CN109207272A - 芯片激光切割保护液及该保护液制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明所涉及一种芯片激光切割保护液，其包括有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂。在使用激光切割芯片时，激光切割保护液被撒落在芯片表面，均匀扩散到整个芯片表面。所述表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留于芯片表面的物质分解成微小颗粒或化学反应，溶解于有机清洁剂溶液中，达到芯片表面清洁能力。与此同时，所述激光切割保护液扩散芯片表面形成一层有机保护膜，防止了芯片在高温下切割所产生的芯片崩边现象。所述缓蚀剂能够阻止芯片表面的金属线路在高温下被氧化达到阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。本发明还具有操作简单和使用方便的功效。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体技术领域，具体是一种用于集成电路封装领域的芯片激光切割保护液及保护液制作工艺。
背景技术
随着微处理器和PC机的广泛应用和普及于通信，工业控制，消费电子等领域，IC产业已经开始进入以客户为导向的阶段，标准化功能的IC已难以满足整机客户对系统成本，可靠性等要求，同时整机客户要求不断增加IC的集成度，提高保密性，减小芯片面积使系统的体积缩小，降低成本，提高产品的性能，增强产品市场竞争力。然而，在加工小型芯片的过程中，一般情况都是采用金刚石划片刀，利用高速旋转的刀具转动，带动设置于刀具上的刀片对被切割的芯片进行切削动作，实现分离动作。但在一些高硬度的芯片切割时，必须使用激光先行切割开槽，在分离动作过程，容易使得芯片表面残留蜡层、脏污以及电路氧化残留物等杂物质。该残留杂质中含有活性氧化成分，该活性氧化成分长期依附于芯片表面，容易导致氧化芯片表面一些物质，在污垢杂质重力作用下甚至很可能驱使所述芯片边缘产生崩边的现象发生。
发明内容
有鉴于此，本发明技术目的是为了解决上述现有技术存在的问题而提供一种具有芯片表面清洁能力,防止芯片表面线路被氧化功能,以及防止芯片在高温条件下崩边功能的芯片激光切割保护液。
本发明技术目的还提供一种操作简单，加工方便的芯片激光切割保护液制作工艺。
为此解决上述技术问题，本发明中的技术方案所采用一种芯片激光切割保护液，其包括表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂；所述表面活性剂包含有脂肪酸聚氧乙烯醚,苯基缩水甘油醚,椰子油脂肪酸二乙醇酰胺,吐温-80,司潘-80,聚氧乙烯甘油醚,氢化蓖麻油活性剂,油醇聚氧乙烯醚；有机溶剂包含有丙二醇苯醚,乙二醇甲醚,聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚,二乙二醇单己醚,四氢康醇,乙酸丁酯,丁内酯,吡咯烷酮,乙醇胺,丙二醇,丙三醇,聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇，己二酸二辛酯苯甲醇；缓蚀剂包含有苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑；偶联剂包含有KH550，KH560；
依据上述主要技术特征，所述聚氧乙烯甘油醚为0.10千克，所述脂肪酸聚氧乙烯醚为0.10千克，所述椰子油脂肪酸二乙醇酰胺为0.10千克，所述吐温-80为0.10千克，所述司潘-80为0.10千克，所述油醇聚氧乙烯醚为0.10千克。
依据上述主要技术特征，所述吡咯烷酮为0.050千克，所述丁内酯为0.05千克，所述四氢康醇为0.05千克，所述丙三醇为0.05千克，所述乙二醇甲醚为0.050千克。
依据上述主要技术特征，所述聚乙二醇200为1千克，所述聚乙二醇600为1千克，所述聚乙二醇8000为1千克，所述聚乙二醇2W为1千克，所述乙二醇为1千克，所述乙醇为1千克，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚为0.005千克；所述苯并三氮唑为0.05千克；所述KH550为0.05千克，所述KH560为0.05千克。
一种芯片激光切割保护液制作工艺，其工艺流程为：先将已经制备好的中间体C混合液加入反应釜中，开启搅拌器，充分搅拌；然后，在反应釜中加入中间体B混合液，使得充分产生化学反应，反应时间为10分钟；然后，将中间体A混合液和1.59L体积的去离子水，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；然后，将中间体D混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；，将中间体E混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟之后，将反应釜内部所述混合液体放入到指定容器内，并将指定容器外表面及内部包装，形成成品芯片激光切割保护液。
依据上述主要技术特征，将0.10千克的聚氧乙烯甘油醚，0.10千克的脂肪酸聚氧乙烯醚，0.10千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，0.10千克的吐温-80，0.10千克的司潘-80，0.10千克的油醇聚氧乙烯醚,和1.0L体积的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器，充分搅拌，使充分发生化学反应，反应时间为20分钟，形成所述的中间体A混合液。
依据上述主要技术特征，将1.0L体积的去离子水加入反应釜中，缓慢加入0.10千克的吐温-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，然后，缓慢加入0.10千克的氢化蓖麻油活性剂，使用搅拌器充分搅拌20分钟，缓慢加入0.10千克的司潘-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，至完全溶解，则制成中间体B混合液。
依据上述主要技术特征，先将预先打入计量槽的去离子水3.0L加入反应釜，启动搅拌器搅拌，加入1.0千克壬基酚聚氧乙烯醚溶液，搅拌30分钟，至完全溶解；缓慢加入0.2千克的脂肪醇聚氧乙烯(9)醚，充分搅拌30分钟，至完全溶解，缓慢加入0.2千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，充分搅拌30分钟，至完全溶解，制得中间体C混合液。
依据上述主要技术特征，将0.005千克的聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚和1.0千克的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为10中，制得中间体D混合液。
依据上述主要技术特征，将0.005千克的氯化十二烷基二甲基苄基铵和1.0千克的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为15分钟，制得中间体E混合液。
本发明的有益技术效果：因所述的芯片激光切割保护液中含有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂等成分。在使用激光切割芯片时，芯片在吸附在切割工作台上，激光切割保护液通过液压泵输送一定量的保护液撒落在芯片表面，通过工作台高速旋转，把激光切割保护液均匀扩散到整个芯片表面。激光切割保护液中表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留于芯片表面蜡渍、油污、灰尘颗粒及金属氧化物等物质分解成微小颗粒或化学反应，使微小颗粒或粉末物质溶解于有机清洁剂溶液中，在工作台的高速旋转下排出外界，达到芯片表面清洁能力。在有机溶剂和偶联剂的共同作用下，将在所述激光切割保护液扩散范围内形成一层有机保护膜，该保护膜能够均匀吸收激光的能量作用于芯片表面，防止了芯片在高温下切割所产生的芯片崩边现象。与此同时，所述缓蚀剂能够阻止芯片表面的金属线路在高温下被氧化达到阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。因此，所述芯片激光切割保护液不仅具有芯片表面清洁能力，而且还能够防止芯片表面线路被氧化和芯片崩边的现象发生。与现有技术中同类产品相互比较，本发明还具有操作简单和使用方便的功效。
为对本发明的目的、构造特征及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下：
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面结合实施例说明一种芯片激光切割保护液，其包括表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂；所述表面活性剂包含有脂肪酸聚氧乙烯醚,苯基缩水甘油醚,椰子油脂肪酸二乙醇酰胺,吐温-80,司潘-80,聚氧乙烯甘油醚,氢化蓖麻油活性剂,油醇聚氧乙烯醚；有机溶剂包含有丙二醇苯醚,乙二醇甲醚,聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚,二乙二醇单己醚,四氢康醇,乙酸丁酯,丁内酯,吡咯烷酮,乙醇胺,丙二醇,丙三醇,聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇，己二酸二辛酯苯甲醇；缓蚀剂包含有苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑；偶联剂包含有KH550，KH560；
所述聚氧乙烯甘油醚为0.10千克，所述脂肪酸聚氧乙烯醚为0.10千克，所述椰子油脂肪酸二乙醇酰胺为0.10千克，所述吐温-80为0.10千克，所述司潘-80为0.10千克，所述油醇聚氧乙烯醚为0.10千克。所述吡咯烷酮为0.050千克，所述丁内酯为0.05千克，所述四氢康醇为0.05千克，所述丙三醇为0.05千克，所述乙二醇甲醚为0.050千克。所述聚乙二醇200为1千克，所述聚乙二醇600为1千克，所述聚乙二醇8000为1千克，所述聚乙二醇2W为1千克，所述乙二醇为1千克，所述乙醇为1千克，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚为0.005千克；所述苯并三氮唑为0.05千克；所述KH550为0.05千克，所述KH560为0.05千克。
一种芯片激光切割保护液制作工艺，其工艺流程为：先将已经制备好的中间体C混合液加入反应釜中，开启搅拌器，充分搅拌；然后，在反应釜中加入中间体B混合液，使得充分产生化学反应，反应时间为10分钟；然后，将中间体A混合液和1.59L体积的去离子水，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；然后，将中间体D混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；，将中间体E混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟之后，将反应釜内部所述混合液体放入到指定容器内，并将指定容器外表面及内部包装，形成成品芯片激光切割保护液。
将0.10千克的聚氧乙烯甘油醚，0.10千克的脂肪酸聚氧乙烯醚，0.10千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，0.10千克的吐温-80，0.10千克的司潘-80，0.10千克的油醇聚氧乙烯醚,和1.0L体积的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器，充分搅拌，使充分发生化学反应，反应时间为20分钟，形成所述的中间体A混合液。
将1.0L体积的去离子水加入反应釜中，缓慢加入0.10千克的吐温-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，然后，缓慢加入0.10千克的氢化蓖麻油活性剂，使用搅拌器充分搅拌20分钟，缓慢加入0.10千克的司潘-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，至完全溶解，则制成中间体B混合液。
先将预先打入计量槽的去离子水3.0L加入反应釜，启动搅拌器搅拌，加入1.0千克壬基酚聚氧乙烯醚溶液，搅拌30分钟，至完全溶解；缓慢加入0.2千克的脂肪醇聚氧乙烯(9)醚，充分搅拌30分钟，至完全溶解，缓慢加入0.2千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，充分搅拌30分钟，至完全溶解，制得中间体C混合液。
将0.005千克的聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚和1.0千克的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为10中，制得中间体D混合液。
将0.005千克的氯化十二烷基二甲基苄基铵和1.0千克的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为15分钟，制得中间体E混合液。
所述芯片激光切割保护液为无色透明液体，易溶于水，复合物。芯片激光切割保护液能对颗粒起吸附、分散作用。芯片激光切割保护液主要用于半导体芯片切割加工工艺上的清洗与保护。芯片激光切割保护液包含有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂。芯片激光切割保护液具有分散，润湿，导电，降温，润滑，乳化，清洁，包裹，去污，除蜡、金属防氧化等多种功能。本发明所涉及一种集成电路封装用的芯片切割(激光切割)保护液，该保护液包括有：表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂。
在使用激光切割芯片时，芯片在吸附在切割工作台上，激光切割保护液通过液压泵输送一定量的保护液滴落在芯片表面，通过工作台的高速旋转，把保护液均匀扩散到整个芯片表面；保护液里的表面活性剂成分、有机溶剂能够将残留于芯片表面蜡渍、油污、灰尘颗粒及金属氧化物分解成微小颗粒或化学反应，使微小颗粒或粉末物质溶解于有机清洁剂溶液中，在工作台的高速旋转下排出外界，达到芯片表面清洁能力。在有机溶剂及偶联剂的共同作用下，将在所述保护液扩散范围内形成一层有机保护膜，能够均匀吸收激光的能量作用于芯片表面，防止了芯片在高温下切割所产生的芯片崩边现象。芯片表面的金属线路在高温下容易氧化的问题，通保护液里的缓蚀剂的作用，阻止了氧化物的产生。
综上所述，因所述的芯片激光切割保护液中含有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂等成分。在使用激光切割芯片时，芯片在吸附在切割工作台上，激光切割保护液通过液压泵输送一定量的保护液撒落在芯片表面，通过工作台高速旋转，把激光切割保护液均匀扩散到整个芯片表面。激光切割保护液中表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留于芯片表面蜡渍、油污、灰尘颗粒及金属氧化物等物质分解成微小颗粒或化学反应，使微小颗粒或粉末物质溶解于有机清洁剂溶液中，在工作台的高速旋转下排出外界，达到芯片表面清洁能力。在有机溶剂和偶联剂的共同作用下，将在所述激光切割保护液扩散范围内形成一层有机保护膜，该保护膜能够均匀吸收激光的能量作用于芯片表面，防止了芯片在高温下切割所产生的芯片崩边现象。与此同时，所述缓蚀剂能够阻止芯片表面的金属线路在高温下被氧化达到阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。因此，所述芯片激光切割保护液不仅具有芯片表面清洁能力，而且还能够防止芯片表面线路被氧化和芯片崩边的现象发生。与现有技术中同类产品相互比较，本发明还具有操作简单和使用方便的功效。
以上说明了本发明的优选实施例，并非因此局限本发明的权利范围。本领域技术人员不脱离本发明的范围和实质内所作的任何修改、等同替换和改进，均应在本发明的权利范围之内。
Claims (10)
1.一种芯片激光切割保护液，其包括表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂；所述表面活性剂包含有脂肪酸聚氧乙烯醚,苯基缩水甘油醚,椰子油脂肪酸二乙醇酰胺,吐温-80,司潘-80,聚氧乙烯甘油醚,氢化蓖麻油活性剂,油醇聚氧乙烯醚；有机溶剂包含有丙二醇苯醚,乙二醇甲醚,聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚,二乙二醇单己醚,四氢康醇,乙酸丁酯,丁内酯,吡咯烷酮,乙醇胺,丙二醇,丙三醇,聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇，己二酸二辛酯苯甲醇；缓蚀剂包含有苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑；偶联剂包含有KH550，KH560。
2.如权利要求1所述的芯片激光切割保护液，其特征在于：所述聚氧乙烯甘油醚为0.10千克，所述脂肪酸聚氧乙烯醚为0.10千克，所述椰子油脂肪酸二乙醇酰胺为0.10千克，所述吐温-80为0.10千克，所述司潘-80为0.10千克，所述油醇聚氧乙烯醚为0.10千克。
3.如权利要求1所述的芯片激光切割保护液，其特征在于：所述吡咯烷酮为0.050千克，所述丁内酯为0.05千克，所述四氢康醇为0.05千克，所述丙三醇为0.05千克，所述乙二醇甲醚为0.050千克。
4.如权利要求1所述的芯片激光切割保护液，其特征在于：所述聚乙二醇200为1千克，所述聚乙二醇600为1千克，所述聚乙二醇8000为1千克，所述聚乙二醇2W为1千克，所述乙二醇为1千克，所述乙醇为1千克，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚为0.005千克；所述苯并三氮唑为0.05千克；所述KH550为0.05千克，所述KH560为0.05千克。
5.一种如权利要求1所述芯片激光切割保护液制作工艺，其工艺流程为：先将已经制备好的中间体C混合液加入反应釜中，开启搅拌器，充分搅拌；然后，在反应釜中加入中间体B混合液，使得充分产生化学反应，反应时间为10分钟；然后，将中间体A混合液和1.59L体积的去离子水，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；然后，将中间体D混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；，将中间体E混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟之后，将反应釜内部所述混合液体放入到指定容器内，并将指定容器外表面及内部包装，形成成品芯片激光切割保护液。
6.如权利要求5所述的芯片激光切割保护液制作工艺，其特征在于：将0.10千克的聚氧乙烯甘油醚，0.10千克的脂肪酸聚氧乙烯醚，0.10千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，0.10千克的吐温-80，0.10千克的司潘-80，0.10千克的油醇聚氧乙烯醚,和1.0L体积的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器，充分搅拌，使充分发生化学反应，反应时间为20分钟，形成所述的中间体A混合液。
7.如权利要求5所述的芯片激光切割保护液制作工艺，其特征在于：将1.0L体积的去离子水加入反应釜中，缓慢加入0.10千克的吐温-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，然后，缓慢加入0.10千克的氢化蓖麻油活性剂，使用搅拌器充分搅拌20分钟，缓慢加入0.10千克的司潘-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，至完全溶解，则制成中间体B混合液。
8.如权利要求5所述的芯片激光切割保护液制作工艺，其特征在于：先将预先打入计量槽的去离子水3.0L加入反应釜，启动搅拌器搅拌，加入1.0千克壬基酚聚氧乙烯醚溶液，搅拌30分钟，至完全溶解；缓慢加入0.2千克的脂肪醇聚氧乙烯(9)醚，充分搅拌30分钟，至完全溶解，缓慢加入0.2千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，充分搅拌30分钟，至完全溶解，制得中间体C混合液。
9.如权利要求5所述的芯片激光切割保护液制作工艺，其特征在于：将0.005千克的聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚和1.0千克的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为10中，制得中间体D混合液。
10.如权利要求5所述的芯片激光切割保护液制作工艺，其特征在于：将0.005千克的氯化十二烷基二甲基苄基铵和1.0千克的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为15分钟，制得中间体E混合液。
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