获取一次参照面的高度位置，则通过之后实时地获取晶圆W的高度，能够实时地获取准确的晶圆W的翘曲量。如果能够像这样考虑到各凹部24的高度的差异地设定参照面，则参照面也能够设为除旋转台2、晶圆W的表面以外的面。
另外，反之，为了实时地更新表示参照面的高度的参照值，实时地测量规定的参照面的高度，并且实时地更新存储部130中存储的参照值即可。
像这样，在本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置150和基板翘曲监视方法中，能够根据用途灵活地设定参照面，能够实时地测量晶圆W的翘曲量。
另外，在本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置150和基板翘曲监视方法中，能够始终使用最新的数据来监视晶圆W的翘曲量。因而，能够随时间经过地监视晶圆W的表面特征和翘曲量的变化并且累积数据，从而能够根据晶圆W的表面特征和翘曲量的变化的趋势来预测晶圆W的翘曲量超过规定的容许值(阈值)的定时。
另外，如上述的那样，参照面能够根据用途而设定为各种面，不限于旋转台2的表面，因此能够在各种基板处理装置中应用本实施方式所涉及的基板翘曲监视装置150和基板翘曲监视方法。
图13为表示使用三个激光位移计的情况下的更详细的表面特征的测量值的实测例的图。图13的(a)、(b)、(c)分别相当于图8和图9中的激光位移计110a、110b、110c的测量值。这些实测值为将加热器单元7的温度设定为620℃、将腔室1内的压力设定为8.0Torr、将旋转台2的旋转速度设定为180rpm来测定出的值，为高温、高压、高速旋转的工艺条件。
在图13中，横轴表示旋转角度，纵轴表示测量值，关于检测的旋转角度，如图10所说明的那样，关于晶圆W的表面特征的旋转角度，中间的激光位移计100b的旋转角度最大，内侧的激光位移计100a的旋转角度第二大，外侧的激光位移计100c的旋转角度最小。
其中，更详细地说明图13的(b)和图13的(a)的测量结果。
图14为图13的(b)的测量结果的放大图。在图14中，对五个凹部24标注第1～第5的序号，对其倾向进行说明。如图14所示的那样，在第1～第5凹部24的测量值中表示第1～第3凹部24的测量值高、第4、第5凹部24的测量值低的测量值。可以认为这是因为受到了旋转台2的倾斜(偏芯)的影响。如图14所示，最低的第5凹部24的测量值与最高的第1凹部24的测量值具有接近三个刻度值的测量值的差。在这样的情况下，如果配合旋转台2的偏芯量来测量晶圆W的表面特征，则能够以整体上一致的值来准确地计算翘曲量。例如，如果对测量值高的第1～第3凹部24分别设定相应的高的参照值，对测量值低的第4、第5凹部24分别设定相应的低的参照值，并且分别计算它们的差，虽然为相对的值，但能够分别计算准确的翘曲量。
例如，在设为去掉旋转台2的表面的测量值来不反映为测量值的设定的情况下，也可以新设定这样的参照值。即使在该情况下，如果使旋转台2的表面的测量值的局部的差异反映在参照值中，则也能够将旋转台2的表面设为参照面且对第1～第5凹部24分别设定更有效的参照值。
图15为图13的(a)的测量结果的放大图。在图15中，对五个凹部24标注第1～第5的序号，说明去除测量值的噪声的方法。
在图15中表示第1～第5凹部24的基于激光位移计100a的测量值，在第5凹部24中检测出晶圆W的翘曲。另一方面，在第4凹部24中，测量值本身低，但在测定开始时产生噪声，并且观测到具有与第一凹部24的测量值接近的大小的瞬间测量值。第4凹部24中的噪声为在将激光照射到晶圆W的边缘的情况下产生的噪声。
图16为用于说明表面特征测量中的噪声的产生原因的图。如图16的(a)所示，在从激光位移计100a将激光照射到晶圆W的边缘部的情况下产生噪声。
图16的(b)为图16的(a)的边缘部的放大图。如图16的(b)所示，在晶圆W的边缘形成有斜面部Wb，具有弧形的表面形状，因此存在以下情况：照射于斜面部Wb的激光被漫反射，反射激光被同与实际的高度不同的位置对应的CMOS的像素接收，检测到与比实际的高度高的位置对应的反射激光。原则上，在全部晶圆W的边缘部形成有斜面部Wb，因此在产生这样的噪声的情况下，存在妨碍晶圆W的翘曲量的准确的计算的风险。
图17为表示用于去除图15和图16所说明的噪声的方法的一例的图。在图17中，横轴表示旋转角度，纵轴表示测量值的有无。图17的(a)、(b)、(c)分别与图8和图9所示的激光位移计110a、110b、110c的测量值对应。
如图17的(a)、(b)、(c)所示，在测量晶圆W的表面特征时，相当于晶圆W的边缘部的测量值被屏蔽而不被记录。也就是说，相当于晶圆W的边缘部的测量值被废弃，不被用作表面特征的测量值数据。在运算部120中进行这样的处理即可，只是不作为记录被采用而是被排除，因此能够容易地进行。因而，被记录的表面特征的数据只有去除了噪声后的可靠性高的数据，因此能够恰当地掌握和记录晶圆W的表面特征。
图18为用于说明本发明的第一实施方式所涉及的基板翘曲监视方法的处理流程的图。此外，对至此所说明的结构要素标注相同的参照标记并且省略其说明。另外，举出使用三个激光位移计100a～100c的情况为例进行说明。
在步骤S100中，进行激光位移计100a～100c的初始化。根据需要进行校准等。
在步骤S110中，选择旋转台2的上表面作为参照面，向旋转台2的表面照射激光，获取测量值。具体地说，设为图8所示的状态，向相邻的凹部24之间的旋转台2的表面照射激光，进行测量。此外，获取到的测量值作为参照值存储于存储部130。
在步骤S120中，使旋转台2间歇地低速旋转，在各凹部24中进行晶圆W的翘曲是否稳定了的检测。腔室1内为高温，因此当将晶圆W搬入到腔室1内并载置于凹部24上时，晶圆W产生翘曲的情况多。在步骤S120中进行该最初的阶段的翘曲的检测。在各晶圆W的翘曲稳定了并且成为可以使旋转台2旋转的状态后结束步骤S120。
此外，在步骤S110、S120中的任一个或它们的前后，根据基板处理的内容也进行腔室1的真空排气、加热器单元7的加热、分离气体的供给、反应气体的供给等基板处理所需的准备。
在步骤S130中，开始旋转台2的旋转，进行晶圆W的翘曲的始终监视。具体地说，利用激光位移计110a～110c持续地进行各位置处的晶圆W的表面特征的测量。此时，将经由步骤S110获取到的参照面的测量值用作参照值，根据需要进行翘曲量的计算。另外，根据需要对晶圆W的边缘部进行屏蔽来从表面特征数据中删除。
在步骤S140中，判定计算出的翘曲量是否超过了规定的阈值。由运算部120进行这样的判定。此外，将阈值设定为当翘曲量超过阈值时出现脱离的可能性这样的水平，并且设定为脱离还未发生的水平。由此，能够预防脱离的发生。另外，对多个晶圆W全部进行这样的判定。即使多个晶圆W中的一个晶圆超过了阈值，也判定为翘曲量超过了阈值。而且，在计算出的翘曲量超过了阈值的情况下，进入步骤S160。此外，由编码器25来确定翘曲量超过了阈值的晶圆W。
在步骤S160中，进行旋转台2的旋转的减速或停止。在翘曲量超过了规定的阈值的情况下，出现晶圆W从凹部24脱离的可能性，因此使旋转台2的旋转减速或停止。关于设为减速还是设为停止，可以在步骤S140中将阈值设定为两个阶段，也可以根据与其它要素的综合判断来决定。
在执行步骤S160之后，结束处理流程。之后，将晶圆W从腔室1搬出，进行继续其它基板组的处理、查明原因等接下来的处理。
在经由步骤S140计算出的晶圆W的翘曲量没有超过阈值的情况下，进入步骤S150。
在步骤S150中，判定是否检测出晶圆W的脱离。基于晶圆W是否不存在于凹部24上而旋转台2露出，来进行晶圆W的脱离的判定。在旋转台2为石英的情况下，凹部24上的激光的测量值为极小的值时相当于脱离的情况。运算部120进行这样的判断。在步骤S150中，在检测出晶圆W自凹部24脱离的情况下，进入步骤S170。
在步骤S170中，使旋转台2的旋转停止。在脱离的情况下，不是使旋转台2减速，而是使迅速地使旋转台2停止，将腔室1的内部和晶圆W的损伤限制在最小限度。
在执行步骤S170后结束本处理流程，实施确认腔室1和晶圆W的损伤等必要的措施。
在步骤S150中，在没有检测出晶圆W的脱离的情况下，返回步骤S130，继续进行始终监视。之后也继续重复进行步骤S130、S140、S150的处理流程。
此外，一边进行基板处理一边与基板处理并行地进行步骤S130～S150。步骤S160、S170的旋转台2的减速、停止意味着基板处理的结束。
像这样，根据本实施方式所涉及的基板翘曲监视方法，能够在晶圆W的脱离的可能性高的阶段进行应对，因此能够有效地防止晶圆W的脱离的发生。
图19为用于说明第一实施方式所涉及的基板翘曲监视装置的激光位移计110、110a～110c的朝向的图。如图19所示，在第一实施方式中，激光位移计110、110a～110c的激光头的安装角度设置为从旋转台2的外侧向内侧投射和接收光。由此，能够防止噪声的影响，对晶圆W的端部也能够进行表面特征的测量。
[第二实施方式]
图20是表示第二实施方式所涉及的基板翘曲监视装置的一例的图。在第二实施方式所涉及的基板翘曲监视装置151中，沿旋转方向以相对于旋转台2的旋转方向为±10°的范围的方式配置激光位移计110d。由此，抑制晶圆W的斜面部Wb的漫反射的光接收，从而能够进行稳定的反射激光的光接收。
其它结构要素和基板翘曲监视方法与第一实施方式相同，因此省略其说明。
以上对本发明的优选的实施方式详细地进行了说明，但本发明不限制为上述的实施方式，只要不脱离本发明的范围就能够对上述的实施方式施加各种变形和置换。

Claims (23)

1.一种基板翘曲监视装置，对在旋转台上沿周向设置的基板载置区域上载置的基板在所述旋转台旋转过程中的翘曲进行监视，所述基板翘曲监视装置具有：
光学式位移计，其能够从所述旋转台的上方向所述旋转台上的规定位置照射光，接收来自所述旋转台旋转而通过所述规定位置的所述旋转台和所述基板的反射光，来测量所述基板的表面特征；
存储单元，其存储将所述光照射于规定的参照面时的测量值来作为参照值；以及
运算单元，其基于所述光学式位移计测量出的所述基板的表面特征和所述存储单元中存储的参照值来计算所述基板的翘曲量。
2.根据权利要求1所述的基板翘曲监视装置，其特征在于，
在多个位置设置有所述光学式位移计，以能够监视所述旋转台的不同的位置。
3.根据权利要求2所述的基板翘曲监视装置，其特征在于，
所述旋转台的不同的位置包括所述旋转台的径向上的所述基板的中心位置、内侧的规定位置、外侧的规定位置。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板翘曲监视装置，其特征在于，
所述参照面为所述旋转台的表面。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板翘曲监视装置，其特征在于，
在所述旋转台上沿所述周向设置有多个基板载置区域，以能够载置多个基板，
所述基板翘曲监视装置还具有获取所述旋转台旋转过程中的所述多个基板载置区域的位置的基板位置获取单元，所述基板翘曲监视装置按所述多个基板载置区域中的每个基板载置区域计算所述基板的翘曲量。
6.根据权利要求5所述的基板翘曲监视装置，其特征在于，
在测量所述多个基板的表面特征时，与所测量的该基板相应地将所述存储单元中存储的所述参照值更新为载置有该基板的所述基板载置区域与同该基板载置区域相邻的基板载置区域之间的所述旋转台的表面的测量值。
7.根据权利要求5或6所述的基板翘曲监视装置，其特征在于，
在判定为所述多个基板中的至少一个基板的翘曲量超过了规定的阈值时，所述运算单元发出警报信号。
8.根据权利要求5至7中的任一项所述的基板翘曲监视装置，其特征在于，
在基于测量反射光得到的测量值判定为从所述多个基板载置区域中的至少一个基板载置区域接收到的所述反射光不是从所述基板反射的而是从所述旋转台反射的光时，所述运算单元判定为在所述至少一个基板载置区域所述基板脱离，发出警报信号。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板翘曲监视装置，其特征在于，
所述运算单元不将来自所述基板的边缘部的所述反射光的测量值用于所述基板的形状的计算而是将该测量值废弃。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板翘曲监视装置，其特征在于，
所述光为激光、LED光或灯光。
11.一种基板处理装置，具有：
处理容器；
旋转台，其设置于所述处理容器内，具有沿周向设置的多个基板载置区域；
反应气体供给喷嘴，其能够向所述旋转台上供给反应气体；以及
根据权利要求1至10中的任一项所述的基板翘曲监视装置。
12.一种基板处理装置，具有：
处理容器；
旋转台，其设置于所述处理容器内，具有沿周向设置的多个基板载置区域；
反应气体供给喷嘴，其能够向所述旋转台上供给反应气体；
根据权利要求7或8所述的基板翘曲监视装置；以及
控制单元，其在接收到来自所述基板翘曲监视装置的所述警报信号时，使所述旋转台减速或停止。
13.一种基板翘曲监视方法，具有以下工序：
将基板载置于旋转台上，该旋转台设置于处理容器内，沿周向具有基板载置区域；
使用光学式位移计向除所述基板的表面以外的规定的参照面照射光，存储反射光的测量值来作为参照值；
使载置有所述基板的所述旋转台旋转，使用所述光学式位移计接收来自通过所述旋转台上的规定位置的所述旋转台和所述基板的反射光，来测量所述基板的表面特征；以及
基于所述光学式位移计测量出的所述基板的表面特征和所述参照值来计算所述基板的翘曲量。
14.根据权利要求13所述的基板翘曲监视方法，其特征在于，
使用多个光学式位移计对所述基板的不同的位置实施存储所述反射光的测量值来作为参照值的工序、测量所述基板的表面特征的工序以及计算所述基板的形状的工序。
15.根据权利要求14所述的基板翘曲监视方法，其特征在于，
所述基板的不同的位置包括所述旋转台的径向上的所述基板的中心位置、内侧的规定位置、外侧的规定位置。
16.根据权利要求13或14所述的基板翘曲监视方法，其特征在于，
所述参照面为所述旋转台的表面。
17.根据权利要求13至16中的任一项所述的基板翘曲监视方法，其特征在于，
在所述旋转台上沿所述周向设置有多个基板载置区域，以能够载置多个基板，
所述基板翘曲监视方法还具有获取所述旋转台旋转过程中的所述多个基板载置区域的位置的工序，
在计算所述基板的翘曲量的工序中，按所述多个基板载置区域中的每个基板载置区域计算所述基板的翘曲量。
18.根据权利要求17所述的基板翘曲监视方法，其特征在于，
所述参照面为相邻的所述多个基板载置区域之间的所述旋转台的表面，
在存储所述反射光的测量值来作为参照值的工序中，每当测量所述多个基板的表面特征时，更新所述参照值。
19.根据权利要求17或18所述的基板翘曲监视方法，其特征在于，
在计算所述基板的翘曲量的工序中，在判定为所述多个基板中的至少一个基板的翘曲量超过了规定的阈值时，使所述旋转台减速或停止。
20.根据权利要求17至19中的任一项所述的基板翘曲监视方法，其特征在于，
在计算所述基板的翘曲量的工序中，在基于测量反射光得到的测量值判定为从所述多个基板载置区域中的至少一个基板载置区域接收到的所述反射光不是从所述基板反射的而是从所述旋转台反射的光时，判定为在所述至少一个基板载置区域所述基板脱离，使所述旋转台的旋转停止。
21.根据权利要求13至20中的任一项所述的基板翘曲监视方法，其特征在于，
在计算所述基板的翘曲量的工序中，来自所述基板的边缘部的所述反射光的测量值不被用于所述基板的形状的计算而是被废弃。
22.根据权利要求13至21中的任一项所述的基板翘曲监视方法，其特征在于，
一边对所述基板进行处理一边进行测量所述基板的表面特征的工序和计算所述基板的翘曲量的工序。
23.根据权利要求13至22中的任一项所述的基板翘曲监视方法，其特征在于，
所述光为激光、LED光或灯光。
CN201810731772.0A 2017-07-05 2018-07-05 基板翘曲监视装置、基板处理装置及基板翘曲监视方法 Active CN109216237B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017131836A JP6945367B2 (ja) 2017-07-05 2017-07-05 基板反り監視装置及びこれを用いた基板処理装置、並びに基板反り監視方法
JP2017-131836 2017-07-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109216237A true CN109216237A (zh) 2019-01-15
CN109216237B CN109216237B (zh) 2023-06-23

Family

ID=64903471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810731772.0A Active CN109216237B (zh) 2017-07-05 2018-07-05 基板翘曲监视装置、基板处理装置及基板翘曲监视方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10615066B2 (zh)
JP (1) JP6945367B2 (zh)
KR (1) KR102354310B1 (zh)
CN (1) CN109216237B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110517968A (zh) * 2019-08-19 2019-11-29 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种翘曲度的控制方法及装置
CN110739246A (zh) * 2019-09-03 2020-01-31 福建晶安光电有限公司 一种晶片翘曲度的测量方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12032013B2 (en) * 2017-12-27 2024-07-09 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate inspection device and substrate inspection method
JP7246247B2 (ja) * 2019-05-15 2023-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び監視方法
JP6987821B2 (ja) * 2019-09-26 2022-01-05 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP7236985B2 (ja) * 2019-11-15 2023-03-10 東京エレクトロン株式会社 温度計測システム、温度計測方法及び基板処理装置
JP7464412B2 (ja) * 2020-03-09 2024-04-09 株式会社東京精密 加工装置
DE102020119873A1 (de) * 2020-07-28 2022-02-03 Aixtron Se Verfahren zum Erkennen fehlerhafter oder fehlerhaft in einem CVD-Reaktor eingesetzte Substrate
JP7183223B2 (ja) * 2020-08-28 2022-12-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN115332103A (zh) * 2022-08-29 2022-11-11 王志远 一种石墨舟中硅片贴合状态检测装置及其使用方法
CN115876113B (zh) * 2023-01-31 2023-05-16 粤芯半导体技术股份有限公司 一种测量薄片晶圆翘曲的方法
CN116907411B (zh) * 2023-09-12 2024-01-12 成都飞机工业（集团）有限责任公司 一种封闭空间轴孔配合间隙测量方法及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015378A (ja) * 2010-07-01 2012-01-19 Sharp Corp 測定状態判定装置
US20120308215A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Applied Materials, Inc. Detection of substrate warping during rapid thermal processing
CN104183518A (zh) * 2013-05-27 2014-12-03 东京毅力科创株式会社 能旋转状态检测装置和方法、以及使用该装置的基板处理装置和使用该方法的基板处理方法
CN104949631A (zh) * 2014-03-27 2015-09-30 纽富来科技股份有限公司 曲率测定装置以及曲率测定方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116565A (ja) * 2003-10-02 2005-04-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4899879B2 (ja) * 2007-01-17 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5283961B2 (ja) * 2008-04-24 2013-09-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5593384B2 (ja) * 2010-06-01 2014-09-24 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20140315330A1 (en) * 2011-11-29 2014-10-23 Nikon Corporation Measurement device, measurement method, and method for manufacturing semiconductor device
US8747686B2 (en) * 2012-01-27 2014-06-10 Applied Materials, Inc. Methods of end point detection for substrate fabrication processes
JP6114708B2 (ja) * 2013-05-27 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板脱離検出装置及び基板脱離検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法
JP6430307B2 (ja) * 2014-03-27 2018-11-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 曲率測定装置及び曲率測定方法
JP6362466B2 (ja) * 2014-07-24 2018-07-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持検査方法および基板処理装置
US10446423B2 (en) * 2016-11-19 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Next generation warpage measurement system
US10784134B2 (en) * 2017-05-03 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Image based substrate mapper

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015378A (ja) * 2010-07-01 2012-01-19 Sharp Corp 測定状態判定装置
US20120308215A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Applied Materials, Inc. Detection of substrate warping during rapid thermal processing
CN104183518A (zh) * 2013-05-27 2014-12-03 东京毅力科创株式会社 能旋转状态检测装置和方法、以及使用该装置的基板处理装置和使用该方法的基板处理方法
CN104949631A (zh) * 2014-03-27 2015-09-30 纽富来科技股份有限公司 曲率测定装置以及曲率测定方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110517968A (zh) * 2019-08-19 2019-11-29 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种翘曲度的控制方法及装置
CN110739246A (zh) * 2019-09-03 2020-01-31 福建晶安光电有限公司 一种晶片翘曲度的测量方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190013224A1 (en) 2019-01-10
CN109216237B (zh) 2023-06-23
JP6945367B2 (ja) 2021-10-06
KR102354310B1 (ko) 2022-01-21
JP2019016662A (ja) 2019-01-31
US10615066B2 (en) 2020-04-07
KR20190005113A (ko) 2019-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109216237A (zh) 基板翘曲监视装置、基板处理装置及基板翘曲监视方法
CN109216238A (zh) 基板翘曲检测装置及方法和基板处理装置及方法
JP6114708B2 (ja) 基板脱離検出装置及び基板脱離検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法
CN104183518B (zh) 能旋转状态检测装置和方法、以及使用该装置的基板处理装置和使用该方法的基板处理方法
EP2684979B1 (en) Vapor deposition apparatus
KR101383283B1 (ko) 화학기상증착장치 및 화학기상증착장치의 온도제어방법
CN103887210A (zh) 基板位置检测装置、基板处理装置和成膜装置
JP5640894B2 (ja) 温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置
KR20100097006A (ko) 열처리 중의 반도체 웨이퍼의 부정확한 위치 설정의 식별 방법
TW201312679A (zh) 溫度測量裝置、溫度測量方法、記憶媒體及熱處理裝置
EP2498276A1 (en) Temperature control method of chemical vapor deposition device
US11972921B2 (en) Temperature measurement system, temperature measurement method, and substrate processing apparatus
US11765879B2 (en) Substrate processing apparatus and monitoring method
KR101839999B1 (ko) 사용수명이 향상된 증착물질 감지장치
KR20220086333A (ko) 기판 처리 장치
TWI640754B (zh) 溫度測定方法及熱處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant